基本信息
王军喜  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jxwang@semi.ac.cn
通信地址: 北京912信箱
邮政编码: 100083

研究领域

半导体光电子材料与器件

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085600-材料与化工
招生方向
氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术
大功率白光LED器件制备技术,氮化物光电子器件
GaN基光电子材料和器件

教育背景

2000-09--2003-06   中国科学院半导体研究所   博士
1998-09--2000-06   西北大学   硕士
1994-09--1998-06   西北大学   学士

工作经历

   
工作简历
2003-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 助研/副研究员/研究员
社会兼职
2016-06-01-今,中国照明学会农业照明专业委员会, 副主任委员
2016-04-16-今,中国材料研究学会, 理事
2016-04-01-今,中国微米纳米技 术学会青年工作委员会, 委员
2014-07-01-今,北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 主任
2010-12-02-今,中国科学院半导体照明研发中心, 副主任

教授课程

宽禁带半导体发光材料
材料科学与工程讲座

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
(2) 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
(3) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(4) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
(5) 高性能GaN外延材料, 二等奖, 省级, 2012
专利成果
[1] 孙雪娇, 魏学成, 刘春岩, 王军喜, 闫丹. 紫外LED模组封装结构及封装方法. CN: CN115579444A, 2023-01-06.
[2] 伊晓燕. 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法. 202210864222.2, 2022-07-20.
[3] 伊晓燕, 周斌茹, 张逸韵, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 基于多色谐振腔发光二极管的生物探针及其制备方法. CN: CN115224168A, 2022-10-21.
[4] 伊晓燕, 周斌茹, 张逸韵, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 生物探针及其制备方法. CN: CN115105022A, 2022-09-27.
[5] 伊晓燕. 生物探针及其制备方法. 202210707834.0, 2022-06-21.
[6] 王军喜, 冉军学, 魏同波. 半导体pn结构及其制备方法. CN202210555452.0, 2022-05-19.
[7] 冉军学, 魏同波, 王军喜. 半导体pn结构及其制备方法. CN: CN114899220A, 2022-08-12.
[8] 伊晓燕, 周斌茹, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 用于神经调控的光电集成模块. CN: CN114949618A, 2022-08-30.
[9] 王军喜, 刘春岩, 孙雪娇, 魏学成, 闫建昌. 紫外LED模组. CN202210199434.3, 2022-03-02.
[10] 刘春岩, 孙雪娇, 魏学成, 闫建昌, 王军喜. 紫外LED模组. CN: CN114650634A, 2022-06-21.
[11] 王军喜, 魏学成, 王新维, 张宁. p型GaN欧姆接触的制备方法. CN202210061899.2, 2022-01-19.
[12] 王军喜, 王新维, 张宁, 魏学成. p型GaN欧姆接触的制备方法. CN: CN114420559A, 2022-04-29.
[13] 王军喜, 王新维, 张宁, 魏学成. LED的制备方法及LED外延片. CN: CN114284403A, 2022-04-05.
[14] 段瑞飞, 曾一平, 王军喜, 冉军学, 胡国新, 羊建坤, 梁勇, 路红喜, 李晋闽. 一种化学气相沉积装置. CN: CN113818012A, 2021-12-21.
[15] 薛斌, 闫建昌, 刘春岩, 张宁, 王军喜, 李晋闽. 可穿戴式无创光疗装置. CN: CN114146317A, 2022-03-08.
[16] 尹越, 林学春, 刘志强, 梁萌, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 氮化物薄膜结构及其制备方法. CN: CN115881864A, 2023-03-31.
[17] 艾玉杰, 张韵, 杨帅, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 兰姆波谐振器及其制备方法. CN: CN113904652A, 2022-01-07.
[18] 艾玉杰, 张韵, 杨帅, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 兰姆波谐振器及其制备方法. CN: CN113794462A, 2021-12-14.
[19] 王军喜, 王大地, 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌. 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法. CN: CN113445130B, 2023-02-24.
[20] 郭亚楠, 蔡听松, 刘志彬, 闫建昌, 王军喜. 极性交替AlN模板的制备方法. CN: CN113539791A, 2021-10-22.
[21] 王军喜, 王大地, 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌. 一种AlGaN基紫外激光器的生长方法. CN: CN113445130A, 2021-09-28.
[22] 王军喜, 张睿洁, 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌. AlGaN薄膜的制备方法. CN: CN113437186A, 2021-09-24.
[23] 蔡听松",null,null,null,"王军喜. 一种AlN薄膜的制备方法. CN: CN113451457A, 2021-09-28.
[24] 伊晓燕, 宋武睿, 刘志强, 梁萌, 张逸韵, 王军喜, 李晋闽. 基于石墨烯和介质DBR的垂直发射发光器及制备方法. CN: CN115498074A, 2022-12-20.
[25] 伊晓燕, 宋武睿, 刘志强, 梁萌, 张逸韵, 王军喜, 李晋闽. 氮化物发光器件制备方法. CN: CN115498073A, 2022-12-20.
[26] 伊晓燕, 林辰, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法. CN: CN113410192B, 2023-08-15.
[27] 刘春岩, 闫建昌, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 一种通用LED测试装置及测试方法. CN: CN113358998B, 2023-01-06.
[28] 刘春岩, 闫建昌, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 一种通用LED测试装置及测试方法. CN: CN113358998A, 2021-09-07.
[29] 刘志强, 冯涛, 梁萌, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 氮化物生长方法. CN: CN113394076A, 2021-09-14.
[30] 刘志强, 任芳, 梁萌, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 发光二极管的外延结构及其制备方法. CN: CN113394318A, 2021-09-14.
[31] 杨华, 郑怀文, 李燕, 于飞, 刘喆, 姚然, 宋昌斌, 伊晓燕, 李晋闽, 王军喜. 用于光医疗的柔性LED封装结构. CN: CN115377276A, 2022-11-22.
[32] 伊晓燕, 张兴飞, 张逸韵, 王军喜, 李晋闽. 基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法. CN: CN113299806A, 2021-08-24.
[33] 王军喜, 李燕, 杨宇铭, 杨华, 伊晓燕, 李晋闽. LED陶瓷封装基板及其制备方法. CN: CN113299814A, 2021-08-24.
[34] 刘志强, 冯涛, 梁萌, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 基于LED可见光的定位方法、装置、电子设备及存储介质. CN: CN115372898A, 2022-11-22.
[35] 刘志强, 闫岩, 张硕, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线. CN: CN115369379A, 2022-11-22.
[36] 杨华, 郑怀文, 李燕, 于飞, 姚然, 宋昌斌, 伊晓燕, 李晋闽, 王军喜. 一种用于光医疗的可穿戴设备. CN: CN113209489A, 2021-08-06.
[37] 刘志强, 冯涛, 梁萌, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 肖特基势垒二极管及其制备方法. CN: CN115347052A, 2022-11-15.
[38] 孙雪娇, 魏学成, 王军喜, 张宁. 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统. CN: CN113175629A, 2021-07-27.
[39] 姚然, 杨华, 宋昌斌, 郑怀文, 吕小鸿, 王军喜. 用于微藻生长的光生物反应器及方法. CN: CN113150975A, 2021-07-23.
[40] 姚然, 杨华, 宋昌斌, 郑怀文, 吕小鸿, 王军喜. 用于微藻生长的光生物反应器及方法. CN: CN113150975B, 2023-01-03.
[41] 伊晓燕, 宋武睿, 刘志强, 梁萌, 王军喜, 李晋闽. 垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN: CN115000810A, 2022-09-02.
[42] 刘志强, 冯涛, 梁萌, 伊晓燕, 张硕, 王军喜, 李晋闽. 石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法. CN: CN114759088A, 2022-07-15.
[43] 刘春岩, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED封装结构及其封装方法. CN: CN112750934A, 2021-05-04.
[44] 郭亮, 魏同波, 冉军学, 王军喜. 多腔室半导体薄膜外延装置. CN: CN112795983A, 2021-05-14.
[45] 魏同波, 常洪亮, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法. CN: CN114284397A, 2022-04-05.
[46] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法. CN: CN111710595A, 2020-09-25.
[47] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 极性可控的高质量AlN模板制备方法. CN: CN111676451A, 2020-09-18.
[48] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量低应力AlN图形模板的制备方法. CN: CN111710594A, 2020-09-25.
[49] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 提高LED倒装芯片光提取效率的方法. CN: CN111710765B, 2021-05-18.
[50] 郭亚楠, 闫建昌, 刘志彬, 王军喜, 李晋闽. 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件. CN: CN111710762B, 2021-10-15.
[51] 闫建昌, 刘春岩, 王军喜, 李晋闽. 带有光强自动反馈校正功能的紫外光源系统及其应用. CN: CN111542152A, 2020-08-14.
[52] 刘春岩, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 便携式紫外LED杀菌消毒盒. CN: CN111388705A, 2020-07-10.
[53] 刘春岩, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种陶瓷基板及其封装方法. CN: CN111463334A, 2020-07-28.
