基本信息
王晓亮  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: xlwang@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备
MOCVD材料生长关键设备研制,GaN基电力电子器件
半导体材料与器件

教育背景

1992-03--1995-10   中科院西安光机所、中科院半导体所   博士
1987-07--1990-07   西北大学、中科院西安光机所   硕士
1980-09--1984-07   西北大学   本科

工作经历

   
工作简历
2001-09~现在, 中科院半导体所, 研究员
1997-06~2001-09,中科院半导体研究所, 副研究员
1996-01~1998-01,中科院半导体所, 博士后
1992-03~1995-10,中科院西安光机所、中科院半导体所, 博士
1987-07~1990-07,西北大学、中科院西安光机所, 硕士
1984-07~1995-12,西北大学, 讲师
1980-09~1984-07,西北大学, 本科
社会兼职
2015-09-01-今,山东大学“功能晶体及器件教育部重点实验室”学术委员会, 委员
2014-05-26-今,国家安全重大基础研究“石墨烯晶片级材料与毫米波器件基础研究”项目专家组, 专家
2011-01-01-今,中国科学院“北京地区机加工技术服务中心”管理委员会, 委员
2010-01-01-今,中国科学院创新科学仪器研制技术服务中心管理委员会, 委员
2010-01-01-今,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授, 教授
2009-12-31-今,工信部国防科技奖评审专家委员会, 专家
2007-06-14-今,西安交通大学“电子物理与器件教育部重点实验室”学术会员会, 委员
2007-01-01-今,全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会, 委员
2006-01-01-今,中国电子学会半导体集成技术分会, 秘书长
2006-01-01-今,中国电子学会, 理事
2002-06-27-今,西安交通大学, 兼职教授

教授课程

宽禁带半导体电子器件
半导体异质结构材料与应用
宽禁带半导体电子器件(中国科学院大学、首席教授)
半导体物理与器件
半导体工艺
宽禁带电力电子器件
宽禁带半导体材料与器件

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 新一代xxxx, 一等奖, 国家级, 2019
(2) 工信部科学技术进步奖, 一等奖, 部委级, 2017
(3) 北京市科学技术奖, 二等奖, 省级, 2012
(4) 全国优秀科技工作者, , 部委级, 2012
(5) 工信部科学技术成果奖, 一等奖, 部委级, 2009
(6) 中国科学院预先研究先进个人, , 部委级, 2006
专利成果
( 1 ) 抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010288020.9

( 2 ) 阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010252675.0

( 3 ) 晶圆的室温等静压金属键合方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010204986.X

( 4 ) 混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010198618.9

( 5 ) MOFET器件, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910175096.8

( 6 ) 一种基于电磁感应的加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710738799.8

( 7 ) 一种用于薄膜材料生长的感应加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728514.2

( 8 ) 一种用于薄膜材料生长设备加热托盘的固定控制装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710728515.7

( 9 ) 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201611255799.4

( 10 ) 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201210467084.0

( 11 ) 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510002676.9

( 12 ) 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310054863.2

( 13 ) 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033965.2

( 14 ) 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210348006.9

( 15 ) Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200910236706.7

( 16 ) 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033967.1

( 17 ) p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL200810240351.4

( 18 ) 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110401468.8

( 19 ) 金属有机物化学沉积设备的反应室, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL201010033963.3

( 20 ) 一种制备稀磁半导体薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200710304215.2

