基本信息
周娜  女  硕导  中国科学院微电子研究所
email: zhouna@ime.ac.cn
address: 中国科学院微电子研究所北土城西路3号
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招生信息

   
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
半导体工艺,CMOS-MEMS器件

教育背景

2009-09--2013-01   中国科学院物理研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2016-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2013-04~2016-05,北方华创公司, 资深研发工程师
2009-09~2013-01,中国科学院物理研究所, 博士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 北京信息电子技术大型仪器区域中心优秀个人, 市地级, 2020
专利成果
( 1 ) 一种半导体器件及其制备方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116722029A

( 2 ) 一种晶片传送设备、传送方法及传送系统, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116666278A

( 3 ) 一种转移纳米森林结构的方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116639647A

( 4 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN111415902B

( 5 ) 一种温湿度监测器, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116429173A

( 6 ) 一种手势识别方法、装置及设备, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN115963925A

( 7 ) 一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN111430281B

( 8 ) 一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN115884653A

( 9 ) 半导体器件金属互连结构及其形成方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN115881627A

( 10 ) 集成电路设备和半导体器件的制备方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN115881590A

( 11 ) 一种互连结构的制作方法、互连结构及半导体器件, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN115588648A

( 12 ) 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN112151386B

( 13 ) 一种热电堆传感器性能提升方法、系统及装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN202211611202.0

( 14 ) 一种集成纳米森林的皮拉尼传感器及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: 202211441892.X

( 15 ) 一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115332034A

( 16 ) 一种刻蚀流程控制方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115332033A

( 17 ) 一种半导体器件及制备方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115223940A

( 18 ) 一种半导体处理系统, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115206827A

( 19 ) 一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115206870A

( 20 ) 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115206970A

( 21 ) 一种浅沟槽及其形成方法、半导体结构的制备方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115083996A

( 22 ) 改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115083877A

( 23 ) 一种半导体处理系统, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115083943A

( 24 ) 一种半导体器件制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115036224A

( 25 ) 一种半导体器件制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115036215A

( 26 ) 一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115036231A

( 27 ) 一种改善晶圆边缘损伤的方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115036217A

( 28 ) 一种半导体器件、DRAM及其制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115020318A

( 29 ) 多功能SERS检测方法及系统, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114993952A

( 30 ) 晶圆运输防撞系统及晶圆运输防撞方法, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114955879A

( 31 ) 一种位线接触孔和DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114975285A

( 32 ) 一种栅极沟槽形成方法及DRAM制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114975442A

( 33 ) 一种有害气体净化装置, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114950085A

( 34 ) 一种蜂窝状结构的刻蚀方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114975093A

( 35 ) 一种用于半导体制造的供气系统及供气方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114963003A

( 36 ) 一种腔室压力测量装置、测量方法及半导体制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114964349A

( 37 ) 光刻胶涂布系统, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114859658A

( 38 ) 一种半导体结构的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114864482A

( 39 ) 一种半导体真空配管和清洁方法及半导体制造设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114857600A

( 40 ) 一种半导体器件及其制备方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824083A

( 41 ) 筒状电容结构、半导体器件及其制备方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824082A

( 42 ) 一种晶圆载物台、工件台、光刻机和涂胶显影机, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114815510A

( 43 ) 半导体结构及其制作方法以及DRAM, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824078A

( 44 ) 半导体结构及其制作方法以及DRAM, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824076A

( 45 ) 半导体结构及其制作方法以及DRAM, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824081A

( 46 ) 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114823295A

( 47 ) 半导体结构及其制作方法以及DRAM, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114824079A

( 48 ) 电容孔、电容器、DRAM及其制备方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114792757A

( 49 ) 光刻机、显影装置及显影方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114764218A

( 50 ) 光刻胶去除方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114764219A

( 51 ) 用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114755896A

( 52 ) 一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114743853A

( 53 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114695660A

( 54 ) 一种等离子体刻蚀设备及陶瓷窗口的温控方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114695050A

( 55 ) 一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114695166A

( 56 ) 一种晶圆传送机械臂及其制造方法、晶圆的传送方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114695214A

( 57 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114678361A

( 58 ) 半导体结构及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114678345A

( 59 ) 半导体结构及制作方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114678363A

( 60 ) 一种先通孔双镶嵌的制作方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628317A

( 61 ) 动态随机存取存储器单元结构, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628386A

