叶振华，中国科学院上海技术物理研究所二级研究员，博士，博士生导师，国家级领军人才计划、中国科学院高技术A类人才计划（首届5人）。一直从事红外光电探测器件的设计、制备与航天应用等研究工作，近年来在大面阵红外探测器、超光谱红外探测器、新型红外光电探测器等方面取得积极进展。主持国家XXX重大工程、核高基重大专项、型谱、重点部署等项目，负责研制的大面阵红外探测器成功应用于多项重大航天工程，解决了航天高精度红外成像探测和高光谱成像探测的核心器件“卡脖子”难题。获军事技术发明一等奖、上海市自然科学一等奖、上海市科技进步一等奖、中国科学院杰出科技成就奖、光学工程学会自然科学一等奖等。以第一发明人获授权发明专利20多项，第一作者或通讯作者发表SCI论文50多篇。在《Infr. Phys. and Tech.》、《红外毫米波学报》上发表评论文章“A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe”和“红外光电探测器的前沿热点与变革趋势”（40周年特刊封面文章），获中国精品科技期刊顶尖学术论文F5000证书。

080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
070207-光学

红外光电器件
半导体物理与器件
微纳光子学

2003-07--2005-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士
2000-09--2003-06   中国科学院上海技术物理研究所   硕士
1996-09--2000-06   山东大学   学士

   

2021-01~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 二级研究员
2016-12~2021-01,中国科学院上海技术物理研究所, 三级研究员
2013-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士生导师
2012-09~2013-08,中国科学院上海技术物理研究所, 四级研究员
2007-09~2012-08,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2005-07~2007-08,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员

   

（1） 星载碲镉汞XXX红外芯片, 一等奖, 部委级, 2024
（2） 红外探测器局域场联合调控机理研究, 一等奖, 省级, 2022
（3） 红外探测关键技术研究集体, 特等奖, 部委级, 2018
（4） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017

（ 1 ） 基于超表面的红外彩色探测器, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212539415U

（ 2 ） 一种基于超表面的红外彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112013956A

（ 3 ） 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110793644A

（ 4 ） 一种基于超表面的红外伪彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110823377A

（ 5 ） 一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110631715A

（ 6 ） 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110487203A

（ 7 ） 同时模式双波段碲镉汞探测器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN209929317U

（ 8 ） 一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110243779B

（ 9 ） 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110265492A

（ 10 ） 可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208904029U

（ 11 ） 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807567A

（ 12 ） 有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208690263U

（ 13 ） 上端面开窗液氮杜瓦, 实用新型, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN206410789U

（ 14 ） 一种上端面开窗的液氮杜瓦, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106872050A

（ 15 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206282822U

（ 16 ） 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105762209B

（ 17 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106449377A

（ 18 ） 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106784133A

（ 19 ） 一种碲镉汞器件埋结工艺, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105762221A

（ 20 ） 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 实用新型, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN205609536U

（ 21 ） 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105047530A

（ 22 ） 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104988505A

（ 23 ） 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104752244A

（ 24 ） 一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104752563A

（ 25 ） 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752243A

（ 26 ） 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752402A

（ 27 ） 一种台面型红外探测器引出电极的结构, 实用新型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN204516778U

（ 28 ） 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104037256A

（ 29 ） 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 实用新型, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN204088348U

（ 30 ） 一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103970933A

（ 31 ） 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103900880A

（ 32 ） 一种铟表面处理的方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103762274A

（ 33 ） 基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681937A

（ 34 ） 一种红外焦平面探测器盲元筛选方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103310108A

（ 35 ） 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022246A

（ 36 ） 红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102928194A

（ 37 ） 短波红外探测器阵列读出电路适用的CTIA结构输入级, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102818637A

（ 38 ） 一种短波红外探测器弱信号读出的模拟信号链结构, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102818639A

（ 39 ） 一种优化被照式红外探测器微透镜列阵聚光能力的方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102201487A

（ 40 ） 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958331A

（ 41 ） 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958332A

（ 42 ） 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958330A

（ 43 ） 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872804A

（ 44 ） 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 实用新型, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN201749851U

（ 45 ） 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101894847A

（ 46 ） 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872803A

（ 47 ） 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740502A

（ 48 ） 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101719505A

（ 49 ） 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101726364A

（ 50 ） 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740501A

（ 51 ） 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740662A

（ 52 ） 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101718588A

（ 53 ） 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101494254

（ 54 ） 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101226971

（ 55 ） 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414123

（ 56 ） 一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法, 发明专利, 2008, 第 11 作者, 专利号: CN101221203

（ 57 ） 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100479174

（ 58 ） 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100443928

（ 59 ） 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片, null, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100444393

（ 60 ） 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100433328

（ 61 ） 背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100444381

（ 62 ） 红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法, 发明专利, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1937190

（ 63 ） 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1794473

（ 64 ） 红外焦平面探测器的可靠性筛选方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355054

（ 65 ） 红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355051

（ 66 ） 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100365780

（ 67 ） 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100334694

（ 68 ） 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100466302

（ 69 ） 红外焦平面探测器的铟柱成球方法, null, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1253925

（ 70 ） 碲镉汞材料p－n结结深的测量方法, null, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1206720

（ 71 ） 一种可使样品自动旋转的腐蚀装置, null, 2003, 第 3 作者, 专利号: CN2575659

（ 72 ） 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法, 发明专利, 2003, 第 1 作者, 专利号: CN1399311

（ 73 ） 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201910414304.5

（ 74 ） 一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 201811176475.0

（ 75 ） 一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201810945391.2

（ 76 ） 一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202110265605.3

（ 77 ） 一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202110930651.0

已指导学生

周文洪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

尹文婷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陆伟  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

邓屹  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄建  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李杨  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

陈奕宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘棱枫  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

崔爱梁  博士研究生  070205-凝聚态物理  

孙渟  硕士研究生  077403-微电子学与固体电子学  

张伟婷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王进东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李辉豪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

沈玥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张文轩  博士研究生  085403-集成电路工程  

李媛媛  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴昊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒋灵威  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周绪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

毕业的11名博士、硕士研究生，有5名获国家奖学金。毕业后都有如意的去向，分别为：

4名博士国内著名研究所（中电集团、航空集团、工信部）；

1名硕士赴日本东京大学攻读博士；

6名博士和硕士，进入华为、高德红外、中芯国际研发部、集成电路设计公司等工作。