基本信息
赵妙 女 微电子研究所
电子邮件:zhaomiao@ime.ac.cn
通信地址:北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术
半导体器件可靠性
微波功率器件

教育背景

2004-09--2007-06 中国科学院半导体研究所 博士学位

工作经历

   
工作简历
2011-11--今 中国科学院微电子研究所 副研究员
2007-07--2011-10 中国科学院微电子研究所 助理研究员

专利与奖励

   
专利成果
[1] 赵妙, 陈朝晖, 冯超, 彭崇梅, 王宇豪. 一种光电调控神经突触晶体管及其制备方法. CN: CN112542515A, 2021-03-23.

[2] 冯超, 赵妙, 陈朝晖, 彭崇梅, 王宇豪. 铁电浮栅存储器单元串及制备方法. CN: CN112490248A, 2021-03-12.

[3] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 常虎东, 孙兵. 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法. CN: CN108682663B, 2021-01-12.

[4] 刘洪刚, 黄凯亮, 赵妙, 翟明龙, 孙兵. 具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法. CN: CN112038406A, 2020-12-04.

[5] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 孙兵, 常虎东. 石墨烯降低GaN基HEMT热阻的散热结构及制备方法. CN: CN109192710B, 2020-09-29.

[6] 张国斌, 赵妙, 金智, 许恒宇, 何在田, 万彩萍, 刘新宇. 一种碳化硅功率器件封装结构. CN: CN107768326B, 2019-09-27.

[7] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 孙兵, 黄凯亮. 具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法. 中国: CN108389903A, 2018.08.10.

[8] 何在田, 张国斌, 许恒宇, 赵妙, 万彩萍, 金智, 刘新宇. 一种碳化硅器件结终端制作方法. 中国: CN107706108A, 2018-02-16.

[9] 刘新宇, 赵妙, 许恒宇, 裴紫微, 金智, 李俊峰, 万彩萍. 一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法. 中国: CN105355549A, 2016-02-24.

[10] 赵妙, 刘新宇, 魏珂, 孔欣, 王兵, 郑英奎, 李艳奎, 欧阳思华. 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法. 中国: CN103713252A, 2014.04.09.

[11] 赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 李艳奎, 欧阳思华. GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法. 中国: CN103728545A, 2014-04-16.

[12] 赵妙, 郑英奎, 刘新宇, 彭铭曾, 李艳奎, 欧阳思华, 魏珂. 双沟道晶体管及其制备方法. 中国: CN103681830A, 2014-03-26.

[13] 赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 彭铭曾, 魏珂, 欧阳思华. 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法. 中国: CN102955112A, 2013.03.06.

[14] 赵妙, 刘新宇, 罗卫军, 郑英奎, 陈晓娟, 彭铭曾, 李艳奎. 一种测量GaN基器件热可靠性的方法. 中国: CN102955113A, 2013-03-06.

[15] 赵妙, 阎理贺, 刘新宇, 郑英奎. 确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法. 中国: CN102736011A, 2012.10.17.

[16] 赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 欧阳思华, 李艳奎. 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法. 中国: CN102832102A, 2012-12-19.

[17] 赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 彭铭曾, 欧阳思华, 李艳奎. 一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法. 中国: CN102768704A, 2012-11-07.

[18] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 欧阳思华, 魏珂, 李艳奎. 一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法. 中国: CN102346232A, 2012-02-08.

[19] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 李艳奎, 欧阳思华, 魏珂. 一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法. 中国: CN102338846A, 2012-02-01.

[20] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 郑英奎, 魏珂. 一种检测器件肖特基漏电模式的方法. 中国: CN102298100A, 2011-12-28.

[21] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 欧阳思华, 黄俊. 一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法. 中国: CN102087092A, 2011-06-08.

[22] 王鑫华, 赵妙, 刘新宇. 一种对肖特基势垒高度进行镜像力补偿修正的方法. 中国: CN101814100A, 2010-08-25.

[23] 赵妙, 王鑫华, 刘新宇, 李诚瞻, 魏珂, 郑英奎. 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法. 中国: CN101707184, 2010-05-12.