[54] 宋昌斌, 郑怀文, 于飞, 杨华, 王军喜. 用于水产养殖正N边形智能LED导光板光照装置及制造方法. CN: CN111271657A, 2020-06-12.
[55] 姬小利, 魏同波, 王军喜, 李晋闽, 杨富华. GaN基常关型高电子迁移率晶体管及制备方法. CN: CN111243954A, 2020-06-05.
[56] 郭亚楠, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 反极性垂直发光二极管及其制备方法. CN: CN110808319B, 2021-08-17.
[57] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统. CN: CN211204334U, 2020-08-07.
[58] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统及应用. CN: CN110657545A, 2020-01-07.
[59] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置. CN: CN211214531U, 2020-08-11.
[60] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置及其应用. CN: CN110680937B, 2023-05-02.
[61] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置及其应用. CN: CN110680937A, 2020-01-14.
[62] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置. CN: CN210577842U, 2020-05-19.
[63] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置及应用. CN: CN110417097A, 2019-11-05.
[64] 刘立莉, 宋昌斌, 于飞, 杨华, 王军喜. 贴片LED封装光源及制备方法. CN: CN112435999A, 2021-03-02.
[65] 郑怀文, 杨华, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种低热阻电路板. CN: CN110290635A, 2019-09-27.
[66] 杨华, 李燕, 杨宇铭, 郑怀文, 于飞, 裴艳荣, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 匀光照明模组及其应用. CN: CN110260268A, 2019-09-20.
[67] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 化合物半导体及其外延方法. CN: CN110164757A, 2019-08-23.
[68] 姬小利, 谭晓宇, 魏同波, 王军喜, 杨富华, 李晋闽. 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法. CN: CN110190511A, 2019-08-30.
[69] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件. CN: CN110071177A, 2019-07-30.
[70] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 电池负极材料及其制备方法、锂电池. CN: CN110336028A, 2019-10-15.
[71] 王军喜, 杨宇铭, 杨华, 郑怀文, 李燕. 一种近距离匀光LED封装结构. CN: CN110323322A, 2019-10-11.
[72] 伊晓燕, 张硕, 刘志强, 梁萌, 冯涛, 任芳, 王蕴玉, 王军喜, 李晋闽. LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法. CN: CN111816729B, 2021-08-31.
[73] 袁国栋, 王琦, 赵帅, 刘文强, 王军喜, 李晋闽. 氮化物材料的湿法腐蚀方法. CN: CN110010461A, 2019-07-12.
[74] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器. CN: CN109994323A, 2019-07-09.
[75] 刘乃鑫, 孙雪娇, 魏学成, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法. CN: CN109825875A, 2019-05-31.
[76] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 硅-石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池. CN: CN110010864A, 2019-07-12.
[77] 伊晓燕, 王蕴玉, 刘志强, 梁萌, 王兵, 任芳, 尹越, 王军喜, 李晋闽. 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法. CN: [[[CN111697115A]]], [[["2020-09-22"]]].
[78] 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法. CN: CN109666970A, 2019-04-23.
[79] 刘立莉, 宋昌斌, 于飞, 杨华, 王军喜. 一种LED封装管的测试板及测试方法. CN: CN111624454A, 2020-09-04.
[80] 赵捷, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法. CN: CN109841712A, 2019-06-04.
[81] 魏同波, 赵捷, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法. CN: CN109841711A, 2019-06-04.
[82] 赵捷, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法. CN: CN109904292A, 2019-06-18.
[83] 伊晓燕, 林辰, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法. CN: CN111355308A, 2020-06-30.
[84] 魏同波, 常洪亮, 闫建昌, 王军喜. 在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法. CN: CN111341648A, 2020-06-26.
[85] 刘志强, 任芳, 张硕, 尹越, 王蕴玉, 梁萌, 伊晓燕, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法. CN: CN111326610A, 2020-06-23.
[86] 郑怀文, 杨华, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 荧光材料发热测试装置. CN: CN111323398A, 2020-06-23.
[87] 王军喜, 冯梁森, 张宁, 李晋闽. 调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法. CN: CN109599410B, 2021-03-26.
[88] 王军喜, 冯梁森, 张宁, 李晋闽. 调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法. CN: CN109599410A, 2019-04-09.
[89] 张宁, 冯梁森, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法. CN: CN109599462A, 2019-04-09.
[90] 张宁, 冯梁森, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜. CN: CN109638118A, 2019-04-16.
[91] 梁冬冬, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构. CN: CN109585270A, 2019-04-05.
[92] 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件. CN: CN109461644A, 2019-03-12.
[93] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种无线充电系统. CN: CN209329789U, 2019-08-30.
[94] 刘志强, 程成, 伊晓燕, 张勇, 王军喜, 李晋闽. ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法. CN: CN109524490A, 2019-03-26.
[95] 宋昌斌, 刘立莉, 杨华, 王军喜. 智能诱杀与驱虫一体化LED灯装置. CN: CN109287029A, 2019-01-29.
[96] 常洪亮, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法. CN: CN109285758A, 2019-01-29.
[97] 王军喜, 张翔, 魏同波, 李晋闽. 垂直金字塔结构LED及其制备方法. CN: CN109166948A, 2019-01-08.
[98] 冉军学, 王军喜. AlN薄膜的制备方法. CN: CN109065438B, 2020-07-07.
[99] 王军喜, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 闫建昌. 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法. CN: CN108922947A, 2018-11-30.
[100] 闫建昌, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 王军喜. 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法. CN: CN108878604A, 2018-11-23.
[101] 闫建昌, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 王军喜. 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法. CN: CN108878598A, 2018-11-23.
[102] 刘喆, 梁冬冬, 王军喜, 李晋闽. 柔性折叠的LED光动力治疗仪. CN: CN209500547U, 2019-10-18.
[103] 刘喆, 冯梁森, 张宁, 王军喜, 李晋闽. 制备氮化镓基纳米环结构的方法. CN: CN108682723A, 2018-10-19.
[104] 魏同波, 张翔, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 基于Ga 2 O 3 衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法. 中国: CN108630792A, 2018-10-09.
[105] 魏同波, 张翔, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 基于Ga 2 O 3 衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法. CN: CN108630792A, 2018-10-09.
[106] 魏同波, 赵捷, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法. CN: CN108389941A, 2018-08-10.
[107] 闫建昌, 刘春岩, 郭亚楠, 魏学成, 李晋闽, 王军喜. 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统. CN: CN110269950A, 2019-09-24.
[108] 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法. CN: CN110098297A, 2019-08-06.
[109] 张韵, 赵璐, 艾玉杰, 孙莉莉, 杨帅, 程哲, 张连, 贾利芳, 王军喜. GaN基LED器件. CN: CN207765474U, 2018-08-24.
[110] 张韵, 赵璐, 艾玉杰, 孙莉莉, 杨帅, 程哲, 张连, 贾利芳, 王军喜. GaN基LED器件及其制备方法. CN: CN108110097A, 2018-06-01.
[111] 袁国栋, 刘文强, 王琦, 王军喜, 李晋闽. 无机卤化铋钙钛矿电池及其制备方法. CN: CN108258119A, 2018-07-06.
[112] 刘喆, 梁冬冬, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法. CN: CN108198925A, 2018-06-22.
[113] 袁国栋, 刘文强, 王琦, 王军喜, 李晋闽. 含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法. CN: CN108091768A, 2018-05-29.
[114] 王军喜, 张翔, 魏同波, 李晋闽. GaN基垂直LED结构及其制备方法. CN: CN107833945A, 2018-03-23.
