研究领域为低维半导体材料与器件，研究方向包括微电子和光电子，涉及的材料体系包括氧化物、硫化物、非晶碳、石墨烯等。具体研究方向为：（1）用于人工智能的忆阻器基神经突触仿生电子器件；（2）用于环境净化和新能源的可见光光催化材料及相关器件；（3）用于照明及显示的新型LED导光板和扩散板。

       研究领域详细介绍网页：https://zhugefei.nimte.ac.cn

080501-材料物理与化学
080502-材料学

功能材料与纳米器件
新能源材料及相关技术

2002-04--2005-03   浙江大学   博士
1999-09--2002-03   西安交通大学   硕士
1995-09--1999-07   西安交通大学   本科

   

（1） 电致阻变材料与阻变存储器研究, 二等奖, 市地级, 2015

[1] 诸葛飞, 胡令祥, 邵家乐. 一种具有加密功能的神经形态视觉传感器及图像原位物理加密方法. 202311456846.1, 2023-11-03.
[2] 诸葛飞, 王耀科, 邵家乐, 胡令祥, 李宗晓, 李波桥. 一种感算一体的视觉传感芯片. CN: CN116383131A, 2023-07-04.
[3] 诸葛飞, 郭真真, 胡令祥, 伏兵. 一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法. CN: CN114512599A, 2022-05-17.
[4] 诸葛飞, 鹿文博, 胡令祥. 一种基于光电忆阻器同时实现突触短程增强和抑制的方法. CN: CN113851583A, 2021-12-28.
[5] 诸葛飞, 杨静, 胡令祥. 一种利用全光控忆阻器实现非易失性布尔逻辑的方法. CN: CN113517886A, 2021-10-19.
[6] 诸葛飞, 沈柳枫, 胡令祥, 张莉. 一种利用光信号在忆阻器中实现正负光电导的方法. CN: CN112951987A, 2021-06-11.
[7] 诸葛飞, 徐慧文, 鹿文博, 张莉. 一种利用光和质子耦合作用模拟神经突触功能的方法. CN: CN111783975A, 2020-10-16.
[8] 诸葛飞, 胡令祥. 一种利用光信号可逆调控忆阻器电导的方法. CN: CN111525027A, 2020-08-11.
[9] 王敬蕊, 宋琨, 诸葛飞, 曹鸿涛. 一种室温催化氧化甲醛的催化剂及其制备方法. CN: CN108940265B, 2021-08-27.
[10] 诸葛飞, 竺臻楠, 俞家欢, 曹鸿涛. 一种全碳忆阻器及其制备方法. CN: CN108682738A, 2018-10-19.
[11] 诸葛飞, 竺臻楠, 俞家欢, 曹鸿涛. 一种全碳忆阻器及其制备方法. CN: CN108682738B, 2022-03-08.
[12] 王敬蕊, 诸葛飞, 郑秀, 曹鸿涛. 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法. CN: CN107946459A, 2018-04-20.
[13] 诸葛飞, 胡令祥, 曹鸿涛. 一种忆阻器及其应用. CN: CN106654009A, 2017-05-10.
[14] 诸葛飞, 胡令祥, 曹鸿涛. 一种忆阻器. CN: CN106299114A, 2017-01-04.
[15] 诸葛飞, 卜彦强, 吴明番, 曹鸿涛, 吴爱国, 徐裕. 一种TiO 2 -SiO 2 可见光光催化复合薄膜及其制备方法. CN: CN106362784B, 2019-03-05.
[16] 诸葛飞, 卜彦强, 吴明番, 曹鸿涛, 吴爱国, 徐裕. 一种TiO 2 ‑SiO 2 可见光光催化复合薄膜及其制备方法. CN: CN106362784A, 2017-02-01.
[17] 诸葛飞, 卜彦强, 李振超, 梁凌燕, 曹鸿涛, 吴爱国, 曾乐勇, 沈折玉, 徐裕. 一种可见光响应的碳掺杂纳米二氧化钛催化剂的制备方法. CN: CN105344343A, 2016-02-24.
[18] 诸葛飞, 李振超, 吴爱国, 曾乐勇, 沈折玉, 徐裕, 梁凌燕, 曹鸿涛. 一种钼掺杂的纳米二氧化钛催化剂的制备方法. CN: CN106390987A, 2017-02-15.
[19] 诸葛飞, 潘若冰, 曹鸿涛, 竺立强, 李俊. 一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法. CN: CN104934534A, 2015-09-23.
[20] 诸葛飞, 潘若冰, 曹鸿涛, 竺立强, 李俊. 一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品. CN: CN104518088A, 2015-04-15.
[21] 诸葛飞, 伏兵, 曹鸿涛. 一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法及其产品. CN: CN105098065A, 2015-11-25.
[22] 诸葛飞, 胡本林, 诸葛飞, 潘亮. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. CN: CN104518083A, 2015-04-15.
[23] 诸葛飞, 陈浩, 曹鸿涛. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. 中国: CN104518083A, 2015-04-15.
[24] 诸葛飞, 曹鸿涛, 陈浩. 一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品. CN: CN104513955A, 2015-04-15.
[25] 李润伟, 苏文静, 诸葛飞, 朱小健. 一种电流振荡器及其制备方法. CN: CN102315834A, 2012-01-11.
[26] 李润伟, 胡本林, 诸葛飞, 潘亮. 一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱. CN: CN102219898A, 2011-10-19.
[27] 诸葛飞, 李润伟. B-C-N三元化合物及其制备方法. CN: CN101700889A, 2010-05-05.
[28] 诸葛飞, 李润伟. 一种高纯碳化硼粉体的制备方法. CN: CN101712473A, 2010-05-26.
[29] 李润伟, 诸葛飞, 何聪丽, 汪爱英, 代 伟. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. 中国: CN101599531, 2009-12-09.
[30] 李润伟, 诸葛飞, 诸葛飞, 汪爱英. 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法. CN: CN101599531A, 2009-12-09.

