基本信息

尹明会 女 研究员 课题组长
中国科学院微电子研究所EDA中心
电子邮件: yinminghui@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:100029
研究领域
集成电路设计自动化
单片三维集成电路设计
先进集成电路设计与工艺协同优化
智能化器件建模、PDK和标准单元库设计
招生信息
招生专业
1401-集成电路科学与工程
080902-电路与系统
080903-微电子学与固体电子学招生方向
集成电路设计技术
电子系统设计自动化
工作经历
工作简历
2024-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员2017-01~2024-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员2008-06~2016-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
专利与奖励
奖励信息
(1) 北京市科学技术奖, 三等奖, 省级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种碳基集成电路设计自动化方法及系统装置, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 2023103577325( 2 ) 逐次逼近型数模转换器数据处理方法、装置和电子设备, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: 202211337223 .8( 3 ) 一种电路系统的仿真方法、装置、电子设备及存储介质, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202111220922( 4 ) 工艺设计工具包开发方法、装置、电子设备及存储介质, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112270146A( 5 ) 一种标准单元库全模型的测试方法及测试系统, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108830008A( 6 ) 一种工艺设计工具包的测试方法及装置, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109214023A( 7 ) 一种标准单元库的创建方法及系统, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107784136A( 8 ) 差分电路及其参数化单元的生成方法及生成系统, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106339515A( 9 ) 标准单元库版图设计规则检查验证方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103268375A( 10 ) 标准单元库版图设计方法、布局方法及标准单元库, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103022032A( 11 ) 参数化生成多倍强度驱动单元的方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102968527A( 12 ) 一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102867096A( 13 ) 一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102855360A( 14 ) 标准单元库模型的时序验证方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102436533A( 15 ) 一种实现冗余金属填充模板的方法及其系统, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102495925A( 16 ) 参数化单元的实现方法及由该参数化单元构成的系统, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102156794A( 17 ) 一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102147567A( 18 ) 对精简标准单元库进行优化的方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102279899A( 19 ) 一种特定加速器的应用方法、系统和特定加速器, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN202311349561.8( 20 ) 一种工艺设计工具包的构建方法及相关装置, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: 2024117033326( 21 ) 一种静态随机存取存储器 SRAM 电路, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: 2024117268001( 22 ) 一种电荷泵拓扑结构、集成芯片及电子设备, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: 2024113690028( 23 ) 一种三维堆叠的磁性随机存储器及其制作方法和电子设备, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: 2024111836519( 24 ) 一种碳基芯片热仿真方法及装置, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: 202410844814.7
出版信息
发表论文
(1) Dual-Gate 2T0C Gain Cell For Multi-Bit Input Vector-Matrix Multiplication In-Memory Computing, 2025 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC). IEEE, 2025, 第 3 作者(2) Virtual_N2_PDK: A Predictive Process Design Kit for 2-nm Nanosheet FET Technology, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2025, 第 2 作者 通讯作者(3) Power, performance, and area evaluation across 180nm-28nm technology nodes based on benchmark circuits, IEICE Electronics Express, 2024, 第 1 作者 通讯作者(4) A compact model for carbon nanotube field effect transistors incorporating temperature effects and application for operational amplifier design, ECS Journal of Solid Science and Technology, 2024, 第 3 作者(5) Wafer-scale carbon-based CMOS PDK compatible with silicon-based VLSI design flow, Nano Research, 2024, 第 1 作者(6) Design of a high performance CNFET 10T SRAM cell at 5nm technology node, IEICE Electronics Express, 2023, (7) Design of a variable precision CORDIC coprocessor for RISC-V architecture based on FinFET process, IEICE Electronics Express, 2023, (8) Analysis and characterization of layout dependent effect for advance FinFET circuit design, Microelectronics Journal, 2022, 第 3 作者(9) LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用, The Apply of LOD Effects and WPE Effect in Nanometer Process PDK, 微电子学与计算机, 2019, 第 3 作者(10) 基于40nm CMOS工艺的电平转换器的设计及优化, 半导体技术, 2015, 第 3 作者(11) 低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计, 半导体技术, 2013, 第 3 作者(12) Design for manufacturability of a VDSM standard cell library, Design for manufacturability of a VDSM standard cell library, 半导体学报, 2012, 第 4 作者(13) A design method for process design kit based on an SMIC 65 nm process, A design method for process design kit based on an SMIC 65 nm process, 半导体学报, 2010, 第 3 作者(14) A design method for process design kit based on an SMIC 65 nm process, A design method for process design kit based on an SMIC 65 nm process, 半导体学报, 2010, 第 3 作者(15) 一种高速自控预充电灵敏放大器的设计, Design of a High-Spccd and Automatically Swiched Precharge Sense Amplifier, 微电子学, 2009, 第 4 作者(16) Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition of borophosphosilicate glass films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 11 作者(17) Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of BPSG Films, ISAPS’07, Nikko, 2007, 第 1 作者(18) 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究, Etching Si Wafer Using Atmospheric Pressure RF Cold Plasma Jet, 半导体学报, 2007, 第 3 作者(19) 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究, Etching Si Wafer Using Atmospheric Pressure RF Cold Plasma Jet, 半导体学报, 2007,
科研活动
科研项目
( 1 ) 高精度碳基MOS器件建模, 参与, 其他, 2025-04--2028-04( 2 ) 面向先进制程的TCAD工艺器件仿真与工艺验证, 参与, 境内委托项目, 2024-01--2025-12( 3 ) 低功耗碳基处理器芯片版图设计与验证, 负责人, 其他, 2023-06--2028-06( 4 ) 异质3D单元创新与智能芯片体系结构设计, 参与, 其他, 2022-12--2027-12( 5 ) 碳纳米管晶体管多层级模型及PDK构建方法研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2027-10( 6 ) 集成电路基础器件仿真软件与系统集成设计, 参与, 中国科学院计划, 2022-10--2025-10( 7 ) 大规模碳基现场可编程门阵列技术研究, 参与, 其他, 2022-08--2027-08( 8 ) 250nm碳基集成电路器件级建模及电路设计, 负责人, 国家任务, 2021-10--2025-10( 9 ) 国产EDA工具产业链应用推广示范平台, 参与, 地方任务, 2020-01--2022-12( 10 ) 碳基集成电路PDK开发和设计仿真自动化, 参与, 地方任务, 2017-11--2022-12