基本信息
张兴尧 男 硕导 中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： zxy@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 新疆乌鲁木齐北京南路40-1号
邮政编码：
电子邮件： zxy@ms.xjb.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
大规模集成电路辐射效应
教育背景
2009-09--2014-06 中国科学院新疆理化技术研究所 博士学位
2003-09--2007-06 四川大学 学士学位
2003-09--2007-06 四川大学 学士学位
工作经历
工作简历
2020-10~2021-06,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2014-07~2020-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2007-12~2009-08,中国科学院新疆理化技术研究所, 项目聘用
2014-07~2020-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2007-12~2009-08,中国科学院新疆理化技术研究所, 项目聘用
专利与奖励
奖励信息
（1） 自治区科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2018
专利成果
[1] 孙静, 刘海涛, 郭旗, 李豫东, 李小龙, 荀明珠, 于钢, 张兴尧, 余学峰. 一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法. CN: CN113568028A, 2021-10-29.
[2] 文林, 李豫东, 冯婕, 周东, 张兴尧, 郭旗. 基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法. CN: CN108537809A, 2018-09-14.
[3] 冯婕, 李豫东, 文林, 于新, 张兴尧, 郭旗. 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法. CN: CN107273694A, 2017-10-20.
[4] 李豫东, 文林, 冯婕, 周东, 张兴尧, 郭旗. 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法. CN: CN107144755A, 2017-09-08.
[5] 李豫东, 文林, 郭旗, 施炜雷, 于刚, 周东, 张兴尧, 于新. 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法. CN: CN106932174A, 2017-07-07.
[6] 郭旗, 玛丽娅·黑尼, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 李豫东, 文林, 周东, 张兴尧, 陆妩, 余学峰, 何承发. 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法. CN: CN106370629A, 2017-02-01.
[7] 郭旗, 王帆, 李豫东, 汪波, 张兴尧, 何承发, 文林, 陆妩, 施炜雷, 孙静, 李小龙, 余德昭, 武大猷, 玛利亚·黑尼. 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统. CN: CN104853117A, 2015-08-19.
[8] 于新, 何承发, 施炜雷, 郭旗, 文林, 张兴尧, 孙静, 李豫东. 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法. CN: CN104459372A, 2015-03-25.
[2] 文林, 李豫东, 冯婕, 周东, 张兴尧, 郭旗. 基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法. CN: CN108537809A, 2018-09-14.
[3] 冯婕, 李豫东, 文林, 于新, 张兴尧, 郭旗. 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法. CN: CN107273694A, 2017-10-20.
[4] 李豫东, 文林, 冯婕, 周东, 张兴尧, 郭旗. 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法. CN: CN107144755A, 2017-09-08.
[5] 李豫东, 文林, 郭旗, 施炜雷, 于刚, 周东, 张兴尧, 于新. 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法. CN: CN106932174A, 2017-07-07.
[6] 郭旗, 玛丽娅·黑尼, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 李豫东, 文林, 周东, 张兴尧, 陆妩, 余学峰, 何承发. 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法. CN: CN106370629A, 2017-02-01.
[7] 郭旗, 王帆, 李豫东, 汪波, 张兴尧, 何承发, 文林, 陆妩, 施炜雷, 孙静, 李小龙, 余德昭, 武大猷, 玛利亚·黑尼. 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统. CN: CN104853117A, 2015-08-19.
[8] 于新, 何承发, 施炜雷, 郭旗, 文林, 张兴尧, 孙静, 李豫东. 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法. CN: CN104459372A, 2015-03-25.
出版信息
发表论文
[1] Yang, Guangan, Wu, Wangran, Zhang, Xingyao, Tang, Pengyu, Yang, Jing, Zhang, Long, Liu, Siyang, Sun, Weifeng. Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on the electrical properties of SOI-LIGBT. SOLIDSTATEELECTRONICS[J]. 2021, 第 3 作者175(1): http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2020.107952.