[115] 刘立莉, 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 谢海忠, 梁萌. LED光源的应用方法及装置. CN: CN107889308A, 2018-04-06.
[116] 艾玉杰, 杨帅, 张韵, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法. CN: CN107634734A, 2018-01-26.
[117] 李喜林, 马平, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法. CN: CN107393956A, 2017-11-24.
[118] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 王良臣, 王军喜, 李晋闽. 一种微LED器件阵列单元的制作方法. CN: CN107146835A, 2017-09-08.
[119] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 魏同波, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法. CN: CN107256911A, 2017-10-17.
[120] 王兵, 王蕴玉, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法. CN: CN107215858A, 2017-09-29.
[121] 伊晓燕, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 完全植入式光学医疗器械. CN: CN106821328A, 2017-06-13.
[122] 詹腾, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 光刺激及信号采集探针. CN: CN106913315A, 2017-07-04.
[123] 伊晓燕, 刘志强, 何志, 段瑞飞, 黄洋, 王军喜, 李晋闽. 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法. CN: CN106992232A, 2017-07-28.
[124] 刘志强, 黄洋, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法. CN: CN106940303A, 2017-07-11.
[125] 黄洋, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法. CN: CN106841146A, 2017-06-13.
[126] 伊晓燕, 潘岭峰, 王晓峰, 何志, 王军喜, 李晋闽. 一种匀化白光光源及其匀化方法. CN: CN106838821A, 2017-06-13.
[127] 马平, 姬小利, 李喜林, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106898640A, 2017-06-27.
[128] 袁国栋, 王琦, 张璐, 刘文强, 王军喜. 氮化物纳米带的制备方法. CN: CN106952856A, 2017-07-14.
[129] 郭亚楠, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 高光出射效率的LED芯片及其制备方法. CN: CN107068826A, 2017-08-18.
[130] 刘喆, 杨杰, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 同时用于照明与通信的激光光源装置. CN: CN106684673A, 2017-05-17.
[131] 刘喆, 杨杰, 薛斌, 廖周, 王军喜, 李晋闽. 三基色激光器实现均光照明的系统. CN: CN106773073A, 2017-05-31.
[132] 倪茹雪, 张韵, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法. CN: CN106531871A, 2017-03-22.
[133] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. CN: CN106517410A, 2017-03-22.
[134] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. CN: CN206337054U, 2017-07-18.
[135] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. CN: CN106441485A, 2017-02-22.
[136] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. 中国: CN206440330U, 2017-08-25.
[137] 闫建昌, 孙莉莉, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. CN: CN106784180A, 2017-05-31.
[138] 郭亚楠, 张韵, 王军喜, 李晋闽. LED倒装基板的结构. CN: CN206236704U, 2017-06-09.
[139] 张韵, 郭亚楠, 曹峻松, 王军喜, 李晋闽. 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法. CN: CN106505130A, 2017-03-15.
[140] 袁国栋, 张璐, 王琦, 王克超, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 非平面硅衬底LED器件及其制作方法. CN: CN106558637A, 2017-04-05.
[141] 孙莉莉, 张韵, 杨帅, 程哲, 张连, 吕宏瑞, 王军喜, 李晋闽. 单晶体声波器件及制备方法. CN: CN106374032A, 2017-02-01.
[142] 郭亚楠, 曹峻松, 谢海忠, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法. CN: CN106328778A, 2017-01-11.
[143] 孙莉莉, 张韵, 程哲, 张连, 王军喜, 李晋闽. 金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器. CN: CN106341095A, 2017-01-18.
[144] 袁国栋, 张璐, 王克超, 吴瑞伟, 李晋闽, 王军喜. 一种III族氮化物生物探针及其制备方法. CN: CN106229396A, 2016-12-14.
[145] 孙莉莉, 张韵, 程哲, 张连, 王军喜, 李晋闽. 一种体声波器件的制备方法. CN: CN106341094A, 2017-01-18.
[146] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构及方法. CN: CN106128948A, 2016-11-16.
[147] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构. CN: CN107482099A, 2017-12-15.
[148] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. GaN基白光LED及制备方法. CN: CN105870287A, 2016-08-17.
[149] 任鹏, 张宁, 薛斌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法. CN: CN105957801A, 2016-09-21.
[150] 安平博, 赵丽霞, 魏同波, 陈召龙, 王军喜, 李晋闽. 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法. CN: CN106048555A, 2016-10-26.
[151] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法. CN: CN105789047A, 2016-07-20.
[152] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法. CN: CN105931964A, 2016-09-07.
[153] 黄宇亮, 程哲, 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件. CN: CN105720097A, 2016-06-29.
[154] 袁国栋, 吴瑞伟, 王克超, 李晋闽, 王军喜. 太阳能电池、其发射结以及制备方法. CN: CN107293612A, 2017-10-24.
[155] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. 基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池. CN: CN105552230A, 2016-05-04.
[156] 熊卓, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法. CN: CN105720157A, 2016-06-29.
[157] 熊卓, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种光色可调发光二极管及其制备方法. CN: CN105720151A, 2016-06-29.
[158] 王晓峰, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法. CN: CN105525349A, 2016-04-27.
[159] 刘立莉, 杨华, 于飞, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. LED芯片集成封装模块和封装方法. CN: CN105575956A, 2016-05-11.
[160] 王晓峰, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 一种氧化镓薄膜的制备方法. CN: CN105624782A, 2016-06-01.
[161] 杨超, 赵丽霞, 朱石超, 刘磊, 于治国, 王军喜, 李晋闽. 可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法. CN: CN105405938A, 2016-03-16.
[162] 卢鹏志, 杨华, 裴艳荣, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种可实现自然光谱的LED光源. CN: CN205385020U, 2016-07-13.
[163] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种光色可调的LED叠层光源模块. CN: CN105546366A, 2016-05-04.
[164] 杨超, 赵丽霞, 朱石超, 刘磊, 于治国, 王军喜, 李晋闽. 可见光通信用倒装RCLED及其制备方法. CN: CN105609602A, 2016-05-25.
[165] 薛斌, 任鹏, 张宁, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种基于激光器的车灯系统. CN: CN105611692A, 2016-05-25.
[166] 薛斌, 任鹏, 张宁, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种激光器显示系统. CN: CN105388690A, 2016-03-09.
[167] 袁国栋, 王克超, 张璐, 吴瑞伟, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法. CN: CN105552187A, 2016-05-04.
[168] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法. CN: CN105405979A, 2016-03-16.
[169] 马平, 甄爱功, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 一种白光发光二极管及其制作方法. CN: CN105280774A, 2016-01-27.
[170] 王钦金, 詹腾, 马骏, 郭恩卿, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 化学镀银制作氮化镓基发光二极管反射镜金属层的方法. CN: CN105226160A, 2016-01-06.
[171] 刘波亭, 马平, 郭仕宽, 甄爱功, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜. CN: CN105161578A, 2015-12-16.
[172] 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法. CN: CN104900689A, 2015-09-09.
[173] 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法. CN: CN104882522A, 2015-09-02.
[174] 裴艳荣, 卢鹏志, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 全光谱LED光源模组. CN: CN204596837U, 2015-08-26.
