高功率、高效率半导体激光芯片
新型半导体激光芯片仿真设计
先进光电子器件

2006-09--2011-07   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   博士
2004-09--2006-07   鲁东大学   学士

   

2011-07~现在, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 副研究员

   

[1] 章珺越, 刘嘉辰, 李特, 王贞福. 实现大功率半导体激光器侧向远场平顶光强分布的方法. CN: CN118232164A, 2024-06-21.
[2] 陈琅, 李特, 王贞福. 二进一出分布式多通道的热沉及光纤耦合半导体激光器. CN: CN117353147A, 2024-01-05.
[3] 邓丽婷, 张佳晨, 李特, 王贞福. 提高半导体激光器COD阈值的热沉、芯片封装结构及方法. CN: CN116683278A, 2023-09-01.
[4] 陈琅, 李特, 王贞福. 基于半导体激光芯片衬底微通道的分布式流型热沉及半导体激光器. CN: CN116404520A, 2023-07-07.
[5] 李特, 陈琅, 王贞福, 于学成. 单管激光芯片的均温轻量化热沉及光纤耦合半导体激光器. CN: CN115241734A, 2022-10-25.
[6] 李特, 陈琅, 王贞福, 于学成. 单管激光芯片的均温轻量化热沉及光纤耦合半导体激光器. CN: CN115241734B, 2023-01-06.
[7] 王贞福, 李特, 陈琅, 张佳晨. 一种高功率准连续巴条芯片. CN: CN115275767A, 2022-11-01.
[8] 陈琅, 李特, 刘嘉辰, 王贞福, 于学成. 一种基于微通道次级衬底的半导体激光器. CN: CN115000802A, 2022-09-02.
[9] 王贞福, 李特. 一种非氧化型隧道结串联多量子阱结构VCSELs器件的制备方法. CN: CN115275778B, 2024-12-10.
[10] 王贞福, 李特. 一种非氧化型隧道结串联多量子阱结构VCSELs器件的制备方法. CN: CN115275778A, 2022-11-01.
[11] 陈琅, 李特, 王贞福, 于学成. 一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件. CN: CN114823581A, 2022-07-29.
[12] 陈琅, 李特, 杨秉青, 王贞福. 一种应用于功率芯片的小型化散热装置及半导体器件. CN202111495779.5, 2021-12-09.
[13] 陈琅, 李特, 杨秉青, 王贞福. 一种功率芯片的小型化封装. GF, 2021-11-15.
[14] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种自冷却半导体激光器. CN202111159744.4, 2021-09-30.
[15] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种光源芯片阵列散热结构. CN202110814408.2, 2021-07-19.
[16] 陈琅, 李特, 王贞福, 于学成. 一种光源芯片阵列散热结构. CN: CN113659426B, 2023-01-06.
[17] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵. CN202121102077.1, 2021-05-21.
[18] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置. CN202121102033.9, 2021-05-21.
[19] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率半导体光源芯片的二维平面冷却装置. GF, 2021-03-29.
[20] 王贞福, 李特. 一种高速气体携带制冷剂冷却微通道半导体激光器的方法及装置. CN: CN112510481A, 2021-03-16.
[21] 王贞福, 李特. 一种微通道半导体激光器气液混合制冷装置. CN: CN213816737U, 2021-07-27.
[22] 王贞福, 李特. 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试方法及装置. CN: CN112051036B, 2024-05-31.
[23] 王贞福, 李特. 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试装置. CN: CN212658422U, 2021-03-05.
[24] 王贞福, 李特, 杨国文. 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试方法及装置. CN: CN112051036A, 2020-12-08.
[25] 王贞福, 李特. 一种用于单管芯片腔面和电极显微观察的固定装置. CN: CN213813314U, 2021-07-27.
[26] 王贞福, 李特. 一种用于巴条芯片腔面和电极显微观察的固定装置. CN: CN213813315U, 2021-07-27.
[27] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置. CN: CN106019552A, 2016-10-12.
[28] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体激光器bar条. CN: CN106058643A, 2016-10-26.
[29] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体锥形激光器. CN: CN106025796A, 2016-10-12.
[30] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置. CN: CN205899123U, 2017-01-18.
[31] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体锥形激光器. CN: CN205901068U, 2017-01-18.
[32] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体激光器bar条. CN: CN106058643A, 2016-10-26.
[33] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体激光器芯片测试固定装置及其方法. CN: CN105467291A, 2016-04-06.
[34] 李秀山, 王贞福, 杨国文. 一种半导体激光器芯片测试固定装置. CN: CN205749798U, 2016-11-30.
[35] 张普, 刘兴胜, 熊玲玲, 王贞福, 聂志强. 一种高功率半导体激光器系统及其制备方法. CN: CN104184044A, 2014-12-03.
[36] 张普, 刘兴胜, 熊玲玲, 王贞福. 一种高功率半导体激光器系统. CN: CN204088872U, 2015-01-07.
[37] 黄志华, 刘兴胜, 熊玲玲, 张普, 王贞福, 刘晖. 折射型高功率半导体激光器阵列光束整形装置. CN: CN103278928A, 2013-09-04.
[38] 黄志华, 刘兴胜, 熊玲玲, 张普, 王贞福, 刘晖. 折射型高功率半导体激光器阵列光束整形装置. CN: CN203133399U, 2013-08-14.
[39] 张普, 刘兴胜, 熊玲玲, 王贞福, 刘晖, 聂志强. 多量子阱半导体激光器. CN: CN202712685U, 2013-01-30.
[40] 张普, 刘兴胜, 熊玲玲, 王贞福, 刘晖, 聂志强. 多量子阱半导体激光器及其制备方法. CN: CN102801108A, 2012-11-28.

