基本信息
王军喜  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jxwang@semi.ac.cn
通信地址: 北京912信箱
邮政编码: 100083

研究领域

半导体光电子材料与器件

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085600-材料与化工
招生方向
氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术
大功率白光LED器件制备技术,氮化物光电子器件
GaN基光电子材料和器件

教育背景

2000-09--2003-06   中国科学院半导体研究所   博士
1998-09--2000-06   西北大学   硕士
1994-09--1998-06   西北大学   学士

工作经历

   
工作简历
2003-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 助研/副研究员/研究员
社会兼职
2016-06-01-今,中国照明学会农业照明专业委员会, 副主任委员
2016-04-16-今,中国材料研究学会, 理事
2016-04-01-今,中国微米纳米技 术学会青年工作委员会, 委员
2014-07-01-今,北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 主任
2010-12-02-今,中国科学院半导体照明研发中心, 副主任

教授课程

宽禁带半导体发光材料
材料科学与工程讲座

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
(2) 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
(3) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(4) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
(5) 高性能GaN外延材料, 二等奖, 省级, 2012
专利成果
[1] 伊晓燕, 王蕴玉, 刘志强, 梁萌, 王兵, 任芳, 尹越, 王军喜, 李晋闽. 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法. CN: [[[CN111697115A]]], [[["2020-09-22"]]].

[2] 杨华, 郑怀文, 李燕, 于飞, 姚然, 宋昌斌, 伊晓燕, 李晋闽, 王军喜. 一种用于光医疗的可穿戴设备. CN: CN113209489A, 2021-08-06.

[3] 孙雪娇, 魏学成, 王军喜, 张宁. 基于钙钛矿量子点荧光粉的激光照明系统. CN: CN113175629A, 2021-07-27.

[4] 姚然, 杨华, 宋昌斌, 郑怀文, 吕小鸿, 王军喜. 用于微藻生长的光生物反应器及方法. CN: CN113150975A, 2021-07-23.

[5] 姬小利, 谭晓宇, 魏同波, 王军喜, 杨富华, 李晋闽. 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法. CN: CN110190511B, 2021-04-23.

[6] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 电池负极材料及其制备方法、锂电池. CN: CN110336028B, 2021-03-30.

[7] 王军喜, 冯梁森, 张宁, 李晋闽. 调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法. CN: CN109599410B, 2021-03-26.

[8] 王军喜, 张翔, 魏同波, 李晋闽. 垂直金字塔结构LED及其制备方法. CN: CN109166948B, 2021-03-26.

[9] 刘立莉, 宋昌斌, 于飞, 杨华, 王军喜. 贴片LED封装光源及制备方法. CN: CN112435999A, 2021-03-02.

[10] 袁国栋, 王琦, 张璐, 刘文强, 王军喜. 氮化物纳米带的制备方法. CN: CN106952856B, 2021-03-02.

[11] 杨华, 李燕, 杨宇铭, 郑怀文, 于飞, 裴艳荣, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 匀光照明模组及其应用. CN: CN110260268B, 2021-02-12.

[12] 梁冬冬, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构. CN: CN109585270B, 2021-02-12.

[13] 王军喜, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 闫建昌. 一种基于多孔外延模板的紫外发光二极管及其制作方法. CN: CN108922947B, 2020-12-25.

[14] 宋昌斌, 刘立莉, 杨华, 王军喜. 智能诱杀与驱虫一体化LED灯装置. CN: CN109287029B, 2020-11-10.

[15] 伊晓燕, 张硕, 刘志强, 梁萌, 冯涛, 任芳, 王蕴玉, 王军喜, 李晋闽. LED/ZnO纳米线阵列集成的光电晶体管芯片及制备方法. CN: CN111816729A, 2020-10-23.

[16] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法. CN: CN111710595A, 2020-09-25.

[17] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 高质量低应力AlN图形模板的制备方法. CN: CN111710594A, 2020-09-25.

[18] 郭亚楠, 刘志彬, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 提高LED倒装芯片光提取效率的方法. CN: CN111710765A, 2020-09-25.

[19] 郭亚楠, 闫建昌, 刘志彬, 王军喜, 李晋闽. 具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件. CN: CN111710762A, 2020-09-25.

[20] 刘志彬, 郭亚楠, 闫建昌, 李晋闽, 王军喜. 极性可控的高质量AlN模板制备方法. CN: CN111676451A, 2020-09-18.

[21] 刘立莉, 宋昌斌, 于飞, 杨华, 王军喜. 一种LED封装管的测试板及测试方法. CN: CN111624454A, 2020-09-04.

[22] 闫建昌, 刘春岩, 王军喜, 李晋闽. 带有光强自动反馈校正功能的紫外光源系统及其应用. CN: CN111542152A, 2020-08-14.

[23] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置. CN: CN211214531U, 2020-08-11.

[24] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统. CN: CN211204334U, 2020-08-07.

[25] 刘春岩, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种陶瓷基板及其封装方法. CN: CN111463334A, 2020-07-28.

[26] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置. CN: CN210577842U, 2020-05-19.

[27] 孙莉莉, 张韵, 程哲, 张连, 王军喜, 李晋闽. 金属上单晶氮化物薄膜制备方法及体声波谐振器. CN: CN106341095B, 2020-04-07.

[28] 郭亚楠, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 反极性垂直发光二极管及其制备方法. CN: CN110808319A, 2020-02-18.

[29] 闫建昌, 张亮, 郭亚楠, 吴清清, 王军喜. 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法. CN: CN108878604B, 2020-01-21.

[30] 伊晓燕, 潘岭峰, 王晓峰, 何志, 王军喜, 李晋闽. 一种匀化白光光源及其匀化方法. CN: CN106838821B, 2020-01-21.

[31] 闫建昌, 刘春岩, 薛斌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 紫外LED匀光装置及其应用. CN: CN110680937A, 2020-01-14.

[32] 刘春岩, 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 基于紫外LED杀菌新风系统及应用. CN: CN110657545A, 2020-01-07.

[33] 薛斌, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 具有消毒功能的便携式充电装置及应用. CN: CN110417097A, 2019-11-05.

[34] 刘喆, 梁冬冬, 王军喜, 李晋闽. 柔性折叠的LED光动力治疗仪. CN: CN209500547U, 2019-10-18.

[35] 王军喜, 杨宇铭, 杨华, 郑怀文, 李燕. 一种近距离匀光LED封装结构. CN: CN110323322A, 2019-10-11.

[36] 郑怀文, 杨华, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种低热阻电路板. CN: CN110290635A, 2019-09-27.

[37] 闫建昌, 刘春岩, 郭亚楠, 魏学成, 李晋闽, 王军喜. 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统. CN: CN110269950A, 2019-09-24.

[38] 王军喜, 张翔, 魏同波, 李晋闽. GaN基垂直LED结构及其制备方法. CN: CN107833945B, 2019-09-24.

[39] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 化合物半导体及其外延方法. CN: CN110164757A, 2019-08-23.

[40] 闫建昌, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法. CN: CN110098297A, 2019-08-06.

[41] 冉军学, 魏同波, 闫建昌, 王军喜. 肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件. CN: CN110071177A, 2019-07-30.

[42] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 魏同波, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法. CN: CN107256911B, 2019-07-23.

[43] 袁国栋, 王琦, 赵帅, 刘文强, 王军喜, 李晋闽. 氮化物材料的湿法腐蚀方法. CN: CN110010461A, 2019-07-12.

[44] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 硅-石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池. CN: CN110010864A, 2019-07-12.

[45] 黄鹏, 袁国栋, 王军喜, 李晋闽. 非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器. CN: CN109994323A, 2019-07-09.

[46] 刘喆, 冯梁森, 张宁, 王军喜, 李晋闽. 制备氮化镓基纳米环结构的方法. CN: CN108682723B, 2019-07-05.

[47] 赵捷, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法. CN: CN109904292A, 2019-06-18.

[48] 赵捷, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法. CN: CN109841712A, 2019-06-04.

[49] 魏同波, 赵捷, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法. CN: CN109841711A, 2019-06-04.

[50] 刘乃鑫, 孙雪娇, 魏学成, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法. CN: CN109825875A, 2019-05-31.

[51] 刘立莉, 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 谢海忠, 梁萌. LED光源的应用方法及装置. CN: CN107889308B, 2019-05-31.

[52] 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法. CN: CN104900689B, 2019-05-17.

[53] 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法. CN: CN109666970A, 2019-04-23.

[54] 张宁, 冯梁森, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜. CN: CN109638118A, 2019-04-16.

[55] 张宁, 冯梁森, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法. CN: CN109599462A, 2019-04-09.

[56] 艾玉杰, 张韵, 杨帅, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 兰姆波谐振器及其制备方法. CN: CN109560785A, 2019-04-02.

[57] 艾玉杰, 张韵, 杨帅, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 兰姆波谐振器及其制备方法. CN: CN109560785A, 2019-04-02.

[58] 刘志强, 程成, 伊晓燕, 张勇, 王军喜, 李晋闽. ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法. CN: CN109524490A, 2019-03-26.

[59] 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件. CN: CN109461644A, 2019-03-12.

[60] 郭亚楠, 曹峻松, 谢海忠, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法. CN: CN106328778B, 2019-03-08.

[61] 杨超, 赵丽霞, 朱石超, 刘磊, 于治国, 王军喜, 李晋闽. 可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法. 中国: CN105405938B, 2018.06.19.

[62] 魏同波, 张翔, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 基于Ga 2 O 3 衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法. 中国: CN108630792A, 2018-10-09.

[63] 张连, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法. 中国: CN104241352B, 2018-10-02.

[64] 王晓峰, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 一种氧化亚铜单晶薄膜的制备方法. 中国: CN105525349B, 2018-09-07.

[65] 张韵, 赵璐, 艾玉杰, 孙莉莉, 杨帅, 程哲, 张连, 贾利芳, 王军喜. GaN基LED器件. 中国: CN207765474U, 2018-08-24.

