2003-04--2006-03   日本东京大学   获得工学博士学位
1998-09--2003-03   兰州大学   获得理学博士学位
1992-09--1997-06   兰州大学   本科学习

   

2008-04~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2006-07~2008-03,日本产业技术综合研究所MIRAI项目, 特别研究员
2006-04~2006-06,日本东京大学, 特聘研究员
2003-04~2006-03,日本东京大学, 获得工学博士学位
1998-09~2003-03,兰州大学, 获得理学博士学位
1997-08~1998-08,中国空间技术研究院第510研究所, 助理工程师
1992-09~1997-06,兰州大学, 本科学习

2016-12-27-今,集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟, 秘书长
2016-06-11-今,北京电子制造装备行业协会, 副秘书长

微电子/光电子/智能制造产业技术与实践

   

（1） 极大规模集成电路关键技术研究集体, , 院级, 2015
（2） 日本半导体MIRAI项目最优秀奖, , 研究所（学校）, 2008
（3） 日本半导体MIRAI项目优秀奖, , 研究所（学校）, 2007

（ 1 ） 生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用, [[[", 第 9 作者, 专利号: [[[CN111693589A]]]

（ 2 ） 用于套刻精度测量的标记系统及量测方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113534626B

（ 3 ） 一种振荡器及其制造方法, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN112018231B

（ 4 ） 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113782607B

（ 5 ） 一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN113848687B

（ 6 ） 一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN113823553B

（ 7 ） 一种真空配管连接结构及方法, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN114517863B

（ 8 ） 一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN114192440B

（ 9 ） 一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN113823550B

（ 10 ） 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN113690219B

（ 11 ） 半导体器件及其制备方法, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN115831876B

（ 12 ） 光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN111897187B

（ 13 ） 半导体结构及其制备方法, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN113517257B

（ 14 ） 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113496908B

（ 15 ） 一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN117877984A

（ 16 ） 一种堆叠纳米线或片环栅器件及其制备方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN111312819B

（ 17 ） 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN113540027B

（ 18 ） 一种半导体结构、电子设备和方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113517261B

（ 19 ） 一种Z2-FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 2024, 第 14 作者, 专利号: CN113178489B

（ 20 ） 一种半导体器件的制造方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113506774B

（ 21 ） 一种半导体器件的制造方法, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN112038290B

（ 22 ） 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN111180519B

（ 23 ） 一种半导体结构及其制作方法, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN117577579A

（ 24 ） 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2024, 第 8 作者, 专利号: CN111180520B

（ 25 ） 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN111710717B

（ 26 ） 一种具有空气隙隔离的多层金属互连线结构及制作方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN117558705A

（ 27 ） 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113540348B

（ 28 ） 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2024, 第 6 作者, 专利号: CN113540026B

（ 29 ） 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2024, 第 4 作者, 专利号: CN113540347B

（ 30 ） 用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法, 2024, 第 5 作者, 专利号: CN113517256B

（ 31 ） 一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法, 2024, 第 7 作者, 专利号: CN112086516B

（ 32 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN117253913A

（ 33 ） 一种半导体器件的制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN117253878A

（ 34 ） 一种图案化方法、半导体器件, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN117238844A

（ 35 ） 一种用于半导体器件薄膜的制造方法及系统、半导体器件, 2023, 第 8 作者, 专利号: CN117238843A

（ 36 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN117096196A

（ 37 ） 一种半导体器件及制作方法和电子设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN113690218B

（ 38 ） 一种单片晶圆湿法腐蚀设备与工艺方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN117012669A

（ 39 ） 一种半导体器件的制造方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN111916398B

（ 40 ） 一种共形孔形成方法及半导体器件、电子设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN113690175B

（ 41 ） 一种半导体器件的制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116936478A

（ 42 ） 光刻胶输送系统, 2023, 第 8 作者, 专利号: CN114345644B

（ 43 ） 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN112071912B

（ 44 ） 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN111916448B

（ 45 ） 一种半导体器件及其制作方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN111710649B

（ 46 ） 一种半导体器件的制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116884847A

（ 47 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 2023, 第 14 作者, 专利号: CN113178488B

（ 48 ） 一种真空管线清洁系统及方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN114733857B

（ 49 ） 一种光子芯片晶圆级测试装置和方法, 2023, 第 8 作者, 专利号: CN112924143B

（ 50 ） 一种输送设备、滤罐更换方法和成膜系统, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN116658824A

（ 51 ） 一种电容器、电容器的形成方法及半导体器件, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN116669534A

（ 52 ） 一种化学机械平坦化设备、终点检测方法、装置及系统, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116652813A

（ 53 ） 一种半导体器件的制作方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116669533A

（ 54 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116598296A

（ 55 ） 一种铁电场效应晶体管及其制造方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN116504636A

（ 56 ） 一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN116486863A

（ 57 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116487439A

（ 58 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116469938A

（ 59 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN116454136A

（ 60 ） 一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111710716B

（ 61 ） 一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111710718B

（ 62 ） 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2023, 第 10 作者, 专利号: CN111415902B

