基本信息
王文武  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: wangwenwu@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080402-测试计量技术及仪器
招生方向
集成电路先导工艺技术
CMOS器件与集成技术

教育背景

2003-04--2006-03   日本东京大学   获得工学博士学位
1998-09--2003-03   兰州大学   获得理学博士学位
1992-09--1997-06   兰州大学   本科学习

工作经历

   
工作简历
2008-04~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2006-07~2008-03,日本产业技术综合研究所MIRAI项目, 特别研究员
2006-04~2006-06,日本东京大学, 特聘研究员
2003-04~2006-03,日本东京大学, 获得工学博士学位
1998-09~2003-03,兰州大学, 获得理学博士学位
1997-08~1998-08,中国空间技术研究院第510研究所, 助理工程师
1992-09~1997-06,兰州大学, 本科学习
社会兼职
2016-12-27-今,集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟, 秘书长
2016-06-11-今,北京电子制造装备行业协会, 副秘书长

教授课程

微电子/光电子/智能制造产业技术与实践

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 极大规模集成电路关键技术研究集体, , 院级, 2015
(2) 日本半导体MIRAI项目最优秀奖, , 研究所(学校), 2008
(3) 日本半导体MIRAI项目优秀奖, , 研究所(学校), 2007
专利成果
( 1 ) 生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用, [[[", 第 9 作者, 专利号: [[[CN111693589A]]]

( 2 ) 与非门树结构, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114217193A

( 3 ) 一种半导体器件的制造方法及半导体器件, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114203903A

( 4 ) 一种测试设备及集成电路测试方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114200370A

( 5 ) 一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114192440A

( 6 ) 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN111569963B

( 7 ) 一种基板及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN110752180B

( 8 ) 一种半导体器件结构的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114141710A

( 9 ) 具有气隙的互连结构及方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114121881A

( 10 ) 一种芯片和芯片的制造方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114093782A

( 11 ) 一种硬掩模图案的制造方法和DRAM电容的制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114093754A

( 12 ) 形成用于半导体的电容器结构的方法和电容器, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114068414A

( 13 ) 形成用于半导体的电容器结构的方法、电容器和电子设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114068417A

( 14 ) 半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114068541A

( 15 ) 半导体电容器结构及制造方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114068540A

( 16 ) 制造DRAM电容器的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114068416A

( 17 ) 光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114054287A

( 18 ) 一种半导体器件及其制备方法、电子设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114038911A

( 19 ) 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN111585152B

( 20 ) 一种刻蚀方法、半导体器件及电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113972129A

( 21 ) 一种半导体器件及其制造方法和电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113972208A

( 22 ) 半导体接触结构、其制作方法及半导体存储器, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964124A

( 23 ) 一种用于形成半导体器件图案的方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964025A

( 24 ) 一种半导体结构、半导体结构的制造方法及一种电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113964104A

( 25 ) 一种制造半导体器件的方法, 2022, 专利号: CN113964044A

( 26 ) T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN113964028A

( 27 ) 堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113937090A

( 28 ) 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903739A

( 29 ) 晶圆的处理方法及激光退火装置, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903653A

( 30 ) 半导体结构、制造方法及电子设备, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN113903737A

( 31 ) 半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113903738A

( 32 ) 具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903735A

( 33 ) 标签的识别及处理方法以及标签的识别及处理系统, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN113903678A

( 34 ) 一种半导体结构、制造方法及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113903736A

( 35 ) 一种抛光垫材料及抛光垫, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113896856A

( 36 ) 一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113848687A

( 37 ) 一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113851370A

( 38 ) 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN113838851A

( 39 ) 低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113838907A

( 40 ) 双重构图的曝光方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113835302A

( 41 ) 一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113823553A

( 42 ) 一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113823550A

( 43 ) 一种多重图形化的方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113808938A

( 44 ) 刻蚀腔室中原位类原子层沉积方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113808910A

( 45 ) 半导体器件的应力测量装置以及方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113791325A

( 46 ) 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113782607A

( 47 ) 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113782605A

( 48 ) 半导体结构及其形成方法、动态随机存储器、电子设备, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113764416A

( 49 ) 一种二极管、探测器及探测器的制作方法, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN111244193B

( 50 ) 一种共形孔形成方法及半导体器件、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113690175A

( 51 ) 一种金属硅化物的制备方法、半导体器件、电子设备, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113690133A

( 52 ) 一种半导体器件及制作方法和电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113690218A

( 53 ) 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113690219A

( 54 ) 一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110867461B

( 55 ) 一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN113540246A

( 56 ) 改进的光刻方法, 2021, 专利号: CN113534627A

( 57 ) 半导体器件套刻精度的测量方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113539867A

