基本信息
张保  男    中国科学院微电子研究所
电子邮件： zhangbao@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029

研究领域

主要从事基于新材料新结构3D NAND存储器器件基础研究及阵列研发和磁随机存储器（MRAM）中的磁电耦合效应机理研究


教育背景

2013-09--2019-01   中国科学院半导体研究所   理学博士
2009-09--2013-07   内蒙古大学   理学学士

工作经历

   
工作简历
2022-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2019-06~2022-10,中国科学院微电子研究所, 助理研究员/博士后

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 压电式磁性随机存储器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109994599A

（ 2 ） 一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管, 发明专利, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105932153A

（ 3 ） 一种三维NAND存储器及其制造方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN111370410B

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 3D NAND闪存未来技术, 负责人, 国家任务, 2023-12--2025-11
（ 2 ） 基于掺杂HfO2铁电薄膜的铁电机理及磁电耦合效应研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 3 ） 柔性高密度主动式头皮生物电极设计与仪器开发, 参与, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 4 ） 大容量NAND FLASH芯片的宽温可靠性提升技术, 参与, 国家任务, 2023-06--2026-05
参与会议
（1）纯电学调控磁矩90度翻转   中国物理学会2018年秋季学术会议   2018-09-15
（2）室温下零磁场下电压调控Heusler合金Co2FeAl材料磁矩90度翻转   2017-04-25
（3）压电调控FeGa磁性薄膜磁晶各向异性   2015-05-12