[175] 裴艳荣, 卢鹏志, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 全光谱LED光源单元模组. CN: CN204962372U, 2016-01-13.
[176] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 红光LED倒装芯片的制作方法. CN: CN104638097A, 2015-05-20.
[177] 郭金霞, 田婷, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 柔性发光器件阵列及其制作方法. CN: CN104676320A, 2015-06-03.
[178] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED共晶焊方法. CN: CN104599990A, 2015-05-06.
[179] 卢鹏志, 杨华, 薛斌, 王晓桐, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜. LED芯片的封装方法. CN: CN104576900A, 2015-04-29.
[180] 张硕, 段瑞飞, 曾一平, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化物外延装置及方法. CN: CN104532208A, 2015-04-22.
[181] 詹腾, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法. CN: CN104465921A, 2015-03-25.
[182] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 薛斌, 于飞, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. CN: CN104534421A, 2015-04-22.
[183] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法. CN: CN104465905A, 2015-03-25.
[184] 纪攀峰, 孔庆峰, 王文军, 胡强, 马平, 曾一平, 王军喜, 李晋闽. MOCVD设备的石墨托盘. CN: CN104451605A, 2015-03-25.
[185] 孔庆峰, 郭金霞, 纪攀峰, 马平, 王文军, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED外延片的切裂方法. CN: CN104505442A, 2015-04-08.
[186] 纪攀峰, 谢海忠, 梁萌, 马平, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法. CN: CN104538304A, 2015-04-22.
[187] 张宁, 任鹏, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法. CN: CN104538519A, 2015-04-22.
[188] 纪攀峰, 谢海忠, 郭恩卿, 马平, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法. CN: CN104538303A, 2015-04-22.
[189] 张烁, 马平, 郭仕宽, 刘波亭, 李晋闽, 王军喜. 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法. CN: CN104485357A, 2015-04-01.
[190] 袁国栋, 吴瑞伟, 李晋闽, 王军喜. 改善HIT太阳能电池性能的微纳结构及制备方法. CN: CN104485367A, 2015-04-01.
[191] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法. CN: CN104465485A, 2015-03-25.
[192] 李璟, 杨华, 薛斌, 谢海忠, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种LED全彩显示阵列及其制作方法. CN: CN104465692A, 2015-03-25.
[193] 马平, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种倒装结构发光二极管及其制作方法. CN: CN104393127A, 2015-03-04.
[194] 安平博, 张硕, 赵丽霞, 段瑞飞, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法. CN: CN104409336A, 2015-03-11.
[195] 张勇辉, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种多功能组合型纳米图形制作方法. CN: CN104355287A, 2015-02-18.
[196] 胡强, 李晋闽, 王军喜, 曾一平, 路红喜, 伊晓燕, 马平, 魏同波, 闫建昌, 纪攀峰. 一种MOCVD设备中的石墨盘. CN: CN104357805A, 2015-02-18.
[197] 黄芳, 袁国栋, 李晋闽, 王军喜. 用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置及方法. CN: CN104393108A, 2015-03-04.
[198] 张勇辉, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法. CN: CN104319318A, 2015-01-28.
[199] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED显示模组系统. CN: CN104332134A, 2015-02-04.
[200] 刘立莉, 卢鹏志, 郑怀文, 谢海忠, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统. CN: CN104315462A, 2015-01-28.
[201] 裴艳荣, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 基于LED投影的可见光通信装置. CN: CN104270195A, 2015-01-07.
[202] 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 姚然, 孙达, 仇登高, 刘鹰, 王朝夕. 一种应用于养鱼池的LED光源控制系统. CN: CN104244537A, 2014-12-24.
[203] 张连, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法. CN: CN104241352A, 2014-12-24.
[204] 刘立莉, 薛斌, 裴艳荣, 卢鹏志, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种垂直结构发光二级管显示阵列. CN: CN104183586A, 2014-12-03.
[205] 裴艳荣, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 显示通信两用的可见光模块. CN: CN104333418A, 2015-02-04.
[206] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种用于发光二极管阵列的封装支架. CN: CN104183572A, 2014-12-03.
[207] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种自支撑LED阵列光源结构. CN: CN104167485A, 2014-11-26.
[208] 薛斌, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 谢海忠, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED阵列结构. CN: CN104167411A, 2014-11-26.
[209] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 谢海忠, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED阵列光源结构. CN: CN104183584A, 2014-12-03.
[210] 詹腾, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 无线隔离驱动式的照明系统. CN: CN104184220A, 2014-12-03.
[211] 张硕, 段瑞飞, 何志, 魏同波, 张勇辉, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法. CN: CN104134736A, 2014-11-05.
[212] 孔庆峰, 马平, 纪攀峰, 卢鹏志, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法. CN: CN104143593A, 2014-11-12.
[213] 赵云, 王钢, 魏同波, 段瑞飞, 孙连峰, 王军喜, 李晋闽. 一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法. CN: CN104099662A, 2014-10-15.
[214] 王文军, 郭金霞, 赵冀, 王莉, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法. CN: CN104051584A, 2014-09-17.
[215] 朱石超, 赵丽霞, 于治国, 孙雪娇, 王军喜, 李晋闽. 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法. CN: CN104051587A, 2014-09-17.
[216] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED模组的散热结构及散热方法. CN: CN103956358A, 2014-07-30.
[217] 刘娜, 孙雪娇, 孔庆峰, 梁萌, 王莉, 魏同波, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法. CN: CN103943738A, 2014-07-23.
[218] 刘娜, 孙雪娇, 孔庆峰, 梁萌, 王莉, 魏同波, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 提高光提取效率发光二极管的制备方法. CN: CN103943739A, 2014-07-23.
[219] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种紫外发光二极管器件的制备方法. CN: CN103956414A, 2014-07-30.
[220] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. CN: CN103943737B, 2016-09-28.
[221] 甄爱功, 马平, 张勇辉, 田迎冬, 郭恩卿, 王军喜, 李晋闽. 具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法. CN: CN103904175A, 2014-07-02.
[222] 谢海忠, 纪攀峰, 杨华, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓基晶体管及其制备方法. CN: CN103996706A, 2014-08-20.
[223] 谢海忠, 纪攀峰, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法. CN: CN103943677A, 2014-07-23.
[224] 姬小利, 闫建昌, 郭金霞, 张连, 杨富华, 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件. CN: CN103887385A, 2014-06-25.
[225] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法. CN: CN103839777A, 2014-06-04.
[226] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 陈宇, 王军喜, 李晋闽. 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法. CN: CN103811610A, 2014-05-21.
[227] 裴艳荣, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. LED光源阵列投影测试装置. CN: CN203798537U, 2014-08-27.
[228] 魏学成, 赵丽霞, 张连, 于治国, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种测量LED内量子效率的方法. CN: CN103808497A, 2014-05-21.
[229] 裴艳荣, 杨华, 刘立莉, 李璟, 王军喜, 李晋闽. LED光源阵列投影测试装置. CN: CN103808496A, 2014-05-21.