( 58 ) 位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113540027A

( 59 ) 电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113540348A

( 60 ) 光刻胶涂布系统及方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN111570150B

( 61 ) 电容器结构及其制造方法, 2021, 专利号: CN113517399A

( 62 ) 晶圆的处理方法, 2021, 专利号: CN113517176A

( 63 ) 金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517219A

( 64 ) 一种半导体结构及其制备方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113517287A

( 65 ) 汽化装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积中汽化前驱体的方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113512718A

( 66 ) 用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113517256A

( 67 ) 半导体位线接触件的制造方法、位线的制造方法及存储器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517218A

( 68 ) 一种半导体结构、电子设备和方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113517261A

( 69 ) 一种半导体器件及其形成方法、电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517286A

( 70 ) 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113517171A

( 71 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113506774A

( 72 ) 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113496994A

( 73 ) 半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113496908A

( 74 ) 谐振模式的操纵方法及操纵系统、电子设备和存储介质, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113391377A

( 75 ) 一种堆叠纳米线或片CMOS器件制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110729248B

( 76 ) 纳米线围栅MOS器件及其制备方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN108962750B

( 77 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113314423A

( 78 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113314423A

( 79 ) 一种半导体结构及其制备方法, 2021, 专利号: CN109003902B

( 80 ) 一种纳米网的制备方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN113173553A

( 81 ) 一种垂直纳米线阵列的制备方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN113173557A

( 82 ) 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN113173555A

( 83 ) 一种硅基电光调制器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113176675A

( 84 ) 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 2021, 第 14 作者, 专利号: CN113178489A

( 85 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130630A

( 86 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130630A

( 87 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130485A

( 88 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 专利号: CN113130485A

( 89 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 专利号: CN113130488A

( 90 ) 一种半导体器件的制造方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113130489A

( 91 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113013164A

( 92 ) 一种集成电路, 2021, 专利号: CN112992886A

( 93 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 专利号: CN112992899A

( 94 ) 一种光子芯片晶圆级测试装置和方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112924143A

( 95 ) 用于经时击穿测试的探针卡及经时击穿测试方法, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN112731073A

( 96 ) 确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN112649699A

( 97 ) 一种热光器件及其制造方法, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112558331A

( 98 ) 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112563403A

( 99 ) 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112563402A

( 100 ) 一种纳米森林结构的制备方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112520688A

( 101 ) 利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462468A

( 102 ) 利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462470A

( 103 ) 制作光子晶体的方法及光子晶体, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112462452A

( 104 ) 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112327412A

( 105 ) 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN110938434B

( 106 ) 一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112185892A

( 107 ) 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112186040A

( 108 ) 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112151386A

( 109 ) 一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112114998A

( 110 ) 一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112086516A

( 111 ) 检测及清理光掩模的玻璃面及膜面上的微尘的装置及方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112051273A

( 112 ) 一种振荡器及其制造方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112038483A

( 113 ) 一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112038291A

( 114 ) 一种立式化学气相沉积炉及其应用, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112030140A

( 115 ) 高吸收热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111969098A

( 116 ) 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111964794A

( 117 ) 高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111952326A

( 118 ) 氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111929990A

( 119 ) 掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111908124A

( 120 ) 一种用于晶圆烘烤的温度控制方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111900076A

( 121 ) 光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111897187A

( 122 ) 用于识别晶圆的识别标记、在晶圆上形成识别标记的系统及方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111900147A

( 123 ) 一种用于半导体制造的气体混合设备及混合方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111816586A

( 124 ) 一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111799331A

( 125 ) 光刻胶涂布喷嘴及具有其的光刻胶涂布设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111739823A

( 126 ) 一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111710718A

( 127 ) 一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111710716A

( 128 ) 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111710713A

( 129 ) 厚度测量装置、系统及测量方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111649680A

( 130 ) 气流扩散装置及扩散炉, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111575799A

( 131 ) 热电堆及其制作方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111540824A

( 132 ) 一种膜板、研磨头和化学机械研磨装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111469044A

( 133 ) 一种电荷捕获型存储器及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111463217A

( 134 ) 用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111443577A

( 135 ) 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111446297A

( 136 ) 一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN111415902A

( 137 ) 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111370308A

( 138 ) 衬底键合方法、三维集成基板及电路、电子设备和芯片, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111370321A

( 139 ) 一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111341909A

( 140 ) 一种堆叠纳米线或片环栅器件及其制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111312819A

( 141 ) 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111211110A

( 142 ) 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111180520A

( 143 ) 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111180519A

( 144 ) 一种纳米线及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111128676A

( 145 ) 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111115561A

( 146 ) 一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111081867A

( 147 ) 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN111029258A

( 148 ) 一种钽掩模的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111009462A

( 149 ) 一种表面电极离子阱与硅光器件的集成结构及三维架构, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110943133A

