相变存储器材料、器件、纳米工艺与芯片三维集成

优先考虑微电子、半导体、集成电路科学、物理、材料类背景；勤勉务实，具有独立思考、自主学习能力，良好的中英文沟通、表达能力，有实践动手经历，对科研热情专注，有探索精神和强烈的好奇心。

080903-微电子学与固体电子学

相变存储材料与器件
存储芯片集成工艺
新型信息存储器件与前沿应用

2009-09--2014-07   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2009-07   华东师范大学   理学学士

2020-09~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2017-08~2020-07,德国马普学会微结构物理研究所, 博士后
2014-07~2017-07,新加坡科技设计大学, 博士后

   

（1） 中国科学院杰出科技成就奖, , 部委级, 2022
（2） 全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖, , 部委级, 2022
（3） 上海市浦江（A类）人才计划, 省级, 2021
（4） 国家海外高层次人才, , 国家级, 2021
（5） 上海市海外高层次人才, , 省级, 2021
（6） 上海市优秀博士论文, 省级, 2016
（7） UCAS-BHP BILLITON SCHOLARSHIP, 部委级, 2013

（ 1 ） 一种三维相变存储器及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115955843A

（ 2 ） 一种高密度相变存储器的制备方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115275001A

（ 3 ） 一种高密度相变存储器的制备方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115275001A

（ 4 ） 一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115000296A

（ 5 ） 一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114709330A

（ 6 ） 一种相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112635667A

（ 7 ） 一种存储器及其制作方法, 发明专利, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105322090A

（ 8 ） 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103531710A

（ 9 ） 一种相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN102832340B

（ 10 ） 一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102593355A

（ 11 ） 一种Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102593355B

（ 12 ） 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623632A

（ 13 ） 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102610745A

（ 14 ） 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料, 发明专利, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102130298A

（ 15 ） 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134698A

（ 16 ） 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102254927A

（ 17 ） 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101924180A

   

（1） Understanding the microstructure evolution of carbon-doped Sb2Te3 phase change material for high thermal stability memory application, Applied Physics Letters, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（2） 300mm integration of a scalable phase change material spacer by inductively coupled plasma etching, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（3） Nanoscale Phase Change Material Array by Sub-Resolution Assist Feature for Storage Class Memory Application, NANOMATERIALS, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（4） The effect of slurry pH on the chemical mechanical planarization of a carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 第 7 作者  通讯作者
（5） Ionitronic manipulation of current-induced domain wall motion in synthetic antiferromagnets, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 2 作者
（6） Design of c-Axis-Oriented Pnictogen Chalcogenides, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（7） Increased Efficiency of Current-Induced Motion of Chiral Domain Walls by Interface Engineering, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 2 作者
（8） Giant Transition-State Quasiparticle Spin-Hall Effect in an Exchange-Spin-Split Superconductor Detected by Nonlocal Magnon Spin Transport, ACS NANO, 2020, 第 3 作者
（9） Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, Journal of Materials Sciences and Technology, 2020, 第 3 作者
（10） Wide Bandgap Phase Change Material Tuned Visible Photonics, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 第 7 作者
（11） Sb2Te3 and Its Superlattices: Optimization by Statistical Design, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 第 2 作者
（12） Tunable Mid-Infrared Phase-Change Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 3 作者
（13） Understanding phase-change materials with unexpectedly low resistance drift for phase-change memories, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 9 作者  通讯作者
（14） Tuneable Thermal Emission Using Chalcogenide Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 5 作者
（15） Avalanche atomic switching in strain engineered Sb2Te3-GeTe interfacial phase-change memory cells, NANO FUTURES, 2017, 第 1 作者  通讯作者
（16） Laser switching and characterisation of chalcogenides: systems, measurements, and applicability to photonics Invited, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（17） Phase-Change Memory Materials by Design: A Strain Engineering Approach, ADVANCED MATERIALS, 2016, 第 1 作者  通讯作者
（18） Evolutionary design of interfacial phase change van der Waals heterostructures, NANOSCALE, 2016, 第 2 作者
（19） Oxygen Tuned Local Structure and Phase-Change Performance of Germanium Telluride, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 第 1 作者  通讯作者
（20） 相变存储器材料研究, Study of phase change materials for phase change random access memory, 中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016, 第 3 作者
（21） Strain-engineered diffusive atomic switching in two-dimensional crystals, NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 第 2 作者
（22） Study on WSb3Te material for phase-change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 2 作者
（23） A zero density change phase change memory material: GeTe-O structural characteristics upon crystallisation, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 第 1 作者
（24） RESET Distribution Improvement of Phase Change Memory: The Impact of Pre-Programming, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 4 作者
（25） Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 for Phase-Change Memory Application, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 1 作者
（26） High thermal stability and low density variation of carbon-doped Ge2Sb2Te5 for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 3 作者
（27） Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te phase-change material for high-performance phase-change memory, ACTA MATERIALIA, 2013, 第 1 作者
（28） Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响, The characteristics of GeTe-Sb thin films with different Sb concentration for phase change memory, 电子显微学报, 2013, 第 2 作者
（29） A simple method used to evaluate phase-change materials based on focused-ion beam technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（30） Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（31） Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 2 作者
（32） Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
（33） Investigation on Sb-rich Sb���Se���Te phase-change material for phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 第 5 作者
（34） W-Sb-Te phase-change material: A candidate for the trade-off between programming speed and data retention, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
（35） Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 8 作者
（36） Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, Chinese Physics Letters, 2012, 第 5 作者
（37） Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 1 作者  通讯作者
（38） Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 1 作者  通讯作者
（39） Investigation on phase change behaviors of Si-Sb-Te alloy: The effect of tellurium segregation, MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS.NEW FUNCTIONAL MATERIALS AND EMERGING DEVICE ARCHITECTURES FOR NONVOLATILE MEMORIES, 2011, 第 1 作者
（40） Investigation of Sb-rich Si2Sb2+x Te-6 material for phase change random access memory application, APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEPROCESSING, 2011, 第 1 作者  通讯作者
（41） Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si���Sb���Te films for phase-change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 1 作者
（42） N-doped Sb2Te phase change materials for higher data retention, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 7 作者
（43） Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 4 作者
（44） Sb-rich Si-Sb-Te phase change material for multilevel data storage: The degree of disorder in the crystalline state, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 1 作者  通讯作者
（45） Al1.3Sb3Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 8 作者
（46） Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 2 作者
（47） Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 6 作者
（48） Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者
（49） Study of phase change memory cell with inserting buffer layer, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4, 2010, 
（50） Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 2 作者
（51） Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 第 1 作者

