基本信息
文林  男    中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: wenlin@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码: 830011

研究领域

固体辐射物理

招生信息

硕士研究生

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
光电器件辐射效应

教育背景

2011-09--2015-07   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2008-06   新疆大学   理学硕士
2001-09--2005-07   新疆大学   理学学士
学历
博士研究生

学位
工学博士

工作经历

2014.10~至今,中国科学院新疆理化技术研究所,副研究员

2008.7~2014.10,中国科学院新疆理化技术研究所,助理研究员

工作简历
2014-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2008-07~2014-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员

教授课程

半导体器件辐射效应表征方法

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2016
(2) 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2015
专利成果
( 1 ) 一种基于热像素的电荷耦合 器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710507516.9
( 2 ) 用于焦平面成像器 件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710130429.6
( 3 ) 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710507786.X
( 4 ) 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710200747.5
( 5 ) 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201610516217.7
( 6 ) 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610516216.2
( 7 ) 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710507965.3

出版信息

   
发表论文
[1] 傅婧, 蔡毓龙, 李豫东, 冯婕, 文林, 周东, 郭旗. 质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应. 物理学报. 2022, 71(5): 176-183, [2] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Fu, Jing, Guo, Qi. Investigation of random telegraph signal in CMOS image sensors irradiated by protons.. JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2021, 58(5): 610-619, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000591747200001.
[3] Liu Bingkai, Li Yudong, Wen Lin, Zhou Dong, Feng Jie, Zhang Xiang, Cai Yulong, Fu Jing, Guo Qi. Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors. CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS[J]. 2021, 30(1): 180-184, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104127717.
[4] Fu, Jing, Feng, Jie, Li, YuDong, Guo, Qi, Wei, Ying, Wen, Lin, Zhou, Dong, Zhang, Xiang, Cai, YuLong, Liu, BingKai. Effect of proton radiation on 8T CMOS image sensors for space applications. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2021, 176(7-8): 612-620, http://dx.doi.org/10.1080/10420150.2021.1898391.
[5] 蔡毓龙, 李豫东, 文林, 冯婕, 郭旗. 0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应. 红外与激光工程[J]. 2020, 49(7): 175-180, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102535560.
[6] 魏莹, 文林, 李豫东, 郭旗. 电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真. 数值计算与计算机应用. 2020, 41(2): 143-150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102372382.
[7] Cai, Yulong, Wen, Lin, Li, Yudong, Guo, Qi, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Liu, Bingkai, Fu, Jing. Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2020, 67(8): 1861-1868, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000560649500010.
[8] Zhang, Xiang, Li, Yudong, Wen, Lin, Feng, Jie, Zhou, Dong, Cai, Yulong, Liu, Bingkai, Fu, Jing, Guo, Qi. Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors. JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2020, 57(9): 1015-1021, http://dx.doi.org/10.1080/00223131.2020.1751323.
[9] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Fu, Jing, Chen, Jiawei, Guo, Qi. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors. RESULTS IN PHYSICS[J]. 2020, 19: http://dx.doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103443.
[10] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, Lindong, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Wang, Zhiming, Fu, Jing, Guo, Qi, Ma, Ding. A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2020, 175(5-6): 540-550, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000532610100013.
[11] 蔡毓龙, 李豫东, 文林, 郭旗. CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展. 核技术[J]. 2020, 43(1): 48-56, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100777089.
[12] 马林东, 张翔, 冯婕, 周东, 文林, 郭旗, 李豫东, 蔡毓龙. γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理. 现代应用物理[J]. 2019, 64-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=89898776504849574849484950.
[13] 王志铭, 周东, 李豫东, 文林, 马林东, 张翔, 郭旗. 1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响. 现代应用物理. 2019, 10(3): 59-65, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100130933.
[14] 王志铭, 周东, 郭旗, 李豫东, 文林, 马林东, 张翔, 蔡毓龙, 刘炳凯. γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究. 红外与激光工程. 2019, 192-199, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=72878974504849574857485055.
[15] 李豫东, 黄建余, 文林, 文延, 张科科, 郭旗. 空间碎片探测卫星成像CCD的在轨辐射效应分析. 遥感学报. 2019, 23(1): 116-124, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6100198588.