( 150 ) 一种半导体器件纳米线及其制备方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN110896027A

( 151 ) 一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110896055A

( 152 ) 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110896034A

( 153 ) 表面电极离子阱与硅光寻址及探测器、及架构的集成方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110854235A

( 154 ) 一种鳍状结构的制备方法以及半导体器件的制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110752156A

( 155 ) 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110752155A

( 156 ) 一种与堆叠纳米线或片兼容的输入输出器件及制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110739272A

( 157 ) 一种接触孔制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110634801A

( 158 ) 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110620033A

( 159 ) 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110527978A

( 160 ) 一种氧化钒薄膜的制备方法, 2019, 专利号: CN110453175A

( 161 ) 一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110349915A

( 162 ) 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110335813A

( 163 ) 一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110224029A

( 164 ) 一种高光谱图像传感器的单片集成方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110190078A

( 165 ) 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110174453A

( 166 ) 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 2019, 第 11 作者, 专利号: CN110164762A

( 167 ) RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110165051A

( 168 ) 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110164851A

( 169 ) 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110137275A

( 170 ) 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110137308A

( 171 ) 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110137073A

( 172 ) 一种微电极及其形成方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110104609A

( 173 ) 半导体器件和制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110061060A

( 174 ) 半导体器件和制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110061060A

( 175 ) 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 2019, 第 11 作者, 专利号: CN110002393A

( 176 ) 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109950153A

( 177 ) 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109920738A

( 178 ) 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109920842A

( 179 ) 一种多态存储器及其制造方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109904309A

( 180 ) 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109904234A

( 181 ) 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109904060A

( 182 ) 半导体结构与其制作方法, 2019, 专利号: CN109887847A

( 183 ) 半导体结构及其形成方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105932053B

( 184 ) 纳米线器件的制作方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109830525A

( 185 ) 半导体装置及其制造方法及包括该装置的电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109755242A

( 186 ) 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109599335A

( 187 ) 半导体器件与其制作方法, 2019, 专利号: CN109599367A

( 188 ) 半导体器件与其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109599367A

( 189 ) 半导体器件及其制造方法, 2019, 专利号: CN109585538A

( 190 ) 一种氮化硅光波导及其制造方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109298484A

( 191 ) 自旋轨道转矩驱动器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109301063A

( 192 ) 一种光学波导器件的形成方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109143465A

( 193 ) 包括氮化硅层的半导体结构的制作方法与MEMS器件, 2018, 第 9 作者, 专利号: CN108922846A

( 194 ) 包括纳米线的器件与其制作方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108878422A

( 195 ) 半导体器件与其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108831926A

( 196 ) 一种纳米线沟道制作方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108807149A

( 197 ) 一种探测器、热敏电阻、氧化钒薄膜及其制造方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108807346A

( 198 ) 半导体器件与其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807278A

( 199 ) 一种纳米线的制作方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108807170A

( 200 ) 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108565221A

( 201 ) CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108511392A

( 202 ) CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108493157A

( 203 ) 一种纳米线结构及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108470685A

( 204 ) CMOS器件及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108428667A

( 205 ) 一种CMOS纳米线及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108172546A

( 206 ) 一种堆叠纳米线及其制造方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108155101A

( 207 ) 一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107039283A

( 208 ) 一种基于单原子层沉积的金属生长方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106987825A

( 209 ) 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106601674A

( 210 ) 氮化镓器件介质生长方法及系统, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105957824A

( 211 ) Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same, 2016, 第 5 作者, 专利号: US20160268124(A1)

( 212 ) 一种GaN基功率电子器件及其制备方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105895526A

( 213 ) 面向GaN器件的介质生长系统及其操作方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105470169A

( 214 ) 半导体器件制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104766823A

( 215 ) 低界面态器件及其制造方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104658894A

( 216 ) 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104465493A

( 217 ) 降低栅介质的泄漏电流的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104377126A

( 218 ) 金属栅电极等效功函数调节方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104347411A

( 219 ) 一种刻蚀方法, 2014, 专利号: CN104211010A

( 220 ) 采用电子束工艺定义连接孔的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103794551A

( 221 ) 一种半导体结构及其制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681801A

( 222 ) 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579113A

( 223 ) 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545191A

( 224 ) 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545190A

( 225 ) 栅极结构、半导体器件和两者的形成方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103545189A

( 226 ) 一种低功函数金属栅形成方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103545182A

( 227 ) 半导体器件制造方法, 2014, 专利号: CN103531540A

( 228 ) 一种悬浮结构MEMS器件及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103130177A

( 229 ) SEMICONDUCOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 2013, 第 1 作者, 专利号: US2013092986A1

