基本信息
周娜  女  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhouna@ime.ac.cn
通信地址: 中国科学院微电子研究所北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
微电子工艺,MEMS器件

教育背景

2009-09--2013-01   中国科学院物理研究所   博士

工作经历

   
工作简历
2016-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2013-04~2016-05,北方华创公司, 资深研发工程师
2009-09~2013-01,中国科学院物理研究所, 博士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 北京信息电子技术大型仪器区域中心优秀个人, 市地级, 2020
专利成果
( 1 ) 一种集成纳米森林的皮拉尼传感器及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: 202211441892.X

( 2 ) 一种半导体反应腔的气路系统、控制方法及加工设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114256086A

( 3 ) 电容器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114256240A

( 4 ) 一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114242652A

( 5 ) 适用于热电堆的塞贝克系数测量结构及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114199934A

( 6 ) 一种晶圆偏移检测方法、装置和刻蚀系统, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114203575A

( 7 ) 一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114192440A

( 8 ) 一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114199193A

( 9 ) 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111569963B

( 10 ) 一种半导体器件结构的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114141710A

( 11 ) 一种半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114141750A

( 12 ) 一种接触孔及DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114093833A

( 13 ) 蜂窝状图形的制造方法以及DRAM的制造方法, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114093762A

( 14 ) 一种硬掩模去除方法和DRAM的制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114068321A

( 15 ) 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114038911A

( 16 ) 一种半导体结构及其制备方法、三维存储器, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114023745A

( 17 ) 一种湿度传感器及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114018991A

( 18 ) 半导体器件的隔离的形成方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113972163A

( 19 ) 半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113964124A

( 20 ) 静电吸盘及半导体工艺设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113948359A

( 21 ) 静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113948438A

( 22 ) 半导体存储器件及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113948493A

( 23 ) 一种多重图形化的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113808938A

( 24 ) 圆弧形鳍顶形成方法及鳍式场效应晶体管, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113808931A

( 25 ) 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111244193B

( 26 ) 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113540027A

( 27 ) 电容器结构及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113517399A

( 28 ) 金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113517219A

( 29 ) 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113517171A

( 30 ) 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113496994A

( 31 ) 一种氧化物半导体器件及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113471295A

( 32 ) 纳米线围栅MOS器件及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN108962750B

( 33 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113299829A

( 34 ) 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113206091A

( 35 ) 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563403A

( 36 ) 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112563402A

( 37 ) 一种纳米森林结构的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112520688A

( 38 ) 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN110938434B

( 39 ) 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112151386A

( 40 ) 一种电容结构及其制备方法和半导体器件, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112018090A

( 41 ) 高吸收热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111969098A

( 42 ) 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111964794A

( 43 ) 闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111927748A

( 44 ) 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111900118A

( 45 ) DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111883531A

( 46 ) 一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111799196A

( 47 ) 一种用于转移晶圆的机器臂, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111660309A

( 48 ) 厚度测量装置、系统及测量方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111649680A

( 49 ) 氧化钇薄膜的形成方法及系统, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111653477A

( 50 ) 射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111600307A

( 51 ) 半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111584411A

( 52 ) 热电堆及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111540824A

( 53 ) 一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111430281A

( 54 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111415902A

( 55 ) 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370308A

( 56 ) 一种热电堆及其制备方法、探测器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111207828A

( 57 ) 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111115561A

( 58 ) 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111029258A

( 59 ) 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110620033A

( 60 ) 一种刻蚀方法及系统, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110190020A

( 61 ) 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110174453A

( 62 ) 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164762A

( 63 ) 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110164851A

( 64 ) 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110137275A

( 65 ) 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110137308A

( 66 ) 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110137073A

( 67 ) 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110002393A

( 68 ) 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904234A

( 69 ) 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109599335A

( 70 ) 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108364910A

( 71 ) 刻蚀沟槽的方法, 2012, 专利号: CN102041508B

出版信息

   
发表论文
(1) A gesture recognition glove assembled with nanoforest-integrated infrared thermopiles, IEEE MEMS, 2023, 通讯作者
(2) A performance enhancement method for thermopile sensors using a chip probe test system, IEEE MEMS, 2023, 通讯作者
(3) A nanoforest-based humidity sensor for respiration monitoring, A nanoforest-based humidity sensor for respiration monitoring, 微系统与纳米工程(英文), 2022, 通讯作者
(4) A Performance Enhancement Method for MEMS Thermopile Pirani Sensors Through In-Situ Integration of Nanoforests, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 3 作者
(5) Recyclable 3D SERS devices based on ZnO nanorod-grafted nanowire forests for biochemical sensing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 第 3 作者
(6) A Highly Accurate Method for Measuring Response Time of MEMS Thermopiles, MICROMACHINES, 2022, 通讯作者
(7) Overview of the MEMS Pirani Sensors, MICROMACHINES, 2022, 第 2 作者
(8) A Thermopile Infrared Sensor Array Pixel Monolithically Integrated with an NMOS Switch, MICROMACHINES, 2022, 通讯作者
(9) Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 4 作者
(10) A Thermopile Detector Based on Micro-Bridges for Heat Transfer, MICROMACHINES, 2021, 第 1 作者
(11) Infrared thermopile sensors with in-situ integration of composite nanoforests for enhanced optical, IEEE MEMS, 2021, 第 4 作者
(12) Hierarchical ZnO Nanospikes on Rough Nanopillars for Gas Sensing with Self-Cleaning Properties, 2021 21st International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (Transducers), 2021, 通讯作者
(13) Quasi-Ordered Nanoforests with Hybrid Plasmon Resonances for Broadband Absorption and Photodetection, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, 第 7 作者
(14) A Sensitivity Controllable Thermopile Infrared Sensor by Monolithic Integration of a N-channel Metal Oxide Semiconductor, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 通讯作者
(15) Performance Enhanced Humidity Sensor by In-Situ Integration of Nanoforests, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 4 作者
(16) SERS devices with "hedgehog-like" nanosphere arrays for detection of trace pesticides, SERS devices with "hedgehog-like" nanosphere arrays for detection of trace pesticides, JOURNAL OF INNOVATIVE OPTICAL HEALTH SCIENCES, 2021, 第 4 作者
(17) Study of selective isotropic etching Si1-xGex in process of nanowire transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者
(18) The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O-2/He Plasmas for Thermopile Devices, MATERIALS, 2020, 通讯作者
(19) Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 第 3 作者
(20) A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 第 3 作者
(21) Deep silicon etching for thermopile structures using a modified Bosch process, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2019, 通讯作者
(22) Fabricating metal structures with taper angles and smooth sidewalls, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2017, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 红外热电堆探测器, 负责人, 企业委托, 2020-06--2022-12
( 2 ) 红外热电堆阵列, 负责人, 企业委托, 2020-09--2022-09
( 3 ) 高性能红外探测器, 负责人, 企业委托, 2021-03--2022-03
( 4 ) 青促会项目, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2025-12
( 5 ) 面向真空度检测应用的纳米森林结构界面热传导机制研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12