光电子学与激光技术，半导体技术

   

0805Z2-半导体材料与器件

半导体激光器技术，半导体光电探测器，边发射激光器，超辐射二极管

085408-光电信息工程

垂直腔面发射激光器技术，高速光通信激光器，高速光电探测器

2012-09--2017-07   北京工业大学   博士
2007-09--2010-07   北京航空航天大学   硕士
1998-09--2002-07   电子科技大学   学士

   

2021-11~现在, 半导体研究所, 副研级高级工程师
2017-07~2021-10,华芯半导体科技有限公司, 芯片部经理
2010-07~2012-07,半导体研究所, 助理研究员
2002-09~2007-07,半导体研究所（海特光电）, 工艺工程师

   

（ 1 ） 在芯片晶圆表面进行电镀的方法及其应用, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113337860A

（ 2 ） 具有斜坡PIA结构的VCSEL芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113314952A

（ 3 ） 芯片的氧化孔径的观察装置以及方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113189759A

（ 4 ） 芯片的氧化孔径的观察装置, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN215340525U

（ 5 ） 芯片清洗装置以及清洗方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113182306A

（ 6 ） VCSEL芯片及其制备方法和激光扫描雷达, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112993750A

（ 7 ） 基于Nitride斜坡刻蚀的VCSEL芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112670819A

（ 8 ） 具有透镜结构的VCSEL芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112448268A

（ 9 ） 具有透镜结构的VCSEL芯片, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN214124315U

（ 10 ） 新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112467517A

（ 11 ） 新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112398001A

（ 12 ） 一种新型Vcsel的外延结构及其对应氧化孔径的测试方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112133643B

（ 13 ） 高功率vcsel芯片及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN112134138A

（ 14 ） AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104300015A

（ 15 ） 一种采用SiO 2 作为Window层的太阳能电池, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104300016A

（ 16 ） 一种应用在高效太阳电池中的新型聚光分光集成系统, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104393830A

（ 17 ） 一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104282812A

（ 18 ） 一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104300052A

（ 19 ） 一种Si基GaN的LED结构及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104300047A

（ 20 ） 一种发光二极管的生长方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN104300061B

（ 21 ） 一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104300053A

（ 22 ） 一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104300060A

（ 23 ） 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104300057A

（ 24 ） 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104300061A

（ 25 ） 空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832225A

（ 26 ） 阵列式高压LED器件的制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102867837A

（ 27 ） 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102157640A

   

（1） An InGaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Emitting at 1130 nm for Silicon Photonics Application, Photonics, 2024, 
（2） InAs/GaAs quantum-dot lasers grown on on-axis Si (001) without dislocation filter layers, OPTICS EXPRESS, 2023, 
（3） Photoelectric Property Improvement of 1.0-eV GaInNAs and Applications in Lattice-Matched Five-Junction Solar Cells, Photoelectric Property Improvement of 1.0-eV GaInNAs and Applications in Lattice-Matched Five-Junction Solar Cells, 中国物理快报：英文版, 2018, 第 2 作者
（4） Application of AlGaInP with Sb Incorporation in Lattice-Matched 5-Junction Tandem Solar Cells, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 
（5） Application of AlGaInP with Sb Incorporation in Lattice-Matched 5-Junction Tandem Solar Cells, Application of AlGaInP with Sb Incorporation in Lattice-Matched 5-Junction Tandem Solar Cells, 中国物理快报：英文版, 2017, 第 1 作者
（6） 不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池, GaInAs/GaAsP Multiple Quantum Well Solar Cells with Different Periods, 发光学报, 2016, 第 4 作者
（7） 基于分布式布拉格反射器结构的空间三结砷化镓太阳能电池抗辐照研究, Anti-radiation of space triple-junction solar cell based on distributed Bragg reflector structure, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 
（8） GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 
（9） GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency, GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge Four-Junction Solar Cell Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition with High Efficiency, 中国物理快报：英文版, 2016, 第 1 作者
（10） 用于四结太阳电池的多对TiO2/SiO2减反膜系的研究, Study on Multiple TiO2/SiO2 Antireflective Coating for Four-Junction Solar Cell, 半导体技术, 2016, 第 2 作者
（11） GaInNAs/Ge(1.10/0.67eV)double-junction solar cell grown by metalorgabic chemical vapor deposition for high efficiency four-junction solar cell application, J.Phys.D.Appl.Phys, 2015, 

   

（ 1 ） 材料制备与应用, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-11
（ 2 ） 半导体激光技术研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2026-11