基本信息
姚威振 男 中国科学院半导体研究所
电子邮件： wz-yao@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
电子邮件： wz-yao@semi.ac.cn
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研究领域
- 氮化物半导体材料的MOCVD外延生长及缺陷与应力调控；
- 氮化物半导体功率电子器件物理与制备；
- 氮化物半导体长波长发光材料与器件；
- 新型MOCVD设备研制与应用。
招生信息
招生专业
0805Z2-半导体材料与器件
招生方向
宽禁带半导体材料外延生长、物理与器件制备；新型MOCVD实验设备研制
工作经历
工作简历
2022-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2020-09~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2018-09~2020-09,中国科学院半导体研究所, 博士后
2020-09~2022-09,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2018-09~2020-09,中国科学院半导体研究所, 博士后
社会兼职
2023-06-15-今,九三学社第十五届中央委员会科普工作委员会, 委员
2021-12-30-2022-12-29,第三代半导体氮化镓材料与器件实验室虚拟仿真与实训基地教学平台项目, 顾问
2021-12-30-2022-12-29,第三代半导体氮化镓材料与器件实验室虚拟仿真与实训基地教学平台项目, 顾问
专利与奖励
奖励信息
（1） 第八届全国高校安全科学与工程大学生实践与创新作品大赛, 二等奖, 部委级, 2023
（2） 中国科学院半导体研究所博士后考核, 三等奖, 研究所（学校）, 2019
（2） 中国科学院半导体研究所博士后考核, 三等奖, 研究所（学校）, 2019
专利成果
（ 1 ） 薄膜本征应力测量方法、电子设备及介质, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114112145A
（ 2 ） 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112786743A
（ 3 ） 可协变应力AlN结构及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110828627B
（ 2 ） 基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112786743A
（ 3 ） 可协变应力AlN结构及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110828627B
出版信息
发表论文
[1] Yazhou Li, Weizhen Yao, Zhanhong Ma, Shaoyan Yang , Xianglin Liu, Chenming Li, Zhanguo Wang . Effect of gas pre-decomposition device on the growth of GaN epitaxial layer. Semiconductor Science and Technology[J]. 2024, 第 2 作者 通讯作者 39(7):
[2] Xuan Liu, Huixing Meng, weizhen yao, Xianglin, Liu, Chao Zhang. Process Risk Prioritization of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device. European Safety and Reliability Conference (ESREL). 2023, 第 3 作者 通讯作者
[3] Niu, Huidan, Yao, Weizhen, Yang, Shaoyan, Liu, Xianglin, Chen, Qingqing, Wang, Lianshan, Wang, Huanhua, Wang, Zhanguo. Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor. CRYSTENGCOMM[J]. 2023, 第 2 作者 通讯作者 25(8): 1263-1269, http://dx.doi.org/10.1039/d2ce01678h.
[4] Mengyao Geng, Huixing Meng, weizhen yao, Xianglin Liu. Reliability Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device. Reliability and Maintainability Symposium (RAMS 2023). 2023, 第 3 作者 通讯作者 https://ieeexplore-ieee-org-443.wv.semi.ac.cn/document/10088183.
[5] Chen, Qingqing, Yang, Shaoyan, Li, Chengming, Yao, Weizhen, Liu, Xianglin, Niu, Huidan, Yang, Rui, Li, Huijie, Wei, Hongyuan, Wang, Lianshan, Wang, Zhanguo. MOCVD growth of ZrN thin films on GaN/Si templates and the effect of substrate temperature on growth mode, stress state, and electrical properties. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2022, 第 4 作者55(40):
[6] 牛慧丹, 孔苏苏, 杨少延, 刘祥林, 魏鸿源, 姚威振, 李辉杰, 陈庆庆, 汪连山, 王占国. 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理. 发光学报[J]. 2021, 第 6 作者42(11): 1739-1747, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105985629.
[7] 李成明, 苏宁, 李琳, 姚威振, 杨少延. 一种垂直递变流速氢化物气相外延（HVPE）反应腔流场分析及大尺寸材料生长. 真空[J]. 2021, 第 4 作者58(2): 1-5, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104451118.
[8] 高洁, 姚威振, 杨少延, 魏洁, 李成明, 魏鸿源. 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能. 人工晶体学报[J]. 2021, 第 2 作者50(5): 831-837, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104799331.