[230] 张连, 谢海忠, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种多芯片LED封装体的制作方法. CN: CN103824926A, 2014-05-28.
[231] 郭金霞, 田婷, 赵勇兵, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 倒装高压发光二极管及其制作方法. CN: CN103855149A, 2014-06-11.
[232] 闫建昌, 王军喜, 张韵, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 田迎冬, 李晋闽. 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法. CN: CN103811609A, 2014-05-21.
[233] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可杀菌消毒的多功能餐盒. CN: CN203692762U, 2014-07-09.
[234] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 多功能LED手电筒. CN: CN203743880U, 2014-07-30.
[235] 王晓峰, 尹玉华, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 氧化物膜的制备方法. CN: CN103774114A, 2014-05-07.
[236] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法. CN: CN103794714A, 2014-05-14.
[237] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种生长GaN厚膜的自剥离方法. CN: CN103779185A, 2014-05-07.
[238] 郭金霞, 谢海忠, 卢鹏志, 田婷, 赵勇兵, 詹腾, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 360度发光的LED球泡灯. CN: CN103791459A, 2014-05-14.
[239] 张宁, 魏学成, 刘桂鹏, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种控制半导体LED外延片内应力的装置. CN: CN103779453A, 2014-05-07.
[240] 张宁, 任鹏, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 一种提高发光效率的LED结构. CN: CN103779462A, 2014-05-07.
[241] 羊建坤, 魏同波, 霍自强, 张勇辉, 胡强, 段瑞飞, 王军喜. 生长半极性GaN厚膜的方法. CN: CN103647008A, 2014-03-19.
[242] 王兵, 伊晓燕, 孔庆峰, 刘志强, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法. CN: CN103730558A, 2014-04-16.
[243] 梁萌, 杨华, 刘志强, 郭恩卿, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法. CN: CN103700736A, 2014-04-02.
[244] 梁萌, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法. CN: CN103647012A, 2014-03-19.
[245] 王莉, 谢海忠, 刘志强, 伊晓燕, 郭恩卿, 王军喜, 李晋闽. 一种晶圆级基板微通孔电镀方法. CN: CN103646923A, 2014-03-19.
[246] 姬小利, 路红喜, 郭金霞, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓系发光器件. CN: CN103633218A, 2014-03-12.
[247] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜. 一种LED散热结构. CN: CN103644549A, 2014-03-19.
[248] 田迎冬, 董鹏, 张韵, 闫建昌, 孙莉莉, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓激光器腔面的制作方法. CN: CN103701037A, 2014-04-02.
[249] 安平博, 赵丽霞, 魏学成, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种测量LED内量子效率的方法. CN: CN103645033A, 2014-03-19.
[250] 谢海忠, 宋昌斌, 姚然, 卢鹏志, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 植物补光发光二极管的制作方法. CN: CN103579422A, 2014-02-12.
[251] 谢海忠, 张连, 宋昌斌, 姚然, 薛斌, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法. CN: CN103579423A, 2014-02-12.
[252] 谢海忠, 王莉, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 晶圆级微透镜压印成型方法. CN: CN103579467A, 2014-02-12.
[253] 马平, 刘波亭, 甄爱功, 郭仕宽, 纪攀峰, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓系发光二极管及制备方法. CN: CN103579425A, 2014-02-12.
[254] 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法. CN: CN103579478A, 2014-02-12.
[255] 李璟, 杨华, 薛斌, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法. CN: CN103579461A, 2014-02-12.
[256] 魏学成, 赵丽霞, 王莉, 孔庆峰, 卢鹏志, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法. CN: CN103528802A, 2014-01-22.
[257] 杜成孝, 魏同波, 吴奎, 王军喜, 李晋闽. 一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法. CN: CN103545173A, 2014-01-29.
[258] 孔庆峰, 郭金霞, 马平, 王丽, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法. CN: CN103529658A, 2014-01-22.
[259] 纪攀峰, 马平, 王军喜, 胡强, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 优化配置的多腔室MOCVD反应系统. CN: CN103556126A, 2014-02-05.
[260] 纪攀峰, 马平, 王军喜, 胡强, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法. CN: CN103526190A, 2014-01-22.
[261] 刘立莉, 杨华, 卢鹏志, 薛斌, 孔庆峰, 王兵, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种光斑可调的室内投影式照明系统. CN: CN103486474A, 2014-01-01.
[262] 杨华, 刘立莉, 卢鹏志, 薛斌, 孔庆峰, 王兵, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种投影式照明系统. CN: CN103470992A, 2013-12-25.
[263] 王文军, 李晋闽, 王军喜, 马平, 纪攀峰, 郭金霞, 孔庆峰, 胡强. 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法. CN: CN103489752A, 2014-01-01.
[264] 魏学成, 赵丽霞, 张连, 于治国, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法. CN: CN103529310A, 2014-01-22.
[265] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜, 李晋闽. 用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组件. CN: CN103487611A, 2014-01-01.
[266] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 谢海忠, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种发光二极管阵列的制备方法. CN: CN103474557A, 2013-12-25.
[267] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜, 李晋闽. 用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件. CN: CN103487610A, 2014-01-01.
[268] 冯向旭, 张宁, 刘乃鑫, 付丙磊, 朱绍歆, 张连, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法. CN: CN103489968A, 2014-01-01.
[269] 姬小利, 郭金霞, 马平, 马骏, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法. CN: CN103474536A, 2013-12-25.
[270] 薛斌, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 全彩发光二极管模组的制备方法. CN: CN103441101A, 2013-12-11.
[271] 郭金霞",null,null,null,null,null,null,"王军喜. 360度发光的LED球泡灯. CN: CN103438374B, 2015-12-23.
[272] 郭金霞",null,null,null,null,null,null,"王军喜. 360度发光的LED球泡灯. CN: CN103438374A, 2013-12-11.
[273] 薛斌, 谢海忠, 卢鹏志, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法. CN: CN103413886A, 2013-11-27.
[274] 赵丽霞, 周子超, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法. CN: CN103364032A, 2013-10-23.
[275] 张连, 曾建平, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种可调控能带的LED量子阱结构. CN: CN103296165A, 2013-09-11.
[276] 张连, 曾建平, 魏同波, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法. CN: CN103325903A, 2013-09-25.
[277] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED散热结构. CN: CN103277766B, 2015-06-24.
[278] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张韵, 曾建平, 孙莉莉, 李晋闽. 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法. CN: CN103311097A, 2013-09-18.
[279] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法. CN: CN103325900A, 2013-09-25.
[280] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法. CN: CN103325901A, 2013-09-25.
[281] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 垂直阵列纳米柱LED的制备方法. CN: CN103280500A, 2013-09-04.
[282] 胡强, 魏同波, 羊建坤, 霍自强, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种双加热气相外延生长系统. CN: CN103276444A, 2013-09-04.
[283] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种金属纳米圆环的制备方法. CN: CN103268910A, 2013-08-28.
[284] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 紫外共振腔发光二极管. CN: CN103236479A, 2013-08-07.
