基本信息
王鑫华  男    中国科学院微电子研究所
电子邮件: wangxinhua@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

宽禁带半导体器件与可靠性


招生信息



招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
宽禁带半导体器件与可靠性

教育背景

2007-09--2012-07   中国科学院微电子研究所   研究生/工学博士
2003-09--2007-07   南京理工大学   本科/工学学士
学历

工作经历

   
工作简历
2019-05~现在, 中国科学院微电子研究所,天津市滨海新区微电子研究院, 副研究员,中心副主任,所团委副书记,常务副院长
2018-12~2020-05,中国科学院微电子研究所, 副研究员,中心副主任,所团委副书记
2017-05~2018-12,中国科学院微电子研究所, 副研究员,所团委副书记
2017-04~2017-05,中国科学院微电子研究所, 副研究员,所团委委员
2012-07~2017-04,中国科学院微电子研究所, 助理研究员,所团委委员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: US10276366B2
( 2 ) GAN-BASED POWER ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: US20170309736A1
( 3 ) 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810593138.5

出版信息

   
发表论文
(1) Effects of Fluorine Plasma Treatment on Au-Free Ohmic Contacts to Ultrathin-Barrier AlGaN/ GaN Heterostructure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019-07, 通讯作者
(2) A large-signal Pspice modeling of GaN-based MIS-HEMTs, Superlattices and Microstructures, 2019-05, 通讯作者
(3) Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018-06, 通讯作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
( 2 ) 宽频段全数字发信机设计理论与关键技术, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12
( 3 ) 中国科学院青年创新促进会会员项目, 主持, 部委级, 2018-01--2021-12
( 4 ) 硅基氮化镓电力电子器件技术开发, 主持, 院级, 2016-01--2020-12