基本信息

刘兴昉  男  研究员  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件： liuxf@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
碳化硅外延材料与器件

教育背景

2004-09--2007-07   中国科学院半导体研究所   博士研究生
2001-09--2004-07   中南大学   硕士研究生
1995-09--1999-07   中南工业大学   本科学士

工作经历

   
工作简历
2007-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研

教授课程

第三代半导体材料及应用

发表论文

  1. M. Y. Wei, Y. K. Li, S. Q. Zhao, J. Y. Jiao, Y. C. Pei, G. G. Yan, X. F. Liu*, Pressure-driven growth mechanisms and uniformity analysis of β-Ga2O3/4H-SiC heteroepitaxy, Surf. Interfaces, 2025, 66, 106607.

  2. S. Q. Zhao, Y. K. Li, M. Y. Wei, J. Y. Jiao, G. G. Yan, X. F. Liu*, Vertical multilayer structure of MoS2 flakes prepared by thermal evaporative deposition, Mater. Sci. Eng. B, 2024, 310, 117738.

  3. Y. K. Li, S. Q. Zhao, M. Y. Wei, J. Y. Jiao, G. G. Yan, X. F. Liu*, Preparation and oxidation characteristics of Si layers grown on 4H-SiC substrates, Vacuum, 2024, 227, 113418.

  4. S. Q. Zhao, J. L. Wang, G. G. Yan, Z. W. Shen, W. S. Zhao, L. Wang, X. F. Liu*, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Surface flattening of 4H-SiC (0001) epitaxial wafers by high temperature oxidation, Semicond. Sci. Tech., 2022, 37, 105009.

  5.  X. F. Liu*, G. G. Yan, L. Sang, Y. X. Niu, Y. W. He, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching, J. Cryst. Growth, 2020, 531, 125359.

  6. X. F. Liu*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, Y. W. He, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2019, 507, 283-287.

  7. X. F. Liu*, G. G. Yan, B. Liu, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2018, 504, 7-12.

  8.  X. F. Liu*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, L. X. Tian, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2017, 6, 27.


指导学生

已指导学生

汪久龙  硕士研究生  085204-材料工程  

现指导学生

赵涵雨  硕士研究生  085600-材料与化工  

王于洋  硕士研究生  085600-材料与化工  

孔涵  硕士研究生  085600-材料与化工  

裴羿成  博士研究生  080501-材料物理与化学  

魏默予  博士研究生  080501-材料物理与化学  

艾辰霖  硕士研究生  085600-材料与化工  

合作指导学生

赵思齐  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学

李云凯  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件