[9] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Liu, Xianglin, Niu, Huidan, Wang, Zhanguo. Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes. CRYSTENGCOMM[J]. 2021, 第 1 作者23(12): 2360-2366, http://dx.doi.org/10.1039/d0ce01769h.
[10] 高洁, 姚威振, 杨少延, 魏洁, 李成明, 魏鸿源. 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响. 功能材料[J]. 2021, 第 2 作者52(9): 9148-9153, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105672869.
[11] Yao, Weizhen, Li, Fangzheng, Wang, Lianshan, Liu, Sheng, Wei, Hongyuan, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1-xN superlattices grown on sapphire substrates. CRYSTENGCOMM[J]. 2020, 第 1 作者22(18): 3198-3205, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000536772800014.
[12] Li, Fangzheng, Wang, Lianshan, Yao, Weizhen, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES[J]. 2020, 第 3 作者137: http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106336.
[13] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2019, 第 1 作者34(12):
[14] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE[J]. 2019, 第 1 作者216(14): http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900026.
[15] Meng, Yulin, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Zhao, Guijuan, Yao, Weizhen, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structures. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2019, 第 5 作者6(8):
[16] weizhen yao. Analyses thermomécaniques multi-échelles expérimentale et numérique pour des empilements de couches minces en microélectronique. 2018, 第 1 作者
[17] weizhen yao, Roqueta, F, Craveur, J C, Belhenini, S, Gardes, P, Tougui, A. Modelling and analysis of the stress distribution in a multi-thin film system Pt/USG/Si. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2018, 第 1 作者5(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000429837000003.
[18] weizhen yao, Soufyane BELHENINI, Fabrice ROQUETA, Cyril PUJOS, Erwan BRUNO, Pascal GARDES, Abdellah TOUGUI. Intrinsic stress effects on the warpage of silicon substrate during thin film deposition, photolithography and etching processes. Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE). 2016, 第 1 作者
[2] Xuan Liu, Huixing Meng, weizhen yao, Xianglin, Liu, Chao Zhang. Process Risk Prioritization of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device. European Safety and Reliability Conference (ESREL). 2023, 第 3 作者 通讯作者
[3] Niu, Huidan, Yao, Weizhen, Yang, Shaoyan, Liu, Xianglin, Chen, Qingqing, Wang, Lianshan, Wang, Huanhua, Wang, Zhanguo. Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor. CRYSTENGCOMM[J]. 2023, 第 2 作者 通讯作者 25(8): 1263-1269, http://dx.doi.org/10.1039/d2ce01678h.
[4] Mengyao Geng, Huixing Meng, weizhen yao, Xianglin Liu. Reliability Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device. Reliability and Maintainability Symposium (RAMS 2023). 2023, 第 3 作者 通讯作者 https://ieeexplore-ieee-org-443.wv.semi.ac.cn/document/10088183.
[5] Chen, Qingqing, Yang, Shaoyan, Li, Chengming, Yao, Weizhen, Liu, Xianglin, Niu, Huidan, Yang, Rui, Li, Huijie, Wei, Hongyuan, Wang, Lianshan, Wang, Zhanguo. MOCVD growth of ZrN thin films on GaN/Si templates and the effect of substrate temperature on growth mode, stress state, and electrical properties. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS[J]. 2022, 第 4 作者55(40):
[6] 牛慧丹, 孔苏苏, 杨少延, 刘祥林, 魏鸿源, 姚威振, 李辉杰, 陈庆庆, 汪连山, 王占国. 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理. 发光学报[J]. 2021, 第 6 作者42(11): 1739-1747, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105985629.
[7] 李成明, 苏宁, 李琳, 姚威振, 杨少延. 一种垂直递变流速氢化物气相外延（HVPE）反应腔流场分析及大尺寸材料生长. 真空[J]. 2021, 第 4 作者58(2): 1-5, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104451118.
[8] 高洁, 姚威振, 杨少延, 魏洁, 李成明, 魏鸿源. 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能. 人工晶体学报[J]. 2021, 第 2 作者50(5): 831-837, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104799331.
[9] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Liu, Xianglin, Niu, Huidan, Wang, Zhanguo. Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes. CRYSTENGCOMM[J]. 2021, 第 1 作者23(12): 2360-2366, http://dx.doi.org/10.1039/d0ce01769h.
[10] 高洁, 姚威振, 杨少延, 魏洁, 李成明, 魏鸿源. 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响. 功能材料[J]. 2021, 第 2 作者52(9): 9148-9153, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105672869.
