高可靠CPU/ADC集成电路设计、高可靠SOI器件与工艺开发

（1） Design of compact-diode-SCR with low-trigger voltage for full-chip ESD protection, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 
（2） Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process, Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process, 中国物理B:英文版, 2023, 其他（合作组作者）
（3） Study on low rate of change characteristics of saturation output current of 28 nm UTBB FDSOI at 300 degrees C high-temperature, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2023, 
（4） Design of a NMOS-triggered SCR for dual-direction low-voltage ESD protection, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2022, 
（5） Investigation of Transient Two-Stage Thermal Equivalent RC Network of SOI-MOSFETs Using Nano Double-Pulse Measurement, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 
（6） The ESD Characteristics of a pMOS-Triggered Bidirectional SCR in SOI BCD Technology, ELECTRONICS, 2022, 
（7） Single-event burnout of LDMOS with polygon P+ structure, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 
（8） 90 nm SOI nMOSFET自加热效应研究, Investigation of Self-Heating Effect in 90 nm SOI nMOSFETs, 半导体技术, 2022, 第 3 作者
（9） Effect of Total Ionizing Dose on Silicon-Controlled Rectifier with Adjustable Holding Voltage for ESD Protection of SOI CMOS ICs Operating under1.8V, RADECS, 2022, 
（10） The low threshold-voltage shift with temperature and small subthreshold-slope in 28 nm UTBB FDSOI for 300℃ high-temperature application, Journal of Physics D: Applied Physics, 2022, 
（11） 高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响, Effect of high-temperature on holding characteristics in MOSFET ESD protecting device, 物理学报, 2022, 第 3 作者
（12） Study on the high-temperature triggering and holding characteristics of PDSOI SCR devices, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 
（13） Applications of Direct-Current Current-Voltage Method to Total Ionizing Dose Radiation Characterization in SOI NMOSFETs with Different Process Conditions, ELECTRONICS, 2021, 
（14） 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性, High-Temperature Characteristics of PDSOI NMOSFETs with ESD Protection, 半导体技术, 2021, 第 4 作者
（15） Study on the trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures, Chinese Physics B, 2021, 第 1 作者
（16） The Effect of Doping on the Digital Etching of Silicon-Selective Silicon-Germanium Using Nitric Acids, NANOMATERIALS, 2021, 
（17） SOI MOSFET自加热效应测试方法, Test Method of Self-Heating Effects in SOI MOSFETs, 半导体技术, 2021, 第 2 作者
（18） 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究, Study on High Temperature Characteristics of 28 nm Ultra-Thin-Body FD-SOI, 微电子学, 2021, 第 2 作者
（19） 28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究, Investigation on high-temperature performance of 28nm UTB FDSOI, 微电子学与计算机, 2021, 第 2 作者
（20） 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术, Testing technology of laser simulation of transient dose rate effects, 太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 第 3 作者
（21） 一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路, An on-state open load detection circuit for intelligent high side power IC, 微电子学与计算机, 2020, 第 3 作者
（22） 部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究, Study on NBTI Effect of PDSOI MOSFET, 航空科学技术, 2020, 第 6 作者
（23） Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique, IEEE ACCESS, 2019, 
（24） A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 
（25） 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究, 太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 通讯作者
（26） 氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充, Inhibition of N Plasma Treatment for the Improvement of Tungsten Gap Fill, 微纳电子技术, 2019, 第 14 作者