[2] 张兴尧. Total Ionizing Dose (TID) of Phase Change Random Access Memory. ICREED. 2021, 第 1 作者
[3] Guangan Yang, Wangran Wu, Zhang Xingyao. Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on theelectrical properties of SOI-LIGBT. Solid-State Electronics[J]. 2020, 第 3 作者
[4] Yang, Guangan, Wu, Wangran, Tang, Pengyu, Yang, Jing, Liu, Siyang, Zhang, Long, Sun, Weifeng, Zhang, Xingyao, IEEE. Experimental Investigation on the Electrical Properties of SOI-LIGBT Under Total-Ionizing-Dose Radiation. PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020). 2020, 第 8 作者431-434,
[5] Zhang, XingYao, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin. Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES[J]. 2018, 第 1 作者 通讯作者 29(8): 111, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675982267.
[6] 张兴尧, 郭旗, 李豫东, 文林. 不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应. 太赫兹科学与电子信息学报[J]. 2018, 第 1 作者16(1): 181-185, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000638996.
[7] Zhou, Dong, Wu, Liangcai, Wen, Lin, Ma, Liya, Zhang, Xingyao, Li, Yudong, Guo, Qi, Song, Zhitang. Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 第 5 作者57(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427883300001.
[8] 冯婕, 张兴尧, 于新, 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析. 现代应用物理[J]. 2018, 第 2 作者9(2): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000687175.
[9] Yang, Ling, Zhang, Qingzhu, Huang, Yunbo, Zheng, Zhongshan, Li, Bo, Li, Binhong, Zhang, Xingyao, Zhu, Huiping, Yin, Huaxiang, Guo, Qi, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 第 7 作者65(8): 1503-1510, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000442363300007.
[10] Hu, Shaogang, Liu, Yang, Chen, Tupei, Guo, Qi, Li, YuDong, Zhang, XingYao, Deng, L J, Yu, Qi, Yin, You, Hosaka, Sumio. gamma-Ray Radiation Effects on an HfO2-Based Resistive Memory Device. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 第 6 作者17(1): 61-64, http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2017.2661818.
[11] 于新, 郭旗, 李豫东, 何承发, 文林, 张兴尧, 周东. 3MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 第 6 作者8(4): 37-42, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433023.
[12] 文林, 李豫东, 冯婕, 郭旗, 何承发, 周东, 张兴尧, 于新, 玛丽娅·黑尼. 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法. 现代应用物理[J]. 2017, 第 7 作者8(4): 28-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433021.
[13] 张兴尧, 李豫东, 文林, 于新, 郭旗. 不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应. 现代应用物理[J]. 2017, 第 1 作者8(4): 57-62, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433027.
[14] 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东, 冯婕, 张兴尧, 于新. CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 第 7 作者8(4): 22-27, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433020.
[15] 荀明珠, 李豫东, 郭旗, 何承发, 于新, 于钢, 文林, 张兴尧. 基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现. 发光学报[J]. 2017, 第 8 作者38(6): 828-834, https://doi.org/10.3788/fgxb20173806.0828.
[16] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧. 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响. 发光学报[J]. 2016, 第 5 作者37(3): 332-337, https://doi.org/10.3788/fgxb20163703.0332.
[17] Wang Fan, Li YuDong, Guo Qi, Wang Bo, Zhang XingYao, Wen Lin, He ChengFa. Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2016, 第 5 作者65(2): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4688.
[18] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧, 文林, 何承发. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究. 物理学报[J]. 2016, 第 5 作者65(2): 024212-1, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.65.024212.
[19] 汪波, 李豫东, 郭旗, 文林, 孙静, 王帆, 张兴尧, 玛丽娅. CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应. 强激光与粒子束[J]. 2015, 第 7 作者27(9): 202-206, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=666253927.
[20] 吴雪, 陆妩, 王信, 郭旗, 张兴尧, 于新. 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究. 原子能科学技术[J]. 2014, 第 5 作者48(10): 1886-1890, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=662998154.
[21] Wu Xue, Lu Wu, Wang Yiyuan, Xu Jialing, Zhang Leqing, Lu Jian, Yu Xin, Zhang Xingyao, Hu Tianle. Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 第 8 作者34(1): 015006-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902389.
[22] 张孝富, 李豫东, 郭旗, 罗木昌, 何承发, 于新, 申志辉, 张兴尧, 邓伟, 吴正新. 60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响. 物理学报[J]. 2013, 第 8 作者62(7): 331-336, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.62.076106.
[23] 张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东, 周东. 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 物理学报[J]. 2013, 第 1 作者62(15): 347-352, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.62.156107.
