基本信息

马永胜 男 中国科学院高能物理研究所
电子邮件: mays@ihep.ac.cn
通信地址: 北京市石景山玉泉路19号乙
邮政编码:
电子邮件: mays@ihep.ac.cn
通信地址: 北京市石景山玉泉路19号乙
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研究领域
基于粒子加速器的超高真空系统、NEG镀膜、铜腔镀铌、等离子体喷涂等方面的工程设计与研究。
招生信息
招生专业
082703-核技术及应用
招生方向
真空,镀膜
教育背景
2017-09--2021-06 中国科学院大学 博士
2010-09--2012-06 西安交通大学 硕士
2006-09--2010-06 兰州理工大学 本科
2010-09--2012-06 西安交通大学 硕士
2006-09--2010-06 兰州理工大学 本科
学历
研究生
学位
博士
工作经历
工作简历
2023-01~现在, 中国科学院高能物理研究所, 高级工程师
2014-10~2022-12,中国科学院高能物理研究所, 工程师
2012-07~2014-10,中国科学院高能物理研究所, 助理工程师
2014-10~2022-12,中国科学院高能物理研究所, 工程师
2012-07~2014-10,中国科学院高能物理研究所, 助理工程师
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种RF屏蔽全金属闸板阀, 实用新型, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN216306762U
( 2 ) 一种RF屏蔽全金属闸板阀, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114033861A
( 3 ) 一种磁控溅射镀膜装置及系统, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN214193438U
( 4 ) 一种磁控溅射镀膜装置及系统, 实用新型, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN214193438U
( 5 ) Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112342501A
( 6 ) Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN112342501B
( 7 ) 基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212770928U
( 8 ) 狭缝镀膜装置, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111809153A
( 9 ) 基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置, 实用新型, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212770928U
( 10 ) 阴极丝固定绝缘加紧装置, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111763916A
( 11 ) 用于固定陶瓷的阴极丝固定绝缘加紧装置, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212476872U
( 12 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108531877A
( 13 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108531877A
( 14 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN108531877B
( 2 ) 一种RF屏蔽全金属闸板阀, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114033861A
( 3 ) 一种磁控溅射镀膜装置及系统, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN214193438U
( 4 ) 一种磁控溅射镀膜装置及系统, 实用新型, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN214193438U
( 5 ) Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112342501A
( 6 ) Pd/Ti双层吸气剂薄膜的制备方法和Pd/Ti双层吸气剂薄膜, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN112342501B
( 7 ) 基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212770928U
( 8 ) 狭缝镀膜装置, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111809153A
( 9 ) 基于直流磁控溅射方法的狭缝镀膜装置, 实用新型, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212770928U
( 10 ) 阴极丝固定绝缘加紧装置, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111763916A
( 11 ) 用于固定陶瓷的阴极丝固定绝缘加紧装置, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212476872U
( 12 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108531877A
( 13 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108531877A
( 14 ) 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN108531877B
出版信息
发表论文
(1) 1.3 GHz高频铜腔磁控溅射镀铌工艺研究, Niobium Coating by Magnetron Sputtering in 1.3 GHz High Frequency Copper Cavity, 真空科学与技术学报, 2023, 第 1 作者
(2) Neon venting of activated NEG-coated beam pipes in IHEP, Radiation Detection Technology and Methods (2022) 6:479–483, 2022, 第 4 作者
(3) 薄膜缺陷研究进展综述, Review on the Study Progress in Defects of Coating, 表面技术, 2021, 第 1 作者
(4) 博士学位论文—超导高频腔镀铌工艺研究, 2021, 第 1 作者
(5) Deposition and characterization of Pd-Ti thin film by sublimation, Deposition and characterization of Pd-Ti thin film by sublimation, 辐射探测技术与方法(英文), 2020, 第 3 作者
(6) 超导高频铜腔镀铌研究进展, Latest Progress in Nb-Coating Synthesized on Wall of Superconducting RF Cu-Cavity:A Review Study, 真空科学与技术学报, 2020, 第 1 作者
(7) The vacuum system of the China spallation neutron source, VACUUM, 2018, 第 10 作者
(8) 事件触发式实验粒子蒙特卡洛方法模拟分子流真空系统的三维压力分布, 3-D Pressure Distribution in Molecular Gas Flow Vacuum System: A Simulation Study in Event-Triggering Test Particle Monte Carlo Method, 真空科学与技术学报, 2018, 第 2 作者
(2) Neon venting of activated NEG-coated beam pipes in IHEP, Radiation Detection Technology and Methods (2022) 6:479–483, 2022, 第 4 作者
(3) 薄膜缺陷研究进展综述, Review on the Study Progress in Defects of Coating, 表面技术, 2021, 第 1 作者
(4) 博士学位论文—超导高频腔镀铌工艺研究, 2021, 第 1 作者
(5) Deposition and characterization of Pd-Ti thin film by sublimation, Deposition and characterization of Pd-Ti thin film by sublimation, 辐射探测技术与方法(英文), 2020, 第 3 作者
(6) 超导高频铜腔镀铌研究进展, Latest Progress in Nb-Coating Synthesized on Wall of Superconducting RF Cu-Cavity:A Review Study, 真空科学与技术学报, 2020, 第 1 作者
(7) The vacuum system of the China spallation neutron source, VACUUM, 2018, 第 10 作者
(8) 事件触发式实验粒子蒙特卡洛方法模拟分子流真空系统的三维压力分布, 3-D Pressure Distribution in Molecular Gas Flow Vacuum System: A Simulation Study in Event-Triggering Test Particle Monte Carlo Method, 真空科学与技术学报, 2018, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) CEPC技术设计与预研, 负责人, 地方任务, 2024-05--2028-05
( 2 ) HEPS 真空盒NEG镀膜, 负责人, 国家任务, 2019-01--2026-01
( 2 ) HEPS 真空盒NEG镀膜, 负责人, 国家任务, 2019-01--2026-01