专利成果
( 1 ) 基于超表面的红外彩色探测器, 外观设计, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN212539415U( 2 ) 一种基于超表面的红外彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112013956A( 3 ) 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110793644A( 4 ) 一种基于超表面的红外伪彩色探测器, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110823377A( 5 ) 一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110631715A( 6 ) 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110487203A( 7 ) 同时模式双波段碲镉汞探测器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN209929317U( 8 ) 一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110243779B( 9 ) 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110265492A( 10 ) 可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208904029U( 11 ) 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807567A( 12 ) 有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 实用新型, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN208690263U( 13 ) 上端面开窗液氮杜瓦, 实用新型, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN206410789U( 14 ) 一种上端面开窗的液氮杜瓦, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106872050A( 15 ) 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206282822U( 16 ) 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105762209B( 17 ) 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106449377A( 18 ) 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106784133A( 19 ) 一种碲镉汞器件埋结工艺, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105762221A( 20 ) 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片, 实用新型, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN205609536U( 21 ) 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105047530A( 22 ) 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104988505A( 23 ) 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104752244A( 24 ) 一种台面型红外探测器引出电极的结构及制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104752563A( 25 ) 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752243A( 26 ) 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752402A( 27 ) 一种台面型红外探测器引出电极的结构, 实用新型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN204516778U( 28 ) 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104037256A( 29 ) 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片, 实用新型, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN204088348U( 30 ) 一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103970933A( 31 ) 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103900880A( 32 ) 一种铟表面处理的方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103762274A( 33 ) 基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103681937A( 34 ) 一种红外焦平面探测器盲元筛选方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103310108A( 35 ) 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103022246A( 36 ) 红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102928194A( 37 ) 短波红外探测器阵列读出电路适用的CTIA结构输入级, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102818637A( 38 ) 一种短波红外探测器弱信号读出的模拟信号链结构, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102818639A( 39 ) 一种优化被照式红外探测器微透镜列阵聚光能力的方法, 发明专利, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102201487A( 40 ) 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958331A( 41 ) 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958332A( 42 ) 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片, 发明专利, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN101958330A( 43 ) 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872804A( 44 ) 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 实用新型, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN201749851U( 45 ) 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101894847A( 46 ) 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101872803A( 47 ) 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740502A( 48 ) 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101719505A( 49 ) 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101726364A( 50 ) 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740501A( 51 ) 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101740662A( 52 ) 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101718588A( 53 ) 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101494254( 54 ) 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101226971( 55 ) 红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414123( 56 ) 一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法, 发明专利, 2008, 第 11 作者, 专利号: CN101221203( 57 ) 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100479174( 58 ) 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100443928( 59 ) 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片, null, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100444393( 60 ) 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100433328( 61 ) 背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100444381( 62 ) 红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法, 发明专利, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN1937190( 63 ) 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1794473( 64 ) 红外焦平面探测器的可靠性筛选方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355054( 65 ) 红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100355051( 66 ) 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法, null, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100365780( 67 ) 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100334694( 68 ) 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片, 发明专利, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100466302( 69 ) 红外焦平面探测器的铟柱成球方法, null, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1253925( 70 ) 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法, null, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1206720( 71 ) 一种可使样品自动旋转的腐蚀装置, null, 2003, 第 3 作者, 专利号: CN2575659( 72 ) 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法, 发明专利, 2003, 第 1 作者, 专利号: CN1399311( 73 ) 一种同时模式双波段碲镉汞探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201910414304.5( 74 ) 一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 201811176475.0( 75 ) 一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 201810945391.2( 76 ) 一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202110265605.3( 77 ) 一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202110930651.0