相变存储器件与开关器件的研究

080903-微电子学与固体电子学

相变存储器
选通管

2015-09--2020-06   中国科学院大学   博士
2011-09--2015-06   华中科技大学   本科

   

2023-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2022-11~2022-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2020-07~2022-11,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后

   

（1） 上海市超级博士后, 省级, 2020
（2） 上海市优秀毕业生, 省级, 2020
（3） 朱李月华优秀博士生奖, 院级, 2019

（ 1 ） 一种高稳定性相变存储单元及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112133825A

（ 2 ） 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111564553A

（ 3 ） 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463345A

（ 4 ） 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463346A

（ 5 ） 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A

（ 6 ） Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108899417A

（ 7 ） 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108648782A

（ 8 ） 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108110026A

（ 9 ） 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110135A

（ 10 ） 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107591186A

（ 11 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107068198A

（ 12 ） 一种 SeTe 选通管材料及选通管器件, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: 2024108449366

   

（1） Modulation of GeSe and As2Se3 motifs to optimise GeAsSe OTS performance and its mechanism, Journal of Materials Chemistry C, 2024, 
（2） Optimization of Zn-doped Sb2Te3 material for PCRAM applications, Vacuum, 2024, 
（3） Tuning Thermal Stability and Power Consumption of Sb2Te3 Phase Change Memory with Metallic Elements, Advanced Electronic Materials, 2024, 
（4） Neuromorphic Photonic Memory Devices Using Ultrafast, Non-Volatile Phase-Change Materials, ADVANCED MATERIALS, 2023, 第 2 作者
（5） Advantages of Ta-Doped Sb3Te1 Materials for Phase Change Memory Applications, NANOMATERIALS, 2023, 第 3 作者  通讯作者
（6） Improving the GeAsSe Ovonic Threshold Switching Characteristics by Carbon Buffer Layers for Ultralow Leakage Current (similar to 0.4 nA) and Low Drift Characteristics, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, 第 3 作者
（7） Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High-Performance Phase Change Memory, NANOMATERIALS, 2022, 第 5 作者  通讯作者
（8） Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge���Contact, ADVANCED SCIENCE, 2022, 第 5 作者
（9） Excellent performance Ruthenium doped Sb2Te3 alloy for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 第 1 作者  通讯作者
（10） Enhanced performance of phase change memory by grain size reduction, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 第 1 作者  通讯作者
（11） The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif, NANO RESEARCH, 2021, 第 3 作者
（12） Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics, NANO-MICRO LETTERS, 2021, 第 1 作者
（13） Phase change memory based on Ta���Sb���Te alloy ���Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 第 1 作者
（14） The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 3 作者
（15） Al-Sb-Ge phase change material: A candidate for multilevel data storage with high-data retention and fast speed, SCRIPTA MATERIALIA, 2018, 第 1 作者
（16） The high-thermal stability and ultrafast phase change memory based on Ge1.6Te-GaSb nano-composite alloys, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 第 1 作者

   

（ 1 ） 图像型多通道自旋分辨光电子谱仪, 负责人, 中国科学院计划, 2024-10--2026-09
（ 2 ） 稀贵金属掺杂相变材料的结晶行为及相变机理研究, 负责人, 地方任务, 2024-10--2026-09
（ 3 ） 面向高性能相变存储器的Ta-Ge-Sb-Te材料相变机制及厚度微缩效应研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 4 ） 中国科学院特别研究助理资助项目, 负责人, 中国科学院计划, 2020-07--2022-07
（ 5 ） 上海市超级博士后激励计划, 负责人, 地方任务, 2020-07--2022-07
（ 6 ） 新型存储的物理机理研究, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12