基本信息
卢维尔  女  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: luweier@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子研究所
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
集成电路先导工艺技术
薄膜沉积设备研制与工艺开发,半导体材料与器件,原子层沉积
薄膜器件研制

教育背景

2008-09--2012-06   中国科学院理化技术研究所   博士研究生

工作经历

   
工作简历
2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2008-09~2012-06,中国科学院理化技术研究所, 博士研究生

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种高温原子层沉积装置和方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112899653A

( 2 ) 一种原子层沉积制备薄膜材料的装置和方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112899652A

( 3 ) 一种薄膜材料结晶的装置和方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112899655A

( 4 ) 一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112853278A

( 5 ) 一种转移金属基底上石墨烯薄膜的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112551517A

( 6 ) 一种用于湿法转移石墨烯薄膜的装置和方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112551516A

( 7 ) 一种场发射阴极电子源、阵列及电子发射方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN109300750B

( 8 ) 一种多支撑膜辅助的石墨烯电化学转移方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN109850882B

( 9 ) 一种X射线波带片制备系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108300980B

( 10 ) 一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108070843B

( 11 ) 一种场发射阴极电子源及其阵列, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110875165A

( 12 ) 一种刻蚀装置及刻蚀方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110581095A

( 13 ) 一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN107400920B

( 14 ) 一种变电场原子层沉积系统的控制方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106756886B

( 15 ) 一种中心柱形玻璃光纤的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109336418A

( 16 ) 一种石墨烯单晶的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109321973A

( 17 ) 一种脉冲激光沉积装置及其方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108342697A

( 18 ) 基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN103866268B

( 19 ) 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108063089A

( 20 ) 一种可变电场调制的远程等离子体原子层沉积系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106756885A

( 21 ) 一种石墨烯化学修饰方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106783560A

( 22 ) 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106531613A

( 23 ) 一种原子层沉积系统原位实时检测方法及装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106525883A

( 24 ) 用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866267A

( 25 ) 一种P-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866289A

( 26 ) 用于施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866271A

( 27 ) 原子层沉积制备Te-N共掺的氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866269A

( 28 ) 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866276A

( 29 ) 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866273A

( 30 ) 用于增加原子层沉积前驱体数量的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866278A

( 31 ) 原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866275A

( 32 ) 用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866270A

( 33 ) 一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866280A

( 34 ) 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866277A

( 35 ) 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866279A

( 36 ) 用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866272A

( 37 ) 基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866265A

( 38 ) 一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103866264A

( 39 ) 一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103866266A

出版信息

   
发表论文
(1) Investigation on the Preparation of High Precision Multilayer X ray Fresnel Zone Plates Based on Atomic Layer Deposition Technology, ACTA PHOTONICA SINICA, 2021, 通讯作者
(2) 基于原子层沉积技术的高精度多层膜X射线菲涅尔波带片的制备研究, Investigation on the Preparation of High Precision Multilayer X-ray Fresnel Zone Plates Based on Atomic Layer Deposition Technology, 光子学报, 2021, 第 4 作者
(3) 基于原子层沉积技术制备氧化钽薄膜及其特性研究, 材料导报, 2021, 第 5 作者
(4) Characterization and application in XRF of HfO_(2)-coated glass monocapillary based on atomic layer deposition, Characterization and application in XRF of HfO2-coated glass monocapillary based on atomic layer deposition*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 3 作者
(5) 原子层沉积法制备SnO2薄膜及其对钙钛矿电池的性能影响, 材料导报, 2021, 
(6) 基于耦合波理论的硬X射线菲涅尔波带片设计, 光学学报, 2021, 通讯作者
(7) 集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制, Novel Cluster Tool for Multilayer Nanofilm Deposition: An Instrumentation Study, 真空科学与技术学报, 2020, 第 7 作者
(8) 化学气相沉积技术制备亚厘米尺寸单晶石墨烯的工艺研究, Preparation Process of the Single Crystal Graphene with Different Sizes by Chemical Vapor Deposition, 材料导报, 2020, 第 2 作者
(9) PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术, An Improved Copper Etching Method that Involves PMMA/PVA Dual Support Membranes and Serves to Transfer Graphene, 材料导报, 2019, 第 2 作者
(10) Selective soluble polymer-assisted electrochemical delamination of chemical vapor deposition graphene, JOURNAL OF SOLID STATE ELECTROCHEMISTRY, 2019, 通讯作者
(11) Barrier tunneling of the loop-nodal semimetal in the hyperhoneycomb lattice, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2018, 第 3 作者
(12) 脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究, Study on Preparation and Properties of Superconducting Niobium Films by Pulsed Laser Deposition, 材料导报, 2018, 第 2 作者
(13) 直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性, 微纳电子技术, 2017, 第 5 作者
(14) 原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究, Dependence of ZnO Films Crystal Properties on Electric Field in Atomic Layer Deposition Process, 材料导报:纳米与新材料专辑, 2014, 第 1 作者
(15) 原子层沉积技术中电场对ZnO薄膜结晶性能的调制研究, 材料导报, 2014, 第 1 作者
(16) 原子层沉积生长速率的控制研究进展, Research Progress on Growth Rate Controlling of Atomic Layer Deposition, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2014, 
(17) Preparation of ZnO films with variable electric field-assisted atomic layer deposition technique, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 1 作者
(18) 原子层沉积生长速率的控制研究进展, Research Progress on Growth Rate Controlling of Atomic Layer Deposition, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2014, 通讯作者
(19) 原子层沉积法生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究, Investigation on the relationship between the properties of atomic layer deposition ZnO film and the dose of precursor, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
(20) 原子层沉积法生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究, Investigation on the relationship between the properties of atomic layer deposition ZnO film and the dose of precursor, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 4 作者
(21) Femtosecond direct laser writing of gold nanostructures by ionic liquid assisted multiphoton photoreduction, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2013, 通讯作者
(22) 原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展, Research Progress of ZnO Thin Films Deposited by Atomic Layer Deposition, 半导体技术, 2013, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 微焦X射线菲涅耳透镜的批量化制备技术, 负责人, 国家任务, 2018-10--2021-10
参与会议
(1)High performance Fresnel X-ray zone plate preparation technique based on atomic layer deposition   卢维尔   2019-04-12