专利成果
( 1 ) 一种硅像素探测器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114156292A( 2 ) 垂直纳米线晶体管与其制作方法, 专利授权, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN108428634B( 3 ) 一种半导体器件及制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113793806A( 4 ) 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113782607A( 5 ) 冷源MOS晶体管及制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113745314A( 6 ) 硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113675296A( 7 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN107293492B( 8 ) 一种氧化物半导体器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113471295A( 9 ) 硅基探测器及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113299785A( 10 ) 一种半导体器件及制备方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113192891A( 11 ) 一种铁电薄膜及其沉积方法、应用, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113178478A( 12 ) 一种HfO 2 基铁电薄膜及其沉积方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113178477A( 13 ) 一种存储器及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113013235A( 14 ) 一种漂移探测器的双面制备方法及漂移探测器, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110854222B( 15 ) 一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110854223B( 16 ) 一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112086516A( 17 ) X射线阵列传感器、探测器及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111799351A( 18 ) 隧穿场效应晶体管及其制造方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN106558609B( 19 ) 隧穿场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN106504989B( 20 ) 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108493246A( 21 ) 垂直纳米线晶体管与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108428634A( 22 ) 量子点器件及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108417635A( 23 ) 纳米线阵列围栅MOSFET结构及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108364910A( 24 ) 隧穿场效应晶体管及其制造方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108369960A( 25 ) 一种遂穿场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108321197A( 26 ) 隧穿场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108140673A( 27 ) N型MOSFET的制作方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108039368A( 28 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108010966A( 29 ) 半导体CMOS器件的制作方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107910298A( 30 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107845605A( 31 ) P型MOSFET的制作方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107749398A( 32 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106558481A( 33 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106558481A( 34 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN103594370B( 35 ) CMOS器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105428361A( 36 ) n型半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102856377B( 37 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104979186A( 38 ) 一种半导体器件的制造方法, 专利授权, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104752202A( 39 ) 一种栅堆叠及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104377236A( 40 ) 半导体器件制造方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104078363A( 41 ) 等平面场氧化隔离结构及其形成方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103855072A( 42 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855016A( 43 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN103854982A( 44 ) P型MOSFET的制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855007A( 45 ) N型MOSFET的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103855013A( 46 ) N型MOSFET的制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855012A( 47 ) P型MOSFET的制造方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103854983A( 48 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103855006A( 49 ) 形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103854980A( 50 ) 一种提高电子束曝光效率的方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN102466966B( 51 ) 超陡倒掺杂沟道的形成方法、半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103367128A( 52 ) CMOS器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103325787A( 53 ) 一种分子尺度界面SiO 2 的形成和控制方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103137460A( 54 ) 一种分子尺度界面SiO 2 的形成和控制方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103137460A( 55 ) 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103107091A( 56 ) 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102915917A( 57 ) 一种半导体器件的替代栅集成方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102856180A( 58 ) n型半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102856377A( 59 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN101958278B( 60 ) 一种高k栅介质界面优化方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102810468A( 61 ) 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102751325A( 62 ) 锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102737999A( 63 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102543838A( 64 ) 一种栅极刻蚀的方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102456569A( 65 ) p型半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339858A( 66 ) p型半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339858A( 67 ) 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102280376A( 68 ) 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102254805A( 69 ) 一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102074469A( 70 ) 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102044494A( 71 ) 一种钼铝氮金属栅的制备方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101930915A( 72 ) 一种双金属栅功函数的调节方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101800196A( 73 ) 一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101800178A( 74 ) 一种钽铝氮金属栅的制备方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101800173A( 75 ) 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101777580A( 76 ) 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101728257A( 77 ) 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101447420A