叶振华，中国科学院上海技术物理研究所二级研究员，博士，博士生导师，国家级领军人才计划、中国科学院高技术A类人才计划（首届5人）。一直从事红外光电探测器件的设计、制备与航天应用等研究工作，近年来在大面阵红外探测器、超光谱红外探测器、新型红外光电探测器等方面取得积极进展。主持国家XXX重大工程、核高基重大专项、型谱、重点部署等项目，负责研制的大面阵红外探测器成功应用于多项重大航天工程，解决了航天高精度红外成像探测和高光谱成像探测的核心器件“卡脖子”难题。获军事技术发明一等奖（1/6）、上海市自然科学一等奖（4/5）、上海市科技进步一等奖（5/15）、中国科学院杰出科技成就奖、光学工程学会自然科学一等奖（5/5）等。以第一发明人获授权发明专利20多项，第一作者或通讯作者发表SCI论文50多篇。在《Infr. Phys. and Tech.》、《红外毫米波学报》上发表评论文章“A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe”和“红外光电探测器的前沿热点与变革趋势”（40周年特刊封面文章），获中国精品科技期刊顶尖学术论文F5000证书。

080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
070207-光学

红外光电器件
半导体物理与器件
微纳光子学

2003-07--2005-07   中国科学院上海技术物理研究所   博士
2000-09--2003-06   中国科学院上海技术物理研究所   硕士
1996-09--2000-06   山东大学   学士

   

2021-01~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 二级研究员
2016-12~2021-01,中国科学院上海技术物理研究所, 三级研究员
2013-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士生导师
2012-09~2013-08,中国科学院上海技术物理研究所, 四级研究员
2007-09~2012-08,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2005-07~2007-08,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员

   

（1） 星载碲镉汞XXX红外芯片, 一等奖, 部委级, 2024
（2） 红外探测器局域场联合调控机理研究, 一等奖, 省级, 2022
（3） 红外探测关键技术研究集体, 特等奖, 部委级, 2018
（4） 硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术, 一等奖, 省级, 2017

（ 1 ） 基于超表面的红外彩色探测器, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212539415U

（ 2 ） 一种基于超表面的红外彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112013956A

（ 3 ） 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110793644A

（ 4 ） 一种基于超表面的红外伪彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110823377A

（ 5 ） 一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110631715A

（ 6 ） 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110487203A

（ 7 ） 同时模式双波段碲镉汞探测器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN209929317U

（ 8 ） 一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110243779B

（ 9 ） 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110265492A

（ 10 ） 可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208904029U

（ 11 ） 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807567A

（ 12 ） 有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208690263U

（ 13 ） 上端面开窗液氮杜瓦, 实用新型, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN206410789U

（ 14 ） 一种上端面开窗的液氮杜瓦, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106872050A

（ 15 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206282822U

（ 16 ） 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105762209B

（ 17 ） 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106449377A

（ 18 ） 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106784133A

（ 19 ） 一种碲镉汞器件埋结工艺, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105762221A

（ 20 ） 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 实用新型, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN205609536U

（ 21 ） 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105047530A

（ 22 ） 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104988505A

（ 23 ） 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104752244A

（ 24 ） 一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104752563A

（ 25 ） 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752243A

（ 26 ） 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752402A

（ 27 ） 一种台面型红外探测器引出电极的结构, 实用新型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN204516778U

（ 28 ） 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104037256A

（ 29 ） 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 实用新型, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN204088348U

（ 30 ） 一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103970933A

（ 31 ） 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103900880A

（ 32 ） 一种铟表面处理的方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103762274A

（ 33 ） 基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681937A

（ 34 ） 一种红外焦平面探测器盲元筛选方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103310108A

（ 35 ） 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022246A

（ 36 ） 红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102928194A

（ 37 ） 短波红外探测器阵列读出电路适用的CTIA结构输入级, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102818637A

（ 38 ） 一种短波红外探测器弱信号读出的模拟信号链结构, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102818639A

（ 39 ） 一种优化被照式红外探测器微透镜列阵聚光能力的方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102201487A

（ 40 ） 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958331A

（ 41 ） 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958332A

（ 42 ） 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958330A

（ 43 ） 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872804A

（ 44 ） 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 实用新型, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN201749851U

