基本信息
薛媛 女 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： xueyuan@mail.sim.ac.cn
通信地址： 中科院上海微系统所八号楼407
邮政编码：
电子邮件： xueyuan@mail.sim.ac.cn
通信地址： 中科院上海微系统所八号楼407
邮政编码：
研究领域
相变存储器件与开关器件的研究
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
相变存储器
选通管
选通管
教育背景
2015-09--2020-06 中国科学院大学 博士
2011-09--2015-06 华中科技大学 本科
2011-09--2015-06 华中科技大学 本科
工作经历
工作简历
2023-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2022-11~2022-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2020-07~2022-11,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后
2022-11~2022-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2020-07~2022-11,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后
专利与奖励
奖励信息
（1） 上海市超级博士后, 省级, 2020
（2） 上海市优秀毕业生, 省级, 2020
（3） 朱李月华优秀博士生奖, 院级, 2019
（2） 上海市优秀毕业生, 省级, 2020
（3） 朱李月华优秀博士生奖, 院级, 2019
专利成果
（ 1 ） 一种高稳定性相变存储单元及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112133825A
（ 2 ） 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111564553A
（ 3 ） 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463345A
（ 4 ） 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463346A
（ 5 ） 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A
（ 6 ） Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108899417A
（ 7 ） 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108648782A
（ 8 ） 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108110026A
（ 9 ） 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110135A
（ 10 ） 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107591186A
（ 11 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107068198A
（ 2 ） 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111564553A
（ 3 ） 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463345A
（ 4 ） 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463346A
（ 5 ） 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A
（ 6 ） Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108899417A
（ 7 ） 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108648782A
（ 8 ） 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108110026A
（ 9 ） 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110135A
（ 10 ） 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 专利授权, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107591186A
（ 11 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107068198A
出版信息
发表论文
[1] Advanced Electronic Materials. 2024, 通讯作者
[2] Chen, Xiaozhang, Xue, Yuan, Sun, Yibo, Shen, Jiabin, Song, Sannian, Zhu, Min, Song, Zhitang, Cheng, Zengguang, Zhou, Peng. Neuromorphic Photonic Memory Devices Using Ultrafast, Non-Volatile Phase-Change Materials. ADVANCED MATERIALS[J]. 2023, 第 2 作者35(37): http://dx.doi.org/10.1002/adma.202203909.
[3] Shao, Mingyue, Qiao, Yang, Xue, Yuan, Song, Sannian, Song, Zhitang, Li, Xiaodan. Advantages of Ta-Doped Sb3Te1 Materials for Phase Change Memory Applications. NANOMATERIALS[J]. 2023, 第 3 作者 通讯作者 13(4): http://dx.doi.org/10.3390/nano13040633.
[4] Li, Xiaodan, Yuan, Zhenhui, Xue, Yuan, Zhu, Yulai, Song, Sannian, Song, Zhitang. Improving the GeAsSe Ovonic Threshold Switching Characteristics by Carbon Buffer Layers for Ultralow Leakage Current (similar to 0.4 nA) and Low Drift Characteristics. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2023, 第 3 作者5(6): 3499-3506, http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.3c00516.
[5] Qiao, Yang, Zhao, Jin, Sun, Haodong, Song, Zhitang, Xue, Yuan, Li, Jiao, Song, Sannian. Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High-Performance Phase Change Memory. NANOMATERIALS[J]. 2022, 第 5 作者 通讯作者 12(12): http://dx.doi.org/10.3390/nano12121996.
[6] Xiujun Wang, Sannian Song, Haomin Wang, Tianqi Guo, Yuan Xue, Ruobing Wang, HuiShan Wang, Lingxiu Chen, Chengxin Jiang, Chen Chen, Zhiyuan Shi, Tianru Wu, Wenxiong Song, Sifan Zhang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Zhitang Song, Xiaoming Xie. Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge‐Contact. ADVANCED SCIENCE[J]. 2022, 第 5 作者9(25): n/a-n/a, https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC9443440/.
