基本信息
卢维尔  女  硕导  中国科学院微电子研究所
email: luweier@ime.ac.cn
address: 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子研究所
postalCode: 100029

招生信息

   
招生专业
140100-集成电路科学与工程
招生方向
集成电路工艺技术,模拟电路测试表征技术
SOI材料与工艺技术

教育背景

2008-09--2012-06   中国科学院理化技术研究所   博士研究生

工作经历

   
工作简历
2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2008-09~2012-06,中国科学院理化技术研究所, 博士研究生

教授课程

微电子工艺与装备技术
半导体工艺与制造技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) '2023102499850, 2023, 第 1 作者, 专利号: '2023102499850

( 2 ) 一种菲涅尔波带片的设计方法、制作方法和设计装置, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113625379A

( 3 ) 一种薄膜材料结晶的装置和方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112899655A

( 4 ) 一种刻蚀装置及刻蚀方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110581095A

( 5 ) 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108063089A

出版信息

   
发表论文
(1) Fabrication of multilayer Fresnel zone plate for hard X-ray microscopy by atomic layer deposition and focused ion beam milling, VACUUM, 2023, 第 11 作者
(2) 3D fiber-probe surface plasmon resonance microsensor towards small volume sensing, SENSORS AND ACTUATORS: B. CHEMICAL, 2023, 第 11 作者
(3) 基于严格耦合波理论的硬X射线菲涅耳波带片设计, Design of Hard X-Ray Fresnel Zone Plates Based on Rigorous Coupled Wave Theory, 光学学报, 2021, 第 3 作者
(4) 原子层沉积生长速率的控制研究进展, Research Progress on Growth Rate Controlling of Atomic Layer Deposition, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2014, 第 11 作者
(5) Femtosecond direct laser writing of gold nanostructures by ionic liquid assisted multiphoton photoreduction, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2013, 第 11 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 碳硅融合材料与工艺技术研究, 参与, 国家任务, 2022-11--2027-11
( 2 ) 微焦X射线菲涅耳透镜的批量化制备技术, 负责人, 国家任务, 2018-10--2021-10
( 3 ) 脉冲气相沉积技术及大尺寸石墨烯生长机制研究, 负责人, 地方任务, 2017-05--2018-04
( 4 ) 场极化作用下石墨烯表面原子层沉积高k栅介质的生长机制研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12
( 5 ) 高性能激光脉冲薄膜制备系统, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2016-12
参与会议
(1)High performance Fresnel X-ray zone plate preparation technique based on atomic layer deposition   卢维尔   2019-04-12