基本信息
许金通 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： xujintong@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083
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研究领域
主要集中在航天用高性能高可靠性的红外探测器和紫外探测器，涉及材料有碲镉汞、氮化镓和砷化镓/铝镓砷量子阱材料。
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
光电探测器
教育背景
2002-09--2007-06 中国科学院上海技术物理研究所 理学博士
1996-09--2000-06 北京师范大学 学士学位
1996-09--2000-06 北京师范大学 学士学位
工作经历
工作简历
2007-07~2021-05,中国科学院上海技术物理研究所, 任职
专利与奖励
专利成果
[1] 刘福浩, 龚玮, 杨晓阳, 许金通, 罗毅, 蒋科, 陈心恬, 乔辉, 李向阳. 一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件. CN: CN116544294A, 2023-08-04.
[2] 李浩杰, 刘向阳, 张燕, 王玲, 许金通, 李向阳. 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法. CN: CN113054057A, 2021-06-29.
[3] 蔡子健, 许金通, 张燕, 李向阳. 一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法. CN: CN113013285A, 2021-06-22.
[4] 刘福浩, 杨晓阳, 许金通, 马丁, 张燕, 王玲, 孙晓宇, 刘诗嘉, 李向阳. 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法. CN: CN109148623A, 2019-01-04.
[5] 刘向阳, 王玲, 张燕, 刘诗嘉, 许金通, 李向阳. 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法. CN: CN104882455A, 2015-09-02.
[6] 刘向阳, 王玲, 张燕, 刘诗嘉, 许金通, 李向阳. 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器. CN: CN204680670U, 2015-09-30.
[7] 许金通, 李向阳, 朱龙源, 王妮丽, 储开慧, 赵水平, 兰添翼. 一种改善光谱平整度的红外探测器. CN: CN203631575U, 2014-06-04.
[8] 许金通, 李向阳, 朱龙源, 王妮丽, 储开慧, 赵水平, 兰添翼. 一种改善光谱平整度的红外探测器结构. CN: CN103579406A, 2014-02-12.
[9] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器. CN: CN202534671U, 2012-11-14.
[10] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法. CN: CN102593233A, 2012-07-18.
[11] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器. CN: CN202134542U, 2012-02-01.
[12] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法. CN: CN102201484A, 2011-09-28.
[13] 王平, 许金通, 杨晓阳, 陆荣, 刘福浩, 李向阳. 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法. CN: CN102134491A, 2011-07-27.
[14] 王妮丽, 刘诗嘉, 赵水平, 兰添翼, 许金通, 姜佩璐, 朱龙源. 一种细长型的碲镉汞单元光导探测器. CN: CN101866974A, 2010-10-20.
[15] 王妮丽, 刘诗嘉, 赵水平, 兰添翼, 许金通, 姜佩璐, 朱龙源. 一种细长型的碲镉汞单元探测器. CN: CN201689901U, 2010-12-29.
[16] 储开慧, 许金通, 包西昌, 李向阳, 戴江, 陈长清. 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法. CN: CN101707215A, 2010-05-12.
[17] 储开慧, 许金通, 包西昌, 李向阳, 戴江, 陈长清. 氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构. CN: CN201556629U, 2010-08-18.
[18] 包西昌, 张文静, 许金通, 王玲, 李 超, 储开慧, 王妮丽, 张燕, 李向阳. 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法. CN: CN101494244A, 2009-07-29.
[19] 王玲, 许金通, 袁永刚, 包西昌, 张文静, 李 超, 张燕, 李向阳. 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法. CN: CN101335308A, 2008-12-31.
[20] 苏志国, 许金通, 张文静, 胡其欣, 袁永刚, 李向阳, 刘 骥. 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统. CN: CN101169370A, 2008-04-30.
[2] 李浩杰, 刘向阳, 张燕, 王玲, 许金通, 李向阳. 一种氮化镓及氮化镓三元合金的钝化工艺方法. CN: CN113054057A, 2021-06-29.
[3] 蔡子健, 许金通, 张燕, 李向阳. 一种矫正焦平面探测器倒焊工艺系统误差的工艺方法. CN: CN113013285A, 2021-06-22.
[4] 刘福浩, 杨晓阳, 许金通, 马丁, 张燕, 王玲, 孙晓宇, 刘诗嘉, 李向阳. 一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法. CN: CN109148623A, 2019-01-04.
[5] 刘向阳, 王玲, 张燕, 刘诗嘉, 许金通, 李向阳. 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及制备方法. CN: CN104882455A, 2015-09-02.