[7] Xue, Yuan, Xu, Yongkang, Song, Sannian, Yan, Shuai, Xin, Tianjiao, Song, Zhitang. Excellent performance Ruthenium doped Sb2Te3 alloy for phase change memory. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2022, 第 1 作者 通讯作者 911: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165100.
[8] Xue, Yuan, Song, Sannian, Chen, Xiaogang, Yan, Shuai, Lv, Shilong, Xin, Tianjiao, Song, Zhitang. Enhanced performance of phase change memory by grain size reduction. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C[J]. 2022, 第 1 作者 通讯作者 10(9): 3585-3592, http://dx.doi.org/10.1039/d1tc06045g.
[9] Song, Zhitang, Wang, Ruobing, Xue, Yuan, Song, Sannian. The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif. NANO RESEARCH. 2021, 第 3 作者
[10] Yuan Xue, Shuai Yan, Shilong Lv, Sannian Song, Zhitang Song. Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics. NANO-MICRO LETTERS[J]. 2021, 第 1 作者13(1): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000607061500004.
[11] Xue, Yuan, Cheng, Yan, Zheng, Yonghui, Yan, Shuai, Song, Wenxiong, Lv, Shilong, Song, Sannian, Song, Zhitang. Phase change memory based on Ta-Sb-Te alloy -Towards a universal memory. MATERIALS TODAY PHYSICS[J]. 2020, 第 1 作者15: http://dx.doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100266.
[12] Wang, Hao, Guo, Tianqi, Xue, Yuan, Lv, Shilong, Yao, Dongning, Zhou, Zhiguo, Song, Sannian, Song, Zhitang. The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys. MATERIALS LETTERS[J]. 2019, 第 3 作者254: 182-185, http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2019.07.031.
[13] Xue, Yuan, Song, Sannian, Yan, Shuai, Guo, Tianqi, Song, Zhitang, Feng, Songlin. Al-Sb-Ge phase change material: A candidate for multilevel data storage with high-data retention and fast speed. SCRIPTA MATERIALIA[J]. 2018, 第 1 作者157: 152-156, http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2018.08.009.
[14] Xue, Yuan, Song, Sannian, Yan, Shuai, Guo, Tianqi, Shen, Lanlan, Wu, Liangcai, Song, Zhitang, Feng, Songlin. The high-thermal stability and ultrafast phase change memory based on Ge1.6Te-GaSb nano-composite alloys. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2017, 第 1 作者727: 1288-1292, http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.08.218.
[2] Chen, Xiaozhang, Xue, Yuan, Sun, Yibo, Shen, Jiabin, Song, Sannian, Zhu, Min, Song, Zhitang, Cheng, Zengguang, Zhou, Peng. Neuromorphic Photonic Memory Devices Using Ultrafast, Non-Volatile Phase-Change Materials. ADVANCED MATERIALS[J]. 2023, 第 2 作者35(37): http://dx.doi.org/10.1002/adma.202203909.
[3] Shao, Mingyue, Qiao, Yang, Xue, Yuan, Song, Sannian, Song, Zhitang, Li, Xiaodan. Advantages of Ta-Doped Sb3Te1 Materials for Phase Change Memory Applications. NANOMATERIALS[J]. 2023, 第 3 作者 通讯作者 13(4): http://dx.doi.org/10.3390/nano13040633.
[4] Li, Xiaodan, Yuan, Zhenhui, Xue, Yuan, Zhu, Yulai, Song, Sannian, Song, Zhitang. Improving the GeAsSe Ovonic Threshold Switching Characteristics by Carbon Buffer Layers for Ultralow Leakage Current (similar to 0.4 nA) and Low Drift Characteristics. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2023, 第 3 作者5(6): 3499-3506, http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.3c00516.