[285] 孙莉莉, 闫建昌, 董鹏, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法. CN: CN103337564A, 2013-10-02.
[286] 詹腾, 王国宏, 郭金霞, 李璟, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 任意切割式高压LED器件的制作方法. CN: CN103236474A, 2013-08-07.
[287] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法. CN: CN103199164A, 2013-07-10.
[288] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法. CN: CN103165775A, 2013-06-19.
[289] 赵玲慧, 马平, 甄爱功, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 折射率渐变的光子晶体发光二极管结构. CN: CN103151440A, 2013-06-12.
[290] 郭金霞, 闫建昌",null,null,null,null,null,"王军喜. 高压发光二极管芯片及其制造方法. CN: CN103187494A, 2013-07-03.
[291] 杜成孝, 郑海洋, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法. CN: CN103178168A, 2013-06-26.
[292] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 低热阻LED封装结构及封装方法. CN: CN103151445A, 2013-06-12.
[293] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 无支架LED封装结构及封装方法. CN: CN103151446A, 2013-06-12.
[294] 杜成孝, 魏同波, 吴奎, 王军喜, 李晋闽. 一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法. CN: CN103107251A, 2013-05-15.
[295] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法. CN: CN103137808A, 2013-06-05.
[296] 孙莉莉, 闫建昌, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管结构. CN: CN103137822A, 2013-06-05.
[297] 张宁, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法. CN: CN103137807A, 2013-06-05.
[298] 杨华, 薛斌, 于飞, 谢海忠, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法. CN: CN103107250A, 2013-05-15.
[299] 杨华, 薛斌, 谢海忠, 卢鹏志, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 制备原位级发光二极管阵列结构的方法. CN: CN103107249A, 2013-05-15.
[300] 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 段靖远. 一种植物补光装置及其补光方法. CN: CN103104839A, 2013-05-15.
[301] 冉军学, 胡强, 胡国新, 梁勇, 熊衍凯, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置. CN: CN103088318A, 2013-05-08.
[302] 杜成孝, 董鹏, 郑海洋, 魏同波, 严清峰, 吴奎, 张逸韵, 王军喜, 李晋闽. 利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法. CN: CN103091981A, 2013-05-08.
[303] 冉军学, 胡强, 胡国新, 梁勇, 熊衍凯, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置. CN: CN103074674A, 2013-05-01.
[304] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜. 测试可见光通信系统中光源性能的装置. CN: CN103001694A, 2013-03-27.
[305] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 制备半球形微纳米透镜阵列的方法. CN: CN103011060A, 2013-04-03.
[306] 谢海忠, 于飞, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光钻孔切割异形发光二极管的方法. CN: CN103022280A, 2013-04-03.
[307] 谢海忠, 卢鹏志, 耿雪妮, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法. CN: CN103000775A, 2013-03-27.
[308] 谢海忠, 张逸韵, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法. CN: CN102969413A, 2013-03-13.
[309] 刘娜, 谢海忠, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 高出光率倒装结构LED的制作方法. CN: CN102969422A, 2013-03-13.
[310] 羊建坤, 魏同波, 胡强, 霍自强, 段瑞飞, 王军喜. 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法. CN: CN102969410A, 2013-03-13.
[311] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构. CN: CN102969418A, 2013-03-13.
[312] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法. CN: CN102969411A, 2013-03-13.
[313] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 孔庆峰, 裴艳荣, 刘立莉, 王晓桐, 王琳琳, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. LED平板显示单元的制备方法. CN: CN102931330A, 2013-02-13.
[314] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 薛斌, 王国宏, 伊晓燕, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. CN: CN102954378A, 2013-03-06.
[315] 司朝, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法. CN: CN102891229A, 2013-01-23.
[316] 谢海忠, 张逸韵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法. CN: CN102886609A, 2013-01-23.
[317] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 用于可见光通信的通信系统和便携装置. CN: CN202652224U, 2013-01-02.
[318] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 便携装置的可见光通信系统与方法. CN: CN102801471A, 2012-11-28.
[319] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法. CN: CN102683523A, 2012-09-19.
[320] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法. CN: CN102694088A, 2012-09-26.
[321] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 具有空气桥结构发光二极管的制作方法. CN: CN102683522A, 2012-09-19.
[322] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法. CN: CN102691102A, 2012-09-26.
[323] 吴奎, 魏同波, 蓝鼎, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李晋闽. 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法. CN: CN102709411A, 2012-10-03.
[324] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 纳米柱发光二极管的制作方法. CN: CN102709410A, 2012-10-03.
[325] 董鹏, 闫建昌, 王军喜, 孙莉莉, 曾建平, 丛培沛, 李晋闽. 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片. CN: CN102709429A, 2012-10-03.
[326] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张逸韵, 孙莉莉, 曾建平, 李晋闽. 提高紫外发光二极管出光效率的方法. CN: CN102655194A, 2012-09-05.
[327] 卢鹏志, 杨华, 王晓彤, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏. LED封装结构及封装成型方法. CN: CN102637810A, 2012-08-15.
[328] 郭金霞, 闫建昌, 伊晓燕, 田婷, 詹腾, 赵勇兵, 宋昌斌, 王军喜. 高压发光二极管芯片及其制造方法. CN: CN103258836A, 2013-08-21.
[329] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法. CN: CN102544271A, 2012-07-04.
[330] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化物LED外延结构的生长方法. CN: CN102569567A, 2012-07-11.
[331] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法. CN: CN102534769A, 2012-07-04.
[332] 张逸韵, 谢海忠, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法. CN: CN102544270A, 2012-07-04.
[333] 谢海忠, 张逸韵, 王兵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法. CN: CN102593301A, 2012-07-18.
[334] 冉军学, 胡强, 梁勇, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头. CN: CN102534559A, 2012-07-04.
[335] 冉军学, 胡强, 梁勇, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头. CN: CN102492937A, 2012-06-13.
[336] 赵丽霞, 杨华, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法. CN: CN102608509A, 2012-07-25.
[337] 刘硕, 郭恩卿, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. GaN基薄膜芯片的制造方法. CN: CN102496667A, 2012-06-13.
[338] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 低位错氮化镓的生长方法. CN: CN102409406A, 2012-04-11.
[339] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构的制作方法. CN: CN102231421B, 2013-01-23.
[340] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构. CN: CN102255034A, 2011-11-23.
[341] 杨华",null,null,null,null,"薛斌, 伊晓燕, 王军喜. 发光二极管封装结构的制作方法. CN: CN102231421A, 2011-11-02.
