基本信息
王林飞 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: wanglinfei@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
研究领域
高可靠集成电路设计,存储器与存内计算电路设计,集成电路可靠性技术研究
招生信息
每年招收1~2名博士研究生,2~3名硕士研究生。
招生专业:微电子学与固体电子学,集成电路科学与工程,电子与信息等专业
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
高可靠集成电路设计,存内计算电路设计,集成电路可靠性技术研究
教育背景
2014-09--2019-06 中国科学院大学 博士
工作经历
2023-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2018-03~2023-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2011-10~2018-02,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2011-09,中国科学院微电子研究所, 研究实习员
2018-03~2023-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2011-10~2018-02,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2011-09,中国科学院微电子研究所, 研究实习员
专利成果
[1] 王林飞等. 一种可控电阻型抗XX加固存储单元. 202018011056.3, 2020-11-06.
[2] 王林飞等. 一种可调电容型抗XX加固储存单元. 202018011051.0, 2020-11-06.
[3] 王林飞等. 存储器验证电路以及验证方法. CN: CN110111833A, 2019-08-09.
[4] 王林飞等. 一种集成芯片的制作方法. CN: CN106407556A, 2017-02-15.
[5] 王林飞等. 一种电路仿真方法及装置. CN: CN106126815A, 2016-11-16.
[6] 王林飞等.一种SRAM存储单元. 2023-10-30.
[7] 王林飞等.一种存内计算装置及计算方法. 2024-05-21.
[8]王林飞等. 一种存内计算装置及存内计算方法. 2024-05-27.
[2] 王林飞等. 一种可调电容型抗XX加固储存单元. 202018011051.0, 2020-11-06.
[3] 王林飞等. 存储器验证电路以及验证方法. CN: CN110111833A, 2019-08-09.
[4] 王林飞等. 一种集成芯片的制作方法. CN: CN106407556A, 2017-02-15.
[5] 王林飞等. 一种电路仿真方法及装置. CN: CN106126815A, 2016-11-16.
[6] 王林飞等.一种SRAM存储单元. 2023-10-30.
[7] 王林飞等.一种存内计算装置及计算方法. 2024-05-21.
[8]王林飞等. 一种存内计算装置及存内计算方法. 2024-05-27.
出版信息
发表论文
(1) 130nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究, 原子能科学技术, 2023, 第 3 作者(2) Elimination of Single-Event Upset Sensitivity for 6T SRAM in a 0.18 ��m DSOI technology Considering High LET Heavy Ions Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 第 9 作者(3) Impact of back-gate bias and body-tie on the DSOI SRAMs under total ionizing dose irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2023, 第 5 作者(4) Back gate impact on SEU characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, (5) Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, (6) 一种新型隧穿场效应晶体管, A New Type of Tunneling-FET, 半导体技术, 2019, 第 5 作者(7) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016, 第 1 作者(8) Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 极端环境关键核心芯片及FZ模拟测试技术研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10( 2 ) 高可靠SOI 存储器, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12( 3 ) 新型存储器件加固设计研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-09( 4 ) DRAM外围电路设计, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2023-12( 5 ) SOI集成电路技术研究, 参与, 其他国际合作项目, 2020-01--2022-12( 6 ) 新型可调控SOI技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2019-07--2022-06( 7 ) 基于SOI工艺的高可靠存储器研制, 负责人, 中国科学院计划, 2018-03--2021-12( 8 ) SRAM, 负责人, 国家任务, 2017-12--2021-06( 9 ) XXX存储器, 参与, 国家任务, 2014-10--2018-11
指导学生
已指导学生
许明鑫 硕士研究生 085400-电子信息
李倩 硕士研究生 085400-电子信息
杜文学 硕士研究生 085400-电子信息
倪潼 硕士研究生 085400-电子信息
现指导学生
张杰 硕士研究生 085400-电子信息
王梦琳 硕士研究生 085400-电子信息
王世威 硕士研究生 085400-电子信息
李媛媛 硕士研究生 085400-电子信息
兰奎龙 硕士研究生 085400-电子信息
刘晖 硕士研究生 085400-电子信息
崔振硕 硕士研究生 085400-电子信息
舒唯震 硕士研究生 085400-电子信息
廖羽琪 硕士研究生 085403-集成电路工程
陈彤 硕士研究生 085401-新一代电子信息技术(含量子技术等)
孙连泽 硕士研究生 085401-新一代电子信息技术(含量子技术等)