[66] 魏同波, 赵捷, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法. 中国: CN108389941A, 2018-08-10.

[67] 袁国栋, 刘文强, 王琦, 王军喜, 李晋闽. 无机卤化铋钙钛矿电池及其制备方法. 中国: CN108258119A, 2018-07-06.

[68] 刘喆, 梁冬冬, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 采用氧化铟锡作为插入层的反射镜及其制备方法. 中国: CN108198925A, 2018-06-22.

[69] 张韵, 赵璐, 艾玉杰, 孙莉莉, 杨帅, 程哲, 张连, 贾利芳, 王军喜. GaN基LED器件及其制备方法. 中国: CN108110097A, 2018-06-01.

[70] 袁国栋, 刘文强, 王琦, 王军喜, 李晋闽. 含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法. 中国: CN108091768A, 2018-05-29.

[71] 王晓峰, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 一种氧化镓薄膜的制备方法. 中国: CN105624782B, 2018-03-23.

[72] 刘波亭, 马平, 郭仕宽, 甄爱功, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜. 中国: CN105161578B, 2018-03-23.

[73] 姬小利, 路红喜, 郭金霞, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓系发光器件. 中国: CN103633218B, 2018-03-06.

[74] 艾玉杰, 杨帅, 张韵, 孙莉莉, 程哲, 张连, 贾丽芳, 王军喜, 李晋闽. 声表面波谐振器、滤波器及其制备方法. 中国: CN107634734A, 2018-01-26.

[75] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. GaN基白光LED及制备方法. 中国: CN105870287B, 2018-01-23.

[76] 李喜林, 马平, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法. 中国: CN107393956A, 2017.11.24.

[77] 刘立莉, 杨华, 于飞, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. LED芯片集成封装模块和封装方法. 中国: CN105575956B, 2017.11.17.

[78] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法. 中国: CN104465485B, 2017.11.14.

[79] 詹腾, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 光刺激及信号采集探针. 中国: CN106913315A, 2017.07.04.

[80] 袁国栋, 张璐, 王琦, 王克超, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 非平面硅衬底LED器件及其制作方法. 中国: CN106558637A, 2017.04.05.

[81] 倪茹雪, 张韵, 郭亚楠, 王军喜, 李晋闽. 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法. 中国: CN106531871A, 2017.03.22.

[82] 孙莉莉, 张韵, 程哲, 张连, 王军喜, 李晋闽. 一种体声波器件的制备方法. 中国: CN106341094A, 2017.01.18.

[83] 袁国栋, 吴瑞伟, 王克超, 李晋闽, 王军喜. 太阳能电池、其发射结以及制备方法. 中国: CN107293612A, 2017-10-24.

[84] 王兵, 王蕴玉, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法. 中国: CN107215858A, 2017-09-29.

[85] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 王良臣, 王军喜, 李晋闽. 一种微LED器件阵列单元的制作方法. 中国: CN107146835A, 2017-09-08.

[86] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. 中国: CN206440330U, 2017-08-25.

[87] 郭亚楠, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 高光出射效率的LED芯片及其制备方法. 中国: CN107068826A, 2017-08-18.

[88] 伊晓燕, 刘志强, 何志, 段瑞飞, 黄洋, 王军喜, 李晋闽. 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法. 中国: CN106992232A, 2017-07-28.

[89] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. 中国: CN206337054U, 2017-07-18.

[90] 刘志强, 黄洋, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法. 中国: CN106940303A, 2017-07-11.

[91] 马平, 姬小利, 李喜林, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法. 中国: CN106898640A, 2017-06-27.

[92] 伊晓燕, 詹腾, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 完全植入式光学医疗器械. 中国: CN106821328A, 2017-06-13.

[93] 黄洋, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法. 中国: CN106841146A, 2017-06-13.

[94] 郭亚楠, 张韵, 王军喜, 李晋闽. LED倒装基板的结构. 中国: CN206236704U, 2017-06-09.

[95] 刘喆, 杨杰, 薛斌, 廖周, 王军喜, 李晋闽. 三基色激光器实现均光照明的系统. 中国: CN106773073A, 2017-05-31.

[96] 闫建昌, 孙莉莉, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN106784180A, 2017-05-31.

[97] 刘喆, 杨杰, 薛斌, 王军喜, 李晋闽. 同时用于照明与通信的激光光源装置. 中国: CN106684673A, 2017-05-17.

[98] 谢海忠, 闫建昌, 魏学成, 孙莉莉, 宋昌斌, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 一种杀菌消毒的装置. 中国: CN106517410A, 2017-03-22.

[99] 张韵, 郭亚楠, 曹峻松, 王军喜, 李晋闽. 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法. 中国: CN106505130A, 2017-03-15.

[100] 闫建昌, 谢海忠, 王军喜, 魏学成, 孙莉莉, 张韵, 李晋闽. 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表. 中国: CN106441485A, 2017-02-22.

[101] 孙莉莉, 张韵, 杨帅, 程哲, 张连, 吕宏瑞, 王军喜, 李晋闽. 单晶体声波器件及制备方法. 中国: CN106374032A, 2017-02-01.

[102] 黄宇亮, 程哲, 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 增强型高电子迁移率晶体管及制备方法、半导体器件. 中国: CN105720097A, 2016.06.29.

[103] 杨超, 赵丽霞, 朱石超, 刘磊, 于治国, 王军喜, 李晋闽. 可见光通信用倒装RCLED及其制备方法. 中国: CN105609602A, 2016.05.25.

[104] 袁国栋, 张璐, 王克超, 吴瑞伟, 李晋闽, 王军喜. 一种III族氮化物生物探针及其制备方法. 中国: CN106229396A, 2016-12-14.

[105] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 在Si衬底上利用应变调制层减少GaN层穿透位错的结构及方法. 中国: CN106128948A, 2016-11-16.

[106] 安平博, 赵丽霞, 魏同波, 陈召龙, 王军喜, 李晋闽. 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法. 中国: CN106048555A, 2016-10-26.

[107] 任鹏, 张宁, 薛斌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法. 中国: CN105957801A, 2016-09-21.

[108] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法. 中国: CN105931964A, 2016-09-07.

[109] 刘波亭, 马平, 张烁, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法. 中国: CN105789047A, 2016-07-20.

[110] 卢鹏志, 杨华, 裴艳荣, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种可实现自然光谱的LED光源. 中国: CN205385020U, 2016-07-13.

[111] 熊卓, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法. 中国: CN105720157A, 2016-06-29.

[112] 熊卓, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种光色可调发光二极管及其制备方法. 中国: CN105720151A, 2016-06-29.

[113] 薛斌, 任鹏, 张宁, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种基于激光器的车灯系统. 中国: CN105611692A, 2016-05-25.

[114] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. 基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池. 中国: CN105552230A, 2016-05-04.

[115] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种光色可调的LED叠层光源模块. 中国: CN105546366A, 2016-05-04.

[116] 袁国栋, 王克超, 张璐, 吴瑞伟, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法. 中国: CN105552187A, 2016-05-04.

[117] 袁国栋, 王乐, 段瑞飞, 李晋闽, 王军喜, 黄芳, 吴瑞伟, 王克超. 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法. 中国: CN105405979A, 2016-03-16.

[118] 薛斌, 任鹏, 张宁, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种激光器显示系统. 中国: CN105388690A, 2016-03-09.

[119] 裴艳荣, 卢鹏志, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 全光谱LED光源单元模组. 中国: CN204962372U, 2016-01-13.

[120] 王钦金, 詹腾, 马骏, 郭恩卿, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 化学镀银制作氮化镓基发光二极管反射镜金属层的方法. 中国: CN105226160A, 2016-01-06.

[121] 张硕, 段瑞飞, 曾一平, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化物外延装置及方法. 中国: CN104532208A, 2015.04.22.

[122] 纪攀峰, 谢海忠, 梁萌, 马平, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法. 中国: CN104538304A, 2015.04.22.

[123] 张勇辉, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种多功能组合型纳米图形制作方法. 中国: CN104355287A, 2015.02.18.

[124] 刘立莉, 卢鹏志, 郑怀文, 谢海忠, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 基于高功率密度发光阵列的投影式照明系统. 中国: CN104315462A, 2015.01.28.

[125] 张连, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 无掺杂剂的AlGaN基紫外发光二极管及制备方法. 中国: CN104882522A, 2015-09-02.

[126] 裴艳荣, 卢鹏志, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 全光谱LED光源模组. 中国: CN204596837U, 2015-08-26.

[127] 郭金霞, 田婷, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 柔性发光器件阵列及其制作方法. 中国: CN104676320A, 2015-06-03.

[128] 李璟, 杨华, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 红光LED倒装芯片的制作方法. 中国: CN104638097A, 2015-05-20.

[129] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED共晶焊方法. 中国: CN104599990A, 2015-05-06.

[130] 卢鹏志, 杨华, 薛斌, 王晓桐, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜. LED芯片的封装方法. 中国: CN104576900A, 2015-04-29.

[131] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 薛斌, 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. 中国: CN104534421A, 2015-04-22.

[132] 张宁, 任鹏, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法. 中国: CN104538519A, 2015-04-22.

[133] 纪攀峰, 谢海忠, 郭恩卿, 马平, 张韵, 王军喜, 李晋闽. 转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法. 中国: CN104538303A, 2015-04-22.

[134] 孔庆峰, 郭金霞, 纪攀峰, 马平, 王文军, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED外延片的切裂方法. 中国: CN104505442A, 2015-04-08.

[135] 张烁, 马平, 郭仕宽, 刘波亭, 李晋闽, 王军喜. 具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法. 中国: CN104485357A, 2015-04-01.

[136] 袁国栋, 吴瑞伟, 李晋闽, 王军喜. 改善HIT太阳能电池性能的微纳结构及制备方法. 中国: CN104485367A, 2015-04-01.

