基本信息
诸葛飞  男  博导  中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件: zhugefei@nimte.ac.cn
通信地址: 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
邮政编码: 315201

研究领域

研究领域为低维半导体材料与器件,研究方向包括微电子和光电子,涉及的材料体系包括氧化物、硫化物、非晶碳、石墨烯等。具体研究方向为:(1)用于人工智能的忆阻器基神经突触仿生电子器件;(2)用于环境净化和新能源的可见光光催化材料及相关器件;(3)用于照明及显示的新型LED导光板和扩散板。

详情请见:http://zhugefei.nimte.ac.cn

招生信息


招生专业
080501-材料物理与化学
080502-材料学
招生方向
功能材料与纳米器件
新能源材料及相关技术

教育背景

2002-04--2005-03   浙江大学   博士
1999-09--2002-03   西安交通大学   硕士
1995-09--1999-07   西安交通大学   本科

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 电致阻变材料与阻变存储器研究, 二等奖, 市地级, 2015
专利成果
( 1 ) 一种高纯碳化硼粉体的制备方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910153736.1
( 2 ) 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0100140.5
( 3 ) 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 0100141.X
( 4 ) 一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310445981.6
( 5 ) 一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法及其产品, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410204899.9
( 6 ) 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310446932.4
( 7 ) 一种生物神经突触仿生电子 器件单元的制备方法及其产品, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410687913.5
( 8 ) 一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510255588.X
( 9 ) 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL 2013 1 0446932.4

出版信息

   
发表论文
(1) Coexistence of two types of metal filaments in oxide memristors, AIP Advances, 2017, 通讯作者
(2) Ultrasensitive memristive synapses based on lightly oxidized sulfide films, Advanced Materials, 2017, 通讯作者
(3) Synaptic devices based on purely electronic memristors, Applied Physics Letters, 2016, 通讯作者
(4) Anomalous rectification in a purely electronic memristor, Applied Physics Letters, 2016, 通讯作者
(5) Single-crystalline metal filament-based resistive switching in a nitrogen-doped carbon film containing conical nanopores, Applied Physics Letters, 2015, 通讯作者
(6) Mechanism for resistive switching in chalcogenide-based electrochemical metallization memory cells , AIP Advances, 2015, 通讯作者
(7) Forming-free resistive switching in a nanoporous nitrogen-doped carbon thin film with ready-made metal nanofilaments, Carbon, 2014, 通讯作者
(8) Nonvolatile bistable resistive switching in a new polyimide bearing 9-pheny-9H-carbazole pendant, Journal of Materials Chemistry, 2012, 通讯作者
(9) Mechanism for resistive switching in an oxide-based electrochemical metallization memory, Applied Physics Letters, 2012, 通讯作者
(10) Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviours in Ce-doped BiFeO3 thin films, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 通讯作者
(11) Mechanism of nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films, Carbon, 2011, 第 1 作者
(12) Improvement of resistive switching in Cu/ZnO/Pt sandwiches by weakening the randomicity of the formation/rupture of Cu filaments, Nanotechnology, 2011, 第 1 作者
(13) Effect of top electrodes on photovoltaic properties of polycrystalline BiFeO3 based thin film capacitors, Nanotechnology, 2011, 第 5 作者
(14) Nonvolatile resistive switching memory based on amorphous carbon, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者
(15) Nonvolatile resistive switching in metal/La-doped BiFeO3/Pt sandwiches, Nanotechnology, 2010, 第 2 作者
(16) Resistance switching in polycrystalline BiFeO3 thin films, Applied Physics Letters, 2010, 第 5 作者
(17) Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing, Applied Physics Letters, 2010, 第 5 作者
(18) Nonvolatile resistive switching in graphene oxide thin films, Applied Physics Letters, 2009, 第 2 作者
发表著作
( 1 ) 石墨烯物理及应用, Physics and Applications of Graphene, InTech, 2011-04, 第 1 作者
( 2 ) 石墨烯研究新进展, New Progress on Graphene Research, InTech, 2013-03, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 非晶碳薄膜中可逆巨电致电阻效应的研究, 主持, 国家级, 2010-01--2013-12
( 2 ) 碳基薄膜阻变效应的研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
( 3 ) 单根氧化物半导体纳米线中巨电致电阻效应的机理研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
( 4 ) 基于非晶碳纳米忆阻器的神经突触仿生器件研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 5 ) 基于氧化物纳米忆阻器的神经突触仿生器件研究, 主持, 省级, 2015-01--2018-12
( 6 ) 用于构建人工神经网络的纯电子型忆阻器突触阵列研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12

指导学生

已指导学生

彭姗姗  02  19575  

杨智唤  02  19216  

王妹  02  19216  

现指导学生

付圣   01  19216  

俞家欢  02  19216