基本信息
姜海涛 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
email: h.t.jiang@mail.sim.ac.cn
address: 长宁路865号
postalCode:
email: h.t.jiang@mail.sim.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
晶圆级新型二维材料制备及射频器件的研制与应用,柔性电子器件的研究
教育背景
2006-09--2010-05 同济大学 博士研究生
工作经历
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师2017-07~2020-07,东华大学, 助理研究员2012-09~2017-06,中国科学院上海应用物理研究所, 助理研究员2010-07~2012-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后2006-09~2010-05,同济大学, 博士研究生
教授课程
传感器原理与技术大学物理
专利与奖励
奖励信息
(1) 中国科学院王宽诚博士后工作奖, 其他, 2010
专利成果
( 1 ) 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187248A( 2 ) 一种制备GOI的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165511A( 3 ) 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165512A( 4 ) 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065932A( 5 ) 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065933A( 6 ) 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103065931A( 7 ) 一种具有周期结构的半导体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693900A( 8 ) 一种绝缘体上半导体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102683178A( 9 ) 一种光子晶体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102662212A( 10 ) 一种薄GOI晶片及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102290369A
出版信息
发表论文
(1) Graphene-Based Silicon Photonic Devices for Optical Interconnects, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2023, 第 3 作者(2) Fabrication of uniaxially/biaxially tensile-strained Ge by strain redistribution method, AIP ADVANCES, 2023, 第 7 作者(3) 超细Pt3Fe纳米颗粒在碱性和酸性介质中均触发了氧还原反应的高催化性能, Ultrafine Pt3Fe nanoparticles triggered high catalytic performance for oxygen reduction reaction in both alkaline and acidic media, ChemElectroChem, 2022, 第 3 作者 通讯作者(4) Ultrafine Pt3Fe nanoparticles triggered high catalytic performance for oxygen reduction reaction in both alkaline and acidic media, ChemElectroChem, 2022, 第 1 作者(5) Flexible antiferroelectric thick film deposited on nickel foils for high energy���storage capacitor, J AM CERAM SOC, 2019, 第 1 作者 通讯作者(6) Enhanced microwave dielectric properties of Ba0.40Sr0.60TiO3-Zr0.80Sn0.20TiO4 composite ceramics, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2012, 第 1 作者(7) Microwave Dielectric Properties and Low-Temperature Sintering of Ba0.60Sr0.40TiO3 Ceramics, 2009, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 后端兼容的二维半导体晶圆、器件与电路研究, 参与, 国家任务, 2022-11--2026-10( 2 ) 集成电路用SOI材料, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12