[24] 胡绍刚, 张兴尧, 顾野. 基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究. 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件. 2013, 第 2 作者163-168, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3630.
[25] Zhang XingYao, Guo Qi, Lu Wu, Zhang XiaoFu, Zheng QiWen, Cui JiangWei, Li YuDong, Zhou Dong. Serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2013, 第 1 作者62(15): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735222.
[26] Zheng Qiwen, Yu Xuefeng, Cui Jiangwei, Guo Qi, Cong Zhongchao, Zhang Xingyao, Deng Wei, Zhang Xiaofu, Wu Zhengxin. Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 第 6 作者34(7): 074008-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902386.
[27] 张乐情, 郭旗, 李豫东, 卢健, 张兴尧, 胥佳灵, 于新. 应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计. 半导体技术[J]. 2012, 第 5 作者37(7): 562-566, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42508695.
[28] Cui Jiangwei, Xue Yaoguo, Yu Xuefeng, Ren Diyuan, LuJian, Zhang Xingyao. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. 半导体学报[J]. 2012, 第 6 作者33(1): 014006-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40725397.
[29] 崔江维, 薛耀国, 余学峰, 任迪远, 卢健, 张兴尧. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. 半导体学报[J]. 2012, 第 6 作者33(1): 64-67, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40725397.
[30] 于新, 何承发, 郭旗, 张兴尧, 吴雪, 张乐情, 卢建, 胥佳灵, 胡天乐. 半导体材料电子非电离能损的分析法计算. 核电子学与探测技术[J]. 2012, 第 4 作者32(7): 820-825, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43390040.
[2] 张兴尧. Total Ionizing Dose (TID) of Phase Change Random Access Memory. ICREED. 2021, 第 1 作者
[3] Guangan Yang, Wangran Wu, Zhang Xingyao. Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on theelectrical properties of SOI-LIGBT. Solid-State Electronics[J]. 2020, 第 3 作者
[4] Yang, Guangan, Wu, Wangran, Tang, Pengyu, Yang, Jing, Liu, Siyang, Zhang, Long, Sun, Weifeng, Zhang, Xingyao, IEEE. Experimental Investigation on the Electrical Properties of SOI-LIGBT Under Total-Ionizing-Dose Radiation. PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020). 2020, 第 8 作者431-434,
[5] Zhang, XingYao, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin. Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES[J]. 2018, 第 1 作者 通讯作者 29(8): 111, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675982267.
[6] 张兴尧, 郭旗, 李豫东, 文林. 不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应. 太赫兹科学与电子信息学报[J]. 2018, 第 1 作者16(1): 181-185, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000638996.
[7] Zhou, Dong, Wu, Liangcai, Wen, Lin, Ma, Liya, Zhang, Xingyao, Li, Yudong, Guo, Qi, Song, Zhitang. Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 第 5 作者57(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427883300001.
[8] 冯婕, 张兴尧, 于新, 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析. 现代应用物理[J]. 2018, 第 2 作者9(2): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000687175.
[9] Yang, Ling, Zhang, Qingzhu, Huang, Yunbo, Zheng, Zhongshan, Li, Bo, Li, Binhong, Zhang, Xingyao, Zhu, Huiping, Yin, Huaxiang, Guo, Qi, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs With ON-State Bias Irradiation. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 第 7 作者65(8): 1503-1510, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000442363300007.
[10] Hu, Shaogang, Liu, Yang, Chen, Tupei, Guo, Qi, Li, YuDong, Zhang, XingYao, Deng, L J, Yu, Qi, Yin, You, Hosaka, Sumio. gamma-Ray Radiation Effects on an HfO2-Based Resistive Memory Device. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 第 6 作者17(1): 61-64, http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2017.2661818.
[11] 于新, 郭旗, 李豫东, 何承发, 文林, 张兴尧, 周东. 3MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 第 6 作者8(4): 37-42, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433023.
[12] 文林, 李豫东, 冯婕, 郭旗, 何承发, 周东, 张兴尧, 于新, 玛丽娅·黑尼. 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法. 现代应用物理[J]. 2017, 第 7 作者8(4): 28-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433021.
[13] 张兴尧, 李豫东, 文林, 于新, 郭旗. 不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应. 现代应用物理[J]. 2017, 第 1 作者8(4): 57-62, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433027.