（ 63 ） 一种半导体器件及其制备方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116387161A

（ 64 ） 集成电路设备和半导体器件的制备方法, 2023, 第 8 作者, 专利号: CN115881590A

（ 65 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN113130488B

（ 66 ） 氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN111929990B

（ 67 ） 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件, 2023, 第 9 作者, 专利号: CN112327412B

（ 68 ） 集成电路制造用的硬掩膜结构以及集成电路器件制造方法, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN115692179A

（ 69 ） 一种纳米线及其制作方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN111128676B

（ 70 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115662992A

（ 71 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2023, 第 5 作者, 专利号: CN115621320A

（ 72 ） 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN112151386B

（ 73 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115513142A

（ 74 ） 一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115483275A

（ 75 ） 一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115483289A

（ 76 ） 存储器芯片测试的失效比特图制作方法、装置及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115346589A

（ 77 ） 存储器晶圆测试系统及方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115331724A

（ 78 ） 半导体存储器件的制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115332178A

（ 79 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115224030A

（ 80 ） 半导体器件及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115207103A

（ 81 ） 半导体干燥方法以及DRAM电容器的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115206773A

（ 82 ） 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115206970A

（ 83 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115172447A

（ 84 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115116956A

（ 85 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115117147A

（ 86 ） 一种测试元件组及其测试方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115083501A

（ 87 ） 一种半导体集成电路结构及其制造方法、划片道结构, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115084100A

（ 88 ） 一种浅沟槽及其形成方法、半导体结构的制备方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115083996A

（ 89 ） 半导体结构及其制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115084139A

（ 90 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115084032A

（ 91 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115083906A

（ 92 ） 电源控制装置及其控制方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115050403A

（ 93 ） 一种鳍式场效应晶体管及其制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115050818A

（ 94 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115036357A

（ 95 ） 一种半导体器件、DRAM及其制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115020318A

（ 96 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115020409A

（ 97 ） 一种测试元件组及其测试方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115019873A

（ 98 ） 一种环栅晶体管的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115020233A

（ 99 ） 一种晶圆清洗方法和装置, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114975076A

（ 100 ） 一种半导体器件的制造方法及半导体器件, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114975443A

（ 101 ） 光刻胶涂布方法, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114967346A

（ 102 ） 一种蜂窝状结构的刻蚀方法, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114975093A

（ 103 ） 一种多晶硅薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114975074A

（ 104 ） 一种浅沟槽隔离方法以及浅沟槽隔离结构, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114975227A

（ 105 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114975282A

（ 106 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114944392A

（ 107 ） 一种环栅晶体管及其制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114899236A

（ 108 ） DRAM及其制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114883327A

（ 109 ） 过滤装置及具有其的光刻胶涂布系统, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114870628A

（ 110 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114883270A

（ 111 ） 一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114857282A

（ 112 ） 一种晶圆加工方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114864385A

（ 113 ） 一种电容器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114824075A

（ 114 ） 芯片注塑装置及方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114823365A

（ 115 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114823668A

（ 116 ） 一种半导体结构及其处理方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114792625A

（ 117 ） 动态随机存储器的芯片测试方法及装置, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114765049A

（ 118 ） 一种掩埋沟道晶体管及其制造方法、半导体器件及电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114744031A

（ 119 ） 一种半导体栅极结构及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114744030A

（ 120 ） 一种基于曝光区域的芯片封装处理方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114743889A

（ 121 ） 一种电容结构、DRAM及其制造方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114743954A

（ 122 ） 一种真空管线清洁系统及方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114733857A

（ 123 ） 一种晶体管的制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114709135A

（ 124 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114709175A

（ 125 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114709222A

（ 126 ） 一种半导体器件及其制备方法和存储器件, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114695357A

（ 127 ） 一种半导体器件及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114695152A

（ 128 ） 一种在半导体器件中形成接触孔的方法、电容器制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114678324A

（ 129 ） 一种加热器及加热系统, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114679800A

（ 130 ） 栅极及MOSFET的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114678269A

（ 131 ） 栅叠层结构、栅极、DRAM及其制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114678268A

（ 132 ） 一种半导体结构及栅极的制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114678417A

（ 133 ） 半导体存储器件及其制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114678359A

（ 134 ） 晶圆晶边清洗装置及方法、涂布设备, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114675493A

（ 135 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114678329A

（ 136 ） 柱状电容器结构、柱状电容器的形成方法、DRAM和电子设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114664827A

（ 137 ） 一种制造半导体结构的方法及半导体结构, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114628389A

（ 138 ） 氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114628254A

（ 139 ） 半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114628315A

（ 140 ） 一种着陆焊盘和DRAM的形成方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114628264A

（ 141 ） 一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114613730A

（ 142 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114613769A

（ 143 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114613770A

（ 144 ） 具有高驱动能力和陡峭SS特性的半导体器件及制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114566549A

（ 145 ） 半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114542425A

（ 146 ） 一种用于控制晶片边缘关键尺寸的系统及方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114551204A

（ 147 ） 一种真空配管连接结构及方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114517863A