( 230 ) 一种半导体器件的制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102222616B

( 231 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102064176B

( 232 ) 金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102832127A

( 233 ) Method of manufacturing a high-performance semiconductor device, 2012, 第 2 作者, 专利号: US8329566(B2)

( 234 ) 开口的填充方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543835A

( 235 ) 带有存储功能的MOS器件及其形成方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543734A

( 236 ) 一种半导体工艺的测试结构及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102468271A

( 237 ) 一种石墨烯器件及其制造方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468333A

( 238 ) 一种高介电常数栅介质材料及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102453866A

( 239 ) CMOSFET DEVICE WITH CONTROLLED THRESHOLD VOLTAGE CHARACTERISTICS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME, 2012, 第 1 作者, 专利号: US20120104506(A1)

( 240 ) 后栅工艺中金属栅的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102437032A

( 241 ) 一种用于后栅工艺的平坦化方法及其器件结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386085A

( 242 ) 一种石墨烯器件及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102376624A

( 243 ) 一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339736A

( 244 ) 一种基于栅极替代工艺的制造半导体器件的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339752A

( 245 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102299156A

( 246 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102299156A

( 247 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 专利号: CN102299155A

( 248 ) 一种半导体器件的制造方法, 2011, 专利号: CN102299061A

( 249 ) 一种半导体器件的形成方法及其半导体器件, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102299110A

( 250 ) 半导体结构及其形成方法, 2011, 专利号: CN102237398A

( 251 ) 一种半导体器件的制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102222616A

( 252 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102110689A

( 253 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102110689A

( 254 ) 一种制作CMOSFETs器件结构的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102104024A

( 255 ) CMOS器件叠层栅形成方法及其结构, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102074574A

( 256 ) 一种制造半导体器件的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102064133A

( 257 ) 一种石墨烯器件及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102054869A

( 258 ) 一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102044442A

( 259 ) 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101964345A

( 260 ) 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101930979A

( 261 ) 调节高k栅介质和金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101924034A

( 262 ) 高性能半导体器件的形成方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101840862A

( 263 ) 抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101783298A

( 264 ) 高温退火处理诱导相转变合成金属性氮化铪薄膜的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740371A

( 265 ) 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740570A

( 266 ) 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740369A

( 267 ) 用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101599436A

( 268 ) CMOS器件金属栅极及其形成方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494236A

