080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

先进工艺FDSOI器件及电路
集成电路电磁兼容研究方向
低功耗物联网芯片设计

2008-09--2011-12   法国国立应用科学学院   博士
2005-09--2008-07   法国格勒诺布尔大学   硕士
2001-09--2005-07   复旦大学   本科

   

2008-09~2011-12,法国国立应用科学学院, 博士
2005-09~2008-07,法国格勒诺布尔大学, 硕士
2001-09~2005-07,复旦大学, 本科

   

（ 1 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 201910011391.X

（ 2 ） 一种SOI器件结构及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 201910011393.9

（ 3 ） 一种环形振荡器, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201621371632X

（ 4 ） 一种热阻获取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610632860.6

   

（1） Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure, NSREC国际会议, 2021, 通讯作者
（2） Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者
（3） A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, Microelectronics Reliability, 2020, 第 2 作者
（4） ime-Domain Experimentation of NGD Active RC-Network Cell, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2019, 通讯作者
（5） Negative Group Delay Theory of a Four-Port RC-Network Feedback Operational Amplifier, IEEE ACCESS, 2019, 通讯作者
（6） Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid, Microelectronics Reliability, 2019, 通讯作者
（7） An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose Induced Degradation on Double-SOI Structure, Trans. on Nuclear Science, 2018, 通讯作者
（8） Essential effects on the mobility extraction reliability for organic transistors, Advanced Functional Materials, 2018, 通讯作者
（9） The total dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 1 作者

   

（ 1 ） 宇航环境下累积损伤对SOI工艺集成电路电磁兼容性的影响, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
（ 2 ） 一种新型SOI工艺器件和电路, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 3 ） CSOI器件与电路, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 4 ） SOI CMOS工艺集成电路电磁敏感度研究, 负责人, 研究所自选, 2015-01--2017-12