（ 148 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114497028A

（ 149 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114497028A

（ 150 ） 半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114497028A

（ 151 ） 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114464574A

（ 152 ） 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114464574A

（ 153 ） 堆叠式存储器及其制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114446334A

（ 154 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114446885A

（ 155 ） 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114446335A

（ 156 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114446885A

（ 157 ） 堆叠式存储器及其制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114446334A

（ 158 ） 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114446335A

（ 159 ） 一种超临界干燥装置及超临界干燥设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114427781A

（ 160 ） 反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114429991A

（ 161 ） 三通阀及半导体制造设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114382918A

（ 162 ） 一种喷头、半导体设备以及镀膜方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114381715A

（ 163 ） 贴片装置以及贴片装置的控制方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114361061A

（ 164 ） 光刻胶输送系统, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114345644A

（ 165 ） 非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114334630A

（ 166 ） 与非门树结构, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114217193A

（ 167 ） 一种半导体器件的制造方法及半导体器件, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114203903A

（ 168 ） 一种测试设备及集成电路测试方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114200370A

（ 169 ） 一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114192440A

（ 170 ） 一种基板及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN110739206B

（ 171 ） 一种基板及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN110752180B

（ 172 ） 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN111569963B

（ 173 ） 半导体结构与其制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN109950153B

（ 174 ） 一种半导体器件结构的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114141710A

（ 175 ） 具有气隙的互连结构及方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114121881A

（ 176 ） 一种芯片和芯片的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114093782A

（ 177 ） 一种硬掩模图案的制造方法和DRAM电容的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114093754A

（ 178 ） 纳米线器件的制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN109830525B

（ 179 ） 形成用于半导体的电容器结构的方法和电容器, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114068414A

（ 180 ） 形成用于半导体的电容器结构的方法、电容器和电子设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114068417A

（ 181 ） 半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114068541A

（ 182 ） 半导体电容器结构及制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114068540A

（ 183 ） 制造DRAM电容器的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114068416A

（ 184 ） 光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114054287A

（ 185 ） 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114038911A

（ 186 ） 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN111585152B

（ 187 ） 一种纳米线结构及其制造方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN108470685B

（ 188 ） 一种刻蚀方法、半导体器件及电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113972129A

（ 189 ） 一种半导体器件及其制造方法和电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113972208A

（ 190 ） 半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964124A

（ 191 ） 一种用于形成半导体器件图案的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964025A

（ 192 ） 一种半导体结构、半导体结构的制造方法及一种电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113964104A

（ 193 ） 一种制造半导体器件的方法, 2022, 专利号: CN113964044A

（ 194 ） T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964028A

（ 195 ） 堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113937090A

（ 196 ） 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903739A

（ 197 ） 半导体结构、制造方法及电子设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113903737A

（ 198 ） 晶圆的处理方法及激光退火装置, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903653A

（ 199 ） 半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113903738A

（ 200 ） 具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903735A

（ 201 ） 标签的识别及处理方法以及标签的识别及处理系统, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903678A

（ 202 ） 一种半导体结构、制造方法及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113903736A

（ 203 ） 一种抛光垫材料及抛光垫, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113896856A

（ 204 ） 一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113848687A

（ 205 ） 一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113851370A

（ 206 ） 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN113838851A

（ 207 ） 低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113838907A

（ 208 ） 双重构图的曝光方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113835302A

（ 209 ） 一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113823553A

（ 210 ） 一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113823550A

（ 211 ） 一种多重图形化的方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113808938A

（ 212 ） 刻蚀腔室中原位类原子层沉积方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113808910A

（ 213 ） 半导体器件的应力测量装置以及方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113791325A

（ 214 ） 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113782605A

（ 215 ） 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113782607A

（ 216 ） 半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113764416A

（ 217 ） 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN111244193B

（ 218 ） 一种共形孔形成方法及半导体器件、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113690175A

（ 219 ） 一种金属硅化物的制备方法、半导体器件、电子设备, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113690133A

（ 220 ） 一种半导体器件及制作方法和电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113690218A

（ 221 ） 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113690219A

（ 222 ） 一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110867461B

（ 223 ） 改进的光刻方法, 2021, 专利号: CN113534627A

（ 224 ） 半导体器件套刻精度的测量方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113539867A

（ 225 ） 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113540027A

（ 226 ） 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113540348A

（ 227 ） 光刻胶涂布系统及方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN111570150B

（ 228 ） 一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN113540246A

（ 229 ） 电容器结构及其制造方法, 2021, 专利号: CN113517399A

（ 230 ） 晶圆的处理方法, 2021, 专利号: CN113517176A

（ 231 ） 金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517219A

（ 232 ） 一种半导体结构及其制备方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113517287A

（ 233 ） 汽化装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积中汽化前驱体的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113512718A

（ 234 ） 用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113517256A

（ 235 ） 半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517218A

（ 236 ） 一种半导体结构、电子设备和方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113517261A

（ 237 ） 一种半导体器件及其形成方法、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517286A