[137] 詹腾, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 电容式结构的发光二极管集成芯片及其制备方法. 中国: CN104465921A, 2015-03-25.

[138] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法. 中国: CN104465905A, 2015-03-25.

[139] 纪攀峰, 孔庆峰, 王文军, 胡强, 马平, 曾一平, 王军喜, 李晋闽. MOCVD设备的石墨托盘. 中国: CN104451605A, 2015-03-25.

[140] 李璟, 杨华, 薛斌, 谢海忠, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种LED全彩显示阵列及其制作方法. 中国: CN104465692A, 2015-03-25.

[141] 安平博, 张硕, 赵丽霞, 段瑞飞, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法. 中国: CN104409336A, 2015-03-11.

[142] 马平, 吴冬雪, 王军喜, 李晋闽. 一种倒装结构发光二极管及其制作方法. 中国: CN104393127A, 2015-03-04.

[143] 黄芳, 袁国栋, 李晋闽, 王军喜. 用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置及方法. 中国: CN104393108A, 2015-03-04.

[144] 胡强, 李晋闽, 王军喜, 曾一平, 路红喜, 伊晓燕, 马平, 魏同波, 闫建昌, 纪攀峰. 一种MOCVD设备中的石墨盘. 中国: CN104357805A, 2015-02-18.

[145] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED显示模组系统. 中国: CN104332134A, 2015-02-04.

[146] 裴艳荣, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 显示通信两用的可见光模块. 中国: CN104333418A, 2015-02-04.

[147] 张勇辉, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法. 中国: CN104319318A, 2015-01-28.

[148] 裴艳荣, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 基于LED投影的可见光通信装置. 中国: CN104270195A, 2015-01-07.

[149] 孔庆峰, 马平, 纪攀峰, 卢鹏志, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法. 中国: CN104143593A, 2014.11.12.

[150] 朱石超, 赵丽霞, 于治国, 孙雪娇, 王军喜, 李晋闽. 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法. 中国: CN104051587A, 2014.09.17.

[151] 姬小利, 闫建昌, 郭金霞, 张连, 杨富华, 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件. 中国: CN103887385A, 2014.06.25.

[152] 郭金霞, 田婷, 赵勇兵, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 倒装高压发光二极管及其制作方法. 中国: CN103855149A, 2014.06.11.

[153] 王晓峰, 尹玉华, 李丽娟, 霍自强, 王军喜, 李晋闽, 曾一平. 氧化物膜的制备方法. 中国: CN103774114A, 2014.05.07.

[154] 张宁, 任鹏, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 一种提高发光效率的LED结构. 中国: CN103779462A, 2014.05.07.

[155] 马平, 刘波亭, 甄爱功, 郭仕宽, 纪攀峰, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓系发光二极管及制备方法. 中国: CN103579425A, 2014.02.12.

[156] 王文军, 李晋闽, 王军喜, 马平, 纪攀峰, 郭金霞, 孔庆峰, 胡强. 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法. 中国: CN103489752A, 2014.01.01.

[157] 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 姚然, 孙达, 仇登高, 刘鹰, 王朝夕. 一种应用于养鱼池的LED光源控制系统. 中国: CN104244537A, 2014-12-24.

[158] 刘立莉, 薛斌, 裴艳荣, 卢鹏志, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种垂直结构发光二级管显示阵列. 中国: CN104183586A, 2014-12-03.

[159] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种用于发光二极管阵列的封装支架. 中国: CN104183572A, 2014-12-03.

[160] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 谢海忠, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED阵列光源结构. 中国: CN104183584A, 2014-12-03.

[161] 詹腾, 马骏, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 无线隔离驱动式的照明系统. 中国: CN104184220A, 2014-12-03.

[162] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种自支撑LED阵列光源结构. 中国: CN104167485A, 2014-11-26.

[163] 薛斌, 卢鹏志, 于飞, 刘立莉, 谢海忠, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种LED阵列结构. 中国: CN104167411A, 2014-11-26.

[164] 张硕, 段瑞飞, 何志, 魏同波, 张勇辉, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法. 中国: CN104134736A, 2014-11-05.

[165] 赵云, 王钢, 魏同波, 段瑞飞, 孙连峰, 王军喜, 李晋闽. 一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法. 中国: CN104099662A, 2014-10-15.

[166] 王文军, 郭金霞, 赵冀, 王莉, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法. 中国: CN104051584A, 2014-09-17.

[167] 裴艳荣, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. LED光源阵列投影测试装置. 中国: CN203798537U, 2014-08-27.

[168] 谢海忠, 纪攀峰, 杨华, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓基晶体管及其制备方法. 中国: CN103996706A, 2014-08-20.

[169] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. LED模组的散热结构及散热方法. 中国: CN103956358A, 2014-07-30.

[170] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN103956414A, 2014-07-30.

[171] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 多功能LED手电筒. 中国: CN203743880U, 2014-07-30.

[172] 刘娜, 孙雪娇, 孔庆峰, 梁萌, 王莉, 魏同波, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 提高光提取效率发光二极管的制备方法. 中国: CN103943739A, 2014-07-23.

[173] 刘娜, 孙雪娇, 孔庆峰, 梁萌, 王莉, 魏同波, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法. 中国: CN103943738A, 2014-07-23.

[174] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管器件的制备方法. 中国: CN103943737A, 2014-07-23.

[175] 谢海忠, 纪攀峰, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法. 中国: CN103943677A, 2014-07-23.

[176] 张韵, 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可杀菌消毒的多功能餐盒. 中国: CN203692762U, 2014-07-09.

[177] 甄爱功, 马平, 张勇辉, 田迎冬, 郭恩卿, 王军喜, 李晋闽. 具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法. 中国: CN103904175A, 2014-07-02.

[178] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法. 中国: CN103839777A, 2014-06-04.

[179] 张连, 谢海忠, 杨华, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种多芯片LED封装体的制作方法. 中国: CN103824926A, 2014-05-28.

[180] 郭恩卿, 伊晓燕, 刘志强, 陈宇, 王军喜, 李晋闽. 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法. 中国: CN103811610A, 2014-05-21.

[181] 安平博, 赵丽霞, 魏学成, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种测量LED内量子效率的方法. 中国: CN103808497A, 2014-05-21.

[182] 裴艳荣, 杨华, 刘立莉, 李璟, 王军喜, 李晋闽. LED光源阵列投影测试装置. 中国: CN103808496A, 2014-05-21.

[183] 闫建昌, 王军喜, 张韵, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 田迎冬, 李晋闽. 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法. 中国: CN103811609A, 2014-05-21.

[184] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法. 中国: CN103794714A, 2014-05-14.

[185] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种生长GaN厚膜的自剥离方法. 中国: CN103779185A, 2014-05-07.

[186] 张宁, 魏学成, 刘桂鹏, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种控制半导体LED外延片内应力的装置. 中国: CN103779453A, 2014-05-07.

[187] 王兵, 伊晓燕, 孔庆峰, 刘志强, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法. 中国: CN103730558A, 2014-04-16.

[188] 梁萌, 杨华, 刘志强, 郭恩卿, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法. 中国: CN103700736A, 2014-04-02.

[189] 田迎冬, 董鹏, 张韵, 闫建昌, 孙莉莉, 王军喜, 李晋闽. 氮化镓激光器腔面的制作方法. 中国: CN103701037A, 2014-04-02.

[190] 羊建坤, 魏同波, 霍自强, 张勇辉, 胡强, 段瑞飞, 王军喜. 生长半极性GaN厚膜的方法. 中国: CN103647008A, 2014-03-19.

[191] 梁萌, 杨华, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法. 中国: CN103647012A, 2014-03-19.

[192] 王莉, 谢海忠, 刘志强, 伊晓燕, 郭恩卿, 王军喜, 李晋闽. 一种晶圆级基板微通孔电镀方法. 中国: CN103646923A, 2014-03-19.

[193] 郑怀文, 杨华, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 一种LED散热结构. 中国: CN103644549A, 2014-03-19.

[194] 魏学成, 赵丽霞, 张连, 于治国, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种测量LED内量子效率的方法. 中国: CN103645033A, 2014-03-19.

[195] 谢海忠, 宋昌斌, 姚然, 卢鹏志, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 植物补光发光二极管的制作方法. 中国: CN103579422A, 2014-02-12.

[196] 谢海忠, 张连, 宋昌斌, 姚然, 薛斌, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法. 中国: CN103579423A, 2014-02-12.

[197] 谢海忠, 王莉, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 晶圆级微透镜压印成型方法. 中国: CN103579467A, 2014-02-12.

[198] 李璟, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法. 中国: CN103579478A, 2014-02-12.

[199] 李璟, 杨华, 薛斌, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法. 中国: CN103579461A, 2014-02-12.

[200] 纪攀峰, 马平, 王军喜, 胡强, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 优化配置的多腔室MOCVD反应系统. 中国: CN103556126A, 2014-02-05.

[201] 杜成孝, 魏同波, 吴奎, 王军喜, 李晋闽. 一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法. 中国: CN103545173A, 2014-01-29.

[202] 魏学成, 赵丽霞, 王莉, 孔庆峰, 卢鹏志, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法. 中国: CN103528802A, 2014-01-22.

[203] 孔庆峰, 郭金霞, 马平, 王丽, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法. 中国: CN103529658A, 2014-01-22.

[204] 纪攀峰, 马平, 王军喜, 胡强, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法. 中国: CN103526190A, 2014-01-22.

[205] 魏学成, 赵丽霞, 张连, 于治国, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法. 中国: CN103529310A, 2014-01-22.

[206] 刘立莉, 杨华, 卢鹏志, 薛斌, 孔庆峰, 王兵, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种光斑可调的室内投影式照明系统. 中国: CN103486474A, 2014-01-01.

