080903-微电子学与固体电子学
140100-集成电路科学与工程

模拟IC设计，数字IC设计，射频IC设计，ESD保护研究

2004-09--2009-07   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2000-09--2004-07   东南大学   学士

   

2017-03~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师
2014-07~2017-03,武汉新芯集成电路制造有限公司, 技术经理
2010-05~2012-07,GLOBALFOUNDRIES（新加坡）, 主任工程师
2009-07~2010-05,上海宏力半导体制造有限公司, 主任工程师
2004-09~2009-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2000-09~2004-07,东南大学, 学士

   

（1） 中国科学院关键技术人才, 院级, 2020
（2） 上海工匠, 市地级, 2019

（ 1 ） 基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN111739887B

（ 2 ） 高速小信号放大电路, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116505900A

（ 3 ） 一种静电保护结构及静电保护电路, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN111403380B

（ 4 ） 同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN110401443B

（ 5 ） 多级信号选择电路、时序调整系统及方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114629478A

（ 6 ） 一种低温放大电路, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114301403A

（ 7 ） 阈值电压的调节方法、装置、CMOS器件、电子设备及存储介质, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111240392B

（ 8 ） 一种用于高压容限电路的静电保护结构, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111933639A

（ 9 ） 基于晶闸管的静电保护单元及其并联结构, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111739887A

（ 10 ） 一种浮空的柔性器件及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111739933A

（ 11 ） PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111725206A

（ 12 ） 一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111725205A

（ 13 ） 一种具有双向SCR结构的ESD保护器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111725204A

（ 14 ） 一种三模冗余电路结构, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN108631772B

（ 15 ） 一种静电保护结构及静电保护电路, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111403381A

（ 16 ） 一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111403470A

（ 17 ） 一种基于SOI工艺的静电放电保护结构, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111403379A

（ 18 ） 半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110783310A

（ 19 ） 逐步逼近型模数转换装置的电容阵列校准方法和装置, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110535467A

（ 20 ） 异步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110401444A

（ 21 ） 同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110401443A

（ 22 ） 一种CMOS电路与超导SFQ电路的单片集成方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109390283A

（ 23 ） 一种三模冗余电路结构, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108631772A

（ 24 ） 一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108494400A

（ 25 ） 一种用于锁相环的锁定检测电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108471309A

（ 26 ） 一种基于SOI工艺的压控振荡器电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108462471A

（ 27 ） 一种ESD保护结构, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108122904A

（ 28 ） 一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108063134A

（ 29 ） 一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108063133A

   

（1） 基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统, ASIC Chip Anti-Irradiation Performance Evaluation System Based on FPGA, 半导体技术, 2021, 第 3 作者
（2） A 16-bit 8-MS/s SAR ADC with a foreground calibration and hybrid-charge-supply power structure, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 3 作者
（3） An Enhanced Well-Changed GGNMOS for 3.3-V ESD Protection in 0.13-��m SOI Process, IEICETRANSELECTRON, 2020, 
（4） A 16 bit 200 kS/s successive approximation register ADC with foreground on-chip self-calibration, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 2 作者
（5） Design of a High-Performance Low-Cost Radiation-Hardened Phase-Locked Loop for Space Application, IEEE TRANSACTIONS ON AEROSPACE AND ELECTRONIC SYSTEMS, 2020, 第 4 作者
（6） 基于130nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计, Radiation Hardened Design for Storage Cell Circuit Based on 130 nm PD-SOI Process, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
（7） Ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost, Ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost, 半导体学报, 2009, 第 1 作者
（8） Ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost, Ultra-low-voltage-trigger thyristor for on-chip ESD protection without extra process cost, 半导体学报, 2009, 第 1 作者

   

（ 1 ） 自旋存储器的KFZ加固工艺研究与流片, 参与, 其他国际合作项目, 2020-05--2021-12
（ 2 ） 新型KFZ存储器异质集成设计研究, 参与, 其他国际合作项目, 2020-01--2021-12
（ 3 ） 超导计算机研发, 参与, 中国科学院计划, 2018-02--2022-12