   

[1] Optics and Laser Technology. 2025, 第 2 作者  通讯作者  
[2] Zhao, Yuliang, Wang, Zhenfu, Demir, Abdullah, Yang, Guowen, Ma, Shufang, Xu, Bingshe, Sun, Cheng, Li, Bo, Qiu, Bocang. High Efficiency 1.9 Kw Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked With a Tunnel Junction. IEEE PHOTONICS JOURNAL[J]. 2021, 第 2 作者  通讯作者  13(3): http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2021.3073732.
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[5] 杨国文. 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能影响的分析. 光子学报. 2020, 
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[7] Wang, Zhenfu, Li, Te, Yang, Guowen, Song, Yunfei. High power, high efficiency continuous-wave 808 nm laser diode arrays. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY[J]. 2017, 第 1 作者97: 297-301, http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2017.07.015.
[8] 杨国文. 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研究. 中国激光. 2017, 
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[11] Li, Lu, Wang, ZhenFu, Wang, Yonggang, Wang, Xi, Yang, Guowen, Jiang, Shouzhen. Stable all-fiber Er-doped Q-switched laser with a WS2/fluorine mica (FM) saturable absorber. LASER PHYSICS[J]. 2016, 第 2 作者26(10): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/28313.
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[13] 王贞福. 808nm/976nmnm 高效率、高功率半导体激光芯片. 中国激光. 2016, 第 1 作者
[14] 杨国文. 高功率、高效率808nm 半导体激光器阵列. 物理学报. 2016, 
[15] Huang, Zhihua, Xiong, Lingling, Liu, Hui, Wang, Zhenfu, Zhang, Pu, Nie, Zhiqiang, Wu, Dihai, Liu, Xingsheng. Double-cutting beam shaping technique for high-power diode laser area light source. OPTICAL ENGINEERING[J]. 2013, 第 4 作者52(10): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/860683.

   

（ 1 ） 高功率准连续半导体激光器列阵腔面光学灾变损伤研究与提高, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 2 ） 高功率光纤耦合半导体激光器腔面, 负责人, 地方任务, 2015-01--2016-12
（ 3 ） 基于离子注入电流限制层结构的非氧化型垂直腔面发射半导体激光器研究, 负责人, 地方任务, 2023-01--2024-12

已指导学生

李波  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杜宇琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

刘育衔  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张业奇  硕士研究生  085400-电子信息