基本信息
刘兴昉  男  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: liuxf@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
碳化硅外延材料与器件

教育背景

2004-09--2007-07   中国科学院半导体研究所   博士研究生
2001-09--2004-07   中南大学   硕士研究生
1995-09--1999-07   中南工业大学   本科学士

工作经历

   
工作简历
2007-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研

教授课程

第三代半导体材料及应用

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 北京市产品质量创新成果奖, 三等奖, 市地级, 2012
专利成果
[1] 申占伟, 刘兴昉, 赵万顺, 王雷, 闫果果, 孙国胜, 曾一平. MOS器件的制备方法及MOS器件. CN: CN112117326B, 2022-02-18.

[2] 汪久龙, 赵思齐, 申占伟, 闫果果, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 一种进气装置及化学气相沉积设备. CN: CN113186594A, 2021-07-30.

[3] 何亚伟, 闫果果, 刘兴昉, 申占伟, 赵万顺, 王雷, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 利用DLTS研究碳化硅MOS界面态的制样及优化方法. CN: CN112666438A, 2021-04-16.

[4] 申占伟, 刘兴昉, 闫果果, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 曾一平. 一种宽禁带功率半导体器件及制备方法. CN: CN112382655A, 2021-02-19.

[5] 申占伟, 刘兴昉, 闫果果, 赵万顺, 王雷, 孙国胜, 曾一平. 一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件及制备方法. CN: CN112382659A, 2021-02-19.

[6] 刘兴昉, 闫果果, 申占伟, 汪久龙, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 曾一平. 用于碳化硅材料生长和后处理的高温装置及方法. CN: CN111118475A, 2020-05-08.

[7] 田丽欣, 温正欣, 张峰, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 闫果果, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法. CN: CN109742135A, 2019-05-10.

[8] 田丽欣, 温正欣, 张峰, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 闫果果, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法. CN: CN105810722B, 2019-04-30.

[9] 刘兴昉, 闫果果, 申占伟, 温正欣, 陈俊, 何亚伟, 赵万顺, 王雷, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法. CN: CN109518277A, 2019-03-26.

[10] 赵万顺, 闫果果, 刘兴昉, 张峰. 变温平台及DLTS测试系统. CN: CN109342503A, 2019-02-15.

[11] 申占伟, 张峰, 赵万顺, 王雷, 温正欣, 闫果果, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法. CN: CN108417617A, 2018-08-17.

[12] 刘兴昉, 闫果果, 申占伟, 温正欣, 陈俊, 赵万顺, 王雷, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法. CN: CN107768238A, 2018-03-06.

[13] 刘兴昉, 申占伟, 闫果果, 温正欣, 陈俊, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法. CN: CN107749393A, 2018-03-02.

[14] 刘胜北, 何志, 刘斌, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法. 中国: CN104538290B, 2018-01-30.

[15] 温正欣, 张峰, 申占伟, 田丽欣, 闫果果, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 碳化硅半导体器件及其制备方法. CN: CN106876255A, 2017-06-20.

[16] 申占伟, 张峰, 赵万顺, 王雷, 闫果果, 温正欣, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106449757A, 2017-02-22.

[17] 刘敏, 何志, 刘胜北, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 潘岭峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法. CN: CN105529246A, 2016-04-27.

[18] 刘兴昉, 刘斌, 闫果果, 刘胜北, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法. CN: CN105140106A, 2015-12-09.

[19] 刘兴昉, 刘斌, 刘胜北, 闫果果, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法. CN: CN105140111A, 2015-12-09.

[20] 申占伟, 张峰, 赵万顺, 王雷, 闫果果, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 在SiC材料中获取二维电子气的方法. CN: CN105047532A, 2015-11-11.

[21] 刘兴昉, 刘斌, 闫果果, 刘胜北, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 碳化硅外延层区域掺杂的方法. CN: CN105002563A, 2015-10-28.

[22] 申占伟, 张峰, 赵万顺, 王雷, 闫果果, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. SiC基HEMT器件的制备方法. CN: CN104979195A, 2015-10-14.

[23] 闫果果, 孙国胜, 张峰, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 曾一平. 低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法. CN: CN104779141A, 2015-07-15.

[24] 刘胜北, 何志, 刘斌, 刘兴昉, 杨香, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法. CN: CN104599952A, 2015-05-06.

[25] 刘胜北, 何志, 刘斌, 杨香, 刘兴昉, 张峰, 王雷, 田丽欣, 刘敏, 申占伟, 赵万顺, 樊中朝, 王晓峰, 王晓东, 赵永梅, 杨富华, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法. CN: CN104538294A, 2015-04-22.

[26] 闫果果, 孙国胜, 刘兴昉, 张峰, 王雷, 赵万顺, 曾一平. 一种多片碳化硅半导体材料制造装置. CN: CN104538289A, 2015-04-22.