[6] 刘向阳, 王玲, 张燕, 刘诗嘉, 许金通, 李向阳. 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器. CN: CN204680670U, 2015-09-30.
[7] 许金通, 李向阳, 朱龙源, 王妮丽, 储开慧, 赵水平, 兰添翼. 一种改善光谱平整度的红外探测器. CN: CN203631575U, 2014-06-04.
[8] 许金通, 李向阳, 朱龙源, 王妮丽, 储开慧, 赵水平, 兰添翼. 一种改善光谱平整度的红外探测器结构. CN: CN103579406A, 2014-02-12.
[9] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器. CN: CN202534671U, 2012-11-14.
[10] 刘福浩, 许金通, 李向阳, 王荣阳, 刘秀娟, 陶利友, 刘诗嘉, 孙晓宇. 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器及制备方法. CN: CN102593233A, 2012-07-18.
[11] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器. CN: CN202134542U, 2012-02-01.
[12] 李超, 李向阳, 许金通, 刘福浩, 张燕, 刘向阳, 乔辉. 具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器及制备方法. CN: CN102201484A, 2011-09-28.
[13] 王平, 许金通, 杨晓阳, 陆荣, 刘福浩, 李向阳. 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法. CN: CN102134491A, 2011-07-27.
[14] 王妮丽, 刘诗嘉, 赵水平, 兰添翼, 许金通, 姜佩璐, 朱龙源. 一种细长型的碲镉汞单元光导探测器. CN: CN101866974A, 2010-10-20.
[15] 王妮丽, 刘诗嘉, 赵水平, 兰添翼, 许金通, 姜佩璐, 朱龙源. 一种细长型的碲镉汞单元探测器. CN: CN201689901U, 2010-12-29.
[16] 储开慧, 许金通, 包西昌, 李向阳, 戴江, 陈长清. 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法. CN: CN101707215A, 2010-05-12.
[17] 储开慧, 许金通, 包西昌, 李向阳, 戴江, 陈长清. 氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构. CN: CN201556629U, 2010-08-18.
[18] 包西昌, 张文静, 许金通, 王玲, 李 超, 储开慧, 王妮丽, 张燕, 李向阳. 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法. CN: CN101494244A, 2009-07-29.
[19] 王玲, 许金通, 袁永刚, 包西昌, 张文静, 李 超, 张燕, 李向阳. 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法. CN: CN101335308A, 2008-12-31.
[20] 苏志国, 许金通, 张文静, 胡其欣, 袁永刚, 李向阳, 刘 骥. 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统. CN: CN101169370A, 2008-04-30.
出版信息
发表论文
（1） 瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法, A New Method for Measuring The Minority Carrier Lifetime of MWIR HgCdTe Materials by Transient Photoresponse Method, 半导体光电, 2023, 第 5 作者
（2） 长波量子阱红外探测器的不同光栅耦合机制研究, The Study of Different Grating Coupling Based on Long Wavelength Quantum Well Infrared Photodetector Focal Plane, 应用物理, 2023, 第 4 作者
（3） GaN基多量子阱红外探测器研究进展（特邀）, Recent progress of GaN based quantum well infrared photodetector(Invited), 红外与激光工程, 2021, 第 4 作者
（4） Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE, Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 6 作者
（5） 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究, Fab rication and Characterization of Infrared Bolometer Based on Mn-Co-Ni-O Thin Films with Thermal Isolation Structure, 半导体光电, 2021, 第 5 作者
（6） 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究, Extraction of Material Parameters by Transmission Spectra of AlGaN Film, 光学学报, 2021, 第 3 作者
（7） GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55μm long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 第 3 作者
（8） HgCdTe柔性中波红外探测器放大电路设计及噪声分析, Amplification Circuit Design and Noise Analysis for An HgCdTe Flexible Medium Wave Infrared Detector, 红外技术, 2019, 第 3 作者
（9） 盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究, Research on Active Quenching Circuit of Geiger Mode Avalanche Photodiode, 红外技术, 2019, 第 2 作者
（10） Impact of Forming Voltage Polarity on HfO2-based RRAM Performance, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 7 作者
（11） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（12） AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现, 光学与光电技术, 2018, 第 2 作者
（13） Reduction of Structural Thermal Resistance for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Ceramic Substrate via Copper-Filled Thermal Holes, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
（14） 基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制, Development of Geiger Mode Circuit with Silicon Avalanche Photodiode for Ultraviolet Optical Communication, 红外技术, 2018, 第 2 作者
（15） Research of Read-Margin Dependence on Array Size for Asymmetric Resistive Memory Cell, 2018 NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM (NVMTS 2018), 2018, 第 6 作者
（16） 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面（英文）, 红外与激光工程, 2018, 第 2 作者
（17） Modeling of frequency-dependent negative differential capacitance in InGaAs/InP photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（18） 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面, Visible blind AIGaN 640×8 pixel ultraviolet focal plane arrays with low out- of- band response, 红外与激光工程, 2018, 第 2 作者
（19） AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器暗电流研究, Research on dark current of AlGaN solar-blind ultraviolet avalanche photodetectors, 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
（20） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, 中国科学：信息科学（英文版）, 2018, 第 6 作者
（21） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（22） AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate, CRYSTENGCOMM, 2018, 第 10 作者
