基本信息

李彬鸿 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: libinhong@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路三号
邮政编码:
电子邮件: libinhong@ime.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学085400-电子信息
招生方向
先进工艺FDSOI器件及电路集成电路电磁兼容研究方向低功耗物联网芯片设计
教育背景
2008-09--2011-12 法国国立应用科学学院 博士2005-09--2008-07 法国格勒诺布尔大学 硕士2001-09--2005-07 复旦大学 本科
工作经历
工作简历
2008-09~2011-12,法国国立应用科学学院, 博士2005-09~2008-07,法国格勒诺布尔大学, 硕士2001-09~2005-07,复旦大学, 本科
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 一种SOI器件结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 201910011391.X( 2 ) 一种SOI器件结构及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 201910011393.9( 3 ) 一种环形振荡器, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201621371632X( 4 ) 一种热阻获取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610632860.6
出版信息
发表论文
(1) Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure, NSREC国际会议, 2021, 通讯作者(2) Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者(3) A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, Microelectronics Reliability, 2020, 第 2 作者(4) ime-Domain Experimentation of NGD Active RC-Network Cell, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2019, 通讯作者(5) Negative Group Delay Theory of a Four-Port RC-Network Feedback Operational Amplifier, IEEE ACCESS, 2019, 通讯作者(6) Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid, Microelectronics Reliability, 2019, 通讯作者(7) An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose Induced Degradation on Double-SOI Structure, Trans. on Nuclear Science, 2018, 通讯作者(8) Essential effects on the mobility extraction reliability for organic transistors, Advanced Functional Materials, 2018, 通讯作者(9) The total dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 宇航环境下累积损伤对SOI工艺集成电路电磁兼容性的影响, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12( 2 ) 一种新型SOI工艺器件和电路, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12( 3 ) CSOI器件与电路, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12( 4 ) SOI CMOS工艺集成电路电磁敏感度研究, 负责人, 研究所自选, 2015-01--2017-12