（ 238 ） 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517171A

（ 239 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113506774A

（ 240 ） 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113496994A

（ 241 ） 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113496908A

（ 242 ） 谐振模式的操纵方法及操纵系统、电子设备和存储介质, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113391377A

（ 243 ） 一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110729248B

（ 244 ） 纳米线围栅MOS器件及其制备方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN108962750B

（ 245 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113314423A

（ 246 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113314423A

（ 247 ） 一种纳米网的制备方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN113173553A

（ 248 ） 一种垂直纳米线阵列的制备方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113173557A

（ 249 ） 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN113173555A

（ 250 ） 一种硅基电光调制器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113176675A

（ 251 ） 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 2021, 第 14 作者, 专利号: CN113178489A

（ 252 ） 一种半导体结构及其制备方法, 2021, 专利号: CN109003902B

（ 253 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130630A

（ 254 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130630A

（ 255 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130485A

（ 256 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130485A

（ 257 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 专利号: CN113130488A

（ 258 ） 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113130489A

（ 259 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113013164A

（ 260 ） 一种集成电路, 2021, 专利号: CN112992886A

（ 261 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 专利号: CN112992899A

（ 262 ） 一种光子芯片晶圆级测试装置和方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112924143A

（ 263 ） 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN112731073A

（ 264 ） 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN112731073A

（ 265 ） 确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN112649699A

（ 266 ） 一种热光器件及其制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112558331A

（ 267 ） 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112563403A

（ 268 ） 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112563402A

（ 269 ） 一种纳米森林结构的制备方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112520688A

（ 270 ） 利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462468A

（ 271 ） 利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462470A

（ 272 ） 制作光子晶体的方法及光子晶体, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462452A

（ 273 ） 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112327412A

（ 274 ） 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN110938434B

（ 275 ） 一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112185892A

（ 276 ） 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112186040A

（ 277 ） 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112151386A

（ 278 ） 一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112114998A

（ 279 ） 一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112086516A

（ 280 ） 检测及清理光掩模的玻璃面及膜面上的微尘的装置及方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112051273A

（ 281 ） 一种振荡器及其制造方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112038483A

（ 282 ） 一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112038291A

（ 283 ） 一种立式化学气相沉积炉及其应用, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112030140A

（ 284 ） 高吸收热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111969098A

（ 285 ） 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111964794A

（ 286 ） 高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111952326A

（ 287 ） 氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111929990A

（ 288 ） 掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111908124A

（ 289 ） 一种用于晶圆烘烤的温度控制方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111900076A

（ 290 ） 光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111897187A

（ 291 ） 用于识别晶圆的识别标记、在晶圆上形成识别标记的系统及方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111900147A

（ 292 ） 一种用于半导体制造的气体混合设备及混合方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111816586A

（ 293 ） 一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111799331A

（ 294 ） 光刻胶涂布喷嘴及具有其的光刻胶涂布设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111739823A

（ 295 ） 一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111710718A

（ 296 ） 一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111710716A

（ 297 ） 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111710713A

（ 298 ） 厚度测量装置、系统及测量方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111649680A

（ 299 ） 气流扩散装置及扩散炉, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111575799A

（ 300 ） 热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111540824A

（ 301 ） 一种膜板、研磨头和化学机械研磨装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111469044A

（ 302 ） 一种电荷捕获型存储器及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111463217A

（ 303 ） 用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111443577A

（ 304 ） 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111446297A

（ 305 ） 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN111415902A

（ 306 ） 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111370308A

（ 307 ） 衬底键合方法、三维集成基板及电路、电子设备和芯片, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111370321A

（ 308 ） 一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111341909A

（ 309 ） 一种堆叠纳米线或片环栅器件及其制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111312819A

（ 310 ） 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111211110A

（ 311 ） 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111180520A

（ 312 ） 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111180519A

（ 313 ） 一种纳米线及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111128676A

（ 314 ） 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111115561A

（ 315 ） 一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111081867A

（ 316 ） 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111029258A

（ 317 ） 一种钽掩模的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111009462A

（ 318 ） 一种表面电极离子阱与硅光器件的集成结构及三维架构, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110943133A

（ 319 ） 一种半导体器件纳米线及其制备方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN110896027A

（ 320 ） 一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110896055A

（ 321 ） 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110896034A

（ 322 ） 表面电极离子阱与硅光寻址及探测器、及架构的集成方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110854235A

（ 323 ） 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110752155A

（ 324 ） 一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110752156A

（ 325 ） 一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110739272A

（ 326 ） 一种接触孔制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110634801A

（ 327 ） 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110620033A

（ 328 ） 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110527978A

（ 329 ） 一种氧化钒薄膜的制备方法, 2019, 专利号: CN110453175A

（ 330 ） 一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110349915A

（ 331 ） 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110335813A

（ 332 ） 一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110224029A

（ 333 ） 一种高光谱图像传感器的单片集成方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110190078A

（ 334 ） 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110174453A

（ 335 ） 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 2019, 第 11 作者, 专利号: CN110164762A

