基本信息

胡晓宁 女 博导 上海技术物理研究所
电子邮件:xnhu@mail.sitp.ac.cn
通信地址:上海市玉田路500号
邮政编码:200083
电子邮件:xnhu@mail.sitp.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外探测器物理与工艺
教育背景
1997-09--2000-06 中科院上海技术物理研究所 工学博士
1990-09--1993-04 中科院上海技术物理所 理学硕士
1986-09--1990-07 浙江大学 学士
1990-09--1993-04 中科院上海技术物理所 理学硕士
1986-09--1990-07 浙江大学 学士
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
工作经历
工作简历
2003-04--今 中科院上海技术物理所 研究员
2001-01--2003-04 中科院上海技术物理所 副研究员
1995-09--2001-01 中科院上海技术物理所 助研
1993-04--1995-09 中科院上海技术物理研究所 研实员
2001-01--2003-04 中科院上海技术物理所 副研究员
1995-09--2001-01 中科院上海技术物理所 助研
1993-04--1995-09 中科院上海技术物理研究所 研实员
社会兼职
2010-06--今 上海市女科学家联谊会理事
专利与奖励
奖励信息
(1) “2000元碲镉汞中波红外焦平面组件”,二等奖,省级,2006
(2) 60元长波碲镉汞探测器组件,二等奖,部委级,1998
(2) 60元长波碲镉汞探测器组件,二等奖,部委级,1998
专利成果
(1) 一种集成有增透膜的碲镉汞红外焦平面及增透膜植被方法,发明,2010,第3作者,专利号:201010198869.3
(2) 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,发明,2006,第1作者,专利号:ZL200610148070.7
(3) 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片,发明,2007,第1作者,专利号:ZL 200710038664.7
(4) 用飞秒激光制备入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法,发明,2011,第2作者,专利号:201110071308.1
(2) 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,发明,2006,第1作者,专利号:ZL200610148070.7
(3) 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片,发明,2007,第1作者,专利号:ZL 200710038664.7
(4) 用飞秒激光制备入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法,发明,2011,第2作者,专利号:201110071308.1
出版信息
发表论文
(1) Si基碲镉汞光伏探测器的深能级研究,Study of deep levels of HgCdTe diodes on Si substrates,物理学报,2011,第2作者
(2) Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究,Temperature-dependent characteristics of HgCdTe Variable-Area photovoltaic detectors on Si substrates,红外与毫米波学报,2011,第2作者
(2) Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究,Temperature-dependent characteristics of HgCdTe Variable-Area photovoltaic detectors on Si substrates,红外与毫米波学报,2011,第2作者
科研活动
科研项目
(1) Si基碲镉汞红外焦平面器件,主持,国家级,2011-01--2014-06
(2) Si基长波碲镉汞材料以及长波焦平面器件验证技术,主持,国家级,2011-01--2015-12
(2) Si基长波碲镉汞材料以及长波焦平面器件验证技术,主持,国家级,2011-01--2015-12
指导学生
已指导学生
郭靖 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
孙柏蔚 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
岳婷婷 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
刘斌 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
邓屹 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张姗 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
尹文婷 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
黄建 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
解晓辉 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
华桦 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学