[342] 赵婧, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法. CN: CN102351229A, 2012-02-15.
[343] 赵婧, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. CN: CN102351236A, 2012-02-15.
[344] 马平, 王军喜, 魏学成, 曾一平, 李晋闽. 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管. CN: CN102185056A, 2011-09-14.
[345] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. CN: CN102185052A, 2011-09-14.
[346] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜. 发光二极管的制备方法. CN: CN102760799A, 2012-10-31.
[347] 贠利君, 吴奎, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜. 一种紫外LED的制作方法. CN: CN102148300A, 2011-08-10.
[348] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜. 发光二极管的制备方法. CN: CN102130230A, 2011-07-20.
[349] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 高质量氮化镓系发光二极管. CN: CN102064254A, 2011-05-18.
[350] 黄亚军, 樊中朝, 刘志强, 伊晓燕, 季安, 王军喜. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. CN: CN102064242A, 2011-05-18.
[351] 魏同波, 王军喜, 路红喜, 刘乃鑫, 曾一平, 李晋闽. 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法. CN: CN102031484A, 2011-04-27.
[352] 冉军学, 胡国新, 梁勇, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构. CN: CN101914762A, 2010-12-15.
[353] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. CN: CN101969088A, 2011-02-09.
[354] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种增强LED出光效率的粗化方法. CN: CN101976712A, 2011-02-16.
[355] 马平, 王军喜, 刘乃鑫, 路红喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 一种氮化镓系发光二极管. CN: CN101931036A, 2010-12-29.
[356] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN: CN101894651A, 2010-11-24.
[357] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. CN: CN101899706A, 2010-12-01.
[358] 马平. 氮化镓系发光二极管. CN: CN101834248B, 2012-07-04.
[359] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用In x Ga 1-x N缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法. CN: CN101924022A, 2010-12-22.
[360] 马平, 李京波. 氮化镓系发光二极管. CN: CN101834248A, 2010-09-15.
[361] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用In x Ga 1-x N缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法. 中国: CN101924022A, 2010-12-22.
[362] 王兵, 李志聪, 王国宏, 闫发旺, 姚然, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. CN: CN101812725A, 2010-08-25.
[363] 丁凯, 张连, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法. CN: CN101807520A, 2010-08-18.
[364] 张连, 丁凯, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法. CN: CN101807640A, 2010-08-18.
[365] 闫发旺, 孙莉莉, 张会肖, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法. CN: CN101789477A, 2010-07-28.
[366] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极. CN: CN101794851A, 2010-08-04.
[367] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极. CN: CN101794850A, 2010-08-04.
[368] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法. CN: CN101740690A, 2010-06-16.
[369] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. CN: CN101710569A, 2010-05-19.
[370] 卢鹏志, 杨华, 薛斌, 王晓桐, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜. LED芯片的封装方法. CN: CN101567410A, 2009-10-28.
[371] 段瑞飞, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 金属有机物化学气相沉积装置. CN: CN101654773A, 2010-02-24.
[372] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种垂直结构氮化物LED的制备方法. CN: CN101546799A, 2009-09-30.
[373] 魏同波, 段瑞飞, 霍自强, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法. CN: CN101519799A, 2009-09-02.
[374] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化物材料的外延方法. CN: CN101469451A, 2009-07-01.
[375] 闫发旺, 高海永, 樊中朝, 李晋闽, 曾一平, 王国宏, 张会肖, 王军喜, 张 扬. 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法. CN: CN100587919C, 2010-02-03.
[376] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种氮化物材料外延装置. CN: CN101343777A, 2009-01-14.
[377] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置. CN: CN101205626A, 2008-06-25.
[378] 段瑞飞, 刘 喆, 钟兴儒, 魏同波, 马 平, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置. CN: CN101205627A, 2008-06-25.
[379] 王晓亮, 王新华, 冯春, 王保柱, 马志勇, 王军喜, 胡国新, 肖红领, 冉军学, 王翠梅. 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统. CN: CN101140252A, 2008-03-12.
[380] 王保柱, 王晓亮, 王晓燕, 王新华, 肖红领, 王军喜, 刘宏新. 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法. CN: CN101114584A, 2008-01-30.
[381] 王晓亮, 胡国新, 马志勇, 冉学军, 王翠敏, 肖红领, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法. CN: CN101005034A, 2007-07-25.
[382] 刘喆, 李晋闽, 王军喜, 王晓亮, 王启元, 刘宏新, 王俊, 曾一平. 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法. CN: CN1967778A, 2007-05-23.
[383] Wang, Xiaoliang, Guo, Lunchun, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Zeng, Yiping. White light emitting diode of a blue and yellow light emitting (structure) layer stacked structure and method of manufacturing the same. US: US20060043385(A1), 2006-03-02.
[384] 冉军学, 王晓亮, 李建平, 胡国新, 王军喜, 王翠梅, 曾一平. 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法. CN: CN1892985A, 2007-01-10.
[385] 王晓亮, 冉军学, 李建平, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托. CN: CN2819471Y, 2006-09-20.
[386] 刘 喆, 王军喜, 钟兴儒, 李晋闽, 曾一平, 段瑞飞, 马 平, 魏同波, 林郭强. 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置. CN: CN1881533A, 2006-12-20.
[387] 王晓亮, 王翠梅, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构. CN: CN1797787A, 2006-07-05.
[388] 王晓亮, 王翠梅, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法. CN: CN1787229A, 2006-06-14.
[389] 王翠梅, 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法. CN: CN1783512A, 2006-06-07.
[390] 马平, 李京波, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 氮化镓系发光二极管. CN: CN1753199A, 2006-03-29.
[391] 郭伦春, 王晓亮, 王军喜, 肖红领, 曾一平, 李晋闽. 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法. CN: CN1741290A, 2006-03-01.
[392] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 王翠梅, 曾一平, 李晋闽. 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法. CN: CN1728349A, 2006-02-01.
[393] 张南红, 王晓亮, 曾一平, 肖红领, 王军喜, 刘宏新, 李晋闽. 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法. CN: CN1707753A, 2005-12-14.
[394] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法. CN: CN1313655C, 2007-05-02.
[395] 肖红领, 王晓亮, 王军喜, 张南红, 刘宏新, 曾一平. 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法. CN: CN1704507A, 2005-12-07.
[396] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 生长高阻氮化镓外延膜的方法. CN: CN1704505A, 2005-12-07.
[397] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法. CN: CN1705082A, 2005-12-07.