（ 45 ） 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101894847A

（ 46 ） 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872803A

（ 47 ） 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740502A

（ 48 ） 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101719505A

（ 49 ） 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101726364A

（ 50 ） 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740501A

（ 51 ） 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740662A

（ 52 ） 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101718588A

（ 53 ） 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101494254

（ 54 ） 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101226971

（ 55 ） 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414123

（ 56 ） 一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法, 发明专利, 2008, 第 11 作者, 专利号: CN101221203

（ 57 ） 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100479174

（ 58 ） 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100443928

（ 59 ） 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片, null, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100444393

（ 60 ） 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100433328

（ 61 ） 背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100444381

（ 62 ） 红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法, 发明专利, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1937190

（ 63 ） 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1794473

（ 64 ） 红外焦平面探测器的可靠性筛选方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355054

（ 65 ） 红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355051

（ 66 ） 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100365780

（ 67 ） 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100334694

（ 68 ） 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100466302

（ 69 ） 红外焦平面探测器的铟柱成球方法, null, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1253925

（ 70 ） 碲镉汞材料p－n结结深的测量方法, null, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1206720

（ 71 ） 一种可使样品自动旋转的腐蚀装置, null, 2003, 第 3 作者, 专利号: CN2575659

（ 72 ） 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法, 发明专利, 2003, 第 1 作者, 专利号: CN1399311

（ 73 ） 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201910414304.5

（ 74 ） 一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 201811176475.0

（ 75 ） 一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201810945391.2

（ 76 ） 一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202110265605.3

（ 77 ） 一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202110930651.0

   

