------【后摩尔EDA器件模型与集成设计方法研究】--------

|--------面向新材料、新器件、新集成多元化的EDA---------

|新型先进器件特性研究：IGZO-FET、2D-FET、GAA-FET、TFT等

|器件模型与集成设计：器件模型开发与EDA集成电路设计方法

|制造端EDA器件仿真工具研究：多尺度、多物理、TCAD仿真

|----------器件物理：可靠性机理与传输机理研究-----------

|缺陷物理与可靠性：器件可靠性（如HCL、BTI等）与传输机理

|---------兼容M3D异质集成芯片（DRAM）集成设计-----------

|协同设计方法研究：以模型为核心的器件-电路协同设计方法

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每年招收2名硕士或1硕1博

080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
080901-物理电子学

后摩尔器件模型及可靠集成方法
新型器件物理与TCAD方法，多尺度与多物理仿真
EDA新架构电路仿真与异质集成设计

2016-08--2019-08   新加坡国立大学   博士学位
2013-09--2016-07   中国科学院微电子研究所   硕士学位
2009-09--2013-07   电子科技大学   学士学位

   

2022-03~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2021-01~2022-03,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2019-11~2020-11,新加坡国立大学, 博士后研究员（Reseach Fellow）