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发表论文
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[348] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 刘新宇, 刘键, 刘宏新, 孙殿照, 曾一平, 钱鹤, 李晋闽, 孔梅影, 林兰英. RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性. 半导体学报[J]. 2004, 第 3 作者25(2): 121-125, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=9303789.
[349] 王军喜. MBE GaN 基微电子材料及器件研究. 2003, 第 1 作者http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5199.
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[351] 王军喜, 闫建昌, 郭亚楠, 张韵, 田迎冬, 朱邵歆, 陈翔, 孙莉莉, 李晋闽. 氮化物深紫外LED研究新进展. 中国科学: 物理学 力学 天文学. 第 1 作者45: https://www.sciengine.com/doi/10.1360/SSPMA2015-00026.
发表著作
(1) LED器件与工艺技术, 电子工业出版社, 2015-09, 第 2 作者
(2) III族氮化物发光二极管技术及其应用, 科学出版社, 2016-03, 第 2 作者
(3) 半导体照明概论, 电子工业出版社, 2016-05, 第 5 作者
(4) Light-Emitting Diodes, Springer, 2019-02, 第 2 作者
(5) III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications, Springer, 2020-06, 第 2 作者
(6) 氮化物深紫外发光材料及器件, 科学出版社, 2021-01, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 深紫外LED制备和应用技术研究, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
( 2 ) 高效氮化镓基绿光LEDs的研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
( 3 ) 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
( 4 ) 高效率AlGaN深紫外发光器件基础研究, 主持, 国家级, 2022-01--2026-12
参与会议
(1)The Technology and Application of UVC LED   2019-11-21
(2)Research and Development of UV LEDs in China   2019-09-08
(3)Opportunity and Challenge for Nitride-based UV-LEDs   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-23
(4)AlGaN基紫外发光二极管研究进展   第十五届全国MOCVD学术会议   2018-08-22
(5)Research Progress on AlGaN-based Ultraviolet   2017-09-18
(6)深紫外发光二极管的研究现状及发展趋势   第二届全国宽禁带半导体学术会议   2017-08-10
(7)Al-rich Nitride-Based UV Emitters with Micro-nano Fabrication Techniques   第三届中韩纳米材料及光电应用研讨会   2016-11-24

指导学生

已指导学生

贠利君  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

张宁  博士研究生  080501-材料物理与化学  

羊建坤  博士研究生  080501-材料物理与化学  

冯向旭  博士研究生  080501-材料物理与化学  

董鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

付丙磊  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张勇辉  博士研究生  080501-材料物理与化学  

朱邵歆  博士研究生  080501-材料物理与化学  

黄宇亮  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

任鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

赵云  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张硕  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郭亚楠  博士研究生  080501-材料物理与化学  

熊卓  博士研究生  080501-材料物理与化学  

孙雪娇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴卓辉  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

冯梁森  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张翔  博士研究生  080501-材料物理与化学  

杨帅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨宇铭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张亮  博士研究生  080501-材料物理与化学  

常洪亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵捷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

梁冬冬  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李燕  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

陈仁锋  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

王新维  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张琪  硕士研究生  085400-电子信息  

王大地  博士研究生  080501-材料物理与化学  

蒋宗霖  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王璐璐  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴涵  硕士研究生  085400-电子信息  

张睿洁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学