宽禁带半导体器件与异质集成

招收有兴趣在宽禁带半导体、碳基半导体等领域开展器件、工艺、机理研究的研究生

080903-微电子学与固体电子学

宽禁带半导体器件与异质集成

2007-09--2012-07   中国科学院微电子研究所   研究生/工学博士
2003-09--2007-07   南京理工大学   本科/工学学士

   

2022-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员，所党委委员，中心主任
2021-10~2022-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员，所党委委员，中心主任
2020-12~2021-10,中国科学院微电子研究所, 副研究员，所党委委员，中心副主任，所团委副书记
2018-12~2020-12,中国科学院微电子研究所, 副研究员，中心副主任，所团委副书记
2017-05~2018-12,中国科学院微电子研究所, 副研究员，所团委副书记
2017-04~2017-05,中国科学院微电子研究所, 副研究员，所团委委员
2012-07~2017-04,中国科学院微电子研究所, 助理研究员，所团委委员

   

（ 1 ） Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: US10276366B2
（ 2 ） GAN-BASED POWER ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: US20170309736A1
（ 3 ） 一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810593138.5

   

（1） Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures, Applied Surface Science, 2021, 通讯作者
（2） Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2021, 第 1 作者
（3） Interface charge engineering in down-scaled AlGaN (<6 nm)/GaN heterostructure for fabrication of GaN-based power HEMTs and MIS-HEMTs, Applied Physics Letters, 2020, 通讯作者
（4） Effects of Fluorine Plasma Treatment on Au-Free Ohmic Contacts to Ultrathin-Barrier AlGaN/ GaN Heterostructure, IEEE Transactions on Electron Devices, 2019-07, 通讯作者
（5） A large-signal Pspice modeling of GaN-based MIS-HEMTs, Superlattices and Microstructures, 2019-05, 通讯作者
（6） Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018-06, 通讯作者

   

（ 1 ） 新型GaN电子器件低界面态介质生长系统, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12
（ 2 ） 宽频段全数字发信机设计理论与关键技术, 主持, 国家级, 2017-01--2021-12
（ 3 ） 中国科学院青年创新促进会会员项目, 主持, 部委级, 2018-01--2021-12
（ 4 ） 硅基氮化镓电力电子器件技术开发, 主持, 院级, 2016-01--2020-12