[207] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜, 李晋闽. 用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组件. 中国: CN103487611A, 2014-01-01.

[208] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜, 李晋闽. 用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件. 中国: CN103487610A, 2014-01-01.

[209] 冯向旭, 张宁, 刘乃鑫, 付丙磊, 朱绍歆, 张连, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法. 中国: CN103489968A, 2014-01-01.

[210] 薛斌, 谢海忠, 卢鹏志, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法. 中国: CN103413886A, 2013.11.27.

[211] 杜成孝, 郑海洋, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法. 中国: CN103178168A, 2013.06.26.

[212] 冉军学, 胡强, 胡国新, 梁勇, 熊衍凯, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置. 中国: CN103074674A, 2013.05.01.

[213] 杨华, 刘立莉, 卢鹏志, 薛斌, 孔庆峰, 王兵, 李璟, 王军喜, 李晋闽. 一种投影式照明系统. 中国: CN103470992A, 2013-12-25.

[214] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 谢海忠, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 一种发光二极管阵列的制备方法. 中国: CN103474557A, 2013-12-25.

[215] 姬小利, 郭金霞, 马平, 马骏, 魏同波, 伊晓燕, 王军喜, 杨富华, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法. 中国: CN103474536A, 2013-12-25.

[216] 薛斌, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 全彩发光二极管模组的制备方法. 中国: CN103441101A, 2013-12-11.

[217] 郭金霞, 谢海忠, 卢鹏志, 田婷, 赵勇兵, 詹腾, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 360度发光的LED球泡灯. 中国: CN103438374A, 2013-12-11.

[218] 赵丽霞, 周子超, 杨华, 王军喜, 李晋闽. 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法. 中国: CN103364032A, 2013-10-23.

[219] 孙莉莉, 闫建昌, 董鹏, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法. 中国: CN103337564A, 2013-10-02.

[220] 张连, 曾建平, 魏同波, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法. 中国: CN103325903A, 2013-09-25.

[221] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法. 中国: CN103325900A, 2013-09-25.

[222] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法. 中国: CN103325901A, 2013-09-25.

[223] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张韵, 曾建平, 孙莉莉, 李晋闽. 在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法. 中国: CN103311097A, 2013-09-18.

[224] 张连, 曾建平, 路红喜, 王军喜, 李晋闽. 一种可调控能带的LED量子阱结构. 中国: CN103296165A, 2013-09-11.

[225] 于治国, 赵丽霞, 魏学成, 王军喜, 李晋闽. 垂直阵列纳米柱LED的制备方法. 中国: CN103280500A, 2013-09-04.

[226] 胡强, 魏同波, 羊建坤, 霍自强, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种双加热气相外延生长系统. 中国: CN103276444A, 2013-09-04.

[227] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种金属纳米圆环的制备方法. 中国: CN103268910A, 2013-08-28.

[228] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 紫外共振腔发光二极管. 中国: CN103236479A, 2013-08-07.

[229] 詹腾, 王国宏, 郭金霞, 李璟, 伊晓燕, 刘志强, 王军喜, 李晋闽. 任意切割式高压LED器件的制作方法. 中国: CN103236474A, 2013-08-07.

[230] 孙莉莉, 张韵, 闫建昌, 王军喜, 李晋闽. 一种无线充电系统. 中国: CN103227490A, 2013-07-31.

[231] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法. 中国: CN103199164A, 2013-07-10.

[232] 郭金霞, 闫建昌, 伊晓燕, 田婷, 詹腾, 赵勇兵, 宋昌斌, 王军喜. 高压发光二极管芯片及其制造方法. 中国: CN103187494A, 2013-07-03.

[233] 曾建平, 闫建昌, 王军喜, 丛培沛, 孙莉莉, 董鹏, 李晋闽. 一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法. 中国: CN103165775A, 2013-06-19.

[234] 赵玲慧, 马平, 甄爱功, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 折射率渐变的光子晶体发光二极管结构. 中国: CN103151440A, 2013-06-12.

[235] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 低热阻LED封装结构及封装方法. 中国: CN103151445A, 2013-06-12.

[236] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 于飞, 薛斌, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 无支架LED封装结构及封装方法. 中国: CN103151446A, 2013-06-12.

[237] 马平, 甄爱功, 刘波亭, 王军喜, 李晋闽. 一种白光发光二极管及其制作方法. 中国: CN103137840A, 2013-06-05.

[238] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法. 中国: CN103137808A, 2013-06-05.

[239] 孙莉莉, 闫建昌, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 紫外发光二极管结构. 中国: CN103137822A, 2013-06-05.

[240] 张宁, 刘喆, 李晋闽, 王军喜. 具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作方法. 中国: CN103137807A, 2013-06-05.

[241] 杜成孝, 魏同波, 吴奎, 王军喜, 李晋闽. 一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法. 中国: CN103107251A, 2013-05-15.

[242] 杨华, 薛斌, 于飞, 谢海忠, 卢鹏志, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法. 中国: CN103107250A, 2013-05-15.

[243] 杨华, 薛斌, 谢海忠, 卢鹏志, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 制备原位级发光二极管阵列结构的方法. 中国: CN103107249A, 2013-05-15.

[244] 宋昌斌, 王军喜, 杨华, 段靖远. 一种植物补光装置及其补光方法. 中国: CN103104839A, 2013-05-15.

[245] 冉军学, 胡强, 胡国新, 梁勇, 熊衍凯, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置. 中国: CN103088318A, 2013-05-08.

[246] 杜成孝, 董鹏, 郑海洋, 魏同波, 严清峰, 吴奎, 张逸韵, 王军喜, 李晋闽. 利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法. 中国: CN103091981A, 2013-05-08.

[247] 魏同波, 吴奎, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 制备半球形微纳米透镜阵列的方法. 中国: CN103011060A, 2013-04-03.

[248] 谢海忠, 于飞, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光钻孔切割异形发光二极管的方法. 中国: CN103022280A, 2013-04-03.

[249] 裴艳荣, 杨华, 赵丽霞, 王军喜. 测试可见光通信系统中光源性能的装置. 中国: CN103001694A, 2013-03-27.

[250] 谢海忠, 卢鹏志, 耿雪妮, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法. 中国: CN103000775A, 2013-03-27.

[251] 谢海忠, 张逸韵, 鲁志远, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法. 中国: CN102969413A, 2013-03-13.

[252] 刘娜, 谢海忠, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. 高出光率倒装结构LED的制作方法. 中国: CN102969422A, 2013-03-13.

[253] 羊建坤, 魏同波, 胡强, 霍自强, 段瑞飞, 王军喜. 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法. 中国: CN102969410A, 2013-03-13.

[254] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构. 中国: CN102969418A, 2013-03-13.

[255] 谢海忠, 张扬, 杨华, 李璟, 刘志强, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102969411A, 2013-03-13.

[256] 卢鹏志, 杨华, 郑怀文, 谢海忠, 薛斌, 于飞, 伊晓燕, 王国宏, 王军喜, 李晋闽. 高光功率密度LED光源模块. 中国: CN102954378A, 2013-03-06.

[257] 薛斌, 杨华, 卢鹏志, 于飞, 孔庆峰, 裴艳荣, 刘立莉, 王晓桐, 王琳琳, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. LED平板显示单元的制备方法. 中国: CN102931330A, 2013-02-13.

[258] 司朝, 魏同波, 王军喜, 李晋闽. 氮化物半导体材料发光二极管及其制备方法. 中国: CN102891229A, 2013-01-23.

[259] 谢海忠, 张逸韵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 应用于LED器件分离的多焦点飞秒激光划片方法. 中国: CN102886609A, 2013-01-23.

[260] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 用于可见光通信的通信系统和便携装置. 中国: CN202652224U, 2013-01-02.

[261] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法. 中国: CN102534769A, 2012.07.04.

[262] 赵婧, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法. 中国: CN102351229A, 2012.02.15.

[263] 朱邵歆, 闫建昌, 杨华, 张宁, 司朝, 曾建平, 李晋闽, 王军喜. 便携装置的可见光通信系统与方法. 中国: CN102801471A, 2012-11-28.

[264] 董鹏, 闫建昌, 王军喜, 孙莉莉, 曾建平, 丛培沛, 李晋闽. 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片. 中国: CN102709429A, 2012-10-03.

[265] 吴奎, 魏同波, 蓝鼎, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李晋闽. 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102709411A, 2012-10-03.

[266] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 纳米柱发光二极管的制作方法. 中国: CN102709410A, 2012-10-03.

[267] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法. 中国: CN102694088A, 2012-09-26.

[268] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法. 中国: CN102691102A, 2012-09-26.

[269] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法. 中国: CN102683523A, 2012-09-19.

[270] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 张逸韵, 李璟, 李晋闽. 具有空气桥结构发光二极管的制作方法. 中国: CN102683522A, 2012-09-19.

[271] 董鹏, 王军喜, 闫建昌, 张逸韵, 孙莉莉, 曾建平, 李晋闽. 提高紫外发光二极管出光效率的方法. 中国: CN102655194A, 2012-09-05.

[272] 卢鹏志, 杨华, 王晓彤, 王琳琳, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏. LED封装结构及封装成型方法. 中国: CN102637810A, 2012-08-15.

[273] 赵丽霞, 杨华, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 对发光二极管进行光电热老化综合检测的系统及方法. 中国: CN102608509A, 2012-07-25.

[274] 谢海忠, 张逸韵, 王兵, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 侧面粗化的发光二极管及其制作方法. 中国: CN102593301A, 2012-07-18.

[275] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 氮化物LED外延结构的生长方法. 中国: CN102569567A, 2012-07-11.

[276] 梁萌, 李鸿渐, 姚然, 李志聪, 李盼盼, 王兵, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法. 中国: CN102544271A, 2012-07-04.

[277] 张逸韵, 谢海忠, 杨华, 李璟, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法. 中国: CN102544270A, 2012-07-04.