（27） DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度, DCIV Technique for Extracting BackGate Interface Traps Density in Non-irradiated and Irradiated PDSOI Devices, 微电子学与计算机, 2018, 第 2 作者
（28） Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler-Nordheim tunneling stress using the DCIV method, APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEPROCESSING, 2018, 
（29） 基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究, Research on Single-Event Transients Sensitivity in Phase-Locked Loops Based on PDSOI Process, 微电子学与计算机, 2017, 第 2 作者
（30） A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM, NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH B, 2017, 第 2 作者
（31） Experimental and Simulation Studies of Single Event Transient in Partially-depleted SOI MOSFET, CHINESE PHYSICS B, 2017, 
（32） 基于ＰＤＳＯＩ的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究, 微电子学与计算机, 2017, 第 1 作者
（33） Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space, 2016, 第 4 作者
（34） 一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路, Implementation of a PLL based on standard CMOS process, 电子设计工程, 2016, 第 4 作者
（35） 异步TSPC分频器的激光脉冲实验研究, 第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会, 2015, 第 2 作者
（36） 部分耗尽SOI器件背栅界面陷阱密度的提取, Extraction of Back Channel Interface Traps Density for PD SOI Device, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（37） 0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究, 物理学报, 2015, 第 6 作者
（38） DCIV 技术提取 SOI器件前栅界面与背界面态密度, DCIV Technique for Extracting Front Channel and Back Channel Interface Traps Density in SOI Device, 微电子学与计算机, 2015, 第 3 作者
（39） DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布, Characterization of the Interface Traps Energy Density Distribution of MOS/SOI Devices by the DCIV Technique, 半导体技术, 2015, 第 2 作者
（40） 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固, 半导体技术, 2015, 第 3 作者
（41） Estimation of pulsed laser-induced single event transient in a partially depleted silicon-on-insulator 0.18-μm MOSFET, CHINESE PHYSICS. B, 2014, 
（42） 提高集成电路ESD防护能力的仿真方法, Simulation Method of Improving ESD Protection Capability of Integrated Circuits, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
（43） The abnormal electrostatic discharge of a no-connect metal cover in a ceramic packaging device, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 
（44） H型栅SOIMOS作为静电保护器件的维持电压的研究, Investigation on Holding Voltage of H-gate SOI MOS as ESD Protection Device, 固体电子学研究与进展, 2013, 
（45） ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS, ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS, 半导体学报, 2012, 
（46） 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真, Geant4 simulation of contribution of nuclear reaction to single event upset, 核技术, 2012, 第 3 作者
（47） Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology, Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology, 半导体学报, 2012, 
（48） PDSOINMOS／CMOS闩锁特性, Latch behavior in partially- depleted SOI(PDSOI) NMOS/CMOS, 功能材料与器件学报, 2009, 第 1 作者
（49） 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究, Study on Robustness Improved ESD Protection Method by Capacitive Packaging Technology, 半导体技术, 2009, 第 5 作者
（50） 栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究, Study on the Gate Triggered PDSOI CMOS Latch Effect, 半导体技术, 2009, 第 1 作者
（51） 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究, Study on the Oscillation Problem of Voltage Probing in Transmission Line Pulsing Generator System, 半导体技术, 2009, 第 1 作者
（52） 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响, Influence of silicide on the ESD protection in SOI NMOSFETs, 功能材料与器件学报, 2008, 第 3 作者