   

[1] Ruqi Yang, Yang Tian, Lingxiang Hu, Siqin Li, Fengzhi Wang, Dunan Hu, Qiujiang Chen, Xiaodong Pi, Jianguo Lu, 诸葛飞, Zhizhen Ye. Dual-input optoelectronic synaptic transistor based on amorphous ZnAlSnO for multi-target neuromorphic simulation. Materials Today Nano[J]. 2024, 第 10 作者  通讯作者  
[2] Jing Yang, Lingxiang Hu, Liufeng Shen, Jingrui Wang, Peihong Cheng, Huanming Lu, 诸葛飞, Zhizhen Ye. Optically driven intelligent computing with ZnO memristor. FUNDAMENTAL RESEARCH[J]. 2024, 第 7 作者  通讯作者  4(1): 158-166, http://dx.doi.org/10.1016/j.fmre.2022.06.019.
[3] Lingxiang Hu, Jiale Shao, Jingrui Wang, Peihong Cheng, Li Zhang, Yang Chai, Zhizhen Ye, 诸葛飞. In situ cryptography in a neuromorphic vision sensor based on light-driven memristors. Applied Physics Reviews[J]. 2024, 第 8 作者  通讯作者  
[4] 诸葛霞, 诸葛飞. 面向新一代智能视觉的光电忆阻器研究进展. 中国材料进展[J]. 2023, 第 2 作者  通讯作者  42(8): 614-624, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7110391156.
[5] 诸葛霞, 朱仁祥, 王建民, 王敬蕊, 诸葛飞. 面向类脑计算的氧化物忆阻器. 无机材料学报[J]. 2023, 第 5 作者  通讯作者  38(10): 1149-1162, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7110884166.
[6] Yang, Ruqi, Yin, Lei, Lu, Jianguo, Lu, Bojing, Pi, Xiaodong, Li, Siqin, 诸葛飞, Lu, Yangdan, Shao, Wenyi, Ye, Zhizhen. Optoelectronic Artificial Synaptic Device Based on Amorphous InAlZnO Films for Learning Simulations. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES[J]. 2022, 第 7 作者  通讯作者  14(41): 46866-46875, http://dx.doi.org/10.1021/acsami.2c14029.
[7] Geng, Xiaoying, Hu, Lingxiang, 诸葛飞, Wei, Xianhua. Retina-Inspired Two-Terminal Optoelectronic Neuromorphic Devices with Light-Tunable Short-Term Plasticity for Self-Adjusting Sensing. ADVANCED INTELLIGENT SYSTEMS[J]. 2022, 第 3 作者  通讯作者  4(6): https://doaj.org/article/afdad6228f05458f8b8c3f6e02210747.
[8] 徐慧文, 竺臻楠, 胡令祥, 李俊, 俞家欢, 卢焕明, 张莉, 王敬蕊, 诸葛飞. 具有短程抑制特性的超低功耗全碳质子突触器件. 材料科学与工程学报[J]. 2022, 第 9 作者  通讯作者  40(3): 396-405,483, https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/clkxygc202203005.
[9] 沈柳枫, 胡令祥, 康逢文, 叶羽敏, 诸葛飞. 光电神经形态器件及其应用. 物理学报[J]. 2022, 第 5 作者  通讯作者  71(14): 80-102, https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/wlxb202214005.
[10] 杨静, 卢焕明, 叶羽敏, 诸葛飞. ZnO全光控忆阻器及其类突触行为. 材料科学与工程学报[J]. 2021, 第 4 作者  通讯作者  39(3): 393-397, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104912397.
[11] Hu, Lingxiang, Yang, Jing, Wang, Jingrui, Cheng, Peihong, Chua, Leon O, Zhuge, Fei. All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS[J]. 2021, 第 6 作者  通讯作者  31(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000590569500001.
[12] Li, Zongxiao, Geng, Xiaoying, Wang, Jingrui, Zhuge, Fei. Emerging Artificial Neuron Devices for Probabilistic Computing. FRONTIERS IN NEUROSCIENCE[J]. 2021, 第 4 作者  通讯作者  15: 717947, http://dx.doi.org/10.3389/fnins.2021.717947.
[13] 陈炜东, 骆军, 曹鸿涛, 梁凌燕, 张洪亮, 张莉, 诸葛飞. CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能. 材料科学与工程学报[J]. 2021, 第 7 作者  通讯作者  39(1): 30-34, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103941842.
