半导体材料与器件辐射效应，电子器件辐射物理，电子器件抗辐射加固技术

诚招有半导体物理、半导体器件物理、数字电路、核科学与技术等学科基础的硕士、博士研究生，要求认真好学、勤于动手，乐于合作与交流。

080903-微电子学与固体电子学

材料与器件辐射效应
电子器件辐射物理
电子器件辐射损伤与抗辐射加固

2011-09--2015-07   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2008-06   新疆大学   理学硕士
2001-09--2005-07   新疆大学   理学学士

博士研究生

工学博士

文林，男，中国科学院新疆理化技术研究所研究员，博士生导师，中国科学院特聘骨干研究员。2015年毕业于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业，获工学博士学位，主要研究方向为微电子学与固体电子学、电子器件辐射效应、电子器件电磁脉冲效应。2016年入选中国科学院“西部之光”人才计划，2017年入选天山英才计划，2019年入选天山青年杰出青年科技人才，2023年入选天山英才青年拔尖人才。获2014、2015、2018年度新疆科技进步一等奖、2022年度中国电子学会优秀科技工作者、2023年度中国核学会科技进步二等奖等荣誉。承担国家自然科学基金、核高基课题、863课题、基础加强计划课题、国防基础科研课题、装备预研项目、装备预研基金、中国科学院重点部署子课题、创新基金等科研项目20余项。发表论文70余篇，授权中国发明专利14项，软件著作权登记9项，获批国家标准1项，中国核学会团体标准1项，航天企标2项。

2020-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2014-10~2020-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2008-07~2014-09,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员

半导体器件辐射效应表征方法

   

（1） 中国核学会科技进步奖, 二等奖, 其他, 2023
（2） 中国电子学会优秀科技工作者, 其他, 2022
（3） 新疆维吾尔自治区科学技术进步一等奖, 一等奖, 省级, 2018
（4） 新疆维吾尔自治区科学技术进步一等奖, 一等奖, 省级, 2015
（5） 新疆维吾尔自治区科学技术进步一等奖, 一等奖, 省级, 2014

（ 1 ） 基于图像处理的图像传感器单粒子瞬态亮斑特征在线提取方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116630652A

（ 2 ） 基于图像处理的图像传感器单粒子瞬态亮斑特征在线提取方法, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: 2023105221669

（ 3 ） 用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法及系统, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116389925A

（ 4 ） 一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114900687A

（ 5 ） 一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率仿真方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114912278A

（ 6 ） 一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114896927A

（ 7 ） 基于相机亮度非均匀性的图像传感器辐照后PRNU退化快速评估方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114710659A

（ 8 ） 一种基于图像传感器量子效率的相机辐照后成像分辨率退化评估方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114827586A

（ 9 ） 一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113917217A

（ 10 ） 一种用于电离总剂量辐照后光电成像器件随机电报信号测试方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN113917513A

（ 11 ） 一种电离辐射总剂量和电磁辐射协和效应测试方法及平台, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113945833A

（ 12 ） 一种基于平均色彩饱和度的相机系统辐照后光谱退化评估方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113758683A

（ 13 ） 一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202110108151.9

（ 14 ） 一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: ZL 202010385703.6

（ 15 ） 一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111541853A

（ 16 ） 一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN111541853B

（ 17 ） 一种用于CMOS图像传感器单粒子翻转效应的测试方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111220867A

（ 18 ） 一种基于红外探测器质子位移效应的低温辐照试验测试方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN111307418B

（ 19 ） 一种基于红外探测器质子位移效应的低温辐照试验测试方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN111307418B

（ 20 ） 一种基于紫外探测器质子位移效应的辐照试验测试方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN110907033B

（ 21 ） 一种基于星对角距测量精度的星敏感器辐射损伤实验室评估方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110702098A

（ 22 ） 一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN110702097B

（ 23 ） 一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110702097A

（ 24 ） 一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110361618A

（ 25 ） 基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108537809A

（ 26 ） 互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108401151A

（ 27 ） 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107273694A

（ 28 ） 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 专利授权, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107144755A

（ 29 ） 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107197236A

（ 30 ） 辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106998466A

（ 31 ） 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 专利授权, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107063329A

（ 32 ） 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106932174A

（ 33 ） 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106840613A

（ 34 ） 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106370629A

（ 35 ） 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105976888A

（ 36 ） 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106199372A

（ 37 ） 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统, 发明专利, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104853117A

（ 38 ） 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104459372A

（ 39 ） 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104133974A

（ 40 ） 一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103996673A

（ 41 ） 一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103983874A

（ 42 ） 一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103926519A

（ 43 ） 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103645430A

（ 44 ） 一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103616385A

（ 45 ） 一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: ZL202111187762.3

   

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（ 1 ） 质子辐照导致CCD热像素产生的机理及抑制方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-01--2020-12
（ 2 ） 空间辐射环境高能粒子与卫星元器件相互作用机理研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-01--2018-12
（ 3 ） CMOS图像传感器单粒子效应, 参与, 国家任务, 2017-01--2019-09
（ 4 ） 新型元器件位移损伤试验评估及验证, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
（ 5 ） CCD与集成电路电离辐射效应研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2017-01--2018-12
（ 6 ） 重离子辐照导致4T-CIS单粒子效应的敏感单元及损伤机理研究, 负责人, 地方任务, 2017-11--2020-11
（ 7 ） 电子学系统辐射与电磁协和效应研究, 负责人, 国家任务, 2020-03--2024-12
（ 8 ） 强辐射环境下光电器件位移损伤机理及评估方法研究, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
（ 9 ） 辐射诱发CMOS图像传感器热像素的机理研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 10 ） 光电器件质子辐射效应与损伤机理研究, 负责人, 国家任务, 2021-08--2024-06
（ 11 ） 基于像素单元工艺和结构的CMOS图像传感器抗辐射加固技术, 负责人, 地方任务, 2024-03--2027-03

（1）Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Damage Mechanism of Charge-Coupled Devices   2021第四届电子元器件辐射效应国际会议   WEN Lin   2021-05-26
（2）Proton induced Displacement damage effects and mechanism on CCD   2017-07-16
（3）Dark signal degradation mechanism of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton   2015 ICREED电子元器件辐射效应国际会议   2015-10-19
（4）质子辐射导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析   2014 NED核电子学与探测技术会议   2014-08-15

现指导学生

姜益  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨思妮  硕士研究生  085600-材料与化工  

赵子韬  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄侃  硕士研究生  085601-材料工程  

杨智康  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学