（23） Optimization of InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 4 作者
（24） 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟, Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector, 半导体光电, 2017, 第 2 作者
（25） Optimization of GaN/InGaN Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 3 作者
（26） Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector, OPTICALANDQUANTUMELECTRONICS, 2017, 第 2 作者
（27） High Extinction Coefficient Thieno3,4-bthiophene-Based Copolymer for Efficient Fullerene-Free Solar Cells with Large Current Density, CHEMISTRY OF MATERIALS, 2017, 第 8 作者
（28） Efficient inverted planar formamidinium lead iodide perovskite solar cells via a post improved perovskite layer, RSC ADVANCES, 2016, 第 3 作者
（29） Anisotropic optical polarization dependence on internal strain in AlGaN epilayer grown on AlxGa1-xN templates, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
（30） Fabrication of low-density GaN/AlN quantum dots via GaN thermal decomposition in MOCVD, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 9 作者
（31） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 2 作者
（32） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 2 作者
（33） Study of gain and photoresponse characteristics for back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
（34） Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using staggered quantum wells, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 第 5 作者
（35） GaN基雪崩光电二极管及其研究进展, GaN-based avalanche photodiodes and its recent development, 红外与激光工程, 2014, 第 2 作者
（36） The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar alpha-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 其他（合作组作者）
（37） Temperature and frequency dependence of negative differential capacitance in a planar GaN-based p-i-n photodetector, JOURNALOFALLOYSANDCOMPOUNDS, 2013, 第 2 作者
（38） 中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究, Study on HgCdTe Detector Assemble Fault Tree and Failure Analysis, 半导体光电, 2012, 第 2 作者
（39） Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
（40） 正、背照射日盲型肖特基探测器, Solar-blind GaN-based Schottky diodes with front and back illumination, 红外与激光工程, 2010, 第 2 作者
（41） Optical characterization of GaN/AlGaN bilayer by transmission and reflection spectra, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 3 作者
（42） ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 3 作者
（43） 工艺技术在科学研究中的重要性探讨, 管理观察, 2010, 第 2 作者
（44） KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响, The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors, 光电子．激光, 2009, 第 3 作者
（45） Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 6 作者
（46） GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究, Transmission Spectra of GaN and AIGaN Films, 光子学报, 2009, 第 3 作者
（47） GaN肖特基器件电学性质的模拟研究, Numerical Modeling of Electric Characteristics of GaN-based Schottky Device, 激光与红外, 2008, 第 2 作者
（48） 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象, Negative Persistent Photoconductivity in Unintentionally Doped n-Type GaN, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（49） 氮化镓基雪崩光电二极管的研制, Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes, 激光与红外, 2007, 第 1 作者
（50） AlGaN／GaN异质结紫外探测器, 红外与激光工程, 2007, 第 2 作者
（51） 紫外双光谱演示成像系统设计, Multi-UV-spectrums Demo Imaging System Design, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
（52） 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响, Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
（53） Electric-field effects on persistent photoconductivity in undoped n-type epitaxial GaN, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006,
（54） p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器, A p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（55） GaN基紫外探测器及其研究进展, GaN based ultraviolet detectors and its recent development, 红外与激光工程, 2006, 第 2 作者
（56） p型GaN/Al_（0.35）Ga_（0.65）N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究, Research of two-dimensional hole gas in p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN strained quantum-well, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 2 作者
（57） Effects of tensile stress induced by SiO2 passivation layer on the properties of AlGaN/GaN heterostructure photodiode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 第 3 作者
（58） 高Al组分AlGaN及其光导器件, AIGaN with High Al Fraction and Its Photoconductive Detector, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（59） 空间用紫外探测及A lGaN探测器的研究进展, 激光与红外, 2006, 第 9 作者
（60） 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器, Characteristics of a Front-Illuminated Visible-Blind UV Photodetector Based on GaN p-i-n Photodiodes with High Quantum Efficiency, 半导体学报, 2006, 第 4 作者