（ 1 ） 功率器件的封装结构及封装方法, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116666336A
（ 2 ） 一种超快脉冲测试系统, 实用新型, 2023, 第 6 作者, 专利号: CN218331828U
（ 3 ） 一种半导体器件自加热效应的测试装置, 实用新型, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN218331827U
（ 4 ） 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN112491021B
（ 5 ） 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN111370401B
（ 6 ） 静电防护器件的仿真装置及仿真方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115248966A
（ 7 ） 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115236475A
（ 8 ） 一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115184761A
（ 9 ） 一种用于碳基集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115172337A
（ 10 ） 一种超快脉冲测试系统、测试方法及装置, 发明专利, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115166464A
（ 11 ） 辐射效应测试方法及系统, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115112966A
（ 12 ） 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990861A
（ 13 ） 一种集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990863A
（ 14 ） 一种新型静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990862A
（ 15 ） 一种低成本静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113990860A
（ 16 ） 半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113644055A
（ 17 ） 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378423U
（ 18 ） 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN214378450U
（ 19 ） 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112817036A
（ 20 ） 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112653441A
（ 21 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109935581B
（ 22 ） 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112491021A
（ 23 ） 一种静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112491020A
（ 24 ） 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466950A
（ 25 ） 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466949A
（ 26 ） 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466951A
（ 27 ） 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466953A
（ 28 ） 一种基于静电放电保护结构的场效应管, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466947A
（ 29 ） 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466937A
（ 30 ） 一种可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466940A
（ 31 ） 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466939A
（ 32 ） 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466938A
（ 33 ） 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置, 外观设计, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN212341366U
（ 34 ） 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112104361A
（ 35 ） 一种SOI MOSFET器件及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054062A
（ 36 ） 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054025A
（ 37 ） 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112053968A
（ 38 ） 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112054061A
（ 39 ） 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112054060A
（ 40 ） 一种测试夹具, 实用新型, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211697889U
（ 41 ） 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111680465A
（ 42 ） 一种功率器件电学闩锁测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111551837A
（ 43 ） 一种终端极化电路、及终端极化装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111510113A
（ 44 ） 一种半导体器件的测试装置、方法及系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487516A
（ 45 ） 一种传输线脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111487451A
（ 46 ） 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111487452A
（ 47 ） 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370401A
（ 48 ） 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111341770A
（ 49 ） 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111291480A
（ 50 ） 一种双向触发的ESD保护器件, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111199971A
（ 51 ） 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111129006A
（ 52 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 专利授权, 2019, 专利号: CN109962098A
（ 53 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962099A
（ 54 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109935582A
（ 55 ） 单个高能粒子离化电荷测试电路, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109917269A
（ 56 ） 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109884414A
（ 57 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109786374A
（ 58 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109742071A
（ 59 ） 一种同轴水银继电器, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616364A
（ 60 ） 一种动态比较器, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106533447B
（ 61 ） 一种SR锁存器, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667446A
（ 62 ） 一种低漏电连接器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108037325A
（ 63 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039362A
（ 64 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039365A
（ 65 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108039364A
（ 66 ） 一种ESD钳位电路及集成电路, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107863339A
（ 67 ） 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN205900097U
（ 68 ） 一种高速信号自隔离装置, 实用新型, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205720554U
（ 69 ） 一种高速信号隔离装置, 专利授权, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105929317A
（ 70 ） 一种环形振荡器测试系统, 实用新型, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203688739U
（ 71 ） 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103792438A
（ 72 ） 一种低温漂欠压锁定电路, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103309390A
（ 73 ） 一种静电放电防护装置及由其组成的系统, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202549831U
（ 74 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102646601A
（ 75 ） 静电放电保护用可控硅结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202384340U
（ 76 ） 一种ESD防护电阻, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202373579U
（ 77 ） 一种提高维持电压的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102543999A
（ 78 ） 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102495355A
（ 79 ） 温控可充气真空辐射设备, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102339655A
（ 80 ） 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102332467A
（ 81 ） 一种半导体结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332403A
（ 82 ） 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102324421A
（ 83 ） 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102290340A
（ 84 ） 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102222662A
（ 85 ） 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101562140B
（ 86 ） 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562188A
（ 87 ） 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101562187A
（ 88 ） 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明专利, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101276788A

已指导学生

张念华  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

向银松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王玉岐  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

朱航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张小琴  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王玉伟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

盖春赟  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

陈凯  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张颢译  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵姗姗  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李雪勤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李逸帆  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

许立达  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹泽文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王润坚  硕士研究生  085400-电子信息  

骆新宇  硕士研究生  085400-电子信息  

孙晨岳  硕士研究生  085400-电子信息  

董玉颖  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

阮泓睿  硕士研究生  085400-电子信息  

王云亮  硕士研究生  085400-电子信息  

胡竞元  硕士研究生  085400-电子信息  

韩雨潼  硕士研究生  085400-电子信息  

王炼  硕士研究生  085400-电子信息  

（1） CCF高级会员, 其他, 2023
（2） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛 (指导教师）, 二等奖, 其他, 2022
（3） 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022
（4） 科技进步奖, 二等奖, 部委级, 2022
（5） 北京市优秀毕业生 （导师）, , 市地级, 2022
（6） 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所（学校）, 2019
（7） 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019