[27] 刘兴昉, 刘斌, 闫果果, 刘胜北, 田丽欣, 申占伟, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 用于碳化硅生长的高温装置及方法. CN: CN104514034A, 2015-04-15.

[28] 刘兴昉, 刘胜北, 刘斌, 闫果果, 赵万顺, 王雷, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 塔式多片外延生长装置. CN: CN104195629A, 2014-12-10.

[29] 刘兴昉, 刘斌, 闫果果, 王雷, 赵万顺, 张峰, 孙国胜, 曾一平. 悬挂式双面外延生长装置. CN: CN104178806A, 2014-12-03.

[30] 张峰, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 孙国胜, 曾一平. 用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法. CN: CN103887163A, 2014-06-25.

[31] 刘斌, 孙国胜, 刘兴昉, 董林, 郑柳, 闫果果, 刘胜北, 张峰, 赵万顺, 王雷, 曾一平. 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法. CN: CN103820768A, 2014-05-28.

[32] 刘兴昉, 刘斌, 董林, 郑柳, 闫果果, 张峰, 王雷, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅薄膜生长设备. CN: CN203530425U, 2014-04-09.

[33] 刘兴昉, 刘斌, 郑柳, 董林, 刘胜北, 闫果果, 孙国胜, 曾一平. 一种半导体薄膜生长设备. CN: CN203530429U, 2014-04-09.

[34] 郑柳, 孙国胜, 张峰, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 闫果果, 董林, 刘胜北, 刘斌, 田丽欣, 曾一平. 沟槽型MOS势垒肖特基二极管. CN: CN203434162U, 2014-02-12.

[35] 郑柳, 孙国胜, 张峰, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 闫果果, 董林, 刘胜北, 刘斌, 田丽欣, 曾一平. 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法. CN: CN103441152A, 2013-12-11.

[36] 刘兴昉, 刘斌, 郑柳, 董林, 刘胜北, 闫果果, 孙国胜, 曾一平. 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法. CN: CN103388177A, 2013-11-13.

[37] 刘兴昉, 刘斌, 董林, 郑柳, 闫果果, 张峰, 王雷, 孙国胜, 曾一平. 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法. CN: CN103343329A, 2013-10-09.

[38] 张峰, 孙国胜, 王雷, 赵万顺, 刘兴昉, 曾一平. BiFeO 3 薄膜的原子层沉积方法. 中国: CN102776486A, 2012-11-14.

[39] 董林, 孙国胜, 赵万顺, 王雷, 刘兴昉, 刘斌, 张峰, 闫果果, 郑柳, 刘胜北. 碳化硅材料腐蚀炉. CN: CN102607923A, 2012-07-25.

[40] 郑柳, 孙国胜, 刘兴昉, 张峰, 王雷, 赵万顺, 闫果果, 董林, 刘胜北, 刘斌, 曾一平. 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法. CN: CN102593004A, 2012-07-18.

[41] 张峰, 孙国胜, 王雷, 赵万顺, 刘兴昉, 闫果果, 曾一平. 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置. CN: CN102492939A, 2012-06-13.

[42] 刘兴昉, 董林, 郑柳, 闫果果, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 曾一平, 李晋闽. HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN: CN102304698A, 2012-01-04.

[43] 刘兴昉, 郑柳, 董林, 闫果果, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 曾一平, 李晋闽. 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN: CN102304763A, 2012-01-04.

[44] 孙国胜, 吴海雷, 郑柳, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 闫果果. 碳化硅PIN微结构的制作方法. CN: CN102254798A, 2011-11-23.

[45] 王 亮, 宁 瑾, 孙国胜, 王 雷, 赵万顺, 赵永梅, 刘兴昉. 多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法. CN: CN101447775B, 2011-07-20.

[46] 孙国胜, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 杨挺, 吴海雷, 闫果果, 曾一平, 李晋闽. 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法. CN: CN102064187A, 2011-05-18.

[47] 纪 刚, 孙国胜, 宁 瑾, 刘兴昉, 赵永梅, 王 雷, 赵万顺, 曾一平, 李晋闽. 电学测试的汞探针装置. CN: CN101644691A, 2010-02-10.

[48] 孙国胜, 王 雷, 赵万顺, 曾一平, 叶志仙, 刘兴昉. 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置. CN: CN101591803A, 2009-12-02.

[49] 刘兴昉, 孙国胜, 李晋闽, 赵永梅, 王 雷, 赵万顺, 王 亮, 纪 刚, 杨 挺, 曾一平. 由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法. CN: CN101492835A, 2009-07-29.

[50] 赵永梅, 宁 瑾, 孙国胜, 王 亮, 刘兴昉, 赵万顺, 王 雷, 李晋闽, 曾一平. 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法. CN: CN101471637A, 2009-07-01.