[11] Yao, Weizhen, Li, Fangzheng, Wang, Lianshan, Liu, Sheng, Wei, Hongyuan, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1-xN superlattices grown on sapphire substrates. CRYSTENGCOMM[J]. 2020, 第 1 作者22(18): 3198-3205, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000536772800014.
[12] Li, Fangzheng, Wang, Lianshan, Yao, Weizhen, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES[J]. 2020, 第 3 作者137: http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106336.
[13] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2019, 第 1 作者34(12):
[14] Yao, Weizhen, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Meng, Yulin, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE[J]. 2019, 第 1 作者216(14): http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900026.
[15] Meng, Yulin, Wang, Lianshan, Li, Fangzheng, Zhao, Guijuan, Yao, Weizhen, Yang, Shaoyan, Wang, Zhanguo. Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structures. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2019, 第 5 作者6(8):
[16] weizhen yao. Analyses thermomécaniques multi-échelles expérimentale et numérique pour des empilements de couches minces en microélectronique. 2018, 第 1 作者
[17] weizhen yao, Roqueta, F, Craveur, J C, Belhenini, S, Gardes, P, Tougui, A. Modelling and analysis of the stress distribution in a multi-thin film system Pt/USG/Si. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2018, 第 1 作者5(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000429837000003.
[18] weizhen yao, Soufyane BELHENINI, Fabrice ROQUETA, Cyril PUJOS, Erwan BRUNO, Pascal GARDES, Abdellah TOUGUI. Intrinsic stress effects on the warpage of silicon substrate during thin film deposition, photolithography and etching processes. Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE). 2016, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 大尺寸硅衬底氮化镓Micro-LED外延片材料制备生长研究, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
（ 3 ） 4~8英寸硅基氮化镓外延片材料中试型MOCVD设备研制, 负责人, 企业委托, 2021-05--2024-05
（ 4 ） 薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置，子课题：薄膜生长原理性实验, 参与, 国家任务, 2018-01--2022-12
（ 5 ） 硅衬底氮化镓功率电子器件工艺与模块开发, 参与, 企业委托, 2022-03--2025-03
（ 2 ） 大尺寸硅衬底氮化镓Micro-LED外延片材料制备生长研究, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
（ 3 ） 4~8英寸硅基氮化镓外延片材料中试型MOCVD设备研制, 负责人, 企业委托, 2021-05--2024-05
（ 4 ） 薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置，子课题：薄膜生长原理性实验, 参与, 国家任务, 2018-01--2022-12
（ 5 ） 硅衬底氮化镓功率电子器件工艺与模块开发, 参与, 企业委托, 2022-03--2025-03
参与会议
（1）Reliability Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device 2023-01-23
（2）Process risk prioritization of metalorganic chemical vapor deposition device 2022-08-28
（3）基于纳米压痕技术的InGaN/GaN多量子阱位错形核机制研究 第二十二届全国半导体物理学术会议 姚威振，汪连山，孟钰琳，李方政，杨少延，王占国 2019-07-09
（4）Introduction to nanoindentation experimental testing and numerical simulation by finite element method (FEM) Weizhen Yao, Fabrice Roqueta, Jean-Charles Craveur, Soufyane Belhenini, Pascal Gardes, Abdellah Tougui 2017-07-18
（5）Intrinsic stress effects on the warpage of silicon substrate during thin film deposition, photolithography and etching processes Weizhen Yao, Soufyane Belhenini, Fabrice Roqueta, Cyril Pujos, Erwan Bruno, Pascal Gardes, Abdellah Tougui 2016-04-18
（2）Process risk prioritization of metalorganic chemical vapor deposition device 2022-08-28
（3）基于纳米压痕技术的InGaN/GaN多量子阱位错形核机制研究 第二十二届全国半导体物理学术会议 姚威振，汪连山，孟钰琳，李方政，杨少延，王占国 2019-07-09
（4）Introduction to nanoindentation experimental testing and numerical simulation by finite element method (FEM) Weizhen Yao, Fabrice Roqueta, Jean-Charles Craveur, Soufyane Belhenini, Pascal Gardes, Abdellah Tougui 2017-07-18
（5）Intrinsic stress effects on the warpage of silicon substrate during thin film deposition, photolithography and etching processes Weizhen Yao, Soufyane Belhenini, Fabrice Roqueta, Cyril Pujos, Erwan Bruno, Pascal Gardes, Abdellah Tougui 2016-04-18