( 21 ) 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200610112883.0

( 22 ) 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL201010033962.9

( 23 ) 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200810226288.9

出版信息

   
发表论文
(1) Effect of the post-gate annealing on the gate reliability of AlGaN/GaN HEMTs, Journal of Semiconductors, 2021, 通讯作者
(2) Abnormal increase of 2DEG density in AlGaN/GaN HEMT grown on free-standing GaN substrate, Japanese Journal of Applied Physics, 2021, 通讯作者
(3) Buckling on Fe-Doped AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Films after Laser Liftoff Process: Phenomena and Mechanism, Phys. Status Solidi A, 2021, 通讯作者
(4) Simulation of a Parallel Dual-Metal-Gate Structure for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor High- Linearity Applications, Phys. Status Solidi A, 2021, 通讯作者
(5) Simulation Study of Performance Degradation in β-Ga2O3 (001) Vertical Schottky Barrier Diodes Based on Anisotropic Mobility Modeling, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2021, 通讯作者
(6) The Influence of the Different Repair Methods on the Electrical Properties of the Normally off p-GaN HEMT, micromachines, 2021, 通讯作者
(7) A novel structure to enable low local electric field and high on-state current in GaN photoconductive semiconductor switches, Optics Communications, 2021, 通讯作者
(8) Design and Fabrication of 4H-SiC MOSFETs with Optimized JFET and P-Body Design, Materials Science Forum, 2020, 通讯作者
(9) Theoretical Investigation on the Evolution of 2DEG for Design of E-Mode p-GaN HEMTs, IEEE Xplore Digital Library, 2020, 第 7 作者
(10) Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 通讯作者
(11) Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism, Semiconductor Science and Technology, 2020, 通讯作者
(12) Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 通讯作者
(13) Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 通讯作者
(14) 1700V 34m 4H-SiC MOSFET With Retrograde Doping in Junction Field-Effect Transistor Region, 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019, 通讯作者
(15) Roles of polarization effects in InGaN/GaN solar cells and comparison of p-i-n and n-i-p structures, OPTICS EXPRESS, 2018, 通讯作者
(16) Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
(17) Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling, CHIN. PHYS. LETT, 2018, 通讯作者
(18) Theoretical analysis of induction heating in high-temperature epitaxial growth system, AIP ADVANCES, 2018, 通讯作者
(19) Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
(20) Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 通讯作者
(21) Gate Leakage and Breakdown Characteristics ofAlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer, Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2018, 通讯作者
(22) Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
(23) Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
(24) Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance, Superlattices and Microstructures, 2017, 通讯作者
(25) Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs, Semicond. Sci. Technol, 2017, 通讯作者
(26) Self-consistent simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1–xN/AlN) MQWs/InN/GaN heterostructure, Phys. Status Solidi A, 2016, 通讯作者
(27) Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases, Journal of Applied Physics, 2016, 通讯作者
(28) Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes, Phys. Status Solidi A, 2015, 通讯作者
(29) A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility, CHIN. PHYS. LETT, 2015, 通讯作者
(30) High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2013, 第 2 作者
(31) Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 2 作者
(32) The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by, Chinese Phyics Letter, 2013, 第 2 作者
(33) A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 2 作者
(34) The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure., Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
(35) Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 2 作者
(36) Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1_xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B, 2012, 第 2 作者
(37) Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
(38) An investigation on InxGa1?xN/GaN multiple quantum well solar cells, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
(39) Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
(40) Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
(41) Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
(42) An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application, Solid State Electronics, 2009, 第 1 作者
(43) High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz, Solid State Electronics, 2008, 第 1 作者
(44) MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 核高基国家科技重大专项(Ku****), 负责人, 国家任务, 2009-01--2012-12
( 2 ) InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用, 负责人, 国家任务, 2012-01--2016-08
( 3 ) GaN 基毫米波功率器件与材料的新结构研究, 负责人, 国家任务, 2009-01--2012-12
( 4 ) 3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制, 负责人, 中国科学院计划, 2011-11--2013-10
( 5 ) 核高基国家科技重大专项(宽带****), 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 6 ) SiC衬底HEMT结构材料生长技术研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
( 7 ) 毫米波GaN功率器件和电路研究, 负责人, 国家任务, 2010-01--2014-12
( 8 ) 宽推二期, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 9 ) 高温MOCVD****, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 10 ) 4英寸AlGaN/GaN******, 参与, 国家任务, 2016-01--2018-12
( 11 ) 毫米波GaN****, 参与, 国家任务, 2012-01--2016-12
( 12 ) GaN基功率器件基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
( 13 ) GaN同质外延生长技术研究, 负责人, 其他任务, 2016-01--2018-12
( 14 ) 宽推3期, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
( 15 ) GaN 光电导开关, 负责人, 国家任务, 2021-11--2025-11