[16] 张翔, 周东, 马林东, 文林, 郭旗, 李豫东, 蔡毓龙, 王志铭, 冯婕. 3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为. 现代应用物理[J]. 2019, 50-53, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=89898776504849574849484857.
[17] Cai, YuLong, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Zhang, Xiang, Wang, TianHui. Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2019, 152(2): 93-99, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5645.
[18] Wen Lin, Li Yudong, Guo Qi, Wang Chaomin, Guofan J, Guangjun Z. Total ionizing dose effect and damage mechanism on saturation output voltage of charge coupled device. FOURTH SEMINAR ON NOVEL OPTOELECTRONIC DETECTION TECHNOLOGY AND APPLICATIONnull. 2018, 10697: [19] Zhang, XingYao, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin. Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES[J]. 2018, 29(8): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675982267.
[20] Lin Wen, Yudong Li, Dong Zhou, Jie Feng, Qi Guo, Xingyao Zhang, Xin Yu, Peng K, Pan J, Chu J. Degradation mechanism of dark signal of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton. YOUNG SCIENTISTS FORUM 2017null. 2018, 10710: [21] 冯婕, 周东, 文林, 郭旗, 李豫东, 马林东. 不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应. 红外与激光工程. 2018, 47(10): 309-313, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000867912.
[22] Jinxin Zhang, Qi Guo, HongXia Guo, Wu Lu, Chaohui He, Xin Wang, Pei Li, Lin Wen. Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by 60 Co γ irradiation under different biases. Microelectronics Reliability. 2018, 105-111, http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2018.03.007.
[23] Zhou, Dong, Wu, Liangcai, Wen, Lin, Ma, Liya, Zhang, Xingyao, Li, Yudong, Guo, Qi, Song, Zhitang. Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 57(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427883300001.
[24] Ma, LinDong, Li, YuDong, Wen, Lin, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Wang, TianHui, Cai, YuLong, Wang, ZhiMing, Guo, Qi. Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor. CHINESE PHYSICS B[J]. 2018, 27(10): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676565812.
[25] 王田珲, 李豫东, 文林, 冯婕, 蔡毓龙, 马林东, 张翔, 郭旗. CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律. 发光学报[J]. 2018, 39(12): 1697-1704, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676861200.
[26] Zhang, Jinxin, Guo, Qi, Guo, Hongxia, Lu, Wu, He, Chaohui, Wang, Xin, Li, Pei, Wen, Lin. Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2018, 84: 105-111, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000431939000012.
[27] 汪朝敏, 文林, 李豫东, 郭旗. γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制. 发光学报. 2018, 39(2): 244-250, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000473928.
[28] 马林东, 郭旗, 李豫东, 文林. 电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化. 现代应用物理. 2018, 9(4): 72-75, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001052639.
[29] 冯婕, 张兴尧, 于新, 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析. 现代应用物理. 2018, 9(2): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000687175.
[30] 郭旗, 孙静, 冯婕, 曾俊哲, 马林东, 张翔, 王田珲, 文林, 李豫东, 刘元, 何承发. 质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究. 微电子学. 2018, 48(1): 115-119, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674825009.
[31] Zhang, Xiang, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Wang, TianHui, Cai, YuLong, Wang, ZhiMing, Guo, Qi. Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2018, 35(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675657221.
[32] 冯婕, 李豫东, 文林, 郭旗. CMOS传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制. 红外与激光工程. 2017, 46(0S1): 69-73, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=WD72878974717167504849559049484950.
[33] 于新, 郭旗, 李豫东, 何承发, 文林, 张兴尧, 周东. 3MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究. 现代应用物理. 2017, 8(4): 37-42, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433023.
[34] 周东, 林加木, 李豫东, 乔辉, 文林, 玛丽娅·黑尼, 冯婕, 郭旗. 1MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响. 现代应用物理. 2017, 8(4): 52-56, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433026.
[35] 文林, 李豫东, 冯婕, 郭旗, 何承发, 周东, 张兴尧, 于新, 玛丽娅·黑尼. 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法. 现代应用物理. 2017, 8(4): 28-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433021.
[36] 张兴尧, 李豫东, 文林, 于新, 郭旗. 不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应. 现代应用物理. 2017, 8(4): 57-62, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433027.
[37] Ma, Lindong, Li, Yudong, Guo, Qi, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Liu, Yuan, Zeng, Junzhe, Zhang, Xiang, Wang, Tianhui. Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(11): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000415072400012.