   

（ 1 ） 新型存储材料实验研究, 负责人, 地方任务, 2023-12--2026-11
（ 2 ） 高可靠大容量相变存储器件与集成技术, 参与, 国家任务, 2023-12--2027-11
（ 3 ） 集成电路关键衬底材料研究, 参与, 中国科学院计划, 2023-12--2028-11
（ 4 ） 下一代纳米信息存储器, 负责人, 中国科学院计划, 2022-10--2025-09
（ 5 ） Bi2X3基超晶格相变材料与器件及其低功耗高速阈值转变机理, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 6 ） 下一代信息存储技术, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 7 ） 高密度超晶格相变材料与器件及其转变机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-10--2023-09
（ 8 ） 超晶格相变存储器原子级界面调控与机理, 负责人, 研究所自主部署, 2021-01--2023-12
（ 9 ） 超晶格相变存储器研究, 负责人, 研究所自主部署, 2020-06--2022-05

（1）Racetrack memory by design: enhanced current induced domain wall motion through interfacial engineering   2019-09-20
（2）Design of Highly C-Axis Oriented Bismuth Chalcogenides for Strain Engineered Interfacial Phase Change Memory   2017-04-20
（3）Strain Engineered Diffusive Atomic Switching in Chalcogenide Heterostructure Superlattices   2016-03-31
（4）Strained interfacial phase-change memory based on GeTe-SbxTe1-x superlattices   2015-09-06

已指导学生

肖德月  硕士研究生  085400-电子信息  

现指导学生

陈嬗雯  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

宋栋栋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王志强  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

关凯文  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

方文成，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

李程兴，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

王若冰，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

朱栩旭，硕士研究生，080500-材料科学与工程，已毕业

张家睿，硕士研究生，080500-材料科学与工程，已毕业

刘瑾，硕士研究生，080500-材料科学与工程，已毕业

张梦雨，硕士研究生，080500-材料科学与工程，已毕业

郑加，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

万子琦，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

陈雨晴，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

邹茜茜，博士研究生，080500-材料科学与工程，在读

王若琴，博士研究生，080500-材料科学与工程，在读

​周靖博，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

禹宁，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读