[278] 冉军学, 胡强, 梁勇, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头. 中国: CN102534559A, 2012-07-04.

[279] 冉军学, 胡强, 梁勇, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头. 中国: CN102492937A, 2012-06-13.

[280] 刘硕, 郭恩卿, 伊晓燕, 王军喜, 李晋闽. GaN基薄膜芯片的制造方法. 中国: CN102496667A, 2012-06-13.

[281] 吴奎, 魏同波, 闫建昌, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 低位错氮化镓的生长方法. 中国: CN102409406A, 2012-04-11.

[282] 赵婧, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法. 中国: CN102351236A, 2012-02-15.

[283] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构的制作方法. 中国: CN102231421A, 2011.11.02.

[284] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜. 发光二极管的制备方法. 中国: CN102130230A, 2011.07.20.

[285] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 高质量氮化镓系发光二极管. 中国: CN102064254A, 2011.05.18.

[286] 黄亚军, 樊中朝, 刘志强, 伊晓燕, 季安, 王军喜. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. 中国: CN102064242A, 2011.05.18.

[287] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种增强LED出光效率的粗化方法. 中国: CN101976712A, 2011.02.16.

[288] 孙莉莉, 闫建昌, 王军喜, 刘乃鑫, 魏同波, 魏学成, 马平, 刘喆, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. 中国: CN101969088A, 2011.02.09.

[289] 杨华, 卢鹏志, 谢海忠, 于飞, 郑怀文, 薛斌, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 李晋闽. 发光二极管封装结构. 中国: CN102255034A, 2011-11-23.

[290] 马平, 王军喜, 魏学成, 曾一平, 李晋闽. 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管. 中国: CN102185056A, 2011-09-14.

[291] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. 中国: CN102185052A, 2011-09-14.

[292] 贠利君, 吴奎, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜. 一种紫外LED的制作方法. 中国: CN102148300A, 2011-08-10.

[293] 魏同波, 王军喜, 路红喜, 刘乃鑫, 曾一平, 李晋闽. 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法. 中国: CN102031484A, 2011-04-27.

[294] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极. 中国: CN101794850A, 2010.08.04.

[295] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极. 中国: CN101794851A, 2010.08.04.

[296] 闫发旺, 孙莉莉, 张会肖, 伊晓燕, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法. 中国: CN101789477A, 2010.07.28.

[297] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. 中国: CN101710569, 2010.05.19.

[298] 马平, 王军喜, 刘乃鑫, 路红喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 一种氮化镓系发光二极管. 中国: CN101931036A, 2010-12-29.

[299] 马平, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用In x Ga 1-x N缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法. 中国: CN101924022A, 2010-12-22.

[300] 冉军学, 胡国新, 梁勇, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构. 中国: CN101914762A, 2010-12-15.

[301] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. 中国: CN101899706A, 2010-12-01.

[302] 孙莉莉, 闫发旺, 张会肖, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法. 中国: CN101894651A, 2010-11-24.

[303] 马平, 李京波, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 氮化镓系发光二极管. 中国: CN101834248A, 2010-09-15.

[304] 段瑞飞, 曾一平, 王军喜, 冉军学, 胡国新, 羊建坤, 梁勇, 路红喜, 李晋闽. 一种化学气相沉积装置. 中国: CN101819925A, 2010-09-01.

[305] 王兵, 李志聪, 王国宏, 闫发旺, 姚然, 王军喜, 李晋闽. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. 中国: CN101812725A, 2010-08-25.

[306] 丁凯, 张连, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法. 中国: CN101807520A, 2010-08-18.

[307] 张连, 丁凯, 王军喜, 段瑞飞, 曾一平, 李晋闽. 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法. 中国: CN101807640A, 2010-08-18.

[308] 纪攀峰, 李京波, 闫建昌, 刘乃鑫, 刘喆, 王军喜, 李晋闽. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法. 中国: CN101740690A, 2010-06-16.

[309] 段瑞飞, 王军喜, 王国宏, 曾一平, 李晋闽. 金属有机物化学气相沉积装置. 中国: CN101654773, 2010-02-24.

[310] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种垂直结构氮化物LED的制备方法. 中国: CN101546799, 2009.09.30.

[311] 魏同波, 段瑞飞, 霍自强, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法. 中国: CN101519799, 2009.09.02.

[312] 闫发旺, 高海永, 樊中朝, 李晋闽, 曾一平, 王国宏, 张会肖, 王军喜, 张 扬. 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法. 中国: CN101373714, 2009.02.25.

[313] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 王国宏, 李晋闽. 一种氮化物材料的外延方法. 中国: CN101469451, 2009-07-01.

[314] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种氮化物材料外延装置. 中国: CN101343777, 2009-01-14.

[315] 王晓亮, 胡国新, 马志勇, 冉学军, 王翠敏, 肖红领, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法. 中国: CN100452322, 2009-01-14.

[316] 王晓亮, 王新华, 冯 春, 王保柱, 马志勇, 王军喜, 胡国新, 肖红领, 冉军学, 王翠梅. 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统. 中国: CN101140252, 2008.03.12.

[317] 王保柱, 王晓亮, 王晓燕, 王新华, 肖红领, 王军喜, 刘宏新. 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法. 中国: CN100437910, 2008-11-26.

[318] 刘 喆, 王军喜, 钟兴儒, 李晋闽, 曾一平, 段瑞飞, 马 平, 魏同波, 林郭强. 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置. 中国: CN100418193, 2008-09-10.

[319] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 王翠梅, 曾一平, 李晋闽. 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法. 中国: CN100418199, 2008-09-10.

[320] 段瑞飞, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置. 中国: CN101205626, 2008-06-25.

[321] 段瑞飞, 刘 喆, 钟兴儒, 魏同波, 马 平, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置. 中国: CN101205627, 2008-06-25.

[322] 王翠梅, 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法. 中国: CN100397655, 2008-06-25.

[323] 王晓亮, 王翠梅, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构. 中国: CN100383980, 2008-04-23.

[324] 王晓亮, 王翠梅, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法. 中国: CN100379019, 2008-04-02.

[325] 张南红, 王晓亮, 曾一平, 肖红领, 王军喜, 刘宏新, 李晋闽. 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法. 中国: CN100355027, 2007-12-12.

[326] 郭伦春, 王晓亮, 王军喜, 肖红领, 曾一平, 李晋闽. 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法. 中国: CN100349306, 2007-11-14.

[327] 肖红领, 王晓亮, 王军喜, 张南红, 刘宏新, 曾一平. 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法. 中国: CN100336942, 2007-09-12.

[328] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法. 中国: CN1326208, 2007-07-11.

[329] 刘喆, 李晋闽, 王军喜, 王晓亮, 王启元, 刘宏新, 王俊, 曾一平. 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法. 中国: CN1967778, 2007-05-23.

[330] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法. 中国: CN1313655, 2007-05-02.

[331] 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 冉军学, 曾一平, 李晋闽. 生长高阻氮化镓外延膜的方法. 中国: CN1313654, 2007-05-02.

[332] 冉军学, 王晓亮, 李建平, 胡国新, 王军喜, 王翠梅, 曾一平. 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法. 中国: CN1892985, 2007-01-10.

[333] 王晓亮, 冉军学, 李建平, 胡国新, 王军喜, 曾一平, 李晋闽. 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托. 中国: CN2819471, 2006-09-20.

[334] Wang, Xiaoliang, Guo, Lunchun, Wang, Junxi, Li, Jinmin, Zeng, Yiping. White light emitting diode of a blue and yellow light emitting (structure) layer stacked structure and method of manufacturing the same. US: US20060043385(A1), 2006-03-02.

