080501-材料物理与化学
0805Z2-半导体材料与器件

碳化硅外延材料与器件

2004-09--2007-07   中国科学院半导体研究所   博士研究生
2001-09--2004-07   中南大学   硕士研究生
1995-09--1999-07   中南工业大学   本科学士

   

2007-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研

第三代半导体材料及应用

（1） 北京市产品质量创新成果奖, 三等奖, 市地级, 2012

1、 S. Q. Zhao, J. L. Wang, G. G. Yan, Z. W. Shen, W. S. Zhao, L. Wang, X. F. Liu^*, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Surface flattening of 4H-SiC (0001) epitaxial wafers by high temperature oxidation, Semicond. Sci. Tech., 2022, 37, 105009.

2、 X. F. Liu^*, G. G. Yan, L. Sang, Y. X. Niu, Y. W. He, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching, J. Cryst. Growth, 2020, 531, 125359.

3、 X. F. Liu^*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, Y. W. He, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2019, 507, 283-287.

4、 X. F. Liu^*, G. G. Yan, B. Liu, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2018, 504, 7-12.

5、 X. F. Liu^*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, L. X. Tian, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2017, 6, 27.

（ 1 ） 4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 2 ） 用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究, 负责人, 地方任务, 2013-01--2015-12
（ 3 ） 外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究, 负责人, 研究所自选, 2008-10--2010-10
（ 4 ） 先进功率半导体材料与器件研究, 负责人, 企业委托, 2010-05--2012-05
（ 5 ） 分布式智能电网关键技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2009-10--2012-09
（ 6 ） 半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究, 参与, 地方任务, 2009-07--2010-08
（ 7 ） 大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统, 参与, 中国科学院计划, 2007-10--2009-09
（ 8 ） 氮化物光电器件的石墨烯薄膜结构外延、掺杂和耦合机理研究, 负责人, 其他任务, 2015-01--2016-12
（ 9 ） 4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12
（ 10 ） 国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究, 负责人, 地方任务, 2016-01--2017-12
（ 11 ） SiC IGBT外延缺陷转化机理及控制技术, 负责人, 国家任务, 2018-07--2021-06
（ 12 ） 基于6 英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2022-06
（ 13 ） 基于国产设备的碳化硅高速外延生长技术研究, 负责人, 国家任务, 2021-12--2024-11
（ 14 ） 碳化硅基范德华异质结拓扑态构筑及其调控研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 15 ） 6英寸SiC外延片产业化开发, 负责人, 企业委托, 2021-03--2026-02
（ 16 ） 碳化硅外延与器件工艺技术开发, 负责人, 其他任务, 2023-05--2027-12

已指导学生

汪久龙  硕士研究生  085204-材料工程  

现指导学生

李云凯  硕士研究生  085600-材料与化工  

魏默予  硕士研究生  085600-材料与化工