[14] Bu, Yanqiang, Zhang, Li, Ma, Dewei, Zhuge, Fei. Low-Temperature Synthesis of Micro-Mesoporous TiO2-SiO2 Composite Film Containing Fe-N Co-Doped Anatase Nanocrystals for Photocatalytic NO Removal. CATALYSIS LETTERS[J]. 2021, 第 4 作者  通讯作者  151(8): 2396-2407, http://dx.doi.org/10.1007/s10562-020-03466-8.
[15] Wang, Jingrui, Xia, Zhuge, 诸葛飞. Hybrid oxide brain-inspired neuromorphic devices for hardware implementation of artificial intelligence. SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS[J]. 2021, 第 3 作者  通讯作者  22(1): 326-344, https://doaj.org/article/167695ce5b914dac9159ee05091cd221.
[16] 竺臻楠, 胡令祥, 俞家欢, 张洪亮, 梁凌燕, 张莉, 曹鸿涛, 诸葛飞. 溶液法制备全碳忆阻器. 材料科学与工程学报[J]. 2020, 第 8 作者  通讯作者  38(1): 64-67, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2020&filename=CLKX202001013&v=MTUyMzdidkJKaUhBZHJHNEhOSE1ybzlFWjRSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVRyV00xRnJDVVI3cWVadWR1Rnl6bFU=.
[17] Wang, Yuchen, Hu, Lingxiang, Wei, Xianhua, Zhuge, Fei. Ultralow operation voltages of a transparent memristor based on bilayer ITO. APPLIEDPHYSICSLETTERS[J]. 2020, 第 4 作者  通讯作者  116(22): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000540740400001.
[18] Xia Zhuge, Jingrui Wang, 诸葛飞. Photonic Synapses for Ultrahigh‐Speed Neuromorphic Computing. physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters[J]. 2019, 第 3 作者  通讯作者  13(9): https://www.doi.org/10.1002/pssr.201900082.
[19] Wang, Jingrui, Zhuge, Fei. Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing. ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES[J]. 2019, 第 2 作者  通讯作者  4(3): http://dx.doi.org/10.1002/admt.201800544.
[20] 卜彦强, 马德伟, 宋琨, 曹鸿涛, 吴爱国, 王立平, 陈亮, 金亦君, 徐裕, 张莉, 梁凌燕, 张洪亮, 高俊华, 诸葛飞. 低温制备N-Fe共掺杂TiO2-SiO2可见光催化复合薄膜. 材料科学与工程学报[J]. 2018, 第 14 作者36(6): 921-926, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6100112754.
[21] 胡令祥, 施思齐, 曹鸿涛, 梁凌燕, 张洪亮, 高俊华, 诸葛飞. 高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响. 材料科学与工程学报[J]. 2018, 第 7 作者36(4): 564-567, http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16525.
[22] 王洋, 焦雷, 赵飞文, 李惠, 郑秀, 曹鸿涛, 梁凌燕, 张洪亮, 高俊华, 诸葛飞. ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为. 材料科学与工程学报[J]. 2018, 第 10 作者36(5): 726-729, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676666458.
[23] 李久朋, 马德伟, 曹鸿涛, 竺立强, 李俊, 李康, 梁凌燕, 张洪亮, 高俊华, 诸葛飞. 一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器. 材料科学与工程学报[J]. 2017, 第 10 作者35(4): 592-595, http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13346.
[24] 潘若冰, 胡丽娟, 曹鸿涛, 竺立强, 李俊, 李康, 梁凌燕, 张洪亮, 高俊华, 诸葛飞. 基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件. 材料科学与工程学报[J]. 2017, 第 10 作者35(2): 232-236, http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13402.
[25] Xu, D, Shangguan, X N, Wang, S M, Cao, H T, Liang, L Y, Zhang, H L, Gao, J H, Long, W M, Wang, J R, Zhuge, F. Coexistence of two types of metal filaments in oxide memristors. AIP ADVANCES[J]. 2017, 7(2): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/14012.