（ 336 ） RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110165051A

（ 337 ） 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110164851A

（ 338 ） 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110137275A

（ 339 ） 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110137308A

（ 340 ） 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110137073A

（ 341 ） 一种微电极及其形成方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110104609A

（ 342 ） 半导体器件和制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110061060A

（ 343 ） 半导体器件和制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110061060A

（ 344 ） 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 2019, 第 11 作者, 专利号: CN110002393A

（ 345 ） 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109950153A

（ 346 ） 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109920738A

（ 347 ） 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109920842A

（ 348 ） 一种多态存储器及其制造方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109904309A

（ 349 ） 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109904234A

（ 350 ） 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109904060A

（ 351 ） 半导体结构与其制作方法, 2019, 专利号: CN109887847A

（ 352 ） 半导体结构及其形成方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105932053B

（ 353 ） 纳米线器件的制作方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109830525A

（ 354 ） 半导体装置及其制造方法及包括该装置的电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109755242A

（ 355 ） 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109599335A

（ 356 ） 半导体器件与其制作方法, 2019, 专利号: CN109599367A

（ 357 ） 半导体器件与其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109599367A

（ 358 ） 半导体器件及其制造方法, 2019, 专利号: CN109585538A

（ 359 ） 一种氮化硅光波导及其制造方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109298484A

（ 360 ） 自旋轨道转矩驱动器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109301063A

（ 361 ） 一种光学波导器件的形成方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109143465A

（ 362 ） 包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件, 2018, 第 9 作者, 专利号: CN108922846A

（ 363 ） 包括纳米线的器件与其制作方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108878422A

（ 364 ） 半导体器件与其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108831926A

（ 365 ） 一种纳米线沟道制作方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108807149A

（ 366 ） 一种探测器、热敏电阻、氧化钒薄膜及其制造方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108807346A

（ 367 ） 半导体器件与其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807278A

（ 368 ） 一种纳米线的制作方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108807170A

（ 369 ） 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108565221A

（ 370 ） CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108511392A

（ 371 ） CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108493157A

（ 372 ） 一种纳米线结构及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108470685A

（ 373 ） CMOS器件及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108428667A

（ 374 ） 一种CMOS纳米线及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108172546A

（ 375 ） 一种堆叠纳米线及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108155101A

（ 376 ） 一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107039283A

（ 377 ） 一种基于单原子层沉积的金属生长方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106987825A

（ 378 ） 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106601674A

（ 379 ） 氮化镓器件介质生长方法及系统, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105957824A

（ 380 ） Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same, 2016, 第 5 作者, 专利号: US20160268124(A1)

（ 381 ） 一种GaN基功率电子器件及其制备方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105895526A

（ 382 ） 面向GaN器件的介质生长系统及其操作方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105470169A

（ 383 ） 半导体器件制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104766823A

（ 384 ） 低界面态器件及其制造方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104658894A

（ 385 ） 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465493A

（ 386 ） 降低栅介质的泄漏电流的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104377126A

（ 387 ） 金属栅电极等效功函数调节方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104347411A

（ 388 ） 一种刻蚀方法, 2014, 专利号: CN104211010A

（ 389 ） 采用电子束工艺定义连接孔的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103794551A

（ 390 ） 一种半导体结构及其制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681801A

（ 391 ） 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579113A

（ 392 ） 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545191A

（ 393 ） 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545190A

（ 394 ） 栅极结构、半导体器件和两者的形成方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103545189A

（ 395 ） 一种低功函数金属栅形成方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545182A

（ 396 ） 半导体器件制造方法, 2014, 专利号: CN103531540A

（ 397 ） 一种悬浮结构MEMS器件及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103130177A

（ 398 ） SEMICONDUCOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 2013, 第 1 作者, 专利号: US2013092986A1

（ 399 ） 一种半导体器件的制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102222616B

（ 400 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102064176B

（ 401 ） 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102832127A

（ 402 ） Method of manufacturing a high-performance semiconductor device, 2012, 第 2 作者, 专利号: US8329566(B2)

（ 403 ） 开口的填充方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543835A

（ 404 ） 带有存储功能的MOS器件及其形成方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543734A

（ 405 ） 一种半导体工艺的测试结构及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102468271A

（ 406 ） 一种石墨烯器件及其制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468333A

（ 407 ） 一种高介电常数栅介质材料及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102453866A

（ 408 ） CMOSFET DEVICE WITH CONTROLLED THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME, 2012, 第 1 作者, 专利号: US20120104506(A1)

（ 409 ） 后栅工艺中金属栅的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102437032A

（ 410 ） 一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386085A

（ 411 ） 一种石墨烯器件及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102376624A

（ 412 ） 一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339736A

（ 413 ） 一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339752A

（ 414 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102299156A

（ 415 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102299156A

（ 416 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 专利号: CN102299155A

（ 417 ） 一种半导体器件的制造方法, 2011, 专利号: CN102299061A

（ 418 ） 一种半导体器件的形成方法及其半导体器件, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102299110A