出版信息

   
发表论文
(1) 激光退火硅晶圆温度场分布的数值模拟研究, Numerical simulation of temperature field distribution induced by laser annealing in silicon wafer, 激光与红外, 2022, 第 4 作者
(2) Depolarization Field in FeFET Considering Minor Loop Operation and Charge Trapping, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 6 作者
(3) Impact of mobility degradation on endurance fatigue of FeFET with TiN/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MFIS) gate structure, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2022, 第 9 作者
(4) Advanced Process and Electron Device Technology, Advanced Process and Electron Device Technology, 清华大学学报:自然科学版(英文版), 2022, 通讯作者
(5) 硅晶圆中注入10 MeV磷的连续激光退火激活, Continuous laser annealing for activating 10 MeV implanted phosphorus in silicon wafer, 激光与红外, 2022, 第 4 作者
(6) Experimental Extraction and Simulation of Charge Trapping During Endurance of FeFET With TiN/HfZrO/SiO2/Si (MFIS) Gate Structure, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 10 作者
(7) SiN-based platform toward monolithic integration in photonics and electronics, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 5 作者
(8) Novel Si/SiGe fin on insulator fabrication on bulk-Si substrate, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 通讯作者
(9) SiGe沟道三维器件关键集成技术研究进展, Research progress on key integration technologies of 3D devices with SiGe channel, 微纳电子与智能制造, 2021, 第 3 作者
(10) Investigation of the Heteroepitaxial Process Optimization of Ge Layers on Si (001) by RPCVD, NANOMATERIALS, 2021, 其他(合作组作者)
(11) La induced Si-3 trimer bilayer on the Si(111) surface, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2021, 第 4 作者
(12) Thermodynamic driving force of transient negative capacitance of ferroelectric capacitors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 9 作者
(13) Four-Period Vertically Stacked SiGe/Si Channel FinFET Fabrication and Its Electrical Characteristics, NANOMATERIALS, 2021, 通讯作者
(14) The Effect of Interface Traps at the Si/SiO2 Interface on the Transient Negative Capacitance of Ferroelectric FETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 6 作者
(15) Growth of high-quality epitaxy of GaAs on Si with engineered Ge buffer using MOCVD, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 10 作者
(16) Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 第 8 作者
(17) Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 其他(合作组作者)
(18) Fabrication and selective wet etching of Si0.2Ge0.8/Ge multilayer for Si0.2Ge0.8 channel gate-all-around MOSFETs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 13 作者
(19) Recovery Behavior of Interface Traps After Negative Bias Temperature Instability Stress in p-FinFETs Featuring Fast Trap Characterization Technique, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 14 作者
(20) Integration of silicon nitride waveguide in Ge-on-insulator substrates for monolithic solutions in optoelectronics, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 其他(合作组作者)
(21) NiSi/p(+)-Si(n(+)-Si)/n-Si(p-Si) Diodes With Dopant Segregation (DS): p-n or Schottky Junctions?, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 9 作者
(22) Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 其他(合作组作者)
(23) Investigate on the Mechanism of HfO2/Si0.7Ge0.3 Interface Passivation Based on Low-Temperature Ozone Oxidation and Si-Cap Methods, NANOMATERIALS, 2021, 第11作者
(24) Endurance Characteristics of Negative Capacitance FinFETs With Negligible Hysteresis, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 其他(合作组作者)
(25) Experimental Investigation of As Preamorphization Implant on Electrical Property of Ti-Based Silicide Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 15 作者
(26) Optimization of zero-level interlayer dielectric materials for gate-all-around silicon nanowire channel fabrication in a replacement metal gate process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 22 作者
(27) Thermal stability issue of ultrathin Ti-based silicide for its application in prospective DRAM peripheral 3D FinFET transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第11作者
(28) 硅晶圆中注入4.8MeV磷的激光退火激活, Laser Annealing for Activating 4.8 MeV Implanted Phosphorus in Silicon Wafer, 微纳电子技术, 2021, 第 4 作者
(29) Alleviation of Negative-Bias Temperature Instability in Si p-FinFETs With ALD W Gate-Filling Metal by Annealing Process Optimization, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2021, 第 15 作者
(30) Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, NANOMATERIALS, 2021, 第 16 作者
(31) SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备, SiC Thinning Process and Fabrication of Thin-Wafer SiC Schottky Diodes, 微纳电子技术, 2020, 第 4 作者
(32) Investigation of Barrier Property of Amorphous Co-Ti Layer as Single Barrier/Liner in Local Co Interconnects, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 其他(合作组作者)
(33) Insights Into the Effect of TiN Thickness Scaling on DC and AC NBTI Characteristics in Replacement Metal Gate pMOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2020, 通讯作者
(34) Study of selective isotropic etching Si1-xGex in process of nanowire transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(35) High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin processing, High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin processing*, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 8 作者
(36) Design impact on the performance of Ge PIN photodetectors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者
(37) On the applicability of Gibbs free energy landscape to the definition and understanding of transient negative capacitance in a ferroelectric capacitor, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
(38) Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 8 作者
(39) Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2020, 第 8 作者
(40) Impact of Charges at Ferroelectric/Interlayer Interface on Depolarization Field of Ferroelectric FET With Metal/Ferroelectric/Interlayer/Si Gate-Stack, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 其他(合作组作者)
(41) Investigation of Ultrathin Ni Germanosilicide for Advanced pMOS Contact Metallization, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 13 作者
(42) Comparative study on NBTI kinetics in Si p-FinFETs with B2H6-based and SiH4-based atomic layer deposition tungsten (ALD W) filling metal, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 通讯作者
(43) The Study of Reactive Ion Etching of Heavily Doped Polysilicon Based on HBr/O-2/He Plasmas for Thermopile Devices, MATERIALS, 2020, 第 14 作者
