基本信息
曾传滨 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: chbzeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学085400-电子信息
招生方向
高可靠CPU/ADC集成电路设计、高可靠SOI器件与工艺开发
教育背景
2004-01--2009-07 中国科学院微电子所 博士2003-01--2003-12 清华大学 进修1997-01--2001-12 南昌航空工业学院 学士
工作经历
工作简历
2017-07~现在, 中国科学院微电子所, 研究员2012-07~2017-07,中国科学院微电子所, 副研究员2009-01~2012-07,中国科学院微电子所, 助理研究员2001-07~2004-12,珠海南科集成电子有限公司, 工艺工程师
社会兼职
2019-10-16-2023-10-16,计算机学会集成电路设计专业组, 执行委员
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长
2019-08-01-2023-08-01,核物理学会抗辐照分会, 理事
2019-01-01-2024-01-01,北京客家海外联谊会, 副会长
专利与奖励
奖励信息
(1) CCF高级会员, 其他, 2023(2) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 富满微杯全国总决赛 (指导教师), 二等奖, 其他, 2022(3) 第六届全国大学生集成电路创新创业大赛 优秀指导教师, 其他, 2022(4) 科技进步奖, 二等奖, 部委级, 2022(5) 北京市优秀毕业生 (导师), , 市地级, 2022(6) 研究生最喜爱导师, 一等奖, 研究所(学校), 2019(7) 优秀论文奖, 一等奖, 其他, 2019
专利成果
[1] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法. CN: CN113990861A, 2022-01-28.[2] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种集成电路的静电防护方法. CN: CN113990863A, 2022-01-28.[3] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种新型静电防护方法. CN: CN113990862A, 2022-01-28.[4] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 倪涛, 王娟娟, 李多力, 闫薇薇, 单梁, 李明珠, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 一种低成本静电防护方法. CN: CN113990860A, 2022-01-28.[5] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨",null,"赵发展. 半导体功率器件及其制备方法. CN: CN113644055A, 2021-11-12.[6] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻. CN: CN214378423U, 2021-10-08.[7] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器. CN: CN214378450U, 2021-10-08.[8] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法. CN: CN112817036A, 2021-05-18.[9] 李晶, 王春林, 蔡小五, 曾传滨. 功率智能开关电路负载电流的测试电路及其测试方法. CN: CN112653441A, 2021-04-13.[10] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.[11] 曾传滨, 李晓静, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路. CN: CN112491021A, 2021-03-12.[12] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种静电放电防护钳位电路. CN: CN112491020A, 2021-03-12.[13] 曾传滨, 高林春, 李晓静, 闫薇薇, 单梁, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法. CN: CN112466950A, 2021-03-09.[14] 曾传滨, 高林春, 李晓静, 闫薇薇, 单梁, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法. CN: CN112466949A, 2021-03-09.[15] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 李多力, 单梁, 钱频, 张颢译, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法. CN: CN112466951A, 2021-03-09.[16] 高林春, 曾传滨, 闫薇薇, 李晓静, 李多力, 单梁, 钱频, 张颢译, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法. CN: CN112466953A, 2021-03-09.[17] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于静电放电保护结构的场效应管. CN: CN112466947A, 2021-03-09.[18] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 单梁, 王玉娟, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构. CN: CN112466937A, 2021-03-09.[19] 李晓静, 曾传滨, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种可控硅器件. CN: CN112466940A, 2021-03-09.[20] 李晓静, 曾传滨, 高林春, 闫薇薇, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件. CN: CN112466939A, 2021-03-09.[21] 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 高林春, 倪涛, 单梁, 王加鑫, 李多力, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件. CN: CN112466938A, 2021-03-09.[22] 孙佳星, 倪涛, 曾传滨, 王娟娟, 王玉娟, 张煦, 罗家俊. 一种功率器件抗闩锁测试电路和测试装置. CN: CN212341366U, 2021-01-12.[23] 智玉欣, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 曾传滨, 罗家俊. 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路. CN: CN112104361A, 2020-12-18.[24] 李多力, 曾传滨, 高林春, 王家佳, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOSFET器件及其制备方法. CN: CN112054062A, 2020-12-08.[25] 李多力, 王家佳, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种串联SOI MOSFET器件结构及其制备方法. CN: CN112054025A, 2020-12-08.[26] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.[27] 高林春, 曾传滨, 闫薇薇, 李晓静, 李多力, 单梁, 钱频, 倪涛, 王娟娟, 罗家俊, 韩郑生. 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法. CN: CN112054061A, 2020-12-08.[28] 王家佳, 李多力, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法. CN: CN112054060A, 2020-12-08.