[26] Hu, Lingxiang, Fu, Sheng, Chen, Youhu, Cao, Hongtao, Liang, Lingyan, Zhang, Hongliang, Gao, Junhua, Wang, Jingrui, Zhuge, Fei. Ultrasensitive Memristive Synapses Based on Lightly Oxidized Sulfide Films. ADVANCED MATERIALS[J]. 2017, 第 9 作者  通讯作者  29(24): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13766.
[27] Pan, Ruobing, Li, Jun, Zhuge, Fei, Zhu, Liqiang, Liang, Lingyan, Zhang, Hongliang, Gao, Junhua, Cao, Hongtao, Fu, Bing, Li, Kang. Synaptic devices based on purely electronic memristors. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 第 3 作者  通讯作者  108(1): http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2235169.
[28] Wang, Jingrui, Pan, Ruobing, Cao, Hongtao, Wang, Yang, Liang, Lingyan, Zhang, Hongliang, Gao, Junhua, Zhuge, Fei. Anomalous rectification in a purely electronic memristor. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 第 8 作者  通讯作者  109(14): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000386152800063.
[29] Zhuge, Fei, Li, Jun, Chen, Hao, Wang, Jun, Zhu, Liqiang, Bian, Baoru, Fu, Bing, Wang, Qin, Li, Le, Pan, Ruobing, Liang, Lingyan, Zhang, Hongliang, Cao, Hongtao, Zhang, Hong, Li, Zhicheng, Gao, Junhua, Li, Kang. Single-crystalline metal filament-based resistive switching in a nitrogen-doped carbon film containing conical nanopores. APPLIEDPHYSICSLETTERS[J]. 2015, 第 1 作者  通讯作者  106(8): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000350546600062.
[30] Zhuge, Fei, Li, Kang, Fu, Bing, Zhang, Hongliang, Li, Jun, Chen, Hao, Liang, Lingyan, Gao, Junhua, Cao, Hongtao, Liu, Zhimin, Luo, Hao. Mechanism for resistive switching in chalcogenide-based electrochemical metallization memory cells. AIP ADVANCES[J]. 2015, 第 1 作者  通讯作者  5(5): https://doaj.org/article/6f4c54f746564ae885735cc3c1113824.
[31] Chen, Hao, Zhuge, Fei, Fu, Bing, Li, Jun, Wang, Jun, Wang, Weigao, Wang, Qin, Li, Le, Li, Fagen, Zhang, Haolei, Liang, Lingyan, Luo, Hao, Wang, Mei, Gao, Junhua, Cao, Hongtao, Zhang, Hong, Li, Zhicheng. Forming-free resistive switching in a nanoporous nitrogen-doped carbon thin film with ready-made metal nanofilaments. CARBON[J]. 2014, 第 2 作者  通讯作者  76: 459-463, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.04.091.
[32] 伏兵, 诸葛飞, 刘志敏, 罗浩, 梁凌燕, 高俊华, 曹鸿涛. 氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响. 材料科学与工程学报[J]. 2014, 第 2 作者922-924, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=67767588504849524854485149.
[33] 诸葛飞. Nonvolatile bistable resistive switching in a new polyimide bearing 9-pheny-9H-carbazole pendant. Journal of Materials Chemistry. 2012, 第 1 作者  通讯作者  
[34] Peng, Shanshan, Zhuge, Fei, Chen, Xinxin, Zhu, Xiaojian, Hu, Benlin, Pan, Liang, Chen, Bin, Li, RunWei. Mechanism for resistive switching in an oxide-based electrochemical metallization memory. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2012, 第 11 作者100(7): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/755194.
[35] Zhuge, Fei, Peng, Shanshan, He, Congli, Zhu, Xiaojian, Chen, Xinxin, Liu, Yiwei, Li, RunWei. Improvement of resistive switching in Cu/ZnO/Pt sandwiches by weakening the randomicity of the formation/rupture of Cu filaments. NANOTECHNOLOGY[J]. 2011, 第 1 作者22(27): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000291021200007.