(44) Investigation on thermal stability of Si0.7Ge0.3/Si stacked multilayer for gate-all-around MOSFETS, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 16 作者
(45) Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications, NANOMATERIALS, 2020, 第 15 作者
(46) 基于吉布斯自由能分布来定义和理解瞬态负电容的适用性, Journal of Physics D: Applied Physics, 2020, 第 1 作者
(47) Degradation Mechanism of Short Channel p-FinFETs under Hot Carrier Stress and Constant Voltage Stress, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 通讯作者
(48) Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(49) SiNx films and membranes for photonic and MEMS applications, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 14 作者
(50) Specific Contact Resistivity Improvement by As Preamorphization Implantation for Ti-Based Ohmic Contacts on n(+)-Si, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 第 10 作者
(51) Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 16 作者
(52) Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 通讯作者
(53) Experimental investigation of fundamental film properties for Co1-xTix alloying films with different compositions (0 <= x <= 1), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 10 作者
(54) Effects of Ni Film Thickness on the Properties of Ni-Based Silicides Formed on Both Highly Doped n- and p-Si Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 其他(合作组作者)
(55) Influence of interlayer GeOx thickness on band alignment of Al2O3/GeOx/Ge structure, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 8 作者
(56) O-2 plasma treated biosensor for enhancing detection sensitivity of sulfadiazine in a high-K HfO2 coated silicon nanowire array, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2020, 第 14 作者
(57) Selective wet etching in fabricating SiGe nanowires with TMAH solution for gate-all-around MOSFETs, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第11作者
(58) Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 其他(合作组作者)
(59) Impact of Ge pre-amorphization implantation on Co/Co-Ti/n(+)-Si contacts in advanced Co interconnects, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 15 作者
(60) Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 通讯作者
(61) Understanding the mechanisms impacting the interface states of ozone-treated high-k/SiGe interfaces, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(62) Fabrication technique of the Si0.5Ge0.5 Fin for the high mobility channel FinFET device, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(63) Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors, Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2020, 第 9 作者
(64) Impact of Electron trapping on Energy Distribution Characterization of NBTI-Related Defects for Si p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2020, 通讯作者
(65) A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 通讯作者
(66) Electron mobility in silicon nanowires using nonlinear surface roughness scattering model, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者
(67) Growth of SiGe layers in source and drain regions for 10 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS), JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 15 作者
(68) Investigation of NiGe Films Formed on Both n(+)- and p(+)-Ge with P and B Ion Implantation before Germanidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 9 作者
(69) COMPREHENSIVE STUDY OF INTERFACIAL CHARGES IN THE GEO(X)/AL(2)O(3) GATE STACK OF GE BY OZONE OXIDATION, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 6 作者
(70) A novel three-layer graded SiGe strain relaxed buffer for the high crystal quality and strained Si0.5Ge0.5 layer epitaxial grown, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 通讯作者
(71) Identification of a suitable passivation route for high-k/SiGe interface based on ozone oxidation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 通讯作者
(72) Monolithic integration of E/D-mode GaN MIS-HEMTs on ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure on Si substrates, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 第 9 作者
(73) Experimental Investigation of Remote Coulomb Scattering on Mobility Degradation of Ge pMOSFET by Various PDA Ambiences, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 通讯作者
(74) High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 15 作者
(75) Comprehensive Study and Design of High-k/SiGe Gate Stacks with Interface-Engineering by Ozone Oxidation, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者
(76) Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 第11作者
(77) Process optimization of the Si0.7Ge0.3 Fin Formation for the STI first scheme, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第11作者
(78) Exploration of the impact of interface states density on the specific contact resistivity in TiSix/n(+)-Si Ohmic contacts through high-low frequency method, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 8 作者
(79) Evaluation of hole mobility degradation by remote Coulomb scattering in Ge pMOSFETs, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 其他(合作组作者)
(80) FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 13 作者
(81) Impacts of Ge Preamorphization Implantation and Si Capping on the Specific Contact Resistivity of Ni(Pt) SiGe/p(+)-SiGe Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 7 作者
(82) Capture and emission mechanisms of defect states at interface between nitride semiconductor and gate oxides in GaN-based metal-oxide-semiconductor power transistors, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 13 作者
(83) Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 7 作者
(84) NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响, Effects of NH3 Plasma Passivation on the Interface of Al2O3/SiGe, 半导体技术, 2019, 第 7 作者
(85) Co-sputtering Co-Ti alloy as a single barrier/liner for Co interconnects and thermal stability enhancement using TiN metal capping, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 第 9 作者
(86) Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/AL(2)O(3) gate stacks of Ge MOS capacitor by postdeposition annealing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 通讯作者
(87) Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si-0.45, Ge-0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5nm Technology Node, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2018, 第11作者
(88) Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 8 作者
(89) 接触电阻技术研究新进展, Latest Development of Contact Resistivity Technology, 微电子学, 2018, 第 5 作者
