基本信息
周代兵 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： dbzhou@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
邮政编码：
电子邮件： dbzhou@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
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研究领域
半导体激光器、InP基光子集成芯片、大带宽高功率光发射芯片的研究和应用。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体激光器
InP基光子集成芯片
大带宽高功率光发射芯片的研究和应用
InP基光子集成芯片
大带宽高功率光发射芯片的研究和应用
教育背景
学历
2012.9-2015.6 中国科学院大学 博士
2002.9-2005.3 北京理工大学 硕士
1998.9-2002.6 郑州大学 学士
工作经历
2020.9-现在 中国科学院半导体研究所 副研究员
2009.6-2020.9 中国科学院半导体研究所 助理研究员
2005.3-2006.9 中国科学院半导体研究所 研究实习员
专利与奖励
专利成果
（ 1 ） 电吸收调制激光器及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202310551421.2
（ 2 ） 波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202310057550.6
（ 3 ） 集成器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114142339A
（ 4 ） 电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112670820A
（ 5 ） 电吸收调制激光器的制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112670823A
（ 6 ） 半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109402606A
（ 7 ） 低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109560459A
（ 8 ） 可调谐激光器及其制备方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107508143A
（ 2 ） 波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202310057550.6
（ 3 ） 集成器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114142339A
（ 4 ） 电吸收调制激光器各功能区电隔离的实现方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112670820A
（ 5 ） 电吸收调制激光器的制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112670823A
（ 6 ） 半导体激光器及不同折射率腔面膜的制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109402606A
（ 7 ） 低啁啾分布布拉格反射可调谐激光器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109560459A
（ 8 ） 可调谐激光器及其制备方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107508143A
出版信息
发表论文
（1） High Speed Directly Modulated DFB Lasers Having MQW Based Passive Reflectors, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 5 作者
（2） High Optical Feedback Tolerance of a Detuned DBR Laser for 10-Gbps Isolator-Free Operation, PHOTONICS, 2023, 第 4 作者
（3） 50 Gb/s Electro-Absorption Modulator Integrated with a Distributed Feedback Laser for Passive Optical Network Systems, PHOTONICS, 2022, 第 1 作者
（4） 25 Gb/s Data Transmission Using a Directly Modulated InGaAlAs DBR Laser over 14 nm Wavelength Tuning Range, PHOTONICS, 2021, 第 1 作者
（5） A10 Gb/s 1.5 mu m Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser*, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 第 1 作者
（6） Two 10 Gb/s directly modulated DBR lasers covering 20 nm wavelength range, OPTICS COMMUNICATIONS, 2020, 第 1 作者
（7） Analysis and optimization of 1.5-mu m InGaAsP/InP MQWs electroabsorption modulator, OPTIK, 2019, 第 1 作者 通讯作者
（8） Wavelength-Tunable Chaotic Signal Generation With On-Chip O/E Conversion, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 8 作者
（9） 10 Gb/s Data Transmissions Using a Widely Tunable Directly Modulated InGaAlAs/InGaAsP DBR Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2018, 第 1 作者 通讯作者
（10） Transmission of 20 Gb/s PAM-4 signal over 20 km optical fiber using a directly modulated tunable D BR laser, Transmission of 20 Gb/s PAM-4 signal over 20 km optical fiber using a directly modulated tunable D BR laser, CHINESE OPTICS LETTERS, 2018, 第 1 作者
（11） Fabrication of InP-based monolithically integrated laser transmitters, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（12） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 1 作者
（13） Fabrication of 32 Gb/s Electroabsorption Modulated Distributed Feedback Lasers by Selective Area Growth Technology, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（2） High Optical Feedback Tolerance of a Detuned DBR Laser for 10-Gbps Isolator-Free Operation, PHOTONICS, 2023, 第 4 作者
（3） 50 Gb/s Electro-Absorption Modulator Integrated with a Distributed Feedback Laser for Passive Optical Network Systems, PHOTONICS, 2022, 第 1 作者
（4） 25 Gb/s Data Transmission Using a Directly Modulated InGaAlAs DBR Laser over 14 nm Wavelength Tuning Range, PHOTONICS, 2021, 第 1 作者
（5） A10 Gb/s 1.5 mu m Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser*, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 第 1 作者
（6） Two 10 Gb/s directly modulated DBR lasers covering 20 nm wavelength range, OPTICS COMMUNICATIONS, 2020, 第 1 作者
（7） Analysis and optimization of 1.5-mu m InGaAsP/InP MQWs electroabsorption modulator, OPTIK, 2019, 第 1 作者 通讯作者
（8） Wavelength-Tunable Chaotic Signal Generation With On-Chip O/E Conversion, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 8 作者
（9） 10 Gb/s Data Transmissions Using a Widely Tunable Directly Modulated InGaAlAs/InGaAsP DBR Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2018, 第 1 作者 通讯作者
（10） Transmission of 20 Gb/s PAM-4 signal over 20 km optical fiber using a directly modulated tunable D BR laser, Transmission of 20 Gb/s PAM-4 signal over 20 km optical fiber using a directly modulated tunable D BR laser, CHINESE OPTICS LETTERS, 2018, 第 1 作者
（11） Fabrication of InP-based monolithically integrated laser transmitters, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（12） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 1 作者
（13） Fabrication of 32 Gb/s Electroabsorption Modulated Distributed Feedback Lasers by Selective Area Growth Technology, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 面向下一代接入网的波长可调谐激光器与电吸收调制器集成芯片的基础研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 2 ） 高功率DFB激光器和高速EML激光器芯片的研制, 负责人, 国家任务, 2022-07--2025-06
（ 3 ） 面向5G接入网的高速可调谐电吸收调制激光器的基础研究, 负责人, 地方任务, 2021-01--2023-12
（ 4 ） 50G TDM-PON系统中高速高功率EML芯片的研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 5 ） 面向集成化微波光子系统的半导体激光器阵列芯片实现方法研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 2 ） 高功率DFB激光器和高速EML激光器芯片的研制, 负责人, 国家任务, 2022-07--2025-06
（ 3 ） 面向5G接入网的高速可调谐电吸收调制激光器的基础研究, 负责人, 地方任务, 2021-01--2023-12
（ 4 ） 50G TDM-PON系统中高速高功率EML芯片的研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 5 ） 面向集成化微波光子系统的半导体激光器阵列芯片实现方法研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12