080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
080902-电路与系统

新型纳米存储器件与集成技术
存储器纠错技术研究
集成电路设计技术

1999-09--2005-01   复旦大学材料科学系材料物理与化学专业   工学博士学位（硕博连读）
1994-09--1999-06   复旦大学材料科学系材料物理专业   本科学历

   

2015-05~2022-01,长江存储科技有限责任公司, 技术总监
2015-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员（课题组长）
2005-03~2015-04,三星电子（韩国）存储器事业部, 资深工程师（课长）

   

（1） 微电子研究所十佳先进工作者, 一等奖, 研究所（学校）, 2016

[1] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847B, 2023-07-25.
[2] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850B, 2023-01-24.
[3] 王颀, 王先良, 张博, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器数据刷新方法、装置、系统和介质. CN: CN115132261A, 2022-09-30.
[4] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035936A, 2022-09-09.
[5] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的译码方法及装置. CN: CN115035935A, 2022-09-09.
[6] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 王先良, 张博, 霍宗亮, 叶甜春. 一种TLC NAND闪存译码方法、装置、系统和介质. CN: CN114283866A, 2022-04-05.
[7] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法. CN: CN110797077B, 2022-01-04.
[8] 王颀, 李前辉, 姜一扬, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法、装置及系统. CN: CN113805815A, 2021-12-17.
[9] 王颀, 于晓磊, 李前辉, 杨柳, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 一种极化码的获取方法及获取系统. CN: CN113472361A, 2021-10-01.
[10] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法. CN: CN113380315A, 2021-09-10.
[11] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置. CN: CN113241107A, 2021-08-10.
[12] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种存储器的纠错方法及装置. CN: CN113157486A, 2021-07-23.
[13] 杨诗洋, 刘飞, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种眼图参考电压的校准方法及装置. CN: CN113050012A, 2021-06-29.
[14] 李前辉, 王颀, 杨柳, 姜一扬, 于晓磊, 何菁, 霍宗亮, 叶甜春. 用于闪存的数据恢复方法. CN: CN112988453A, 2021-06-18.
[15] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置. CN: CN112992256A, 2021-06-18.
[16] 王颀, 姜一扬, 张黄鹏, 霍宗亮. 误码率平衡方法及装置，读取方法及装置. CN: CN112988448A, 2021-06-18.
[17] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器的纠错方法及装置. CN: CN112967747A, 2021-06-15.
[18] 王颀, 杨柳, 何菁, 李前辉, 于晓磊, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统. CN: CN112735502A, 2021-04-30.
[19] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮, 叶甜春. 用于LEPS软译码估计的读写方法、装置及电子设备. CN: CN112466352A, 2021-03-09.
[20] 王颀, 冯建宇, 张黄鹏, 霍宗亮. 一种基于遗传算法的覆盖率收敛方法及系统. CN: CN111814414A, 2020-10-23.
[21] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置. CN: CN111653305A, 2020-09-11.
[22] 王颀, 姜一扬, 李前辉, 霍宗亮. LDPC软译码方法、存储器及电子设备. CN: CN111429959A, 2020-07-17.
[23] 王颀, 王中波, 刘飞, 杜智超, 霍宗亮. 一种存储器感应电压测试电路及测试方法. CN: CN111354414A, 2020-06-30.
[24] 王颀, 张桔萍, 刘飞, 霍宗亮. 存储芯片及其测试电路与测试方法. CN: CN111292797A, 2020-06-16.
[25] 王颀, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器及其译码方法、ECC系统. CN: CN111130568A, 2020-05-08.
[26] 杜智超, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法. CN: CN110400594A, 2019-11-01.
[27] 张黄鹏, 王颀, 霍宗亮. 一种非易失性存储器的控制系统. CN: CN110164499A, 2019-08-23.
[28] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种3D NAND Flash. CN: CN110046105A, 2019-07-23.
[29] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮. 一种数据写入控制电路和控制方法. CN: CN109920462A, 2019-06-21.
[30] 高帅, 侯旭, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种局部寄存器的生成方法及生成系统. CN: CN109885850A, 2019-06-14.
[31] 邓春菲, 杨诗洋, 何杰, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 叶甜春. 一种多相时钟串行器及信号转换系统. CN: CN109687860A, 2019-04-26.
[32] 王颀, 何杰, 李子夫, 霍宗亮, 叶甜春. 一种时钟占空比校准电路. CN: CN109687847A, 2019-04-26.
[33] 杜含笑, 刘飞, 王颀, 霍宗亮. 一种应用于三维存储器的稳压器电路及三维存储器. CN: CN109658957A, 2019-04-19.
[34] 王颀, 李前辉, 门顶顶, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于闪存的数据恢复方法及系统. CN: CN108717385A, 2018-10-30.
[35] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种基于BCH码的ECC系统及存储器. CN: CN108683426A, 2018-10-19.
[36] 王颀, 李子夫, 谢蓉芳, 霍宗亮, 叶甜春. 一种BCH译码器. CN: CN108683425A, 2018-10-19.
[37] 王颀, 彭俊力, 霍宗亮, 叶甜春. 一种CSRAA编码电路及编码器. CN: CN108540138A, 2018-09-14.
[38] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种非易失三维存储器的控制电路. CN: CN108039188A, 2018-05-15.
[39] 杨诗洋, 王颀, 刘飞, 霍宗亮, 靳磊, 叶甜春. 一种COMS振荡器电路. CN: CN107947764A, 2018-04-20.
[40] 王瑜, 黄策策, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种电荷泵系统及三维NAND存储器. CN: CN107592011A, 2018-01-16.
[41] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. NAND闪存存储器的读操作方法、电子设备和计算机可读存储介质. CN: CN107437433A, 2017-12-05.
[42] 曹华敏, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种三维存储器适应性操作装置以及方法. CN: CN107170481A, 2017-09-15.
[43] 杜智超, 付祥, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种读取方法及闪存存储器装置. CN: CN106960686A, 2017-07-18.
[44] 黄策策, 王瑜, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种交叉耦合电荷泵. CN: CN106712497A, 2017-05-24.
[45] 杜智超, 王颀, 霍宗亮, 叶甜春. 一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置. CN: CN106356095A, 2017-01-25.
[46] 宋璧若, 王颀, 夏志良, 霍宗亮, 叶甜春. 一种闪存存储器的擦除方法. CN: CN106205710A, 2016-12-07.
[47] 付丽银, 霍宗亮, 王瑜, 王颀. 一种电荷泵电路. 中国: CN105720813A, 2016-06-29.
[48] 刘飞, 霍宗亮, 杨诗洋, 王颀, 叶甜春. 一种基准电压源. CN: CN103412596B, 2015-01-07.

