基本信息
姜海涛  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: h.t.jiang@mail.sim.ac.cn
通信地址: 长宁路865号
邮政编码:

研究领域

1.晶圆级二维半导体材料的高质量生长及转移

2.二维材料的异质M3D集成及器件设计

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
晶圆级新型二维材料制备及射频器件的研制与应用,柔性电子器件的研究

教育背景

2006-09--2010-05   同济大学   博士研究生

工作经历

   
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师
2017-07~2020-07,东华大学, 助理研究员
2012-09~2017-06,中国科学院上海应用物理研究所, 助理研究员
2010-07~2012-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后

教授课程

传感器原理与技术
大学物理

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院王宽诚博士后工作奖, 其他, 2010
专利成果
( 1 ) 一种具有周期结构的半导体及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693900A

( 2 ) 一种绝缘体上半导体及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102683178A

( 3 ) 一种光子晶体及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102662212A

( 4 ) 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187248A

( 5 ) 一种制备GOI的方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165511A

( 6 ) 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165512A

( 7 ) 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 发明专利, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065932A

( 8 ) 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 发明专利, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065933A

( 9 ) 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103065931A

( 10 ) 一种薄GOI晶片及其制备方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102290369A

出版信息

   
发表论文
[1] Zhang Jiejun, Jiang Haitao, Hong Weida, Meng Qing, Xue Zhongying, Zhang Miao, Chu Paul K, Mei Yongfeng, Tian Ziao, Di Zengfeng. Ultra-flexible graphene-metal nanomembrane for wireless applications. npj Flexible Electronics[J]. 2025, 第 2 作者9(1): 1-9, https://www.nature.com/articles/s41528-025-00402-x.
[2] Chen Wang, Weida Hong, Miao Zhang, Haitao Jiang. Ge‐based graphene FET for low‐temperature electronics. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2024, 第 4 作者  通讯作者  60(13): n/a-n/a, https://doaj.org/article/2f85c9d492d14572bc18c7e49ad85bc1.
[3] Wang, Zheng, Cai, Yan, Jiang, Haitao, Tian, Ziao, Di, Zengfeng. Graphene-Based Silicon Photonic Devices for Optical Interconnects. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. 2023, 第 3 作者http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202307461.
[4] Li, Hongxiang, Zhang, Qian, Liu, Guanyu, Mu, Zhiqiang, Wei, Xing, Gao, Yuyong, Jiang, Haitao, Zhang, Miao, Xue, Zhongying. Fabrication of uniaxially/biaxially tensile-strained Ge by strain redistribution method. AIP ADVANCES[J]. 2023, 第 7 作者13(6): http://dx.doi.org/10.1063/5.0153265.
[5] ChemElectroChem. 2022, 第 3 作者  通讯作者  
[6] 姜海涛. Ultrafine Pt3Fe nanoparticles triggered high catalytic performance for oxygen reduction reaction in both alkaline and acidic media. ChemElectroChem[J]. 2022, 第 1 作者https://chemistry-europe.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/celc.202101458.
[7] 姜海涛. Flexible antiferroelectric thick film deposited on nickel foils for high energy‐storage capacitor. J AM CERAM SOC[J]. 2019, 第 1 作者  通讯作者  https://ceramics.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1111/jace.16496.
[8] Jiang, Haitao, Zhai, Jiwei, Zhang, Mingwei, Yao, Xi. Enhanced microwave dielectric properties of Ba0.40Sr0.60TiO3-Zr0.80Sn0.20TiO4 composite ceramics. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE[J]. 2012, 第 1 作者47(6): 2617-2623, http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115145.
[9] 姜海涛. Microwave Dielectric Properties and Low-Temperature Sintering of Ba0.60Sr0.40TiO3 Ceramics. 2009, 第 1 作者https://ceramics.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1111/j.1551-2916.2009.03226.x.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 后端兼容的二维半导体晶圆、器件与电路研究, 参与, 国家任务, 2022-11--2026-10
( 2 ) 集成电路用SOI材料, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12