化合物半导体异质集成材料与器件

   

080903-微电子学与固体电子学

异质集成材料与器件

2013-01--2016-10   德国IFW研究所   联合培养博士研究生
2012-12--2015-12   德国HZDR研究中心   联合培养博士研究生
2012-10--2016-11   德国开姆尼茨工业大学   博士
2009-09--2012-07   西北大学   硕士
2005-09--2009-07   西北大学   本科

2022-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2019-01~2021-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2016-12~2018-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

2017-11-01-今,中国电子学会青年科学家俱乐部会员,

   

（1） 上海市青年科技启明星, , 省级, 2022
（2） 异质集成为氧化镓散热瓶颈提供解决方案, 其他, 2020
（3） 中国科协“青年人才托举工程”, 国家级, 2017
（4） 上海市“浦江人才”计划, 省级, 2017

[1] 欧欣, 金婷婷, 林家杰, 游天桂, 周鸿燕, 张师斌. 基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件. CN: CN111799365B, 2022-03-25.

[2] 欧欣, 梁好, 林家杰, 游天桂, 王庶民. 一种硅基无磷激光器及其制备方法. CN: CN111564756B, 2022-03-25.

[3] 欧欣, 林家杰, 沈正皓, 金婷婷, 游天桂. 一种SiC基InP光子集成模块及其制备方法. CN: CN111146681B, 2022-03-15.

[4] 欧欣, 徐文慧, 游天桂, 沈正浩. 一种异质半导体薄膜及其制备方法. CN: CN111834205B, 2021-12-28.

[5] 欧欣, 周鸿燕, 张师斌, 郑鹏程, 黄凯, 游天桂. 单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法. CN: CN111817678B, 2021-12-28.

[6] 欧欣, 孙嘉良, 游天桂, 林家杰. 一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法. CN: CN111799364B, 2021-12-21.

[7] 欧欣, 孙嘉良, 游天桂, 林家杰. 一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法. CN: CN111722318B, 2021-12-03.

[8] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 张加祥, 黄凯, 王曦. 一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件. CN: CN111564534B, 2021-10-19.

[9] 欧欣, 金婷婷, 林家杰, 游天桂. 一种异质衬底薄膜的制备方法. CN: CN111799366B, 2021-09-21.

[10] 欧欣, 石航宁, 游天桂. 异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法. CN: CN113097124A, 2021-07-09.

[11] 欧欣, 石航宁, 刘仁杰, 游天桂. 氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法. CN: CN113097352A, 2021-07-09.

[12] 欧欣, 林家杰, 游天桂, 沈正皓, 金婷婷. 降低薄膜剥离热应力的异质结构薄膜的制备方法. CN: CN111799368B, 2021-06-22.

[13] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 张加祥, 黄凯, 王曦. 一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件. CN: CN111564533B, 2021-06-22.

[14] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂. 一种半导体衬底的制备方法. CN: CN112864006A, 2021-05-28.

[15] 欧欣, 林家杰, 游天桂, 沈正皓, 金婷婷. 一种降低异质结构薄膜退火热应力的方法. CN: CN111799215B, 2021-05-11.

[16] 欧欣, 黄浩, 张师斌, 游天桂. 半导体陷光结构及其制备方法. CN: CN111081811B, 2021-04-02.

[17] 欧欣, 石航宁, 游天桂, 周李平, 徐文慧. 复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法. CN: CN112530855A, 2021-03-19.

[18] 欧欣, 石航宁, 游天桂, 伊艾伦, 徐文慧. GaN基HEMT器件的制备方法. CN: CN112530803A, 2021-03-19.

[19] 欧欣, 孙嘉良, 林家杰, 游天桂. 一种异质薄膜结构及其制备方法. CN: CN112382559A, 2021-02-19.

[20] 欧欣, 鄢有泉, 黄凯, 李忠旭, 游天桂, 王曦. 异质薄膜结构的制备方法. CN: CN110880920B, 2021-01-19.

[21] 欧欣, 林家杰, 金婷婷, 游天桂, 王羲. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合结构的制备方法. CN: CN112018025A, 2020-12-01.

[22] 欧欣, 周李平, 伊艾伦, 游天桂. 一种单晶钻石薄膜的制备方法. CN: CN111962148A, 2020-11-20.

[23] 欧欣, 徐文慧, 游天桂, 沈正浩. 一种铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法. CN: CN111850692A, 2020-10-30.

[24] 欧欣, 徐文慧, 游天桂, 沈正皓. 氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法. CN: CN111312852B, 2020-10-20.