出版信息

   
发表论文
[1] Huang, Kailiang, Zhao, Miao, Sun, Bing, Liu, Xueyuan, Chang, Hudong, Zeng, Yuping, Liu, Honggang, Liu, Jianhua. Transition from Hopping to Band-like Transport in Weakly Coupled Multilayer MoS2 Field Effect Transistors. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2020, 2(4): 971-979, http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.0c00046.
[2] Nathawat, Jubin, Zhao, Miao, Kwan, ChunPui, Yin, Shenchu, Arabchigavkani, Nargess, Randle, Michael, Ramamoorthy, Harihara, He, Guanchen, Somphonsane, Ratchanok, Matsumoto, Naoki, Sakanashi, Kohei, Kida, Michio, Aoki, Nobuyuki, Jin, Zhi, Kim, Yunseob, Kim, GilHo, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Bird, Jonathan P. Transient Response of h-BN-Encapsulated Graphene Transistors: Signatures of Self-Heating and Hot-Carrier Trapping. ACS OMEGA[J]. 2019, 4(2): 4082-4090, https://doaj.org/article/0f9f3da6bd324b7eac40a24b0369ad72.
[3] 赵妙. A modified wrinkle-free MoS2 filmtransfer method for large area high mobility field effect transistor. Nanotechnology. 2019, [4] Huang, Kailiang, Zhao, Miao, Liu, Xueyuan, Feng, Chao, Sun, Bing, Chang, Hudong, Zeng, Yuping, Liu, Honggang. Monolayer MoS2-based nonvolatile transistors with a titanium nitride in the gate. AIP ADVANCES[J]. 2019, 9(12): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000505571700005.
[5] 赵妙. Impacts of interface contaminations on the MoS2 field effect transistors and a modified fabrication process to pursuit better interface quality. Nanotechnology. 2019, [6] 张国斌, 赵妙, 吴宗刚. 采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热. 微电子学与计算机[J]. 2018, 35(12): 95-98, [7] Zhang, Guobin, Zhao, Miao, Yan, Chunli, Sun, Bing, Wu, Zonggang, Chang, Hudong, Jin, Zhi, Sun, Jie, Liu, Honggang. Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Graphene. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 18(11): 7578-7583, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600045.
[8] Ramamoorthy, H, Somphonsane, R, Radice, J, He, G, Nathawat, J, Kwan, CP, Zhao, M, Bird, J P. Probing charge trapping and joule heating in graphene field-effect transistors by transient pulsing. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2017, 32(8): [9] 赵妙. Negitive differential conductance & Hot-carriere avalanching in monolayer WS2 FETs. Scientific reports. 2017, [10] 赵妙. Synthesis methods of two-dimendional MoS2: A brief review. Crystals. 2017, [11] Zhao Miao, Liu XinYu. Analysis of Capacitance-Voltage-Temperature Characteristics of GaN High-Electron-Mobility Transistors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 32(4): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=664401649.
[12] 赵妙, 许恒宇, 杨谦, 吴昊, 杨霏, 杨成樾, 丁武昌, 金智, 刘新宇. 高温高压碳化硅功率器件封装技术研究. 智能电网(汉斯). 2014, 4(6): 252-258, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=HS724822014006006.
[13] 赵妙. Research of packaging technology on SiC power devices under high temperature and high voltage. Smart Grid. 2014, [14] Zhao, Miao, Liu, Xinyu, Zheng, Yingkui, Peng, Mingzeng, Ouyang, Sihua, Li, Yankui, Wei, Ke. Thermal analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by infrared microscopy. OPTICS COMMUNICATIONS[J]. 2013, 291: 104-109, http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2012.10.077.
[15] M. Zhao, X.Y. Liu, Y.K. Zheng, Yankui Li, Sihua Ouyang. Analysis of the device characteristics of AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range. Materials Science & Engineering B. 2013, 178(7): 465-470, http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2013.01.022.
[16] 赵妙. The experierntial fit of the capacitance-voltage characteristics of the AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors. Acta Physica Sinica. 2011, [17] 赵妙. The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMT. Chinese physics B. 2010, [18] 赵妙. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging. Chinese Physics B. 2010, [19] 王鑫华, 赵妙, 刘新宇, 蒲颜, 郑英奎, 魏珂. The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors. 中国物理:英文版. 2010, 536-542, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34966796.
[20] Zhao, Miao, Wang, Xinhua, Liu, Xinyu, Huang, Jun, Zheng, Yingkui, Wei, Ke. Thermal Storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors. IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY[J]. 2010, 10(3): 360-365, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000283356600008.
[21] 赵妙. Study of the compact in optical thin film by double electron Beam evaporation technology. Journal of optoelectronics laser. 2007, [22] M. Zhao, M.Q. Tan, X.M. Wu, M.X. Sun. The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD). Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B. 2007, 260(2): 623-627, http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2427142.
[23] 赵妙. Prepareation of Si/SiO2 optical thin film by source electron beam evaporation technology. Chinese of semiconductors. 2006, 

科研活动

   
科研项目
(1) xx以下GaN功率器件与MMIC,参与,专项级,2014-01--2016-12
(2) AlGaN/GaN HEMT 低频噪声与器件可靠性相关性的研究,主持,国家级,2012-01--2014-12
(3) 超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究 ,参与,国家级,2010-09--2014-12
参与会议
(1) Optimizing of the material structure in AlGaN/GaN HEMTs through the energy band engineering approach,2012-09,ZhaoMiao
(2) Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors,2012-07,Zhao Miao
(3) GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究,第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议,2008-11,赵妙