（61） 氮化镓基薄膜材料的测试和评价, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（62） p型GaN/Al_（0.35）Ga_（0.65）N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究, Research of two-dimensional hole gas in p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN strained quantum-well, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 2 作者
（63） Reduction of ohmic contact resistivity on p-GaN using N-2 plasma surface treatment at room temperature, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 第 3 作者
（2） 长波量子阱红外探测器的不同光栅耦合机制研究, The Study of Different Grating Coupling Based on Long Wavelength Quantum Well Infrared Photodetector Focal Plane, 应用物理, 2023, 第 4 作者
（3） GaN基多量子阱红外探测器研究进展（特邀）, Recent progress of GaN based quantum well infrared photodetector(Invited), 红外与激光工程, 2021, 第 4 作者
（4） Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE, Preparation of AlN film grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer via HVPE, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 6 作者
（5） 具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究, Fab rication and Characterization of Infrared Bolometer Based on Mn-Co-Ni-O Thin Films with Thermal Isolation Structure, 半导体光电, 2021, 第 5 作者
（6） 利用AlGaN薄膜透射谱提取材料参数的研究, Extraction of Material Parameters by Transmission Spectra of AlGaN Film, 光学学报, 2021, 第 3 作者
（7） GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器, GaAs/AlGaAs QWIP IRFPA for 10.55μm long wavelength, 红外与激光工程, 2020, 第 3 作者
（8） HgCdTe柔性中波红外探测器放大电路设计及噪声分析, Amplification Circuit Design and Noise Analysis for An HgCdTe Flexible Medium Wave Infrared Detector, 红外技术, 2019, 第 3 作者
（9） 盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究, Research on Active Quenching Circuit of Geiger Mode Avalanche Photodiode, 红外技术, 2019, 第 2 作者
（10） Impact of Forming Voltage Polarity on HfO2-based RRAM Performance, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 7 作者
（11） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（12） AlGaN基日盲紫外探测器成像系统设计与实现, 光学与光电技术, 2018, 第 2 作者
（13） Reduction of Structural Thermal Resistance for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Ceramic Substrate via Copper-Filled Thermal Holes, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 第 7 作者
（14） 基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制, Development of Geiger Mode Circuit with Silicon Avalanche Photodiode for Ultraviolet Optical Communication, 红外技术, 2018, 第 2 作者
（15） Research of Read-Margin Dependence on Array Size for Asymmetric Resistive Memory Cell, 2018 NON-VOLATILE MEMORY TECHNOLOGY SYMPOSIUM (NVMTS 2018), 2018, 第 6 作者
（16） 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面（英文）, 红外与激光工程, 2018, 第 2 作者
（17） Modeling of frequency-dependent negative differential capacitance in InGaAs/InP photodiode, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（18） 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面, Visible blind AIGaN 640×8 pixel ultraviolet focal plane arrays with low out- of- band response, 红外与激光工程, 2018, 第 2 作者
（19） AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器暗电流研究, Research on dark current of AlGaN solar-blind ultraviolet avalanche photodetectors, 红外与激光工程, 2018, 第 5 作者
（20） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, 中国科学：信息科学（英文版）, 2018, 第 6 作者
（21） Integration of biocompatible organic resistive memory and photoresistor for wearable image sensing application, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2018, 第 6 作者
（22） AlN gradient interlayer design for the growth of high-quality AlN epitaxial film on sputtered AlN/sapphire substrate, CRYSTENGCOMM, 2018, 第 10 作者
（23） Optimization of InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 4 作者
（24） 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟, Fabrication and Numerical Simulation of Back-Illuminated InGaN Ultraviolet Photodetector, 半导体光电, 2017, 第 2 作者
（25） Optimization of GaN/InGaN Heterojunction Phototransistor, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 3 作者
（26） Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector, OPTICALANDQUANTUMELECTRONICS, 2017, 第 2 作者
（27） High Extinction Coefficient Thieno3,4-bthiophene-Based Copolymer for Efficient Fullerene-Free Solar Cells with Large Current Density, CHEMISTRY OF MATERIALS, 2017, 第 8 作者
（28） Efficient inverted planar formamidinium lead iodide perovskite solar cells via a post improved perovskite layer, RSC ADVANCES, 2016, 第 3 作者
（29） Anisotropic optical polarization dependence on internal strain in AlGaN epilayer grown on AlxGa1-xN templates, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 8 作者
（30） Fabrication of low-density GaN/AlN quantum dots via GaN thermal decomposition in MOCVD, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 第 9 作者