[25] 欧欣, 徐文慧, 游天桂, 沈正皓. 氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法. CN: CN111223782B, 2020-10-20.

[26] 欧欣, 池超旦, 林家杰, 游天桂. 一种Si基InGaAs光电探测器的制备方法及光电探测器. CN: CN111653649A, 2020-09-11.

[27] 高波, 陈建国, 吕越, 黄浩, 游天桂, 欧欣, 王镇. 一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器. CN: CN111575668A, 2020-08-25.

[28] 欧欣, 伊艾伦, 石航宁, 游天桂, 张加祥, 黄凯, 王曦. 一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法. CN: CN111540710A, 2020-08-14.

[29] 欧欣, 石航宁, 伊艾伦, 游天桂, 张加祥, 黄凯, 王曦. 一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法. CN: CN111540684A, 2020-08-14.

[30] 欧欣, 徐文慧, 游天桂, 沈正皓. 氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法. CN: CN110854062B, 2020-08-11.

[31] 高波, 吕越, 黄浩, 游天桂, 欧欣, 王镇. 一种超导转变边探测器的制备方法. CN: CN111063788A, 2020-04-24.

[32] 欧欣, 鄢有泉, 黄凯, 赵晓蒙, 李忠旭, 陈阳, 游天桂. 一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用. CN: CN110867381A, 2020-03-06.

[33] 欧欣, 张师斌, 林家杰, 黄浩, 游天桂, 黄凯, 王曦. 可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及其制备方法. CN: CN110632687A, 2019-12-31.

[34] 欧欣, 林家杰, 黄凯, 游天桂, 王曦. 异质薄膜复合结构及其制备方法. CN: CN110391131A, 2019-10-29.

[35] 欧欣, 鄢有泉, 黄凯, 游天桂, 王曦. 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法. CN: CN110137341A, 2019-08-16.

[36] 吕越, 黄浩, 贾棋, 游天桂, 伍文涛, 欧欣, 高波, 王镇. 一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法. CN: CN109727850A, 2019-05-07.

[37] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦. 一种硅基异质集成碳化硅薄膜结构的制备方法. CN: CN109686656A, 2019-04-26.

[38] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦. 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法. CN: CN109678106A, 2019-04-26.

[39] 欧欣, 游天桂, 徐文慧, 郑鹏程, 黄凯, 王曦. 一种氧化镓半导体结构及其制备方法. CN: CN109671612A, 2019-04-23.

[40] 欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦. 一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法. CN: CN109671618A, 2019-04-23.

[41] 欧欣, 王庶民, 王畅, 游天桂, 张焱超, 黄凯, 王利娟, 林家杰, 潘文武. 一种异质结构的制备方法. CN: CN109427538A, 2019-03-05.

[42] 欧欣, 张师斌, 黄凯, 游天桂, 王曦. 基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法. CN: CN108493326A, 2018-09-04.

[43] 欧欣, 黄凯, 鄢有泉, 游天桂, 王曦. 一种薄膜异质结构的制备方法. CN: CN108493334A, 2018-09-04.

[44] 欧欣, 黄凯, 鄢有泉, 游天桂, 王曦. 一种薄膜异质结构的制备方法. CN: CN108336219A, 2018-07-27.

[45] 欧欣, 张润春, 龚谦, 游天桂, 黄凯, 王曦. Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法. CN: CN107195534A, 2017-09-22.

[46] 黄凯, 欧欣, 张润春, 游天桂, 王曦. 晶圆键合方法及异质衬底制备方法. CN: CN106711027A, 2017-05-24.

[47] 欧欣, 林家杰, 游天桂, 黄凯. 一种InP薄膜异质衬底的制备方法. CN: CN106711026A, 2017-05-24.

[48] 欧欣, 龚谦, 游天桂, 黄凯, 林家杰, 张润春. 一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法. CN: CN106653583A, 2017-05-10.

[49] 欧欣, 黄凯, 贾棋, 张师斌, 游天桂, 王曦. 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法. CN: CN106209003A, 2016-12-07.

[50] 欧欣, 黄凯, 贾棋, 游天桂, 王曦. 一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法. CN: CN105957831A, 2016-09-21.

[51] 欧欣, 黄凯, 贾棋, 游天桂, 王曦. 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法. CN: CN105895576A, 2016-08-24.

[52] 欧欣, 游天桂, 黄凯, 贾棋, 伊艾伦, 王曦. 利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法. CN: CN105895801A, 2016-08-24.