[29] 李晶, 刘征, 蔡小五, 曾传滨, 罗家俊. 一种测试夹具. CN: CN211697889U, 2020-10-16.[30] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.[31] 倪涛, 曾传滨, 王娟娟, 孙佳星, 韩郑生, 罗家俊. 一种功率器件电学闩锁测试系统. CN: CN111551837A, 2020-08-18.[32] 倪涛, 曾传滨, 孙佳星, 王娟娟, 韩郑生, 罗家俊. 一种终端极化电路、及终端极化装置. CN: CN111510113A, 2020-08-07.[33] 曾传滨, 罗家俊, 孙佳星, 倪涛, 王娟娟, 王玉娟, 张煦. 一种半导体器件的测试装置、方法及系统. CN: CN111487516A, 2020-08-04.[34] 曾传滨, 王娟娟, 倪涛, 孙佳星, 罗家俊, 韩郑生, 王玉娟, 张煦. 一种传输线脉冲测试系统. CN: CN111487451A, 2020-08-04.[35] 王娟娟, 曾传滨, 倪涛, 孙佳星, 罗家俊, 韩郑生, 王玉娟, 张煦. 一种超快电流探测装置及脉冲测试系统. CN: CN111487452A, 2020-08-04.[36] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.[37] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.[38] 高立博, 卜建辉, 高见头, 赵发展, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置. CN: CN111291480A, 2020-06-16.[39] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.[40] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.[41] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.[42] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.[43] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.[44] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 单个高能粒子离化电荷测试电路. CN: CN109917269A, 2019-06-21.[45] 闫薇薇, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 倪涛, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路. CN: CN109884414A, 2019-06-14.[46] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.[47] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.[48] 倪涛, 孙佳星, 王娟娟, 曾传滨, 罗家俊, 王玉娟, 张煦. 一种同轴水银继电器. CN: CN109616364A, 2019-04-12.[49] 于猛, 曾传滨, 闫薇薇, 罗家俊, 韩郑生. 一种动态比较器. CN: CN106533447B, 2019-03-08.[50] 王芳芳, 曾传滨, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 一种SR锁存器. CN: CN108667446A, 2018-10-16.[51] 曾传滨, 王瑞恒, 倪涛, 高林春, 李晓静, 罗家俊. 一种低漏电连接器. CN: CN108037325A, 2018-05-15.[52] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.[53] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.[54] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.[55] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.[56] 于猛, 曾传滨, 闫薇薇, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器. CN: CN205900097U, 2017-01-18.[57] 曾传滨, 张晴, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种高速信号自隔离装置. CN: CN205720554U, 2016-11-23.[58] 曾传滨, 张晴, 倪涛, 罗家俊, 韩郑生. 一种高速信号隔离装置. CN: CN105929317A, 2016-09-07.[59] 卜建辉, 曾传滨, 张刚, 罗家俊, 韩郑生. 一种环形振荡器测试系统. CN: CN203688739U, 2014-07-02.[60] 李书振, 卜建辉, 毕津顺, 曾传滨, 罗家俊, 韩郑生. 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法. CN: CN103792438A, 2014-05-14.[61] 张小琴, 曾传滨, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊. 一种低温漂欠压锁定电路. CN: CN103309390A, 2013-09-18.[62] 曾传滨, 姜一波, 罗家俊, 韩郑生. 一种静电放电防护装置及由其组成的系统. CN: CN202549831U, 2012-11-21.[63] 姜一波, 曾传滨, 杜寰. 一种半导体结构及其制造方法. 中国: CN102646601A, 2012-08-22.[64] 曾传滨, 毕津顺, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 静电放电保护用可控硅结构. CN: CN202384340U, 2012-08-15.[65] 曾传滨, 李多力, 海潮和, 李晶, 罗家俊, 韩郑生. 一种ESD防护电阻. CN: CN202373579U, 2012-08-08.[66] 姜一波, 曾传滨. 一种提高维持电压的方法. CN: CN102543999A, 2012-07-04.[67] 曾传滨, 高林春, 毕津顺, 罗家俊, 韩郑生. 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统. CN: CN102495355A, 2012-06-13.[68] 曾传滨, 毕津顺, 刘刚, 罗家俊, 韩郑生. 温控可充气真空辐射设备. CN: CN102339655A, 2012-02-01.[69] 曾传滨, 毕津顺, 李多力, 罗家俊, 韩郑生. 一种维持电压可调节的可控硅结构. CN: CN102332467A, 2012-01-25.[70] 姜一波, 曾传滨, 杜寰. 一种半导体结构及其制造方法. 中国: CN102332403A, 2012-01-25.[71] 姜一波, 杜寰, 曾传滨. 一种芯片内利用尖端放电的ESD保护结构. CN: CN102324421A, 2012-01-18.[72] 姜一波, 杜寰, 曾传滨, 王立新. 一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置. CN: CN102290340A, 2011-12-21.[73] 姜一波, 杜寰, 曾传滨. 一种利用尖端放电进行静电保护的封装结构. CN: CN102222662A, 2011-10-19.[74] 曾传滨, 海潮和, 李 晶, 李多力, 韩郑生. 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法. CN: CN101562140B, 2010-12-01.[75] 曾传滨, 李 晶, 海潮和, 李多力, 韩郑生. 一种改善SOI电路ESD防护网络用的电阻结构. CN: CN101562188A, 2009-10-21.[76] 曾传滨, 海潮和, 李 晶, 李多力, 韩郑生. 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构. CN: CN101562187A, 2009-10-21.[77] 曾传滨, 李多力, 李 晶, 海潮和, 韩郑生. 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法. CN: CN101276788A, 2008-10-01.