（1） Evaluation of flip-chip bonding electrical connectivity for ultra-large array infrared detector, OPTICS EXPRESS, 2024, 
（2） Systematic prediction method for flip-chip bonding connectivity of ultra-large array infrared detector, OPTICS EXPRESS, 2024, 
（3） Small pixel infrared dual-color detector applying pixel-scale splitters integrated with infrared monochromatic detector, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2023, 
（4） Cryogenic etching and characterization of nano-sized silicon metadevice, OPTICS COMMUNICATIONS, 2023, 
（5） 红外光电探测器的前沿热点与变革趋势, 红外与毫米波学报, 2022, 第 11 作者
（6） Electrical properties of plasma-free ultra-low-temperature ALD ZnS passivation on p-type HgCdTe, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2021, 第 11 作者
（7） A study on the surface correction of large format infrared detectors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
（8） 碲镉汞红外焦平面器件技术进展, Development of technologies for HgCdTe IRFPA, 红外与激光工程, 2020, 第 8 作者
（9） A Calculation Method for Response Spectrum of Mercury Cadmium Telluride Infrared Focal Plane Arrays Detector, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 11 作者
（10） Effect of annealing on the electrophysical properties of CdTe/HgCdTe passivation interface by the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structures, AIP ADVANCES, 2020, 第 7 作者
（11） Analysis of dark current generated by long-wave infrared HgCdTe photodiodes with di���erent implantation shapes, Infrared Physics & Technology, 2019, 第 11 作者
（12） Analysis of dark current generated by long-wave infrared HgCdTe photodiodes with different implantation shapes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 第 11 作者
（13） 从生产过程实现碲镉汞红外探测器的性能提高, Performance Improvement of Mercury Cadmium Telluride Infrared Detector from Production Process, 红外, 2019, 第 3 作者
（14） Inductively Coupled Plasma-Induced Electrical Damage on HgCdTe Etched Surface at Cryogenic Temperatures, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 
（15） A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe, Infrared Physics and Technology, 2018, 第 11 作者
（16） A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 11 作者
（17） 硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征, Growth and Characterization of ZnS Thin Films by Atomic Layer Deposition, 红外, 2017, 第 5 作者
（18） Direct mapping and characterization of dry etch damage-induced PN junction for long-wavelength HgCdTe infrared detector arrays., OPTICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
（19） Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 第 11 作者
（20） A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 11 作者
（21） 一种用于台面探测器的新型电极结构, A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 6 作者
（22） Dry etched sio2 mask for hgcdte etching process, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 
（23） Theoretical investigation on input properties of DI and CTIA readout integrated circuit, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 11 作者
（24） A barrier structure optimization for widening processing window in dual-band HgCdTe IRFPAs detectors, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 11 作者
（25） 一种用于台面探测器的新型电极结构, A novel electrode design and implementation for mesa-arrayed infrared detectors, 红外与毫米波学报, 2016, 第 6 作者
（26） Dark current characterization of sw hgcdte irfpas detectors on si substrate with long time integration, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 
（27） Effect of surface fields on the dynamic resistance of planar hgcdte mid-wavelength infrared photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 9 作者
（28） Design of spectral crosstalk suppressing structure in two-color HgCdTe infrared focal plane arrays detector, Optical and Quantum Electronics, 2014, 第 11 作者
（29） 短波红外焦平面弱信号读出的高帧频模拟链路设计, High frequency weak signal analog chain design of short-wavelength IRFPAs, 红外与激光工程, 2014, 第 3 作者
（30） 碲镉汞线列红外探测器模块温度循环的可靠性, Thermal cycling reliability of linear HgCdTe infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 
（31） Mercury cadmium telluride implanted junction profile measurement and depth control, INFRARED TECHNOLOGY AND APPLICATIONS XL, 2014, 
（32） 红外焦平面探测器封装结构热应力分析, Thermal stress analysis of IRF PA packaging assembly, 激光与红外, 2014, 第 5 作者
（33） 碲镉汞红外探测器的前沿技术综述, Overview of Latest Technologies of HgCdTe Infrared Photoelectric Detectors, 红外, 2014, 第 1 作者
（34） Numerical approach to generalized transmission line model and its application to Au/Sn/p-HgCdTe contact, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
（35） Numerical Simulation of Refractive-Microlensed HgCdTe Infrared Focal Plane Arrays Operating in Optical Systems, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 第 2 作者
（36） 128 x 128 long-wavelength/mid-wavelength two-color HgCdTe infrared focal plane array detector with ultralow spectral cross talk, OPTICS LETTERS, 2014, 第 2 作者
（37） Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detectors, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2014, 
（38） 碲镉汞线列红外探测器模块温度循环的可靠性, Thermal cycling reliability of linear HgCdTe infrared detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 4 作者
（39） Parameter determination from current-voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 第 11 作者
（40） 短波IRFPAs读出电路CTIA输入级的优化设计, CTIA input stage design of short- wavelength staring IRFPAs ROIC, 激光与红外, 2013, 第 3 作者
（41） Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches, J. Electron. Mater, 2013, 
（42） Crosstalk suppressing design of GaAs microlenses integrated on HgCdTe infrared focal plane array, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 第 11 作者
（43） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 
（44） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, 红外与毫米波, 2012, 第 11 作者
（45） Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 11 作者
（46） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, 红外与毫米波, 2012, 第 11 作者
（47） 碲镉汞长波光电二极管列阵的等离子体修饰研究, 红外与毫米波, 2012, 第 11 作者
（48） HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 第 11 作者
（49） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, 红外与毫米波学报, 2011, 第 1 作者
（50） Low-Roughness Plasma Etching of HgCdTe Masked with Patterned Silicon Dioxide, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2011, 
（51） 国外红外光电探测器发展动态, Status and trends of foreign infrared photodetectors, 激光与红外, 2011, 第 2 作者
（52） HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 11 作者
（53） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 
（54） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, HgCdTe photodiode arrays passivated by MBE in-situ grown CdTe film, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 
（55） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, HgCdTe mid-wavelength infrared detector with interface passivated by hydrogen implantation, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 第 11 作者
（56） A hybrid surface passivation on HgCdTe long wave infrared detector with in-situ CdTe deposition and high-density hydrogen plasma modification, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 
（57） 128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 11 作者
（58） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128��128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 11 作者
（59） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 128��128 SW/MW TWO-COLOR HgCdTe IRFPAs, 红外与毫米波学报, 2010, 第 11 作者
（60） 吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究, Effects of absorption layer parameters and hetero-interface charge on photoresponse of 12.5 ��m long-wavelength HgCdTe photodiode, 物理学报, 2009, 第 3 作者
（61） A Study of Hg1-xCdxTe Surfaces Processed Using Inductively Coupled Plasma with CH4/H-2/N-2/Ar Mixture, 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON OPTICAL INSTRUMENTS AND TECHNOLOGY: MICROELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES AND INTEGRATION, 2009, 
（62） 皮秒脉冲激光照射下碲镉汞光伏红外探测器的负光伏响应新现象, NEGATIVE PHOTOVOLTAIC-RESPONSES IN HgCdTe INFRARED PHOTOVOLTAIC DETECTORS IRRADIATED WITH PICOSECOND PULSED LASER, 红外与毫米波学报, 2009, 第 5 作者
（63） 碲镉汞红外双色探测器响应光谱研究, 红外与毫米波学报, 2009, 第 11 作者
（64） 碲镉汞光伏型探测器的变面积氢化研究, STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2008, 第 4 作者
（65） 双光子吸收的Franz-Keldysh效应, Franz-Keldysh effect in two-photon absorption, 物理学报, 2008, 第 2 作者
（66） 光导型碲镉汞探测器的氢化研究, Hydrogenation on HgCdTe photoconductive detectors, 红外与激光工程, 2008, 第 3 作者
（67） STUDY ON VARIABLE-AREA HYDROGENATION OF HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2008, 第 3 作者
（68） HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究, Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
（69） Study of hydrogenation on HgCdTe photovoltaic detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 第 3 作者
（70） 不同介质层钝化的碲镉汞光导型探测器的氢化研究, Study of Hydrogenation on HgCdTe Photoconductive Detectors Passivated with Different Dielectrics, 激光与红外, 2007, 第 3 作者
（71） 碲镉汞光伏型探测器的氢化处理研究, STUDY OF HYDROGENATION ON HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS, 红外与毫米波学报, 2007, 第 4 作者
（72） 碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量, Measurement of Minority Carrier Lifetime in HgCdTe p-n Junctions, 激光与红外, 2006, 第 5 作者
（73） HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究, 红外与毫米波学报, 2006, 第 11 作者
（74） An investigation on spectral-characteristic of HgCdTe two-color detector, CONFERENCE DIGEST OF THE 2006 JOINT 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES AND 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, 2006, 
（75） 碲镉汞深微台面列阵干法隔离的轮廓研究, 激光与红外, 2006, 第 3 作者
（76） LBIC在HgCdTe双色探测器的工艺检测中的应用, 红外与毫米波学报, 2005, 第 11 作者
（77） HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究, A Study on Etch Rate of Dry Technique for HgCdTe IRFPAs, 激光与红外, 2005, 第 1 作者
（78） ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析, XPS Analysis of the HgCdTe Surface Etched by ICP, 激光与红外, 2005, 第 2 作者
（79） 不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 11 作者
（80） 碲镉汞 p~+-on-n长波异质结探测器的研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 11 作者
（81） 集成式HgCdTe红外双色探测器列阵, 红外与毫米波学报, 2004, 第 11 作者
（82） 双色探测器的集成焦平面技术, 红外, 2002, 第 1 作者

