基本信息
王林飞  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: wanglinfei@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
招生方向
高可靠集成电路设计,存内计算电路研究,集成电路可靠性技术研究

教育背景

2014-09--2019-06   中国科学院大学   博士

工作经历

   
工作简历
2023-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士生导师
2023-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2018-03~2023-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2014-09~2019-06,中国科学院大学, 博士
2011-10~2018-02,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2011-09,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 存储器验证电路以及验证方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110111833B

( 2 ) 一种可控电阻型抗XX加固存储单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011056.3

( 3 ) 一种可调电容型抗XX加固储存单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011051.0

( 4 ) 一种集成芯片的制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106407556B

( 5 ) 一种电路仿真方法及装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106126815A

出版信息

   
发表论文
(1) Back gate impact on SEU characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 
(2) Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 
(3) 一种新型隧穿场效应晶体管, A New Type of Tunneling-FET, 半导体技术, 2019, 第 5 作者
(4) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016, 第 1 作者
(5) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于SOI工艺的高可靠存储器研制, 负责人, 中国科学院计划, 2018-03--2021-12
( 2 ) SRAM, 负责人, 国家任务, 2017-12--2021-06
( 3 ) XXX存储器, 参与, 国家任务, 2014-10--2018-11
( 4 ) SOI集成电路技术研究, 参与, 其他国际合作项目, 2020-01--2022-12
( 5 ) 新型可调控SOI技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2019-07--2022-06
( 6 ) DRAM外围电路设计, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2023-12
( 7 ) 高可靠SOI 存储器, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12
( 8 ) 新型存储器件加固设计研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-09