出版信息
发表论文
[1] Gao, Yuexin, Cai, Xiaowu, Han, Zhengsheng, Zeng, Chuanbin, Xia, Ruirui, Tang, Yun, Gao, Mali, Li, Bo. Design of compact-diode-SCR with low-trigger voltage for full-chip ESD protection. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2023, 140: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114860.[2] Xu, LD, Gao, LC, Ni, T, Zeng, CB. Study on low rate of change characteristics of saturation output current of 28 nm UTBB FDSOI at 300 degrees C high-temperature. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2023, [3] Xia, Ruirui, Cai, Xiaowu, Ding, Liqiang, Zeng, Chuanbin, Gao, Yuexin, Li, Mingzhu, Wang, Shiping, Li, Bo, Zhao, Fazhan. Design of a NMOS-triggered SCR for dual-direction low-voltage ESD protection. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2022, 190: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2022.108250.[4] Li Y F, Ni T, Wang J J, Zeng C B. Investigation of Transient Two-Stage Thermal Equivalent RC Network of SOI-MOSFETs Using Nano Double-Pulse Measurement. 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科研活动
参与会议
(1)开源芯片—机遇、挑战以及对策 中国计算机大会 2022-12-08(2)基于FDSOI 28nm工艺的伪90nm高速电路单粒子免疫加固技术研究 第十五届核技术应用学术交流会 王可 2019-11-15(3)SOI器件高温特性及其在深地领域的应用研究 第六届青年地学论坛 曾传滨 2019-10-12(4)A Probabilistic Analysis Technique for Single Event Transient Sensitivity Evaluation of Phase-Lock-Loops 李多力、曾传滨等 2019-09-23(5)Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique 李洋洋 2019-09-14(6)瞬时剂量率效应激光模拟测试技术研究 第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲 倪涛 2019-07-22(7)Investigation of high aspect ratio multi-level contact holes etching process in three-dimensional flash memory manufacturing 王玉岐 2018-10-31(8)人体静电模型引起的封装体内的火花放电现象研究 全国辐射物理学术交流会 李松 2014-11-01(9)正面入射单光子吸收激光脉冲测试影响因素研究 全国辐射物理学术交流会 高林春 2014-09-01(10)PDSOI SRAM XXX激光脉冲XXX对应关系 全国辐射物理学术交流会 曾传滨 2014-02-01(11)The ESD protection designed for LDMOS power amplifier 姜一波 2012-11-03(12)传输线脉冲发生器在半导体技术中的应用研究 半导体数值仿真技术论坛 曾传滨 2012-09-01
指导学生
已指导学生
张念华 硕士研究生 085208-电子与通信工程
向银松 硕士研究生 085208-电子与通信工程
王玉岐 硕士研究生 085208-电子与通信工程
朱航 硕士研究生 085208-电子与通信工程
张小琴 硕士研究生 085209-集成电路工程
王玉伟 硕士研究生 085208-电子与通信工程
盖春赟 硕士研究生 085208-电子与通信工程
陈涛 硕士研究生 085208-电子与通信工程
陈凯 硕士研究生 085208-电子与通信工程
张颢译 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
赵姗姗 硕士研究生 085209-集成电路工程
现指导学生
许立达 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
李雪勤 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
李逸帆 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
曹泽文 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
王润坚 硕士研究生 085400-电子信息
骆新宇 硕士研究生 085400-电子信息
孙晨岳 硕士研究生 085400-电子信息
董玉颖 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
阮泓睿 硕士研究生 085400-电子信息
王云亮 硕士研究生 085400-电子信息