基本信息
张永奎 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： zhangyongkui@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
电子邮件： zhangyongkui@ime.ac.cn
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研究领域
集成电路制造技术，先进CMOS器件,垂直沟道环栅器件(V-GAA)，垂直沟道CFET
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
先进CMOS器件
集成电路先导工艺技术
垂直沟道晶体管
集成电路先导工艺技术
垂直沟道晶体管
教育背景
2001-10--2004-03 北京科技大学 硕士
1993-09--1997-07 曲阜师范大学 学士
1993-09--1997-07 曲阜师范大学 学士
工作经历
工作简历
2012-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2004-04~2012-08,中芯国际集成电路（北京）有限公司, 资深工程师
1997-08~2001-09,山东省新汶矿业集团公司第一中学, 教师
2004-04~2012-08,中芯国际集成电路（北京）有限公司, 资深工程师
1997-08~2001-09,山东省新汶矿业集团公司第一中学, 教师
专利与奖励
奖励信息
（1） 全国颠覆性技术创新大赛, 一等奖, 部委级, 2022
专利成果
（ 1 ） 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 发明专利, 2021, 第 10 作者, 专利号: CN113178488A
（ 2 ） 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112652664A
（ 3 ） 具有交错结构的半导体装置及其制造方法及电子设备, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111584486A
（ 4 ） 一种刻蚀装置及刻蚀方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110581095A
（ 5 ） 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109920842A
（ 6 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109888001A
（ 7 ） 半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109473429B
（ 8 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109449121A
（ 9 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109449206A
（ 10 ） 一种高精度的刻蚀方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110867373A
（ 11 ） 半导体器件及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN107068769A
（ 12 ） 半导体器件及其制作方法, 专利授权, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107068769B
（ 13 ） 一种垂直纳米线MOSFET及其制造方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106711227B
（ 14 ） Semiconductor device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: US9431504(B2)
（ 15 ） 一种形成小间距鳍体的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106601610A
（ 16 ） 鳍式场效应晶体管的制造方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105513968B
（ 17 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105489652B
（ 18 ） 控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105374682B
（ 19 ） 半导体设置及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN104716171B
（ 20 ） 一种后栅工艺中ILD层的处理方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104637797A
（ 21 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104112666A
（ 22 ） semiconductor Device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: US9431504
（ 2 ） 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112652664A
（ 3 ） 具有交错结构的半导体装置及其制造方法及电子设备, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111584486A
（ 4 ） 一种刻蚀装置及刻蚀方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110581095A
（ 5 ） 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109920842A
（ 6 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109888001A
（ 7 ） 半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109473429B
（ 8 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109449121A
（ 9 ） 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109449206A
（ 10 ） 一种高精度的刻蚀方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110867373A
（ 11 ） 半导体器件及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN107068769A
（ 12 ） 半导体器件及其制作方法, 专利授权, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN107068769B
（ 13 ） 一种垂直纳米线MOSFET及其制造方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106711227B
（ 14 ） Semiconductor device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: US9431504(B2)
（ 15 ） 一种形成小间距鳍体的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106601610A
（ 16 ） 鳍式场效应晶体管的制造方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN105513968B
（ 17 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105489652B
（ 18 ） 控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105374682B
（ 19 ） 半导体设置及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN104716171B
（ 20 ） 一种后栅工艺中ILD层的处理方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104637797A
（ 21 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN104112666A
（ 22 ） semiconductor Device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: US9431504
出版信息
[1]. Q. Zhang & Y. Zhang，et al., National Science Review 11：nwae008
[2]. Y. Zhang，et al., IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, 2021
[3]. Y. Zhang，et al., ECS J. Solid State Sci. Technol. 12 074009, 2023
[4]. Lu Xie, Y. Zhang*, et al., ACS Nano, 2023
[5]. Chen Li, Y. Zhang*, et al., Nano Letters 2021 21 (11)
[6]. W. Huang, Y. Zhang* et al., IEEE Electron Device Letters, vol. 43, 2022
[7]. Y. Liu, Y. Zhang*, et al 2022 J. Semicond. 43 014101
[8]. Z. Zhao, Y. Zhang*, et al 2019 Semicond. Sci. Technol. 34 125008
[9]. X. Yin，Y. Zhang, et al., IEEE Electron Device Letters, vol. 41, 2020
…
科研活动
科研项目
（ 1 ） 新型纳米线晶体管及应用研究（二期）, 参与, 中国科学院计划, 2020-05--2022-04
（ 2 ） 14纳米FinFET工艺技术研发, 参与, 境内委托项目, 2017-03--2021-12
（ 3 ） 3-1纳米集成电路先导工艺预研, 参与, 中国科学院计划, 2019-08--2022-12
（ 4 ） 水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究, 参与, 地方任务, 2019-07--2021-06
（ 5 ） 垂直围栅纳米晶体管DRAM存储器器件与工艺研发, 参与, 地方任务, 2021-04--2023-12
（ 6 ） 高性能VCT驱动晶体管的集成工艺研究, 负责人, 其他, 2023-01--2025-12
（ 7 ） 高性能SRAM存储单元研制和验证:关键工艺模块技术研发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-11--2025-10
（ 8 ） GAA晶体管核心工艺技术, 参与, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12
（ 2 ） 14纳米FinFET工艺技术研发, 参与, 境内委托项目, 2017-03--2021-12
（ 3 ） 3-1纳米集成电路先导工艺预研, 参与, 中国科学院计划, 2019-08--2022-12
（ 4 ） 水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究, 参与, 地方任务, 2019-07--2021-06
（ 5 ） 垂直围栅纳米晶体管DRAM存储器器件与工艺研发, 参与, 地方任务, 2021-04--2023-12
（ 6 ） 高性能VCT驱动晶体管的集成工艺研究, 负责人, 其他, 2023-01--2025-12
（ 7 ） 高性能SRAM存储单元研制和验证:关键工艺模块技术研发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-11--2025-10
（ 8 ） GAA晶体管核心工艺技术, 参与, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12