（ 419 ） 半导体结构及其形成方法, 2011, 专利号: CN102237398A

（ 420 ） 一种半导体器件的制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102222616A

（ 421 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102110689A

（ 422 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102110689A

（ 423 ） 一种制作CMOSFETs器件结构的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102104024A

（ 424 ） CMOS器件叠层栅形成方法及其结构, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102074574A

（ 425 ） 一种制造半导体器件的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102064133A

（ 426 ） 一种石墨烯器件及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102054869A

（ 427 ） 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102044442A

（ 428 ） 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101964345A

（ 429 ） 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101930979A

（ 430 ） 调节高k栅介质和金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101924034A

（ 431 ） 高性能半导体器件的形成方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101840862A

（ 432 ） 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101783298A

（ 433 ） 高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740371A

（ 434 ） 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740570A

（ 435 ） 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740369A

（ 436 ） 用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101599436A

（ 437 ） CMOS器件金属栅极及其形成方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494236A

   

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（47） Design impact on the performance of Ge PIN photodetectors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者
（48） Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 8 作者
（49） On the applicability of Gibbs free energy landscape to the definition and understanding of transient negative capacitance in a ferroelectric capacitor, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
（50） Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2020, 第 8 作者
（51） Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 12 作者
（52） Investigation of Ultrathin Ni Germanosilicide for Advanced pMOS Contact Metallization, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 13 作者
（53） Investigation on thermal stability of Si0.7Ge0.3/Si stacked multilayer for gate-all-around MOSFETS, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 16 作者
（54） The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O-2/He Plasmas for Thermopile Devices, MATERIALS, 2020, 第 14 作者
（55） Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications, NANOMATERIALS, 2020, 第 15 作者
（56） Comparative study on NBTI kinetics in Si p-FinFETs with B2H6-based and SiH4-based atomic layer deposition tungsten (ALD W) filling metal, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 17 作者  通讯作者
（57） 基于吉布斯自由能分布来定义和理解瞬态负电容的适用性, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 第 1 作者
（58） Degradation Mechanism of Short Channel p-FinFETs under Hot Carrier Stress and Constant Voltage Stress, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 9 作者  通讯作者
（59） Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 18 作者  通讯作者
（60） SiNx films and membranes for photonic and MEMS applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 14 作者
（61） Specific Contact Resistivity Improvement by As Preamorphization Implantation for Ti-Based Ohmic Contacts on n(+)-Si, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 10 作者
（62） Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 第 14 作者  通讯作者
（63） Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 16 作者
（64） Influence of interlayer GeOx thickness on band alignment of Al2O3/GeOx/Ge structure, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 8 作者
（65） O-2 plasma treated biosensor for enhancing detection sensitivity of sulfadiazine in a high-K HfO2 coated silicon nanowire array, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2020, 第 14 作者
（66） Experimental investigation of fundamental film properties for Co1-xTix alloying films with different compositions (0 <= x <= 1), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 10 作者
（67） Effects of Ni Film Thickness on the Properties of Ni-Based Silicides Formed on Both Highly Doped n- and p-Si Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 12 作者
（68） Selective wet etching in fabricating SiGe nanowires with TMAH solution for gate-all-around MOSFETs, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 11 作者
（69） Impact of Ge pre-amorphization implantation on Co/Co-Ti/n(+)-Si contacts in advanced Co interconnects, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 15 作者
（70） Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 12 作者
（71） Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 第 26 作者  通讯作者
（72） Understanding the mechanisms impacting the interface states of ozone-treated high-k/SiGe interfaces, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者  通讯作者
（73） Fabrication technique of the Si0.5Ge0.5 Fin for the high mobility channel FinFET device, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 17 作者  通讯作者
（74） Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors, Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 第 9 作者
（75） A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 第 25 作者  通讯作者
（76） Impact of Electron trapping on Energy Distribution Characterization of NBTI-Related Defects for Si p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 第 9 作者  通讯作者
（77） Growth of SiGe layers in source and drain regions for 10 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 15 作者
（78） Electron mobility in silicon nanowires using nonlinear surface roughness scattering model, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
（79） Investigation of NiGe Films Formed on Both n(+)- and p(+)-Ge with P and B Ion Implantation before Germanidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 9 作者
（80） COMPREHENSIVE STUDY OF INTERFACIAL CHARGES IN THE GEO(X)/AL(2)O(3) GATE STACK OF GE BY OZONE OXIDATION, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 6 作者
（81） A novel three-layer graded SiGe strain relaxed buffer for the high crystal quality and strained Si0.5Ge0.5 layer epitaxial grown, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 15 作者  通讯作者
（82） Revealing the Positive Bias Temperature Instability in Normally-OFF AlGaN/GaN MIS-HFETs by Constant-Capacitance DLTS, 2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD), 2019, 第 11 作者
（83） Identification of a suitable passivation route for high-k/SiGe interface based on ozone oxidation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 第 10 作者  通讯作者
（84） Monolithic integration of E/D-mode GaN MIS-HEMTs on ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure on Si substrates, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 9 作者
（85） A High-Performance Source-Pocket Tunnel Field-Effect Transistor, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 17 作者
