新原理先进逻辑CMOS器件及工艺集成制造技术，

基于铁电材料的存算器件及电路技术

   

140100-集成电路科学与工程

新原理先进逻辑CMOS器件及工艺集成制造技术， 基于铁电材料的存算器件及电路技术

   

2025-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2020-07~2025-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2017-07~2020-06,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

   

（ 1 ） 生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用, [[[2, 第 4 作者, 专利号: [[[CN111693589A]]]

（ 2 ） 基于双层铁电材料的FeFET器件及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116613213A

（ 3 ） 用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法, 发明授权, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN112327581B

（ 4 ） 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 发明授权, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN112652664B

（ 5 ） 一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114898788A

（ 6 ） 垂直纳米线晶体管与其制作方法, 专利授权, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN108428634B

（ 7 ） 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113782607A

（ 8 ） 一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113540246A

（ 9 ） 一种纳米网的制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113173553A

（ 10 ） 一种垂直纳米线阵列的制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113173557A

（ 11 ） 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113173555A

（ 12 ） 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113178490A

（ 13 ） 一种负电容场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113178491A

（ 14 ） 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113178490A

（ 15 ） 一种薄电容耦合晶闸管及薄电容耦合晶闸管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113178484A

（ 16 ） 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113178489A

（ 17 ） 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112652664A

（ 18 ） 避免寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112349592A

（ 19 ） 改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112349591A

（ 20 ） 光刻显影的方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112327584A

（ 21 ） 用于获取最佳曝光剂量的设计版图的优化方法及电子束曝光方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112327581A

（ 22 ） 一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111243955A

（ 23 ） 一种存储器件、存储器及其制作方法、电子设备和芯片, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111162120A

（ 24 ） 应变技术增强负电容器件的结构及制作方法和电子设备, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110620151A

（ 25 ） 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110527978A

（ 26 ） 堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110189997A

（ 27 ） 一种纳米线围栅器件的形成方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110034015A

（ 28 ） 负电容场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110034190A

（ 29 ） 负电容场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110034190A

（ 30 ） 负电容场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109980016A

（ 31 ） 纳米结构的制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109904062A

（ 32 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108565218A

（ 33 ） 光电探测器与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108565311A

（ 34 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108493246A

（ 35 ） 垂直纳米线晶体管与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108428634A

（ 36 ） 生化传感器与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108318533A

（ 37 ） 鳍型场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108288646A

（ 38 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108288647A

（ 39 ） 隧穿场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108288642A

（ 40 ） 隧穿场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108258048A

（ 41 ） 光电探测器与其制作方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108257946A

（ 42 ） 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108231584A

   

（1） First Demonstration of Quasi-Single-Crystal (QSC) HfZrON Gate Dielectric (κ=67) with sub-5 Å EOT and 4×10-3A/cm2 Jg for Si NSFET Scaling;, 2025 IEEE International Electron Devices Meeting, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（2） Experimental Demonstration of A CT-FeFET Array with Intrinsic Long-Short-Term Plasticity for Low-Cost Trajectory Prediction;, 2024 IEEE International Electron Devices Meeting , 2024, 第 4 作者  通讯作者
（3） Demonstration of EOT-Scaled FinFET Based on Thickness-Proportion Controlled HZH Superlattice Gate Stacks with Improved Thermal Stability (≥ 450 C), IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 第 2 作者  通讯作者
（4） 面向GAA器件的自对准侧墙转移技术, Self-Aligned Spacer Image Transfer Technology for the Gate-All-Around Devices, 微纳电子技术, 2023, 第 5 作者
（5） Recent progress of hafnium oxide-based ferroelectric devices for advanced circuit applications, 中国科学 信息科学(英文版), 2023, 第 1 作者
（6） Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes;, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（7） An Ultra-Dense One-Transistor Ternary-Content Addressable Memory Array based on Non-Volatile and Ambipolar Fin Field-Effect Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（8） 克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展, Research Progress on Overcoming Debye Screening Effect of BioFETs, 半导体技术, 2021, 第 3 作者
（9） Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 5 作者
（10） Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices, NANOMATERIALS, 2021, 第 9 作者  通讯作者
（11） Endurance Characteristics of Negative Capacitance FinFETs With Negligible Hysteresis, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 3 作者  通讯作者
（12） Optimization of zero-level interlayer dielectric materials for gate-all-around silicon nanowire channel fabrication in a replacement metal gate process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 3 作者
（13） Influence of Applied Stress on the Ferroelectricity of Thin Zr-Doped HfO2 Films, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 3 作者  通讯作者
（14） Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, NANOMATERIALS, 2021, 第 5 作者
（15） Investigation of time domain characteristics of negative capacitance FinFET by pulse-train approaches, JOURNALOFSEMICONDUCTORS, 2021, 第 2 作者
（16） 硅纳米线传感器灵敏度研究进展, Research Progress in Sensitivity of Silicon Nanowire Sensors, 微纳电子技术, 2021, 第 7 作者
（17） 离子敏感场效应晶体管传感器研究进展, Research Advancement in Ion-Sensitive Field Effect Transistor Sensors, 微电子学, 2020, 第 7 作者
（18） A Gd-doped HfO2 single film for a charge trapping memory device with a large memory window under a low voltage, RSC ADVANCES, 2020, 第 2 作者
（19） Comparative Study on the Energy Profile of NBTI-Related Defects in Si and Ferroelectric p-FinFETs, 2020 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS), 2020, 第 5 作者  通讯作者
（20） Novel Insulator Isolated Si NW Sensors Fabricated using Bulk Substrate with Low-cost and High-quality, 6TH ANNUAL INTERNATIONAL WORKSHOP ON MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING, 2020, 第 8 作者  通讯作者
（21） Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications, NANOMATERIALS, 2020, 第 12 作者  通讯作者
（22） Understanding Frequency Dependence of Trap Generation Under AC Negative Bias Temperature Instability Stress in Si p-FinFETs, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 5 作者
（23） O-2 plasma treated biosensor for enhancing detection sensitivity of sulfadiazine in a high-K HfO2 coated silicon nanowire array, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2020, 第 2 作者
（24） Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 第 4 作者
（25） FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 1 作者
（26） Near-ideal subthreshold swing MoS2 back-gate transistors with an optimized ultrathin HfO2 dielectric layer, NANOTECHNOLOGY, 2019, 第 7 作者
（27） Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（28） Long-term stability of photodetectors based on graphene field-effect transistors encapsulated with Si3N4 layers, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2018, 第 2 作者
（29） 面向5nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究, Release of Stacked Nanowires for 5 nm CMOS Node: An Experimental Study, 真空科学与技术学报, 2018, 第 7 作者
（30） First observation of Pt3Si phase at Ni(0.86)Ptod(4) and Si Silicide Reactions, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 6 作者
（31） Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process for Real Time Monitoring Cellular Ion Actitivies, 2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2018, 第 8 作者
（32） Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 7 作者

   

（ 1 ） 面向先进 CMOS 技术的类单晶高 κ 栅介质晶体管技术, 负责人, 地方任务, 2026-06--2030-07
（ 2 ） 基于氧化铪锆的超低EOT技术, 负责人, 其他, 2025-06--2026-12
（ 3 ） 极低功耗FeFET存算一体器件研究, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2027-12