   

[1] Yu, Xiaolei, He, Jing, Zhang, Bo, Wang, Xianliang, Li, Qianhui, Wang, Qi, Huo, Zongliang, Ye, Tianchun. Interleaved LDPC Decoding Scheme Improves 3-D TLC NAND Flash Memory System Performance. IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS[J]. 2023, 第 6 作者42(11): 4191-4204, http://dx.doi.org/10.1109/TCAD.2023.3266363.
[2] Zhang, Bo, Wang, Qi, Yu, Xiaolei, Li, Qianhui, He, Jing, Wang, Xianliang, Zhao, Qianqi, Qiang, Xuhong, Huo, Zongliang, Ye, Tianchun. FBEL: Enhanced LLR Optimization Algorithm based on the VSER Prediction by Flag Bits in the Bit-flipping Scheme. IEICE ELECTRONICS EXPRESS. 2023, 第 2 作者  通讯作者  http://dx.doi.org/10.1587/elex.20.20230113.
[3] Yu, Xiaolei, He, Jing, Li, Qianhui, Zhang, Bo, Wang, Xianliang, Yang, Liu, Ye, Tianchun, Wang, Qi, Huo, Zongliang. LIAD: A Method for Extending the Effective Time of 3-D TLC NAND Flash Hard Decision. IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS[J]. 2023, 第 8 作者  通讯作者  42(5): 1705-1717, http://dx.doi.org/10.1109/TCAD.2022.3191548.
[4] Zhang, Bo, Wang, Qi, Wang, Xianliang, Yu, Xiaolei, Li, Qianhui, He, Jing, Huo, Zongliang, Ye, Tianchun. Monitor Units Assisted LDPC Decoding Algorithm based on Page BER Variation of 3D NAND Flash Memory. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2023, 第 2 作者  通讯作者  147: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115034.
[5] He, Jing, Yu, Xiaolei, Li, Qianhui, Zhang, Bo, Wang, Xianliang, Zhao, Qianqi, Qiang, Xuhong, Wang, Qi, Huo, Zongliang, Ye, Tianchun. DNN-based error level prediction for reducing read latency in 3D NAND flash memory. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2023, 第 8 作者  通讯作者  147: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115008.
[6] Yang, Liu, Wang, Qi, Li, Qianhui, Yu, Xiaolei, Huo, Zongliang. Reduce Refresh Operations on 3-D TLC nand Flash System via Wordline (WL) Interference. IEEE EMBEDDED SYSTEMS LETTERS[J]. 2022, 第 2 作者  通讯作者  14(4): 179-182, 
[7] Li, Qianhui, Wang, Qi, Yang, Liu, Yu, Xiaolei, Jiang, Yiyang, He, Jing, Huo, Zongliang. Optimal read voltages decision scheme eliminating read retry operations for 3D NAND flash memories. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2022, 第 11 作者131: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114509.
[8] Wang, Xianliang, Wang, Qi, Zhang, Bo, He, Jing, Huo, Zongliang. A novel adaptive-refresh scheme to reduce refresh with page endurance variance in 3D TLC NAND flash memories. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2022, 第 2 作者  通讯作者  19(13): http://dx.doi.org/10.1587/elex.19.20220198.
[9] 张宁, 史维华, 王颀, 霍宗亮. 一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计. 微电子学与计算机[J]. 2022, 第 3 作者39(3): 94-100, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107007296.
[10] Li, Qianhui, Wang, Qi, Yang, Liu, Jiang, Yiyang, He, Jing, Yu, Xiaolei, Wang, Qianqian, Chen, Ke, Zhang, Bo, Wang, Xianliang, Huo, Zongliang. Read latency decrease schemes based on check node error rate for 3D NAND flash memories*. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2022, 第 2 作者  通讯作者  136: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114596.
[11] Li, Runze, Tian, Ye, Du, Zhichao, Wang, Yu, Wang, Qi, Huo, Zongliang. A polynomial based valley search algorithm for 3D NAND flash memory. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2022, 第 5 作者19(6): http://dx.doi.org/10.1587/elex.19.20210535.
[12] Cao, H M, Liu, F, Wang, Q, Du, Z C, Jin, L, Huo, Z L. An efficient built-in error detection methodology with fast page-oriented data comparison in 3D NAND flash memories. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2022, 58(12): 483-485, http://dx.doi.org/10.1049/ell2.12484.
[13] Yang, Liu, Wang, Qi, Li, Qianhui, He, Jing, Huo, Zongliang. Retention failure recovery technique for 3D TLC NAND flash memory via wordline (WL) interference. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2022, 第 2 作者194: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2022.108299.