出版信息

   
发表论文
(1) 高质量氮化镓材料的光致发光研究, 应用光学, [[[2001]]], 
(2) 量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响, Effect of Barrier Height on Modulation Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes, 发光学报, 2022, 第 5 作者
(3) Effects of remote sediment phosphor plates on high power laser-based white light sources, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 5 作者
(4) Investigations about Al and Cu-Based Planar Spiral Inductors on Sapphire for GaN-Based RF Applications, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 3 作者
(5) Ridge-channel AlGaN/GaN normally-off high-electron mobility transistor based on epitaxial lateral overgrowth, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(6) Wafer-Scale Semipolar Micro-Pyramid Lighting-Emitting Diode Array, CRYSTALS, 2021, 第 9 作者
(7) Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 16 作者
(8) Understanding homoepitaxial growth of horizontal kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 7 作者
(9) Perovskite Quantum Dots with Ultralow Trap Density by Acid Etching-Driven Ligand Exchange for High Luminance and Stable Pure-Blue Light-Emitting Diodes, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 5 作者
(10) The Optical Properties of InGaN/GaN Nanorods Fabricated on (-201) beta-Ga2O3 Substrate for Vertical Light Emitting Diodes, PHOTONICS, 2021, 第 5 作者
(11) 中国半导体照明发展综述, Development Summary of Semiconductor Lighting in China, 光学学报, 2021, 第 6 作者
(12) BAlN for III-nitride UV light-emitting diodes: undoped electron blocking layer, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 第 8 作者
(13) Polarity tuning of crystalline AlN films utilizing trace oxygen involved sputtering and post-high-temperature annealing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2021, 第 5 作者
(14) Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films, SMALL, 2021, 第 15 作者
(15) Role of energy-band offset in photo-electrochemical etching mechanism of p-GaN heterostructures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 第 5 作者
(16) 远程荧光粉薄膜浓度和厚度对白光LED性能的影响, The Influence of Remote Phosphor Film Concentration and Thickness on the Performance of White LED, 照明工程学报, 2021, 第 7 作者
(17) GaN/AlN quantum-disk nanorod 280 nm deep ultraviolet light emitting diodes by molecular beam epitaxy, OPTICS LETTERS, 2020, 第 8 作者
(18) Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 8 作者
(19) Quasi‐2D Growth of Aluminum Nitride Film on Graphene for Boosting Deep Ultraviolet Light‐Emitting Diodes, ADVANCED SCIENCE, 2020, 第11作者
(20) Design of AIN ultraviolet metasurface for single-/multi-plane holography, APPLIED OPTICS, 2020, 第 6 作者
(21) Rectification behavior of polarization effect induced type-II n-GaN/n-type beta-Ga2O3 isotype heterojunction grown by metal organic vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
(22) 紫外消毒技术与紫外光源发展趋势, 照明工程学报, 2020, 第 3 作者
(23) Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes, JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, 2020, 第 6 作者
(24) High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS, 2020, 通讯作者
(25) 氮化物紫外LED研究与应用, Research and Application of Nitride Ultraviolet LEDs, 照明工程学报, 2020, 第 2 作者
(26) Soliton Comb Generation in Air-Clad AlN Microresonators, 2020 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2020, 
(27) LED峰值波长对多光谱组合白光色参数的影响, Effect of LED Peak Wavelength on Multi-spectral Combination White Light Color Parameters, 照明工程学报, 2020, 第 6 作者
(28) Comprehensive study of crystalline AlN/sapphire templates after high-temperature annealing with various sputtering conditions, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2020, 第 8 作者
(29) Surface Polarity-Induced Spatial Charge Separation Boosts Photocatalytic Overall Water Splitting on GaN Nanorod Arrays, ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION, 2020, 第 7 作者
(30) Quasi van der Waals epitaxy nitride materials and devices on two dimension materials, NANO ENERGY, 2020, 第 3 作者
(31) High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第11作者
(32) Graphene-induced crystal-healing of AlN film by thermal annealing for deep ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 8 作者
(33) Systematic study of vertically aligned ZnO nanowire arrays synthesized on p-GaN substrate by hydrothermal method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 8 作者
(34) (100)-Oriented gallium oxide substrate for metal organic vapor phase epitaxy for ultraviolet emission, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者
(35) A high responsivity and controllable recovery ultraviolet detector based on a WO3 gate AlGaN/GaN heterostructure with an integrated micro-heater, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 第 5 作者
(36) Crystal phase evolution in kinked GaN nanowires, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 7 作者
(37) Near-ultraviolet chip-based phosphor-converted solar-spectrum white light-emitting diode, OPTICAL ENGINEERING, 2020, 第 7 作者
(38) Freestanding GaN substrate enabled by dual-stack multilayer graphene via hydride vapor phase epitaxy, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 7 作者
(39) The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1-xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes, JOURNAL OF ELECTRONIC PACKAGING, 2020, 通讯作者
(40) Ultraviolet to mid-infrared supercontinuum generation in single-crystalline aluminum nitride waveguides, OPTICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
(41) Stable CsPb1-xZnxI3 Colloidal Quantum Dots with Ultralow Density of Trap States for High-Performance Solar Cells, CHEMISTRY OF MATERIALS, 2020, 第 6 作者
(42) GaN-Based LEDs Grown on Graphene-Covered SiO2/Si (100) Substrate, CRYSTALS, 2020, 第 13 作者
(43) 用于AlGaN基DUV LED封装的高反射镀铝DPC陶瓷基板, High-reflection Al-plated DPC ceramic substrate for AlGaN-based DUV LED packaging, 液晶与显示, 2020, 第 7 作者
(44) Deep ultraviolet light-emitting diodes based on a well-ordered AlGaN nanorod array, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 通讯作者
(45) Effect of photonic crystals on the light extraction of GaN-based LED for different polarization modes of spontaneous radiation, RESULTS IN PHYSICS, 2019, 通讯作者
(46) Beyond 100 THz-spanning ultraviolet frequency combs in a non-centrosymmetric crystalline waveguide, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 第 7 作者
(47) Novel Ultraviolet (UV) Photodetector Based on In-Situ Grown n-GaN Nanowires Array/p-GaN Homojunction, JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
(48) Exfoliation of AIN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 8 作者
(49) Metal-assisted photochemical etching of GaN nanowires: The role of metal distribution, ELECTROCHEMISTRY COMMUNICATIONS, 2019, 第 6 作者
(50) Discrete energy states induced broadband emission from self-assembly InGaN quantum dots, OPTICAL MATERIALS, 2019, 第 5 作者
(51) Localized exciton emission in CsPbBr3 nanocrystals synthesized with excess bromide ions, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第 8 作者
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(53) A Wirelessly Controllable Optoelectronic Device for Optogenetics, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 6 作者
(54) Suspended tungsten trioxide (WO3) gate AlGaN/GaN heterostructure deep ultraviolet detectors with integrated micro-heater, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 4 作者
(55) Epitaxy of III-Nitrides on β-Ga 2 O 3 and Its Vertical Structure LEDs, MICROMACHINES, 2019, 第 5 作者
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(117) 大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备, Preparation of Ordered Aligned AlN Nanorods Array with Large-Scale Area, 半导体技术, 2017, 第 5 作者
(118) Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 第 7 作者
(119) Aluminum nitride-on-sapphire platform for integrated high-Q microresonators., OPTICS EXPRESS, 2017, 第 13 作者
(120) 载流子分布对GaN基LED频率特性的影响, Influence of Carrier Distribution on The Frequency Behavior for GaN-based LEDs, 发光学报, 2017, 第 6 作者
(121) Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 其他(合作组作者)
(122) Integrated continuous-wave aluminum nitride Raman laser, OPTICA, 2017, 第 13 作者
(123) Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 通讯作者
(124) Effects of etching conditions on surface morphology of periodic inverted trapezoidal patterned Si(100) substrate, OPTOELECTRONICS LETTERS, 2017, 第 8 作者
(125) 使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED, Large-Scale Production of Deep UV-LEDs by Using Sputtered AlN Nucleation Layer, 半导体技术, 2017, 第 5 作者
(126) Research on phosphor-conversion laser-based white light used as optical source of VLC and illumination, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 第 4 作者
(127) High-Quality and Strain-Relaxation GaN Epilayer Grown on SiC Substrates Using AlN Buffer and AlGaN Interlayer, High-Quality and Strain-Relaxation GaN Epilayer Grown on SiC Substrates Using AlN Buffer and AlGaN Interlayer, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 4 作者
(128) Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, NANOSCALE, 2017, 第 7 作者
(129) Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography, NANOTECHNOLOGY, 2017, 第 9 作者
(130) Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, Producing deep UV-LEDs in high-yield MOVPE by improving AlN crystal quality with sputtered AlN nucleation layer, 半导体学报:英文版, 2017, 第 5 作者
(131) Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 通讯作者
(132) High-resistive layers obtained through periodic growth and in situ annealing of InGaN by metalorganic chemical vapor deposition, AIP ADVANCES, 2016, 第 6 作者
(133) A Novel Surface Treatment for the Sliver Ohmic Contacts to P-GaN, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING (SSLCHINA 2016), 2016, 
(134) 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析, Degradation Analysis of Mid-power GaN-based LEDs with Different Package Materials, 发光学报, 2016, 第 4 作者
(135) 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析(英文), 发光学报, 2016, 第 4 作者
(136) Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 6 作者
(137) Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells, NANOSCALE, 2016, 第 7 作者
(138) Evaluation of light extraction efficiency for the light-emitting diodes based on the transfer matrix formalism and ray-tracing method, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 8 作者
(139) Multiple-exposure colloidal lithography for enhancing light output of GaN-based light-emitting diodes by patterning Ni/Au electrodes., OPTICS EXPRESS, 2016, 第 4 作者
(140) Investigations on the wettability of graphene on a micron-scale hole array substrate, RSC ADVANCES, 2016, 第 9 作者
(141) Normally-off Recessed MOS-gate AlGaN/GaN HEMTs with Over+4V Saturation Drain Current Density and a 400V Breakdown Voltage, 2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING: INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2016, 
(142) GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method, Solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 2016, 第 7 作者
(143) Improved light extraction efficiency of GaN-based flip-chip light-emitting diodes with an antireflective interface layer, AIP ADVANCES, 2016, 第 5 作者
(144) Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 中国物理快报(英文版), 2016, 第 8 作者
(145) Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes, AIP ADVANCES, 2016, 第 7 作者
(146) Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 6 作者
(147) Recombination Dynamics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells With Different Well Thickness, MRS Advances, 2016, 第 1 作者
(148) Interface and photoluminescence characteristics of graphene-(GaN/InGaN)n multiple quantum wells hybrid structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 6 作者
(149) Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 8 作者
(150) AlGaN/GaN high electron mobility transistors with selective area grown p-GaN gates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 8 作者
(151) Increased effective reflection and transmission at the GaN-sapphire interface of LEDs grown on patterned sapphire substrates, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 5 作者
(152) Degradation and corresponding failure mechanism for GaN-based LEDs, AIP ADVANCES, 2016, 第 6 作者
(153) Stimulated emission at 272 nm from an AlxGa1−xN-based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets, RSC ADVANCES, 2016, 第 5 作者
(154) Improved light extraction efficiency of GaN-based flip-chip light-emitting diodes with, Aip advances, 2016, 第 5 作者