[51] 刘兴昉, 孙国胜, 赵永梅, 王 亮, 王 雷, 赵万顺, 曾一平, 李晋闽. 一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法. CN: CN101468786A, 2009-07-01.

[52] 赵永梅, 孙国胜, 宁 瑾, 王 亮, 刘兴昉, 赵万顺, 王 雷, 李晋闽, 曾一平. 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法. CN: CN101440481A, 2009-05-27.

[53] 赵永梅, 孙国胜, 刘兴昉, 王 亮, 王 雷, 赵万顺, 李晋闽, 曾一平. 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法. CN: CN101442010A, 2009-05-27.

[54] 赵永梅, 孙国胜, 刘兴昉, 李家业, 王 雷, 赵万顺, 李晋闽, 曾一平. 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法. CN: CN101281862A, 2008-10-08.

[55] 孙国胜, 王 雷, 赵万顺, 李家业, 赵永梅, 刘兴昉. 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置. 中国: CN101240445, 2008-08-13.

[56] 刘兴昉, 孙国胜, 李晋闽, 赵永梅, 王 雷, 赵万顺, 李家业, 曾一平. 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法. CN: CN101150055A, 2008-03-26.

[57] 孙国胜, 王 雷, 赵万顺, 李家业, 赵永梅, 刘兴昉. 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置. CN: CN200999271Y, 2008-01-02.

发表论文

  1. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Sang L.;  Niu Y.X.; He Y.W.; Shen Z.W. ; Wen Z.X.; Chen J.; Zhao W.S.; Wang L.; Guan M.; Zhang F.; Sun G.S.; Zeng Y.P. Defect appearance
    on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching. Journal of Crystal Growth 2020, 531, 125359.

  2. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; He, Y.W.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Homoepitaxial growth of multiple
    4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2019, 507, 283-287.

  3. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Liu, B.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Chen, J.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Process optimization for homoepitaxial growth
    of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth 2018, 504, 7-12.

  4. Liu, X.F.*; Yan, G.G.; Shen, Z.W.; Wen, Z.X.; Tian, L.X.; Zhao, W.S.; Wang, L.; Guan, M.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. A Facile Method for Heteroepitaxial Growth
    of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition. ECS Journal of Solid State Science
    and Technology 2017, 6, P27-P31.

  5. Liu, X.F.*; Chen, Y.; Sun, C.Z.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Sun, G.S.; Zeng, Y.P. Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High
    Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth. Nanomaterials 2015, 5, 1532-1543.

  6. Liu, X.F.*; Sun, G.S.; Liu, B.; Yan, G.G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Chen, Y.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.B.; Tian, L.X.; Wang, L.; Zhao, W.S.; Zeng, Y.P. Growth of
    Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene-Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon
    Sources. Materials 2013, 6, 1543-1553.

  7. Liu, X.-F.*; Sun, G.-S.; Liu, B.; Yan, G.-G.; Guan, M.; Zhang, Y.; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Liu, S.-B.; Tian, L.-X.; Wang, L.; Zhao, W.-S.; Zeng, Y.-P. Surface
    saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates. Chinese Physics B 2013, 22, 086802.

  8. Liu, B.; Sun, G.-S.; Liu, X.-F.*; Zhang, F.; Dong, L.; Zheng, L.; Yan, G.-G.; Liu, S.-B.; Zhao, W.-S.; Wang, L.; Zeng, Y.-P.; Li, X.-G.; Wang, Z.-G.; Yang, F. Fast
    Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4 degrees off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System. Chinese Physics Letters 2013, 30, 128101.


科研活动

   
科研项目
( 1 ) 4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
( 2 ) 用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究, 主持, 省级, 2013-01--2015-12
( 3 ) 外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究, 主持, 市地级, 2008-10--2010-10
( 4 ) 先进功率半导体材料与器件研究, 主持, 院级, 2010-05--2012-05
( 5 ) 分布式智能电网关键技术研究, 参与, 部委级, 2009-10--2012-09
( 6 ) 半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究, 参与, 省级, 2009-07--2010-08
( 7 ) 大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统, 参与, 部委级, 2007-10--2009-09
( 8 ) 氮化物光电器件的石墨烯薄膜结构外延、掺杂和耦合机理研究, 主持, 市地级, 2015-01--2016-12
( 9 ) 4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12
( 10 ) 国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究, 主持, 省级, 2016-01--2017-12
( 11 ) SiC IGBT外延缺陷转化机理及控制技术, 主持, 国家级, 2018-07--2021-06
( 12 ) 基于6 英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究, 参与, 国家级, 2016-07--2022-06

指导学生

现指导学生

汪久龙  硕士研究生  085204-材料工程  

郝晨曦  硕士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

赵思齐  硕士研究生  085600-材料与化工  

李云凯  硕士研究生  085600-材料与化工