基本信息
王林飞  男  硕导  中国科学院微电子研究所
email: wanglinfei@ime.ac.cn
address: 北京市朝阳区北土城西路3号
postalCode:

招生信息

   
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
高可靠集成电路设计,存内计算电路设计,集成电路可靠性技术研究

教育背景

2014-09--2019-06   中国科学院大学   博士

工作经历

   
工作简历
2023-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2018-03~2023-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2014-09~2019-06,中国科学院大学, 博士
2011-10~2018-02,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2011-09,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种可控电阻型抗XX加固存储单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011056.3

( 2 ) 一种可调电容型抗XX加固储存单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011051.0

( 3 ) 存储器验证电路以及验证方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110111833A

( 4 ) 一种集成芯片的制作方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106407556A

( 5 ) 一种电路仿真方法及装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106126815A

出版信息

   
发表论文
(1) 130nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究, 原子能科学技术, 2023, 第 3 作者
(2) Elimination of Single-Event Upset Sensitivity for 6T SRAM in a 0.18 ��m DSOI technology Considering High LET Heavy Ions Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 第 9 作者
(3) Impact of back-gate bias and body-tie on the DSOI SRAMs under total ionizing dose irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 第 5 作者
(4) Back gate impact on SEU characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 
(5) Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 
(6) 一种新型隧穿场效应晶体管, A New Type of Tunneling-FET, 半导体技术, 2019, 第 5 作者
(7) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016, 第 1 作者
(8) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 极端环境关键核心芯片及FZ模拟测试技术研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10
( 2 ) 高可靠SOI 存储器, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12
( 3 ) 新型存储器件加固设计研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-09
( 4 ) DRAM外围电路设计, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2023-12
( 5 ) SOI集成电路技术研究, 参与, 其他国际合作项目, 2020-01--2022-12
( 6 ) 新型可调控SOI技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2019-07--2022-06
( 7 ) 基于SOI工艺的高可靠存储器研制, 负责人, 中国科学院计划, 2018-03--2021-12
( 8 ) SRAM, 负责人, 国家任务, 2017-12--2021-06
( 9 ) XXX存储器, 参与, 国家任务, 2014-10--2018-11