(155) Broadband tunable microwave photonic phase shifter with low RF power variation in a high-Q AlN microring, OPTICS LETTERS, 2016, 第 13 作者
(156) Direct growth of graphene on gallium nitride using C2H2 as carbon source, FRONTIERS OF PHYSICS, 2016, 第 8 作者
(157) Advances and prospects in nitrides based light-emitting-diodes, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 7 作者
(158) A PMT-like high gain avalanche photodiode based on GaN/AlN periodically stacked structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 17 作者
(159) Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser, OPTICS EXPRESS, 2015, 第11作者
(160) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 2 作者
(161) Phosphor-free InGaN micro-pyramid white light emitting diodes with multilayer graphene electrode, RSC ADVANCES, 2015, 第11作者
(162) Effect of layers of carbon-nanotube-patterned substrate on GaN-based light-emitting diodes, Japanese journal of applied physic, 2015, 第 7 作者
(163) Green light emitting diode grown on thick strain-reducedGreen light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template, Materials science in semiconductor processing, 2015, 第 7 作者
(164) 能带调控提高GaN/InGaN多量子阱蓝光LED效率研究, 中国科学: 物理学 力学 天文学, 2015, 第 5 作者
(165) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 中国科技成果, 2015, 第 3 作者
(166) Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with double electron blocking layers, AIP ADVANCES, 2015, 第 6 作者
(167) Influence of electron distribution on efficiency droop for GaN-based light emitting diodes, Journal of Solid State Lighting,, 2015, 第 4 作者
(168) 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2015, 第 1 作者
(169) Efficiency improvementofInGaNlightemittingdiodeswithembedded, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 1 作者
(170) Super-aligned carbon nanotubes patterned sapphire substrate to improve quantum efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2015, 第 9 作者
(171) Structural, Raman scattering and magnetic characteristics of Er+-implanted GaN thin films, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 第 4 作者
(172) Progress and prospects of GaN-based LEDs using nanostructures, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 8 作者
(173) 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2015, 第 1 作者
(174) Investigations of wettability of graphene on a micron-scale hole array substrate, Rsc advances, 2015, 第 9 作者
(175) Effect of layers of carbon-nanotube-patterned substrate on GaN-based light-emitting diodes, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 7 作者
(176) 高功率LED 器件的热特性分析, Thermal Performances Analysis of High Power LED Devices, Semiconductor Technology, 2015, 第 5 作者
(177) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AIN template using MOVPE, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 2 作者
(178) Enhancement of the modulation bandwidth for GaN-based light-emitting diode by surface plasmons., OPTICS EXPRESS, 2015, 第 4 作者
(179) Optimization of the nanopore depth to improve the electroluminescence for GaN-based nanoporous green LEDs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 第 7 作者
(180) Green light emitting diode grown on thick strain-reduced GaN template, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2015, 第 7 作者
(181) 工厂化水产养殖 LED 灯具选择的分析与建议, The Analysis and Suggestion of LED Lamp Selection in Industial Aquaculture Systems, 照明工程学报, 2015, 第 9 作者
(182) Enhancing optical power of GaN-based light-emitting diodes by nanopatterning on indium tin oxide with tunable fill factor using multiple-exposure nanosphere-lens lithography, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 10 作者
(183) Surface plasmon-enhanced nanoporous GaN-based green light-emitting diodes with Al2O3 passivation layer., OPTICS EXPRESS, 2014, 第11作者
(184) Hydride vapor phase epitaxy of high quality {101̄3̄} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres, Journal of Crystal Growth, 2014, 第 7 作者
(185) Nanospherical-lens lithographical Ag nanodisk arrays embedded in p-GaN for localized surface plasmon-enhanced blue light emitting diodes, AIP ADVANCES, 2014, 第 9 作者
(186) Optical properties of magnesium doped AlxGa1-xN (0.61 <= x <= 0.73), JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 10 作者
(187) Efficiency improvement and droop behavior in nanospherical-lens lithographically patterned bottom and top photonic crystal InGaN/GaN light-emitting diodes, OPTICS LETTERS, 2014, 第 10 作者
(188) Characterization of nitride-based LED materials and devices using TOF-SIMS, SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2014, 第 3 作者
(189) Efficiency improvement of InGaN light emitting diodes with embedded self-assembled SiO2 nanosphere arrays, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 3 作者
(190) AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 4 作者
(191) Optical properties of nanopillar AlGaN/GaN MQWs for ultraviolet light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 通讯作者
(192) Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes, ECS SOLID STATE LETTERS, 2014, 第 2 作者
(193) Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10(1)over-bar(3)over-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 7 作者
(194) Localized deep levels in AlxGa1-xN epitaxial films with various Al compositions, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 4 作者
(195) 物理学奖:蓝光LED成就全新高效光源, 科学世界, 2014, 第 1 作者
(196) Defect reduction in semipolar {10(1)over-bar(3)over-bar} GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 9 作者
(197) Design of blue LEDs array with high optical power, OPTICAL DESIGN AND TESTING VI, 2014, 
(198) Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者
(199) Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 8 作者
(200) 第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用, 新材料产业, 2014, 第 1 作者
(201) Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with compound photonic crystals by multiple-exposure nanosphere-lens lithography, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 8 作者
(202) Analysis of InGaN light-emitting diodes with GaN-AlGaN and AlGaN-GaN composition-graded barriers, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 2 作者
(203) Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 8 作者
(204) Investigation of Efficiency and Droop Behavior Comparison for InGaN/GaN Super Wide-Well Light Emitting Diodes Grown on Different Substrates, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2014, 第 4 作者
(205) Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on freestanding GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 9 作者
(206) The improvement of GaN-based light-emitting diodes using nanopatterned sapphire substrate with small pattern spacing, AIP ADVANCES, 2014, 第 3 作者
(207) Embeded photonic crystal at the interface of p-GaN and Ag reflector to improve light extraction of GaN-based flip-chip light-emitting diode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 9 作者
(208) Size-controllable nanopyramids photonic crystal selectively grown on p-GaN for enhanced light-extraction of light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 7 作者
(209) The effect of δ-doping and modulation-doping on Si-doped high Al content n-Al_xGa_(1-x)N grown by MOCVD, Journal of Semiconductors, 2013, 第 8 作者
(210) Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {10(1)over-bar1} planes using nanospherical-lens photolithography, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 9 作者
(211) LED光源在封闭循环水养殖业的应用分析, 照明工程学报, 2013, 第 3 作者
(212) Enhanced light extraction of InGaN emitting diodes with photonic crystal selectively grown on p-GaN using nanospherical-lens lithography, J. Semicond., 2013, 第 1 作者
(213) Growth and optical properties of InGaN/GaN dual-wavelength light-emitting diodes, Acta photonica sinica, 2013, 第 5 作者
(214) Modification of Carrier Distribution in Dual-Wavelength Light-Emitting Diodes by Specified Mg Doped Barrier, ECS SOLID STATE LETTERS, 2013, 第 10 作者
(215) 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(216) Temperature-dependent emission shift and carrier dynamics in deep ultraviolet AlGaN/AlGaN quantum wells, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2013, 第 4 作者
(217) Light extraction improvement of InGaN light-emitting diodes with large-area highly ordered ITO nanobowls photonic crystal via self-assembled nanosphere lithography, AIP ADVANCES, 2013, 第 9 作者
(218) Design of Shallow Acceptors in GaN through Zinc–Magnium Codoping: First-Principles Calculation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 第 8 作者
(219) Hexagonal pyramids shaped GaN light emitting diodes array by N-polar wet etching, Materials research society symposium proceedings, 2013, 第 7 作者
(220) Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 7 作者
(221) Growth and optical properties of InGaN/GaN dual-wavelength light-emitting diodes, Growth and optical properties of InGaN/GaN dual-wavelength light-emitting diodes, Acta photonica sinica, 2013, 第 5 作者
(222) Enhanced Light Emission of Light-Emitting Diodes with Silicon Oxide Nanobowls Photonic Crystal without Electrical Performance Damages, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 9 作者
(223) Ultraviolet electroluminescence from ordered ZnO nanorod array/p-GaN light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 
(224) Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, Physica status solidi (c) current topics in solid state physics, 2012, 第 3 作者
(225) Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, 2012, 
(226) Partially sandwiched graphene as transparent conductive layer for InGaN-based vertical light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
(227) Ferromagnetism and its stability in n-type Gd-doped GaN: First-principles calculation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 通讯作者
(228) Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
(229) Low threading dislocation density in GaN films grown on patterned sapphire substrates, Journal of semiconductors, 2012, 第 10 作者
(230) Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 第 7 作者
(231) Selectively grown photonic crystal structures for high efficiency InGaN emitting diodes using nanospherical-lens lithography, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
(232) MOCVD epitaxy of InAlN on different templates, MOCVD epitaxy of InAlN on different templates, 半导体学报, 2011, 第 5 作者
(233) Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown on free-standing GaN substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 6 作者
(234) Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from zno-based heterojunction light-emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 
(235) Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer, Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer, 半导体学报, 2011, 第 6 作者
(236) Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer, Improvement of the efficiency droop of GaN-LEDs using an AlGaN/GaN superlattice insertion layer, 半导体学报, 2011, 第 6 作者
(237) 垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术, Fabrication of Vertical GaN-Based LEDs with Oblique Side Walls Structure, 半导体技术, 2011, 第 5 作者
(238) 阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率, Extraction Efficiency of Light-Emitting Diodes Improved by AAO, 半导体技术, 2011, 第 7 作者
(239) 低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率, Extraction Efficiency of GaN LEDs Improved by Low Damage ICP Etching Technique, 微纳电子技术, 2011, 第 6 作者
(240) Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs, Influence of growth conditions on the V-defects in InGaN/GaN MQWs, 半导体学报, 2011, 第 6 作者
(241) Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands, OPTICS EXPRESS, 2011, 第 3 作者
(242) The impact of annealing temperature on the structural and magnetization properties of Sm implanted GaN films, MATERIALS LETTERS, 2011, 第 4 作者
(243) 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究, Research on LT-GaN Buffer Layer on Patterned Sapphire Substrate, 半导体技术, 2011, 第 3 作者
(244) InAlN薄膜MOCVD外延生长研究, Research on InAlN Film Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 半导体技术, 2011, 第 5 作者
(245) Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, Physica status solidi(c) current topics in solid state physics, 2011, 第 2 作者
(246) Structural and magnetic properties of gan:sm:eu films fabricated by co-implantation method, MATERIALS LETTERS, 2010, 第 4 作者
(247) Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
(248) Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