( 62 ) 一种等离子体处理腔室以及半导体制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114628212A

( 63 ) 一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114628211A

( 64 ) 一种着陆焊盘和DRAM的形成方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628264A

( 65 ) 半导体器件中不同沟道长度的晶体管形成方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628326A

( 66 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114628318A

( 67 ) 一种晶圆调节装置、调节方法及半导体制造设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114613711A

( 68 ) 一种旋转喷洒装置、半导体反应腔室及蚀刻机, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114613655A

( 69 ) 一种校准装置、校准方法及半导体处理设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114597150A

( 70 ) 一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114597108A

( 71 ) 一种尾气排除系统、排除方法及半导体设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114551273A

( 72 ) 一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114551202A

( 73 ) 一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114551204A

( 74 ) 一种管线连接组件、管线组件及连接方法、半导体设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114551272A

( 75 ) 一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114551325A

( 76 ) 一种检测晶圆偏置的系统、工艺腔室及检测方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114520159A

( 77 ) 一种晶圆处理装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114520161A

( 78 ) 一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114521031A

( 79 ) 一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114521035A

( 80 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114520186A

( 81 ) 一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114520137A

( 82 ) 一种绝缘窗、反应腔及电感耦合等离子体处理装置, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114520138A

( 83 ) 一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114520178A

( 84 ) 一种晶体管及其制造方法和DRAM器件, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114497036A

( 85 ) 一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114496689A

( 86 ) 一种晶圆传送机械臂夹、半导体加工设备和晶圆传送方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496868A

( 87 ) 一种晶体管及其制造方法和DRAM器件, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114497036A

( 88 ) 一种传送腔室的控温装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496836A

( 89 ) 一种位线接触部和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496930A

( 90 ) 一种电容器孔和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496928A

( 91 ) 半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114483972A

( 92 ) 一种电容器孔和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496928A

( 93 ) 一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114496689A

( 94 ) 一种传送腔室的控温装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496836A

( 95 ) 一种晶圆传送机械臂夹、半导体加工设备和晶圆传送方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496868A

( 96 ) 一种晶圆传送机械臂夹、半导体加工设备和晶圆传送方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496868A

( 97 ) 一种电容器孔和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496928A

( 98 ) 一种位线接触部和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496930A

( 99 ) 一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114496689A

( 100 ) 一种位线接触部和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114496930A

( 101 ) 一种晶体管及其制造方法和DRAM器件, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114497036A

( 102 ) 半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114483972A

( 103 ) 一种传送腔室的控温装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496836A

( 104 ) 半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114483972A

( 105 ) 一种静电卡盘固定结构, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496691A

( 106 ) 一种静电卡盘固定结构, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496691A

( 107 ) 一种静电卡盘固定结构, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114496691A

( 108 ) 半导体结构及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114464593A

( 109 ) 半导体结构及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114464593A

( 110 ) 一种用于固定晶圆的压环组件以及晶圆处理室, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114446862A

( 111 ) 一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114446888A

( 112 ) 一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114446751A

( 113 ) 一种检测聚焦环与晶圆间隙的装置及方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114446751A

( 114 ) 一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114446888A

( 115 ) 一种用于固定晶圆的压环组件以及晶圆处理室, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114446862A

( 116 ) 一种电容器及其制造方法和DRAM, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114420643A

( 117 ) 一种双重图形刻蚀方法和DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114420548A

( 118 ) 半导体结构及其制造方法、存储单元、芯片, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114420693A

( 119 ) 一种悬浮吸收层热电堆器件及其制作方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114400280A

( 120 ) 半导体装置及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114388504A

( 121 ) 一种具有晶圆清洁功能的预抽真空室及晶圆清洁方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114388384A

( 122 ) 一种晶圆处理装置及半导体制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114388389A

( 123 ) 一种半导体器件、动态随机存取存储器及电子设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114361160A

( 124 ) 一种热电堆及其制备方法、热电堆红外探测器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114335317A

( 125 ) 半导体结构及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114334899A

( 126 ) 一种半导体结构及其制备方法和半导体器件, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114334973A

( 127 ) 一种电容器、制造方法和电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114335339A