[5] Qiao, Yang, Zhao, Jin, Sun, Haodong, Song, Zhitang, Xue, Yuan, Li, Jiao, Song, Sannian. Pt Modified Sb2Te3 Alloy Ensuring High-Performance Phase Change Memory. NANOMATERIALS[J]. 2022, 第 5 作者 通讯作者 12(12): http://dx.doi.org/10.3390/nano12121996.
[6] Xiujun Wang, Sannian Song, Haomin Wang, Tianqi Guo, Yuan Xue, Ruobing Wang, HuiShan Wang, Lingxiu Chen, Chengxin Jiang, Chen Chen, Zhiyuan Shi, Tianru Wu, Wenxiong Song, Sifan Zhang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Zhitang Song, Xiaoming Xie. Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge‐Contact. ADVANCED SCIENCE[J]. 2022, 第 5 作者9(25): n/a-n/a, https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC9443440/.
[7] Xue, Yuan, Xu, Yongkang, Song, Sannian, Yan, Shuai, Xin, Tianjiao, Song, Zhitang. Excellent performance Ruthenium doped Sb2Te3 alloy for phase change memory. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2022, 第 1 作者 通讯作者 911: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2022.165100.
[8] Xue, Yuan, Song, Sannian, Chen, Xiaogang, Yan, Shuai, Lv, Shilong, Xin, Tianjiao, Song, Zhitang. Enhanced performance of phase change memory by grain size reduction. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C[J]. 2022, 第 1 作者 通讯作者 10(9): 3585-3592, http://dx.doi.org/10.1039/d1tc06045g.
[9] Song, Zhitang, Wang, Ruobing, Xue, Yuan, Song, Sannian. The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif. NANO RESEARCH. 2021, 第 3 作者
[10] Yuan Xue, Shuai Yan, Shilong Lv, Sannian Song, Zhitang Song. Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics. NANO-MICRO LETTERS[J]. 2021, 第 1 作者13(1): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000607061500004.
[11] Xue, Yuan, Cheng, Yan, Zheng, Yonghui, Yan, Shuai, Song, Wenxiong, Lv, Shilong, Song, Sannian, Song, Zhitang. Phase change memory based on Ta-Sb-Te alloy -Towards a universal memory. MATERIALS TODAY PHYSICS[J]. 2020, 第 1 作者15: http://dx.doi.org/10.1016/j.mtphys.2020.100266.
[12] Wang, Hao, Guo, Tianqi, Xue, Yuan, Lv, Shilong, Yao, Dongning, Zhou, Zhiguo, Song, Sannian, Song, Zhitang. The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys. MATERIALS LETTERS[J]. 2019, 第 3 作者254: 182-185, http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2019.07.031.
[13] Xue, Yuan, Song, Sannian, Yan, Shuai, Guo, Tianqi, Song, Zhitang, Feng, Songlin. Al-Sb-Ge phase change material: A candidate for multilevel data storage with high-data retention and fast speed. SCRIPTA MATERIALIA[J]. 2018, 第 1 作者157: 152-156, http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2018.08.009.
[14] Xue, Yuan, Song, Sannian, Yan, Shuai, Guo, Tianqi, Shen, Lanlan, Wu, Liangcai, Song, Zhitang, Feng, Songlin. The high-thermal stability and ultrafast phase change memory based on Ge1.6Te-GaSb nano-composite alloys. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS[J]. 2017, 第 1 作者727: 1288-1292, http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.08.218.
科研活动
科研项目
（ 1 ） 面向高性能相变存储器的Ta-Ge-Sb-Te材料相变机制及厚度微缩效应研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 新型存储的物理机理研究, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 3 ） 中国科学院特别研究助理资助项目, 负责人, 中国科学院计划, 2020-07--2022-07
（ 4 ） 上海市超级博士后激励计划, 负责人, 地方任务, 2020-07--2022-07
（ 2 ） 新型存储的物理机理研究, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 3 ） 中国科学院特别研究助理资助项目, 负责人, 中国科学院计划, 2020-07--2022-07
（ 4 ） 上海市超级博士后激励计划, 负责人, 地方任务, 2020-07--2022-07