（86） Experimental Investigation of Remote Coulomb Scattering on Mobility Degradation of Ge pMOSFET by Various PDA Ambiences, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 11 作者  通讯作者
（87） High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50���nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 15 作者
（88） Comprehensive Study and Design of High-k/SiGe Gate Stacks with Interface-Engineering by Ozone Oxidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
（89） Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 第 11 作者
（90） Process optimization of the Si0.7Ge0.3 Fin Formation for the STI first scheme, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 11 作者
（91） Exploration of the impact of interface states density on the specific contact resistivity in TiSix/n(+)-Si Ohmic contacts through high-low frequency method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 8 作者
（92） Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 12 作者
（93） FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 13 作者
（94） Impacts of Ge Preamorphization Implantation and Si Capping on the Specific Contact Resistivity of Ni(Pt) SiGe/p(+)-SiGe Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 7 作者
（95） NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响, Effects of NH3 Plasma Passivation on the Interface of Al2O3/SiGe, 半导体技术, 2019, 第 7 作者
（96） Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 13 作者
（97） Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 7 作者
（98） Co-sputtering Co-Ti alloy as a single barrier/liner for Co interconnects and thermal stability enhancement using TiN metal capping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 9 作者
（99） Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/AL(2)O(3) gate stacks of Ge MOS capacitor by postdeposition annealing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 11 作者  通讯作者
（100） Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si-0.45, Ge-0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5nm Technology Node, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2018, 第 11 作者
（101） Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 8 作者
（102） Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 6 作者
（103） 接触电阻技术研究新进展, Latest Development of Contact Resistivity Technology, 微电子学, 2018, 第 5 作者
（104） Fabrication Technique for pMOSFET poly-Si/TaN/TiN/HfSiAlON Gate Stack, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者  通讯作者
（105） Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 第 9 作者
（106） Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 11 作者  通讯作者
（107） Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 第 5 作者
（108） Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 7 作者
（109） Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated p-CMOSFETs, 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018, 第 10 作者
（110） Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, 中国物理B：英文版, 2018, 第 3 作者
（111） Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process for Real Time Monitoring Cellular Ion Actitivies, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 第 16 作者
（112） Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 10 作者  通讯作者
（113） Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 第 7 作者
（114） Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 12 作者
（115） Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 14 作者
（116） Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, Chinese Physics B, 2018, 第 3 作者
（117） Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGex on both n- and p-Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 8 作者
（118） Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（119） 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 中国科技成果, 2017, 第 7 作者
（120） Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, CHIN. PHYS. B, 2017, 第 5 作者
（121） Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
（122） Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO growth by plasma post-oxidation, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 1 作者
（123） Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
（124） Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeOx growth by plasma post-oxidation, Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO_x growth by plasma post-oxidation, Chinese Physics B, 2017, 第 6 作者
（125） On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 8 作者
（126） Experimental estimation of charge neutrality level of SiO2, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 第 5 作者
（127） Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 7 作者  通讯作者
（128） Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering and Distribution of Charge and Dipole in Al2O3/GeOx Gate Stacks of Ge Based MOSFET, 2017, 第 5 作者
（129） Experimental Investigation on Growth Mechanism of GeOx Layer Formed by Plasma Post Oxidation Based on Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy, 2017, 第 5 作者
（130） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET, IEEE TRANSACTRIONS ON ELELCTRON DIVECES, 2017, 第 5 作者
（131） A Modified Scheme to Reduce the Specific Contact Resistivity of NiSi/Si Contacts by Means of Dopant Segregation Technique, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
（132） Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 第 10 作者  通讯作者
（133） Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO_2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chinese Physics B, 2017, 第 5 作者  通讯作者
（134） Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP, 2017, 第 2 作者
（135） Junction Control by Carbon and Phosphorus Co-Implantation in Pre-Amorphized Germanium, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TEHCHNOLOGY, 2016, 第 6 作者
（136） Experimental investigation on oxidation kinetics of germanium by ozone, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 4 作者
（137） Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thin EOT high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（138） Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl4 and TMA precursors, CHIN. PHYS. B, 2016, 第 3 作者
（139） 适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究, Basic Research of Devices and Circuits Integrated Process for 16 nm Technology Node and Below, 科技创新导报, 2016, 第 4 作者
（140） Electrical Properties of Ultrathin Hf-Ti-O Higher k Gate Dielectric Films and Their Application in ETSOI MOSFET, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 8 作者
（141） Investigation of spatial charge distribution and electrical dipole in atomic layer deposited Al2O3 on 4H-SiC, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（142） Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 第 3 作者  通讯作者
（143） Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-kappa metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（144） Thermal atomic layer deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as precursors, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 6 作者
（145） Temperature-and voltage-dependent trap generation model in high-kappa metal gate MOS device with percolation simulation, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（146） Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第 12 作者