   

[1] Shen, Zhenghao, Xu, Wenhui, Xu, Yang, Huang, Hao, Lin, Jiajie, You, Tiangui, Ye, Jiandong, Ou, Xin. The effect of oxygen annealing on characteristics of beta-Ga2O3 solar-blind photodetectors on SiC substrate by ion-cutting process. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2022, 889: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161743.

[2] 刘仁杰, 林家杰, N, Daghbouj, 孙嘉良, 游天桂, 高鹏, 孙聂枫, 廖敏. Mechanism of defect evolution in H+ and He+ implanted InP*. CHINESE PHYSICS B[J]. 2021, 30(8): 70-74, 
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[10] Lin, Jiajie, You, Tiangui, Wang, Mao, Huang, Kai, Zhang, Shibin, Jia, Qi, Zhou, Min, Yu, Wenjie, Zhou, Shengqiang, Wang, Xi, Ou, Xin. Efficient ion-slicing of InP thin film for Si-based hetero-integration. NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 29(50): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000447052600001.

[11] Jia, Qi, Grenzer, Joerg, He, Huabing, Anwand, Wolfgang, Ji, Yanda, Yuan, Ye, Huang, Kai, You, Tiangui, Yu, Wenjie, Ren, Wei, Chen, Xinzhong, Liu, Mengkun, Facsko, Stefan, Wang, Xi, Ou, Xin. 3D Local Manipulation of the Metal-Insulator Transition Behavior in VO2 Thin Film by Defect-Induced Lattice Engineering. ADVANCED MATERIALS INTERFACES[J]. 2018, 5(8): http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2179532.

[12] Zhang, Runchun, Zhao, Beiji, Huang, Kai, You, Tiangui, Jia, Qi, Lin, Jiajie, Zhang, Shibin, Yan, Youquan, Yi, Ailun, Zhou, Min, Ou, Xin. Silicon-on-insulator with hybrid orientations for heterogeneous integration of GaN on Si (100) substrate. AIP ADVANCES[J]. 2018, 8(5): http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2173951.

[13] 张润春, 黄凯, 林家杰, 鄢有泉, 伊艾伦, 周民, 游天桂, 欧欣. 硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备. 半导体技术[J]. 2018, 43(9): 689-696, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676266207.

[14] Qi Jia, Xin Ou, Manuel Langer, Benjamin Schreiber, Jorg Grenzer, Pablo F. Siles, Raul D. Rodriguez, Kai Huang, Ye Yuan, Alireza Heidarian, Rene Hubner, Tiangui You, Wenjie Yu, Kilian Lenz, Jurgen Lindner, Xi Wang, Stefan Facsko. Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties. 纳米研究：英文版[J]. 2018, 11(7): 3519-3528, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675560575.

[15] Sun, Xiangyu, Wu, Chuangui, Shuai, Yao, Pan, Xinqiang, Luo, Wenbo, You, Tiangui, Du, Nan, Schmidt, Heidemarie. Multi-level switching in TiOxFy film with nanoparticles. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2017, 50(38): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000408748400003.

[16] Huang, Kai, Jia, Qi, You, Tiangui, Zhang, Runchun, Lin, Jiajie, Zhang, Shibin, Zhou, Min, Zhang, Bo, Yu, Wenjie, Ou, Xin, Wang, Xi. Investigation on thermodynamics of ion-slicing of GaN and heterogeneously integrating high-quality GaN films on CMOS compatible Si(100) substrates. SCIENTIFIC REPORTS[J]. 2017, 7(1): https://doaj.org/article/ef90947035bf4e5bb9ebcba7dbfa920a.

   

（ 1 ） 高性能无源敏感薄膜材料Si基异质异构集成方法及传感器芯片研发, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
（ 2 ） 基于离子束技术的氧化锌单晶薄膜制备及其阻变特性调控, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
（ 3 ） 宽禁带半导体氧化镓单晶制备及器件研究, 负责人, 地方任务, 2018-07--2020-06
（ 4 ） 异质巨集成, 负责人, 国家任务, 2019-10--2021-09
（ 5 ） 高质量大尺寸（6英寸及以上）氮化镓材料制备技术研究, 负责人, 地方任务, 2020-07--2024-06
（ 6 ） 基于离子束剥离技术的晶圆级硅基氮极性GaN异质集成研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 7 ） 晶圆级Si(100)基GaN 单片异质集成关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2021-12--2024-11
（ 8 ） 晶圆级氧化镓单晶薄膜异质集成关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2022-06--2025-05

现指导学生

刘旭冬  硕士研究生  085400-电子信息