(90) Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 6 作者
(91) Fabrication Technique for pMOSFET poly-Si/TaN/TiN/HfSiAlON Gate Stack, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
(92) Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
(93) Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 第 9 作者
(94) Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque, IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2018, 第 5 作者
(95) Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 7 作者
(96) Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, 中国物理B:英文版, 2018, 第 3 作者
(97) Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated p-CMOSFETs, 2018 25TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2018, 第 10 作者
(98) Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface Trap and Channel Hot Carrier Reliability of HKMG nMOSFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 通讯作者
(99) Improving sidewall roughness by combined RIE-Bosch process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2018, 第 7 作者
(100) Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process for Real Time Monitoring Cellular Ion Actitivies, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 第 16 作者
(101) Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 其他(合作组作者)
(102) Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 14 作者
(103) Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
(104) Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
(105) Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGex on both n- and p-Ge substrate, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 8 作者
(106) 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 中国科技成果, 2017, 第 7 作者
(107) Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition, Chin. Phys. B, 2017, 第 5 作者
(108) Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
(109) Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO growth by plasma post-oxidation, Chinese Physics B, 2017, 第 1 作者
(110) Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(111) Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO_x growth by plasma post-oxidation, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 6 作者
(112) Experimental estimation of charge neutrality level of SiO2, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 第 5 作者
(113) On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 8 作者
(114) Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process, CHINESE PHYSICS B, 2017, 通讯作者
(115) Experimental Investigation on Growth Mechanism of GeOx Layer Formed by Plasma Post Oxidation Based on Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy, 2017, 第 5 作者
(116) Mobility Degradation by Remote Coulomb Scattering and Distribution of Charge and Dipole in Al2O3/GeOx Gate Stacks of Ge Based MOSFET, 2017, 第 5 作者
(117) Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET, IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017, 第 5 作者
(118) A Modified Scheme to Reduce the Specific Contact Resistivity of NiSi/Si Contacts by Means of Dopant Segregation Technique, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 第 7 作者
(119) Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 通讯作者
(120) Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO_2 amorphous films grown by atomic layer deposition, CHINESE PHYSICS B, 2017, 通讯作者
(121) Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP, 2017, 第 2 作者
(122) Junction Control by Carbon and Phosphorus Co-Implantation in Pre-Amorphized Germanium, ECS Journal of Solid state science and tehchnology, 2016, 第 6 作者
(123) Experimental investigation on oxidation kinetics of germanium by ozone, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 第 4 作者
(124) Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl4 and TMA precursors, Chin. Phys. B, 2016, 第 3 作者
(125) Series resistance effect on time zero dielectrics breakdown characteristics of MOSCAP with ultra-thin EOT high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 通讯作者
(126) 适于16纳米及以下的器件和电路的集成工艺基础研究, Basic Research of Devices and Circuits Integrated Process for 16 nm Technology Node and Below, 科技创新导报, 2016, 第 4 作者
(127) Electrical Properties of Ultrathin Hf-Ti-O Higher k Gate Dielectric Films and Their Application in ETSOI MOSFET, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 8 作者
(128) Investigation of spatial charge distribution and electrical dipole in atomic layer deposited Al2O3 on 4H-SiC, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 通讯作者
(129) Accurate lifetime prediction for channel hot carrier stress on sub-1 nm equivalent oxide thickness HK/MG nMOSFET with thin titanium nitride capping layer, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 通讯作者
(130) Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-kappa metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations, CHINESE PHYSICS B, 2016, 通讯作者
(131) Thermal atomic layer deposition of TaAlC with TaCl5 and TMA as precursors, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 6 作者
(132) Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 其他(合作组作者)
(133) Temperature-and voltage-dependent trap generation model in high-kappa metal gate MOS device with percolation simulation, CHINESE PHYSICS B, 2016, 通讯作者
(134) Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 10 作者
(135) Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2016, 第 8 作者
(136) Atomic layer deposition assisted pattern transfer technology for ultra-thin block copolymer films, THIN SOLID FILMS, 2016, 第 7 作者
(137) Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeO x /Al2O3 gate dielectrics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 通讯作者
(138) On the Manipulation of Phosphorus Diffusion as Well as the Reduction of Specific Contact Resistivity in Ge by Carbon Co-Doping, ECS Transactions, 2016, 第 9 作者
(139) Dependence of electrostatic potential distribution of Al 2 O 3 /Ge structure on Al 2 O 3 thickness, SURFACE SCIENCE, 2016, 通讯作者
(140) Growth mechanism of atomic-layer-deposited TiAlC metal gate based on TiCl_4 and TMA precursors, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 5 作者
(141) Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high- k /metal gate nMOSFETs with gate-last process, Chinese Physics B, 2015, 第 2 作者
(142) Influence of multi-deposition multi-annealing on time-dependent dielectric breakdown characteristics of PMOS with high-k/metal gate last process, CHINESE PHYSICS B, 2015, 通讯作者
(143) Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 31 作者
(144) 高k栅介质/金属栅全后栅结构NMOSFET器件的PBTI特性表征, Journal of Semiconductors, 2015, 通讯作者