( 128 ) 一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及加工设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114256086A

( 129 ) 电容器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114256240A

( 130 ) 一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114242652A

( 131 ) 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114199934A

( 132 ) 一种晶圆偏移检测方法、装置和刻蚀系统, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114203575A

( 133 ) 一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114192440A

( 134 ) 一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114199193A

( 135 ) 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111569963B

( 136 ) 一种半导体器件结构的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114141710A

( 137 ) 一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114141750A

( 138 ) 一种接触孔及DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114093833A

( 139 ) 蜂窝状图形的制造方法以及DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114093762A

( 140 ) 一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114068321A

( 141 ) 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114038911A

( 142 ) 一种半导体结构及其制备方法、三维存储器, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114023745A

( 143 ) 一种湿度传感器及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114018991A

( 144 ) 半导体器件的隔离的形成方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113972163A

( 145 ) 半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113964124A

( 146 ) 静电吸盘及半导体工艺设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113948359A

( 147 ) 静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113948438A

( 148 ) 半导体存储器件及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113948493A

( 149 ) 一种多重图形化的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113808938A

( 150 ) 圆弧形鳍顶形成方法及鳍式场效应晶体管, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113808931A

( 151 ) 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111244193B

( 152 ) 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113540027A

( 153 ) 电容器结构及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113517399A

( 154 ) 金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113517219A

( 155 ) 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113517171A

( 156 ) 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113496994A

( 157 ) 一种氧化物半导体器件及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113471295A

( 158 ) 纳米线围栅MOS器件及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN108962750B

( 159 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113299829A

( 160 ) 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113206091A

( 161 ) 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563403A

( 162 ) 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563402A

( 163 ) 一种纳米森林结构的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112520688A

( 164 ) 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN110938434B

( 165 ) 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112151386A

( 166 ) 一种电容结构及其制备方法和半导体器件, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112018090A

( 167 ) 高吸收热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111969098A

( 168 ) 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111964794A

( 169 ) 闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111927748A

( 170 ) 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111900118A

( 171 ) DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111883531A

( 172 ) 一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111799196A

( 173 ) 一种用于转移晶圆的机器臂, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111660309A

( 174 ) 厚度测量装置、系统及测量方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111649680A

( 175 ) 氧化钇薄膜的形成方法及系统, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111653477A

( 176 ) 射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111600307A

( 177 ) 半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111584411A

( 178 ) 热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111540824A

( 179 ) 一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111430281A

( 180 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111415902A

( 181 ) 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370308A

( 182 ) 一种热电堆及其制备方法、探测器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111207828A

( 183 ) 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111115561A

( 184 ) 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111029258A

( 185 ) 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110620033A

( 186 ) 一种刻蚀方法及系统, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110190020A