[14] Du, Zhichao, Dong, Zhipeng, You, Kaikai, Jia, Xinlei, Tian, Ye, Wang, Yu, Yang, Zhaochun, Fu, Xiang, Liu, Fei, Wang, Qi, Jin, Lei, Huo, Zongliang. A Novel Program Suspend Scheme for Improving the Reliability of 3D NAND Flash Memory. IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY[J]. 2022, 第 10 作者10: 98-103, http://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2022.3140949.
[15] Cao, Huamin, Wang, Qi, Liu, Fei, Huo, Zongliang. A Novel Plane-Based Control Bus Design with Distributed Registers in 3D NAND Flash Memories. CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS[J]. 2022, 第 2 作者31(4): 647-651, 
[16] Du, Zhichao, Li, Shuang, Wang, Yu, Fu, Xiang, Liu, Fei, Wang, Qi, Huo, Zongliang. Adaptive Pulse Programming Scheme for Improving the V-th Distribution and Program Performance in 3D NAND Flash Memory. IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY[J]. 2021, 第 6 作者9: 102-107, http://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2020.3041088.
[17] Jiang, Yiyang, Wang, Qi, Li, Qianhui, Huo, Zongliang. Multi-Coding ECC Algorithm Based on 3D Charge Trap NAND Flash Hot Region Cell Prediction. IEEE COMMUNICATIONS LETTERS[J]. 2020, 第 2 作者24(2): 244-248, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000519909600003.
[18] 张明明, 王颀, 井冲, 霍宗亮. 3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究. 电子学报[J]. 2020, 第 2 作者48(2): 314-320, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101331713.
[19] 张玺, 王颀, 童炜, 霍宗亮. 一种用于三维闪存测试的低成本PMU电路. 微电子学与计算机[J]. 2020, 第 2 作者37(5): 1-5, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101853376.
[20] 王美兰, 王颀, 陈振家, 刘志, 张桔萍, 霍宗亮. 3D NAND Flash的片上控制逻辑电路设计. 微电子学与计算机[J]. 2019, 第 2 作者36(6): 31-34,39, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002218487.
[21] Li, Qianhui, Wang, Qi, Xu, Qikang, Huo, Zongliang. A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2018, 第 2 作者  通讯作者  15(22): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000452489800008.
[22] 陈珂, 杜智超, 叶松, 王颀, 霍宗亮. 基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究. 电子学报[J]. 2018, 第 4 作者46(11): 2619-2625, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000937963.
[23] Yang, Liu, Liu, Fei, Cao, Huamin, Wang, Qi, Huo, Zongliang. Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2018, 第 4 作者15(19): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000449730000010.
[24] Liyin Fu, Teng Chen, Cece Huang, Zongliang Huo, Yu Wang, Qi Wang. A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology. DENSHI JOUHOU TSUUSHIN GAKKAI. 2017, 第 6 作者http://oa.las.ac.cn/oainone/service/browseall/read1?ptype=JA&workid=JA201902190470369ZK.
[25] Peng, Junli, Wang, Qi, Fu, Xiang, Huo, Zongliang. Dynamic LLR scheme based on EM algorithm for LDPC decoding in NAND flash memory. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2017, 第 2 作者14(18): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000418379800020.
[26] Huang, Cece, Wang, Yu, Chen, Teng, Fu, Liyin, Wang, Qi, Huo, Zongliang. A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology. IEICE ELECTRONICS EXPRESS[J]. 2017, 第 5 作者14(18): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000418379800006.
[27] Fu Liyin, Wang Yu, Wang Qi, Huo Zongliang. A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2016, 第 3 作者37(7): 
[28] Fu Liyin, Wang Yu, Wang Qi, Yang Shiyang, Huo Zongliang. A High Efficiency All-PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory. 2015, 第 3 作者http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089026.
[29] Yang Yan, Wang Qi, Wang Yu, Fu Liyin, Huo Zongliang, IEEE. A Novel Adaptive CMOS Low-dropout Regulator with 3A Sink/Source Capability. PROCEEDINGS OF 2015 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON ASIC (ASICON). 2015, 第 11 作者
[30] Wang Qi. A Novel CMOS Low-dropout Regulator with 3A SinkSource Capability. 11th ASICON. 2015, 第 1 作者