(145) Investigation of TiAlC by Atomic Layer Deposition as N Type Work Function Metal for FinFET, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 9 作者
(146) Energy distribution extraction of negative charges responsible for positive bias temperature instability, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 3 作者
(147) 超薄TiN厚度对后栅工艺MOS器件的PBTI特性影响, Chinese Physics B, 2015, 通讯作者
(148) PBTI的负电荷能量分布提取, Chinese Physics B, 2015, 通讯作者
(149) Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 9 作者
(150) Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO_2 interface, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
(151) Investigation on the dominant key to achieve superior Ge surface passivation by GeOx based on the ozone oxidation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 通讯作者
(152) Characterization of positive bias temperature instability of NMOSFET with high-k/metal gate last process, Journal of Semiconductors, 2015, 第 3 作者
(153) Variation of Schottky barrier height induced by dopant segregation monitored by contact resistivity measurements, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 6 作者
(154) 帽层TiN、TaN厚度的工艺条件对高k栅介质/金属栅结构MOSCAP的有效功函数的影响, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者
(155) 通过TiN/TaN堆叠厚度调制高k栅介质/金属栅结构nMOSCAP有效功函数的方法, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者
(156) A modified scheme to tune the Schottky Barrier Height of NiSi by means of dopant segregation technique, VACUUM, 2014, 第 5 作者
(157) Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 31 作者
(158) The effects of process condition of Top-TiN and TaN thickness on the effective work function of MOSCAP with high-k/metal gate stacks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 3 作者
(159) Analysis of flatband voltage shift of metal/high-k/SiO_2/Si stack based on energy band alignment of entire gate stack, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者
(160) Interaction of Gd and N incorporation on the band structure and oxygen vacancies of HfO2 gate dielectric films, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2014, 第 10 作者
(161) Effects of carbon pre-silicidation implant into Si substrate on NiSi, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 第 6 作者
(162) An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 3 作者
(163) Epitaxial growth and electrical properties of ultrathin La2Hf2O7 high-k gate dielectric films, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 9 作者
(164) Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO_2 dielectric, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 4 作者
(165) Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero interface layer, JOURNAL OF RARE EARTHS, 2013, 第 8 作者
(166) Effect of low temperature annealing on the electrical properties of an MOS capacitor with a HfO_2 dielectric and a TiN metal gate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 5 作者
(167) Physical understanding of different drain-induced-barrier-lowering variations in high-k/metal gate n-channel metal-oxide-semiconductor-fieldeffect-transistors induced by charge trapping under normal and reverse channel hot carrier stresses, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
(168) A possible origin of core-level shift in SiO2/Si stacks, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(169) A possible origin of core-level shifts in SiO2/Si stacks, Appl. Phys. Lett., 2013, 通讯作者
(170) Hierarchical Mo-decorated Co3O4 nanowire arrays on Ni foam substrates for advanced electrochemical capacitors, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2013, 第 3 作者
(171) Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
(172) Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 通讯作者
(173) Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 通讯作者
(174) Atomic configuration of the interface between epitaxial Gd doped HfO2 high k thin films and Ge (001) substrates, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 10 作者
(175) Antireflection properties and solar cell application of silicon nanostructures, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第11作者
(176) Band structure and electronic characteristics of cubic La2O3 gate dielectrics epitaxially grown on InP substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 9 作者
(177) Electric Dipole at High-k/SiO2 Interface and Physical Origin by Dielectric Contact Induced Gap States, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 3 作者
(178) Effects of rapid thermal annealing on structure and electrical properties of Gd-doped HfO2 high k film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 6 作者
(179) 高k栅介质/金属栅结构MOS器件中的偶极子物理机制, Applied Physics Letters, 2010, 通讯作者
(180) 高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术, The Technology of EOT Control in High k Dielectric/ metal Gate Electrode CMOS Device, 电子工业专用设备, 2010, 第 2 作者
(181) Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 通讯作者
(182) MOS器件中高k栅介质/SiO2界面偶极子对平带电压的影响, Applied Physics Letters, 2010, 通讯作者
(183) (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
(184) Al扩散诱导的正向平带电压偏移对高k栅介质结构pMOSFET器件的影响, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
(185) (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, (NH4)2S treatment of the Si (100) surface and its effects on Al/Si Schottky barrier heights, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
(186) TaCx、HfCx/HfO2结构栅堆叠中金属碳化物诱导的负向平带电压偏移研究, 2008, 第 1 作者
(187) 含Al高k栅介质堆栈中平带电压的异常偏移特性研究, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
(188) Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
(189) HfLaON/TaN结构MOS器件的热稳定性研究, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
(190) 利用快速热退火辅助MOCVD方法制备HfN金属栅电极研究, Microelectronics Engineering, 2008, 第 1 作者
发表著作
Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Application, Wiley, 2013-07, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化, 负责人, 国家任务, 2011-01--2016-12
( 2 ) 14纳米以下技术代硅基新型器件及关键工艺技术研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2017-12
( 3 ) 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
( 4 ) 基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究:界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制, 负责人, 国家任务, 2016-01--2017-12
( 5 ) 20-14nm技术知识产权与研发联盟技术创新战略研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
( 6 ) 高迁移率沟道纳米线的关键共性技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
( 7 ) 3-1nm集成电路新器件与先导工艺, 负责人, 中国科学院计划, 2019-10--2020-10
( 8 ) 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 负责人, 国家任务, 2016-01--2020-12