（31） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 2 作者
（32） AlGaN基p-i-n光电探测器负响应现象研究, Negative photoresponsse of AlGaN-based p-i-n photodetector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 2 作者
（33） Study of gain and photoresponse characteristics for back-illuminated separate absorption and multiplication GaN avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 6 作者
（34） Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using staggered quantum wells, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2014, 第 5 作者
（35） GaN基雪崩光电二极管及其研究进展, GaN-based avalanche photodiodes and its recent development, 红外与激光工程, 2014, 第 2 作者
（36） The effects of substrate nitridation on the growth of nonpolar alpha-plane GaN on r-plane sapphire by metalorganic chemical vapor deposition, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 其他（合作组作者）
（37） Temperature and frequency dependence of negative differential capacitance in a planar GaN-based p-i-n photodetector, JOURNALOFALLOYSANDCOMPOUNDS, 2013, 第 2 作者
（38） 中波HgCdTe光导探测器组件的故障树和失效研究, Study on HgCdTe Detector Assemble Fault Tree and Failure Analysis, 半导体光电, 2012, 第 2 作者
（39） Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
（40） 正、背照射日盲型肖特基探测器, Solar-blind GaN-based Schottky diodes with front and back illumination, 红外与激光工程, 2010, 第 2 作者
（41） Optical characterization of GaN/AlGaN bilayer by transmission and reflection spectra, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 3 作者
（42） ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2010, 第 3 作者
（43） 工艺技术在科学研究中的重要性探讨, 管理观察, 2010, 第 2 作者
（44） KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响, The effect of KOH solution process on dark current of AlGaN ultraviolet photodetectors, 光电子．激光, 2009, 第 3 作者
（45） Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 第 6 作者
（46） GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究, Transmission Spectra of GaN and AIGaN Films, 光子学报, 2009, 第 3 作者
（47） GaN肖特基器件电学性质的模拟研究, Numerical Modeling of Electric Characteristics of GaN-based Schottky Device, 激光与红外, 2008, 第 2 作者
（48） 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象, Negative Persistent Photoconductivity in Unintentionally Doped n-Type GaN, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（49） 氮化镓基雪崩光电二极管的研制, Fabrication and Device Characteristics of GaN-based Avalanche Photodiodes, 激光与红外, 2007, 第 1 作者
（50） AlGaN／GaN异质结紫外探测器, 红外与激光工程, 2007, 第 2 作者
（51） 紫外双光谱演示成像系统设计, Multi-UV-spectrums Demo Imaging System Design, 激光与红外, 2007, 第 2 作者
（52） 表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响, Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors, 半导体光电, 2007, 第 4 作者
（53） Electric-field effects on persistent photoconductivity in undoped n-type epitaxial GaN, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006,
（54） p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器, A p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（55） GaN基紫外探测器及其研究进展, GaN based ultraviolet detectors and its recent development, 红外与激光工程, 2006, 第 2 作者
（56） p型GaN/Al_（0.35）Ga_（0.65）N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究, Research of two-dimensional hole gas in p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN strained quantum-well, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 2 作者
（57） Effects of tensile stress induced by SiO2 passivation layer on the properties of AlGaN/GaN heterostructure photodiode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 第 3 作者
（58） 高Al组分AlGaN及其光导器件, AIGaN with High Al Fraction and Its Photoconductive Detector, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（59） 空间用紫外探测及A lGaN探测器的研究进展, 激光与红外, 2006, 第 9 作者
（60） 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器, Characteristics of a Front-Illuminated Visible-Blind UV Photodetector Based on GaN p-i-n Photodiodes with High Quantum Efficiency, 半导体学报, 2006, 第 4 作者
（61） 氮化镓基薄膜材料的测试和评价, 激光与红外, 2006, 第 2 作者
（62） p型GaN/Al_（0.35）Ga_（0.65）N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究, Research of two-dimensional hole gas in p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN strained quantum-well, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 2 作者
（63） Reduction of ohmic contact resistivity on p-GaN using N-2 plasma surface treatment at room temperature, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2006, 第 3 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 小光敏面积的碲镉汞长波红外探测器光电耦合的尺寸效应, 负责人, 国家任务, 2010-01--2013-12
（ 2 ） 中科院青年创新促进会人才项目, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 高紫外可见抑制比的AlGaN基日盲紫外探测器光谱形成机制研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 2 ） 中科院青年创新促进会人才项目, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 高紫外可见抑制比的AlGaN基日盲紫外探测器光谱形成机制研究, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12