   

（ 1 ） 中科院微电子所武汉新芯集成电路制造公司三维NAND存储器联合开发项目, 负责人, 企业委托, 2014-10--2017-10
（ 2 ） 中国科学院****, 负责人, 中国科学院计划, 2015-11--2018-11
（ 3 ） 中国科学院微电子研究所所长基金, 负责人, 研究所自选, 2015-11--2018-11
（ 4 ） 先进三维NAND型闪存存储器芯片集成工艺研究及其产业化, 参与, 中国科学院计划, 2016-01--2017-12
（ 5 ） 64层3D NAND存储单元可靠性技术研究, 负责人, 企业委托, 2018-01--2020-12
（ 6 ） 下一代三维存储器沟道材料优化, 负责人, 企业委托, 2020-01--2022-01
（ 7 ） 高密度大容量闪存核心技术开发, 参与, 企业委托, 2018-01--2020-12
（ 8 ） 嵌入式阻变存储器测试电路及芯片设计, 负责人, 企业委托, 2021-02--2023-02

已指导学生

张桔萍  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王美兰  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

李前辉  硕士研究生  085209-集成电路工程  

何杰  硕士研究生  085209-集成电路工程  

姜一扬  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张玺  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张明明  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王中波  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王硕  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

冯建宇  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张德玉  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王泽霞  硕士研究生  085209-集成电路工程  

现指导学生

于晓磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李前辉  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨柳  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李建杰  硕士研究生  085209-集成电路工程  

武金玉  硕士研究生  085209-集成电路工程  

李润泽  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

张宁  硕士研究生  085209-集成电路工程  

王先良  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张博  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田野  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝岩  硕士研究生  085400-电子信息  

李治泓  硕士研究生  085400-电子信息  

张吉昭  硕士研究生  085400-电子信息  

何菁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵乾淇  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

强旭红  硕士研究生  085400-电子信息  

胡承良  硕士研究生  085400-电子信息  

姜绵超  硕士研究生  085400-电子信息  

陈迎迎  硕士研究生  085400-电子信息