基本信息
李彬鸿  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: libinhong@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路三号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
高可靠集成电路

教育背景

2008-09--2011-12   法国国立应用科学学院   博士
2005-09--2008-07   法国格勒诺布尔大学   硕士
2001-09--2005-07   复旦大学   本科

工作经历

   
工作简历
2008-09~2011-12,法国国立应用科学学院, 博士
2005-09~2008-07,法国格勒诺布尔大学, 硕士
2001-09~2005-07,复旦大学, 本科

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种SOI器件结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 201910011391.X

( 2 ) 一种SOI器件结构及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 201910011393.9

( 3 ) 一种环形振荡器, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201621371632X

( 4 ) 一种热阻获取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610632860.6

出版信息

   
发表论文
(1) Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure, NSREC国际会议, 2021, 通讯作者
(2) Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter, Microelectronics Reliability, 2020, 通讯作者
(3) A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, Microelectronics Reliability, 2020, 第 2 作者
(4) ime-Domain Experimentation of NGD Active RC-Network Cell, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2019, 通讯作者
(5) Negative Group Delay Theory of a Four-Port RC-Network Feedback Operational Amplifier, IEEE ACCESS, 2019, 通讯作者
(6) Proton and light ions induced SEU effect in a SOI SRAM with gold plated lid, Microelectronics Reliability, 2019, 通讯作者
(7) An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose Induced Degradation on Double-SOI Structure, Trans. on Nuclear Science, 2018, 通讯作者
(8) Essential effects on the mobility extraction reliability for organic transistors, Advanced Functional Materials, 2018, 通讯作者
(9) The total dose response of a DSOI 4Kb SRAM, Microelectronics Reliability, 2017, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 宇航环境下累积损伤对SOI工艺集成电路电磁兼容性的影响, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
( 2 ) 一种新型SOI工艺器件和电路, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
( 3 ) CSOI器件与电路, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 4 ) SOI CMOS工艺集成电路电磁敏感度研究, 负责人, 研究所自选, 2015-01--2017-12