（147） Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 10 作者
（148） Atomic layer deposition assisted pattern transfer technology for ultra-thin block copolymer films, THIN SOLID FILMS, 2016, 第 7 作者
（149） Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 8 作者
（150） Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeO x /Al2O3 gate dielectrics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 4 作者  通讯作者
（151） On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping, ECS TRANSACTIONS, 2016, 第 9 作者
（152） Dependence of electrostatic potential distribution of Al 2 O 3 /Ge structure on Al 2 O 3 thickness, SURFACE SCIENCE, 2016, 第 3 作者  通讯作者
（153） Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gatebased on TiCl4 and TMA precursors, Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl_4 and TMA precursors, Chinese Physics B, 2016, 第 5 作者
（154） Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high- k /metal gate nMOSFETs with gate-last process, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 9 作者
（155） Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, Chinese Physics B, 2015, 第 8 作者  通讯作者
（156） Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 31 作者
（157） Investigation of TiAlC by Atomic Layer Deposition as N Type Work Function Metal for FinFET, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 9 作者
（158） 高k栅介质/金属栅全后栅结构NMOSFET器件的PBTI特性表征, JOURNALOFSEMICONDUCTORS, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（159） Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, Chinese Physics B, 2015, 第 3 作者
（160） Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, Chinese Physics B, 2015, 第 9 作者
（161） PBTI的负电荷能量分布提取, Chinese Physics B, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（162） 超薄TiN厚度对后栅工艺MOS器件的PBTI特性影响, Chinese Physics B, 2015, 第 1 作者  通讯作者
（163） Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO_2 interface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
（164） Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 3 作者
（165） Investigation on the dominant key to achieve superior Ge surface passivation by GeOx based on the ozone oxidation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 3 作者  通讯作者
（166） Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation monitored by contact resistivity measurements, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 6 作者
（167） 帽层TiN、TaN厚度的工艺条件对高k栅介质/金属栅结构MOSCAP的有效功函数的影响, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者
（168） 通过TiN/TaN堆叠厚度调制高k栅介质/金属栅结构nMOSCAP有效功函数的方法, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者
（169） A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique, VACUUM, 2014, 第 5 作者
（170） The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 3 作者
（171） Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 31 作者
（172） Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO_2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, Chinese Physics B, 2014, 第 5 作者
（173） Interaction of Gd and N incorporation on the band structure and oxygen vacancies of HfO2 gate dielectric films, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2014, 第 10 作者
（174） Effects of carbon pre-silicidation implant into Si substrate on NiSi, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 6 作者
（175） An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 3 作者
（176） Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 9 作者
（177） Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO2 dielectric, Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric, Chinese Physics B, 2013, 第 4 作者
（178） Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 8 作者
（179） Effect of low temperature annealing on the electrical properties of an MOS capacitor with a HfO_2 dielectric and a TiN metal gate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 5 作者
（180） A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
（181） Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-fieldeffect-transistors induced by charge trapping under normal and reverse channel hot carrier stresses, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者  通讯作者
（182） A possible origin of core-level shifts in SiO2/Si stacks, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 1 作者  通讯作者
（183） Hierarchical Mo-decorated Co3O4 nanowire arrays on Ni foam substrates for advanced electrochemical capacitors, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2013, 第 3 作者
（184） Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者  通讯作者
（185） Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者  通讯作者
（186） Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者  通讯作者
（187） Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS, 2012, 第 10 作者
（188） Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 9 作者
（189） Electric Dipole at High-k/SiO2 Interface and Physical Origin by Dielectric Contact Induced Gap States, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
（190） Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 6 作者
（191） Antireflection properties and solar cell application of silicon nanostructures, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第 11 作者
（192） 高k栅介质/金属栅结构MOS器件中的偶极子物理机制, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者  通讯作者
（193） 高k栅介质／金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术, The Technology of EOT Control in High k Dielectric/ metal Gate Electrode CMOS Device, 电子工业专用设备, 2010, 第 2 作者
（194） Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 第 3 作者  通讯作者
（195） MOS器件中高k栅介质/SiO2界面偶极子对平带电压的影响, APPLIEDPHYSICSLETTERS, 2010, 第 1 作者  通讯作者
（196） (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（197） Al扩散诱导的正向平带电压偏移对高k栅介质结构pMOSFET器件的影响, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
（198） (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（199） TaCx、HfCx/HfO2结构栅堆叠中金属碳化物诱导的负向平带电压偏移研究, 2008, 第 1 作者
（200） 含Al高k栅介质堆栈中平带电压的异常偏移特性研究, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（201） Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
（202） HfLaON/TaN结构MOS器件的热稳定性研究, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（203） 利用快速热退火辅助MOCVD方法制备HfN金属栅电极研究, Microelectronics Engineering, 2008, 第 1 作者

Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Application, Wiley, 2013-07, 第 1 作者

   

（ 1 ） 3-1nm集成电路新器件与先导工艺, 负责人, 中国科学院计划, 2019-10--2020-10
（ 2 ） 高迁移率沟道纳米线的关键共性技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 3 ） 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 4 ） 基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究：界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制, 负责人, 国家任务, 2016-01--2017-12
（ 5 ） 20-14nm技术知识产权与研发联盟技术创新战略研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 6 ） 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 负责人, 国家任务, 2016-01--2020-12
（ 7 ） 14纳米以下技术代硅基新型器件及关键工艺技术研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2017-12
（ 8 ） 32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化, 负责人, 国家任务, 2011-01--2016-12