[38] 冯婕, 文林, 李豫东, 郭旗. 基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法. 现代应用物理. 2017, 8(4): 63-67, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433028.
[39] 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东, 冯婕, 张兴尧, 于新. CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究. 现代应用物理. 2017, 8(4): 22-27, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433020.
[40] 荀明珠, 李豫东, 郭旗, 何承发, 于新, 于钢, 文林, 张兴尧. 基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现. 发光学报. 2017, 38(6): 828-834, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672500589.
[41] 玛丽娅, 郭旗, 艾尔肯, 李豫东, 李占行, 文林, 周东. In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究. 光学学报[J]. 2017, 37(2): 0216002-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1146158.
[42] 魏莹, 崔江维, 郑齐文, 马腾, 孙静, 文林, 余学峰, 郭旗. 辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真. 现代应用物理. 2017, 8(4): 43-47, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433024.
[43] 玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 文林, 汪波. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究. 发光学报. 2017, 38(2): 182-187, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671328861.
[44] 冯婕, 周东, 马林东, 李豫东, 文林. CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理. 光学精密工程. 2017, 25(10): 2676-2681, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673651626.
[45] 汪波, 李豫东, 郭旗, 汪朝敏, 文林. 电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应. 发光学报. 2016, 44-49, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=667808190.
[46] 武大猷, 文林, 汪朝敏, 何承发, 郭旗, 李豫东, 曾俊哲, 汪波, 刘元. 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究. 发光学报. 2016, 711-719, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=669109433.
[47] Wang Fan, Li YuDong, Guo Qi, Wang Bo, Zhang XingYao, Wen Lin, He ChengFa. Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2016, 65(2): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4688.
[48] 文林, 汪朝敏, 何承发, 郭旗, 李豫东, 曾俊哲, 汪波, 刘元, 武大猷. 电荷耦合器件的y辐照剂量率效应研究. 发光学报[J]. 2016, 37(6): 711-719, [49] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧, 文林, 何承发. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究. 物理学报[J]. 2016, 65(2): 024212-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1034276.
[50] Li Pei, Guo HongXia, Guo Qi, Wen Lin, Cui JiangWei, Wang Xin, Zhang JinXin. Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2015, 64(11): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/966642.
[51] 文林, 李豫东, 郭旗, 孙静, 任迪远, 崔江维, 汪波, 玛丽娅. 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应. 微电子学[J]. 2015, 45(5): 666-669, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1062519.
[52] 文林. CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究. 2015, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/950230.
[53] 文林, 李豫东, 郭旗, 孙静, 任迪远, 崔江维, 汪波, 玛丽娅. 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应. 微电子学[J]. 2015, 45(4): 537-540,544, [54] Zeng JunZhe, Li YuDong, Wen Lin, He ChengFa, Guo Qi, Wang Bo, Maria, Wei Yin, Wang HaiJiao, Wu DaYou, Wang Fan, Zhou Hang. Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2015, 64(19): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000362977400019.
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[62] Li Pei, Guo HongXia, Guo Qi, Wen Lin, Cui JiangWei, Wang Xin, Zhang JinXin. Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2015, 64(11): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/966642.
[63] 汪波, 李豫东, 郭旗, 文林, 孙静, 王帆, 张兴尧, 玛丽娅. CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应. 强激光与粒子束. 2015, 27(9): 202-206, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=666253927.
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[72] 周东, 郭旗, 任迪远, 李豫东, 席善斌, 孙静, 文林. 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法. 强激光与粒子束. 2013, 25(2): 485-489, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=44498965.
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[75] 席善斌, 陆妩, 任迪远, 王志宽, 周东, 文林, 孙静. 栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应. Nuclear Techniques[J]. 2012, 35(11): 827-832, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735154.
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科研活动

科研项目
( 1 ) 质子辐照导致CCD热像素产生的机理及抑制方法研究, 主持, 部委级, 2016-01--2020-12
( 2 ) 空间辐射环境高能粒子与卫星元器件相互作用机理研究, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12
( 3 ) CMOS图像传感器单粒子效应, 参与, 国家级, 2017-01--2018-12
( 4 ) 新型元器件位移损伤试验评估及验证, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12
( 5 ) CCD与集成电路电离辐射效应研究, 主持, 研究所(学校), 2017-01--2018-12
参与会议
(1)Proton induced Displacement damage effects and mechanism on CCD   2017-07-16
(2)Dark signal degradation mechanism of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton   2015 ICREED电子元器件辐射效应国际会议   2015-10-19
(3)质子辐射导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析   2014 NED核电子学与探测技术会议   2014-08-15