   

（ 1 ） Kxx卫星红外探测器, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12
（ 2 ） 国家级领军人才计划, 负责人, 国家任务, 2024-01--2026-12
（ 3 ） 下一代TXX卫星红外探测器, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 4 ） 超高分辨率红外探测器, 负责人, 国家任务, 2021-01--2025-12
（ 5 ） 重大航天工程红外探测器, 负责人, 国家任务, 2019-06--2025-12
（ 6 ） XX一体化红外探测器技术, 负责人, 国家任务, 2019-06--2022-05
（ 7 ） 硅基2048X2048红外焦平面探测器, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
（ 8 ） 硅基碲镉汞2048X2048红外探测器, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
（ 9 ） 重大专项, 负责人, 国家任务, 2015-01--2017-12
（ 10 ） 重大航天工程红外探测器, 负责人, 国家任务, 2010-01--2019-12

（1）红外光电器件的发展趋势与技术挑战   2020-10-06

已指导学生

周文洪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

尹文婷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陆伟  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

邓屹  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄建  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李杨  硕士研究生  077303-微电子学与固体电子学  

陈奕宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘棱枫  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

崔爱梁  博士研究生  070205-凝聚态物理  

孙渟  硕士研究生  077403-微电子学与固体电子学  

张伟婷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王进东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

李辉豪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

沈玥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张文轩  博士研究生  085403-集成电路工程  

李媛媛  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴昊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒋灵威  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

毕业的11名博士、硕士研究生，有5名获国家奖学金。毕业后都有如意的去向，分别为：

4名博士国内著名研究所（中电集团、航空集团、工信部）；

1名硕士赴日本东京大学攻读博士；

6名博士和硕士，进入华为、高德红外、中芯国际研发部、集成电路设计公司等工作。