[14] 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东, 冯婕, 张兴尧, 于新. CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 第 7 作者8(4): 22-27, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433020.
[15] 荀明珠, 李豫东, 郭旗, 何承发, 于新, 于钢, 文林, 张兴尧. 基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现. 发光学报[J]. 2017, 第 8 作者38(6): 828-834, https://doi.org/10.3788/fgxb20173806.0828.
[16] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧. 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响. 发光学报[J]. 2016, 第 5 作者37(3): 332-337, https://doi.org/10.3788/fgxb20163703.0332.
[17] Wang Fan, Li YuDong, Guo Qi, Wang Bo, Zhang XingYao, Wen Lin, He ChengFa. Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2016, 第 5 作者65(2): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4688.
[18] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧, 文林, 何承发. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究. 物理学报[J]. 2016, 第 5 作者65(2): 024212-1, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.65.024212.
[19] 汪波, 李豫东, 郭旗, 文林, 孙静, 王帆, 张兴尧, 玛丽娅. CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应. 强激光与粒子束[J]. 2015, 第 7 作者27(9): 202-206, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=666253927.
[20] 吴雪, 陆妩, 王信, 郭旗, 张兴尧, 于新. 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究. 原子能科学技术[J]. 2014, 第 5 作者48(10): 1886-1890, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=662998154.
[21] Wu Xue, Lu Wu, Wang Yiyuan, Xu Jialing, Zhang Leqing, Lu Jian, Yu Xin, Zhang Xingyao, Hu Tianle. Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 第 8 作者34(1): 015006-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902389.
[22] 张孝富, 李豫东, 郭旗, 罗木昌, 何承发, 于新, 申志辉, 张兴尧, 邓伟, 吴正新. 60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响. 物理学报[J]. 2013, 第 8 作者62(7): 331-336, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.62.076106.
[23] 张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东, 周东. 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 物理学报[J]. 2013, 第 1 作者62(15): 347-352, https://wulixb.iphy.ac.cn/cn/article/doi/10.7498/aps.62.156107.
[24] 胡绍刚, 张兴尧, 顾野. 基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究. 2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件. 2013, 第 2 作者163-168, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3630.
[25] Zhang XingYao, Guo Qi, Lu Wu, Zhang XiaoFu, Zheng QiWen, Cui JiangWei, Li YuDong, Zhou Dong. Serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2013, 第 1 作者62(15): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735222.
[26] Zheng Qiwen, Yu Xuefeng, Cui Jiangwei, Guo Qi, Cong Zhongchao, Zhang Xingyao, Deng Wei, Zhang Xiaofu, Wu Zhengxin. Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 第 6 作者34(7): 074008-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902386.
[27] 张乐情, 郭旗, 李豫东, 卢健, 张兴尧, 胥佳灵, 于新. 应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计. 半导体技术[J]. 2012, 第 5 作者37(7): 562-566, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42508695.
[28] Cui Jiangwei, Xue Yaoguo, Yu Xuefeng, Ren Diyuan, LuJian, Zhang Xingyao. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. 半导体学报[J]. 2012, 第 6 作者33(1): 014006-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40725397.
[29] 崔江维, 薛耀国, 余学峰, 任迪远, 卢健, 张兴尧. Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs. 半导体学报[J]. 2012, 第 6 作者33(1): 64-67, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40725397.
[30] 于新, 何承发, 郭旗, 张兴尧, 吴雪, 张乐情, 卢建, 胥佳灵, 胡天乐. 半导体材料电子非电离能损的分析法计算. 核电子学与探测技术[J]. 2012, 第 4 作者32(7): 820-825, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=43390040.
科研活动
科研项目
（ 1 ） SiC VDMOS 电离辐射效应及机理研究, 主持, 省级, 2018-08--2021-07
（ 2 ） XXX协和效应研究, 参与, 研究所（学校）, 2020-01--2024-12
（ 2 ） XXX协和效应研究, 参与, 研究所（学校）, 2020-01--2024-12
参与会议
（1）Low energy proton irradiation effects on InP/InGaAs DHBTs and InP-base frequency dividers 2018-11-21
（2）Displacement damage effects and anneal characteristic on InP/InGaAs DHBTs 2018-05-23
（2）Displacement damage effects and anneal characteristic on InP/InGaAs DHBTs 2018-05-23