[36] Zhuge, Fei, Hu, Benlin, He, Congli, Zhou, Xufeng, Liu, Zhaoping, Li, RunWei. Mechanism of nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films. CARBON[J]. 2011, 第 1 作者49(12): 3796-3802, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2011.04.071.
[37] Zhu, Xiaojian, Zhuge, Fei, Li, Mi, Yin, Kuibo, Liu, Yiwei, Zuo, Zhenghu, Chen, Bin, Li, RunWei. Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviours in Ce-doped BiFeO3 thin films. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2011, 第 2 作者44(41): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000295460000008.
[38] Chen, Bin, Li, Mi, Liu, Yiwei, Zuo, Zhenghu, Zhuge, Fei, Zhan, QingFeng, Li, RunWei. Effect of top electrodes on photovoltaic properties of polycrystalline BiFeO3 based thin film capacitors. NANOTECHNOLOGY[J]. 2011, 第 5 作者22(19): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000288750800003.
[39] Yin, Kuibo, Li, Mi, Liu, Yiwei, He, Congli, Zhuge, Fei, Chen, Bin, Lu, Wei, Pan, Xiaoqing, Li, RunWei. Resistance switching in polycrystalline BiFeO3 thin films. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 第 5 作者97(4): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/643.
[40] Zhuge, F, Dai, W, He, C L, Wang, A Y, Liu, Y W, Li, M, Wu, Y H, Cui, P, Li, RunWei. Nonvolatile resistive switching memory based on amorphous carbon. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 96(16): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/303.
[41] Li, Mi, Zhuge, Fei, Zhu, Xiaojian, Yin, Kuibo, Wang, Jinzhi, Liu, Yiwei, He, Congli, Chen, Bin, Li, RunWei. Nonvolatile resistive switching in metal/La-doped BiFeO3/Pt sandwiches. NANOTECHNOLOGY[J]. 2010, 第 2 作者21(42): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/1544.
[42] Shang, D S, Shi, L, Sun, J R, Shen, B G, Zhuge, F, Li, R W, Zhao, Y G. Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 96(7): http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39670.
[43] He, C L, Zhuge, F, Zhou, X F, Li, M, Zhou, G C, Liu, Y W, Wang, J Z, Chen, B, Su, W J, Liu, Z P, Wu, Y H, Cui, P, Li, RunWei. Nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2009, 95(23): http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/381.

（ 1 ） 石墨烯物理及应用, Physics and Applications of Graphene, InTech, 2011-04, 第 1 作者
（ 2 ） 石墨烯研究新进展, New Progress on Graphene Research, InTech, 2013-03, 第 1 作者

   

（ 1 ） 非晶碳薄膜中可逆巨电致电阻效应的研究, 主持, 国家级, 2010-01--2013-12
（ 2 ） 碳基薄膜阻变效应的研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
（ 3 ） 单根氧化物半导体纳米线中巨电致电阻效应的机理研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 4 ） 基于非晶碳纳米忆阻器的神经突触仿生器件研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 5 ） 基于氧化物纳米忆阻器的神经突触仿生器件研究, 主持, 省级, 2015-01--2018-12
（ 6 ） 用于构建人工神经网络的纯电子型忆阻器突触阵列研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12

已指导学生

彭姗姗  02  19575  

杨智唤  02  19216  

王妹  02  19216  

现指导学生

付圣   01  19216  

俞家欢  02  19216