(249) Catalytic activation of mg-doped gan by hydrogen desorption using different metal thin layers, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 2 作者
(250) Influence of implantation energy on the characteristics of mn-implanted nonpolar a-plane gan films, MATERIALS LETTERS, 2009, 第 3 作者
(251) The structure, morphology and raman scattering study on mn-implanted nonpolar a-plane gan films, MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, 2009, 第 4 作者
(252) The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar gan:cu films, MATERIALS LETTERS, 2009, 第 4 作者
(253) Mechanical Deformation Behavior of Nonpolar GaN Thick Films by Berkovich Nanoindentation, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2009, 第 4 作者
(254) Growth of nonpolar a-plane gan on nano-patterned r-plane sapphire substrates, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 6 作者
(255) Structural, morphological, and magnetic characteristics of Cu-implanted nonpolar GaN films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 4 作者
(256) Enhancement of exciton-phonon interaction in ingan quantum wells induced by electron-beam irradiation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 5 作者
(257) Room-temperature ferromagnetism and in-plane magnetic anisotropy characteristics of nonpolar gan:mn films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 4 作者
(258) Strong room-temperature ferromagnetism in Cu-implanted nonpolar GaN films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 4 作者
(259) Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD, Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
(260) Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD, Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
(261) The structural, morphological and magnetic characteristics of mn-implanted nonpolar a-plane gan films, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2009, 第 3 作者
(262) The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2009, 第 3 作者
(263) High quality AlGaN grown on a high temperature AlN template by MOCVD, High quality AlGaN grown on a high temperature AlN template by MOCVD, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
(264) Hydrogen Sensors Based on AlGaN/AlN/GaN Schottky Diodes, Hydrogen Sensors Based on AlGaN/AlN/GaN Schottky Diodes, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 6 作者
(265) Hydrogen Sensors Based on AlGaN/AlN/GaN Schottky Diodes, Hydrogen Sensors Based on AlGaN/AlN/GaN Schottky Diodes, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 3 作者
(266) AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器, Hydrogen Sensors Based on AIGaN/GaN Back-to-Back Schottky Diodes, 半导体学报, 2008, 第 8 作者
(267) Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 3 作者
(268) Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
(269) HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征, Selective Area Growth and Characterization of GaN Grown on c-Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy, 半导体学报, 2008, 第 6 作者
(270) Effect of CO on Characteristics of AlGaN/GaN Schottky Diode, Effect of CO on Characteristics of AlGaN/GaN Schottky Diode, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 9 作者
(271) AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究, A Carbon Monoxide Gas Sensor Based on an AlGaN/GaN Structure, 半导体学报, 2008, 第 8 作者
(272) AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究, 半导体学报, 2008, 第 8 作者
(273) Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 6 作者
(274) AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究, 半导体技术, 2008, 第 8 作者
(275) Mocvd-grown high-mobility al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure on sapphire substrate, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 6 作者
(276) Columnar Structures and Stress Relaxation in Thick GaN Films Grown on Sapphire by HVPE, Columnar Structures and Stress Relaxation in Thick GaN Films Grown on Sapphire by HVPE, 中国物理快报:英文版, 2007, 第 4 作者
(277) AlGaN基UV—LED的研究与进展, Research and recent progress in AIGaN -based UV -LED, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者
(278) 采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌, Morphology of GaN Film on Si(111)Substrate Using AlN Buffer, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(279) Algan/aln/gan/sic hemt structure with high mobility gan thin layer as channel grown by mocvd, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 9 作者
(280) Columnar Structures and Stress Relaxation in Thick GaN Films Grown on Sapphire by HVPE, Columnar Structures and Stress Relaxation in Thick GaN Films Grown on Sapphire by HVPE, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 4 作者
(281) 生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响, Effects of Growth Temperature on the InAlGaN Epilayer by RF-MBE, 半导体学报, 2007, 第 9 作者
(282) First and second order raman scattering spectroscopy of nonpolar a-plane gan, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 第 5 作者
(283) MOCVD生长GaN力学性能研究, Study on Mechanical Properties of GaN Epitaxy Films Grown on Sapphire by MOCVD, 稀有金属材料与工程, 2007, 第 2 作者
(284) Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 7 作者
(285) Temperature dependence of the raman-active modes in the nonpolar a-plane gan film, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 第 7 作者
(286) High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111), Physica status solidi c - current topics in solid state physics丛书标题: physica status solidi c-current topics in solid state physics, 2007, 
(287) Si基外延GaN的结构和力学性能, Study on structure and mechanical properties of GaN epitaxy films grown on Si by MOCVD, 材料研究学报, 2007, 第 2 作者
(288) Effects of growth temperature of algan buffer layer on the properties of a1(0.58)ga(0.42)n epilayer by nh3-mbe, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2007, 第 5 作者
(289) Effects of buffer layers on the stress and morphology of gan epilayer grown on si substrate by mocvd, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 3 作者
(290) Study on mechanical properties of GaN epitaxy films grown on sapphire by MOCVD, RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2007, 第 2 作者
(291) MOCVD方法制备高Al组分AlGaN, Growth of High Al Content AlGaN Epilayer by MOCVD, 半导体学报, 2007, 第 7 作者
(292) The influence of aln/gan superlattice intermediate layer on the properties of gan grown on si(111) substrates, CHINESE PHYSICS, 2007, 第 3 作者
(293) Synthesis and characterization of zno nanorods and nanoflowers grown on gan-based led epiwafer using a solution deposition method, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2007, 第 5 作者
(294) Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(295) 竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长, Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
(296) Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity gan epilayer, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 8 作者
(297) HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能, Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(298) 蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长, Growth of GaN Thick Film by HVPE on Sapphire Substrate, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(299) The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si(111) substrates, The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si(111) substrates, 中国物理:英文版, 2007, 第 3 作者
(300) Polarized raman scattering studies of nonpolar a-plane gan films grown on r-plane sapphire substrates by mocvd, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2006, 第 4 作者
(301) 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长, RF-MBE Growth of InAlGaN Epilayer on Sapphire Substrate, 半导体学报, 2006, 第 7 作者
(302) Influence of aln interfacial layer on electrical properties of high-al-content al0.45ga0.55n/gan hemt structure, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2006, 第 4 作者
(303) Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响, Effect of Ⅴ/Ⅲ Flux Ratio and Growth Temperature on Indium Droplet Formation During RF-MBE Growth of InN, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(304) AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟, Simulation on High-Frequency Performance of AlGaN/GaN HBTs, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(305) MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料, High Resistivity GaN Film Grown by MOCVD, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(306) Growth and characterization of 0.8-μm gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates, Growth and characterization of 0.8-μm gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates, 中国科学:F辑英文版, 2005, 第 4 作者
(307) 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(308) 在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN, Growth of GaN on γ-Al2O33/Si(001) Composite Substrates, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
(309) AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展, 固体电子学研究与进展, 2005, 第 3 作者
(310) 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件, X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(311) RF—MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaNHEMT结构, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(312) RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(313) 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件, X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(314) MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
(315) RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性, RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性, 半导体学报, 2004, 第 3 作者
(316) Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长, 半导体学报, 2004, 第 1 作者
(317) 可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C—SiC/Si(111)衬底的制备, 半导体学报, 2004, 第 4 作者
(318) RF—MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性, 半导体学报, 2004, 第 3 作者
(319) MBE GaN 基微电子材料及器件研究, 2003, 第 1 作者
发表著作
(1) LED器件与工艺技术, 电子工业出版社, 2015-09, 第 2 作者
(2) III族氮化物发光二极管技术及其应用, 科学出版社, 2016-03, 第 2 作者
(3) 半导体照明概论, 电子工业出版社, 2016-05, 第 5 作者
(4) Light-Emitting Diodes, Springer, 2019-02, 第 2 作者
(5) III-Nitrides Light Emitting Diodes: Technology and Applications, Springer, 2020-06, 第 2 作者
(6) 氮化物深紫外发光材料及器件, 科学出版社, 2021-01, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 深紫外LED制备和应用技术研究, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
( 2 ) 高效氮化镓基绿光LEDs的研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
( 3 ) 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
( 4 ) 高效率AlGaN深紫外发光器件基础研究, 主持, 国家级, 2022-01--2026-12
参与会议
(1)The Technology and Application of UVC LED   2019-11-21
(2)Research and Development of UV LEDs in China   2019-09-08
(3)Opportunity and Challenge for Nitride-based UV-LEDs   第十五届中国国际半导体照明论坛   2018-10-23
(4)AlGaN基紫外发光二极管研究进展   第十五届全国MOCVD学术会议   2018-08-22
(5)Research Progress on AlGaN-based Ultraviolet   2017-09-18
(6)深紫外发光二极管的研究现状及发展趋势   第二届全国宽禁带半导体学术会议   2017-08-10
(7)Al-rich Nitride-Based UV Emitters with Micro-nano Fabrication Techniques   第三届中韩纳米材料及光电应用研讨会   2016-11-24

指导学生

已指导学生

贠利君  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

张宁  博士研究生  080501-材料物理与化学  

羊建坤  博士研究生  080501-材料物理与化学  

冯向旭  博士研究生  080501-材料物理与化学  

董鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

付丙磊  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张勇辉  博士研究生  080501-材料物理与化学  

朱邵歆  博士研究生  080501-材料物理与化学  

黄宇亮  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

任鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

赵云  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张硕  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郭亚楠  博士研究生  080501-材料物理与化学  

熊卓  博士研究生  080501-材料物理与化学  

孙雪娇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴卓辉  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

冯梁森  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张翔  博士研究生  080501-材料物理与化学  

杨帅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨宇铭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张亮  博士研究生  080501-材料物理与化学  

常洪亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵捷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

梁冬冬  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李燕  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

陈仁锋  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

王新维  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张琪  硕士研究生  085400-电子信息  

王大地  博士研究生  080501-材料物理与化学  

蒋宗霖  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王璐璐  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴涵  硕士研究生  085400-电子信息  

张睿洁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学