( 187 ) 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110174453A

( 188 ) 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164762A

( 189 ) 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110164851A

( 190 ) 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110137275A

( 191 ) 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110137308A

( 192 ) 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110137073A

( 193 ) 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110002393A

( 194 ) 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904234A

( 195 ) 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109599335A

( 196 ) 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108364910A

( 197 ) 刻蚀沟槽的方法, 2012, 专利号: CN102041508B

出版信息

   
发表论文
(1) A Thermopile-Based Gas Flow Sensor with High Sensitivity for Noninvasive Respiration Monitoring, MICROMACHINES, 2023, 第 11 作者
(2) Wafer-Level, High-Performance, Flexible Sensors Based on Organic Nanoforests for Human-Machine Interactions, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, 第 11 作者
(3) A MEMS Thermopile Pirani Sensor Integrated With Composite Nanoforests for Vacuum Monitoring in Semiconductor Equipment, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 11 作者
(4) Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, NANOMATERIALS, 2023, 第 3 作者
(5) Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si 0.7 Ge 0.3, NANOMATERIALS, 2023, 第 3 作者
(6) Vertical N-Type and P-Type Nanosheet FETs With C-Shaped Channel, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 
(7) A SERS sensor based on 3D nanocone forests capable of intelligent classification of aquatic product dyes, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2023, 第 6 作者
(8) A gesture recognition glove assembled with nanoforest-integrated infrared thermopiles, IEEE MEMS, 2023, 第 11 作者
(9) Investigation of Fabricated CMOS FishboneFETs and TreeFETs With Strained SiGe Nano-Fins on Bulk-Si Substrate, Ieee Electron Device Letters, 2023, 第 8 作者
(10) A performance enhancement method for thermopile sensors using a chip probe test system, IEEE MEMS, 2023, 第 11 作者
(11) 面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究, Dry Selective Etching of Si_(0.7)Ge_(0.3) for Horizontal GAA Inner Spacer Module, 真空科学与技术学报, 2023, 第 6 作者
(12) A Thermopile Infrared Sensor Array Pixel Monolithically Integrated with an NMOS Switch, MICROMACHINES, 2022, 第 11 作者
(13) Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 4 作者
(14) Ultralow Contact Resistivity on Ga-Doped Ge with Contact Co-Implantation of Ge and B, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 13 作者
(15) A Performance Enhancement Method for MEMS Thermopile Pirani Sensors Through In-Situ Integration of Nanoforests, IEEE Electron Device Letter, 2022, 第 3 作者
(16) A nanoforest-based humidity sensor for respiration monitoring, A nanoforest-based humidity sensor for respiration monitoring, 微系统与纳米工程(英文), 2022, 第 11 作者
(17) A Performance Enhancement Method for MEMS Thermopile Pirani Sensors Through In-Situ Integration of Nanoforests, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 3 作者
(18) Recyclable 3D SERS devices based on ZnO nanorod-grafted nanowire forests for biochemical sensing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 第 3 作者
(19) A Highly Accurate Method for Measuring Response Time of MEMS Thermopiles, MICROMACHINES, 2022, 第 11 作者
(20) Overview of the MEMS Pirani Sensors, MICROMACHINES, 2022, 第 2 作者
(21) A Thermopile Detector Based on Micro-Bridges for Heat Transfer, MICROMACHINES, 2021, 第 1 作者
(22) Infrared thermopile sensors with in-situ integration of composite nanoforests for enhanced optical, IEEE MEMS, 2021, 第 4 作者
(23) Hierarchical ZnO Nanospikes on Rough Nanopillars for Gas Sensing with Self-Cleaning Properties, 2021 21st International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers), 2021, 第 11 作者
(24) Quasi-Ordered Nanoforests with Hybrid Plasmon Resonances for Broadband Absorption and Photodetection, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, 第 7 作者
(25) A Sensitivity Controllable Thermopile Infrared Sensor by Monolithic Integration of a N-channel Metal Oxide Semiconductor, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 11 作者
(26) Performance Enhanced Humidity Sensor by In-Situ Integration of Nanoforests, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 4 作者
(27) 有机聚合物MEMS湿度传感器研究进展, MEMS humidity sensors based on organic polymers, 微纳电子与智能制造, 2021, 第 2 作者
(28) SERS devices with "hedgehog-like" nanosphere arrays for detection of trace pesticides, SERS devices with "hedgehog-like" nanosphere arrays for detection of trace pesticides, JOURNAL OF INNOVATIVE OPTICAL HEALTH SCIENCES, 2021, 第 4 作者
(29) Study of selective isotropic etching Si1-xGex in process of nanowire transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(30) The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O-2/He Plasmas for Thermopile Devices, MATERIALS, 2020, 第 11 作者
(31) Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 第 3 作者
(32) A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 第 3 作者
(33) Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors With Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 
(34) Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2019, 第 11 作者
(35) Fabricating metal structures with taper angles and smooth sidewalls, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2017, 第 5 作者
(36) A Highly Sensitive Flexible Humidity Sensor Based on A Wafer-Level Composite Material of Carbon-Quantum-Dots@Nanofiber Clusters, SENSORS AND ACTUATORS: B. CHEMICAL, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高性能红外探测器, 负责人, 境内委托项目, 2024-01--2025-12
( 2 ) 面向真空度检测应用的纳米森林结构界面热传导机制研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
( 3 ) 面向防化兵呼吸监控的智能MEMS湿度传感器, 负责人, 研究所自主部署, 2023-01--2024-12
( 4 ) 集成电路基础器件与先进制造技术, 参与, 中国科学院计划, 2022-11--2025-10
( 5 ) 青促会项目, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2025-12
( 6 ) GAA晶体管核心工艺技术, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12