080903-微电子学与固体电子学

硅基光子，先进MOS器件及关键工艺研究

2000-09--2004-06   西安交通大学   学士

   

2010-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师（正研究员级）
2004-07~2010-04,华润上华科技有限公司, 课长

   

（1） 中国科学院杰出科技成就奖, 一等奖, 院级, 2014

（ 1 ） 刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114171374A

（ 2 ） 在半导体衬底上制作交叉线的方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114171668A

（ 3 ） 一种电子束曝光图形的转移方法、装置及电子设备, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114038738A

（ 4 ） 一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114035407A

（ 5 ） 一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN202210089673.3

（ 6 ） 硅基光波导器件的制造方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN111077607B

（ 7 ） 一种光波导传输系统、光波导传输损耗的测量方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111307415B

（ 8 ） 一种光电探测器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113659016A

（ 9 ） 一种电光调制器, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113655644A

（ 10 ） 一种芯片, 实用新型, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113433615A

（ 11 ） 一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113380905A

（ 12 ） 一种半导体器件的形成方法、锗光电探测器的制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113299550A

（ 13 ） 一种硅基电光调制器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113176675A

（ 14 ） 一种低功耗热光器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113176674A

（ 15 ） 硅基光电探测器的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111048626B

（ 16 ） 一种光学器件测试结构及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113009624A

（ 17 ） 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111048627B

（ 18 ） 一种集成电路, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112992886A

（ 19 ） 一种波导结构的参数优化方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112987289A

（ 20 ） 一种波导层间耦合结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN202110673125.0

（ 21 ） 一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112964668A

（ 22 ） 一种集成光交叉波导的传感阵列及生化检测系统, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112945907A

（ 23 ） 一种光子芯片晶圆级测试装置和方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112924143A

（ 24 ） 一种波导器件及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN202110604680.8

（ 25 ） 一种电子束曝光机、调焦方法及装置, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112731773A

（ 26 ） 一种半导体结构的制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112713084A

（ 27 ） 氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112680715A

（ 28 ） 混合等离子体波导及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112612077A

（ 29 ） 一种热光器件及其制造方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112558331A

（ 30 ） 一种光电探测器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112563349A

（ 31 ） 光波导及其制造方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN110908037B

（ 32 ） 利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112462468A

（ 33 ） 利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112462470A

（ 34 ） 制作光子晶体的方法及光子晶体, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112462452A

（ 35 ） 双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112327412A

（ 36 ） 一种端面耦合器及其封装方法、应用, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112285828A

（ 37 ） 一种多层硅光子器件的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112285827A

（ 38 ） 一种光器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112269276A

（ 39 ） 一种硅波导及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112198588A

（ 40 ） 感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112151638A

（ 41 ） 一种应用于表面有台阶的晶圆的涂胶及光刻方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111983893A

（ 42 ） 锗探测器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111554759A

（ 43 ） 一种锗探测器及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111509079A

（ 44 ） 硅基光电探测器及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111509078A

（ 45 ） 光电探测器的制造方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111129228A

（ 46 ） 锗探测器的制造方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111129226A

（ 47 ） 硅基光子器件及其制造方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111106205A

（ 48 ） 一种SOI硅光栅的制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110941046A

（ 49 ） 一种栅格形铜电极结构及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110867428A

（ 50 ） 光电探测器, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN108447938B

（ 51 ） 一种厚膜氮化硅波导的制备方法, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110456450A

（ 52 ） 一种耦合光栅的制备方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110161606A

（ 53 ） 半导体器件与其制作方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109686658A

（ 54 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109585538A

（ 55 ） 一种氮化硅光波导及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109298484A

（ 56 ） 一种纳米线沟道制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108807149A

（ 57 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN105702680B

（ 58 ） 一种半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2018, 专利号: CN105702728B

（ 59 ） 一种鳍式晶体管器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108305835A

（ 60 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108198782A

（ 61 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN105304628B

（ 62 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105304628B

（ 63 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104167359B

（ 64 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2018, 专利号: CN104103506B

（ 65 ） 一种半导体器件形成方法, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107275220A

（ 66 ） 一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法, 专利授权, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106653608A

（ 67 ） 一种半导体器件及其制造方法, 专利授权, 2017, 专利号: CN106549014A

（ 68 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105990213A

（ 69 ） 鳍式场效应晶体管、鳍及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105679672A

（ 70 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105632917A

（ 71 ） 半导体衬底、器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105576027A

（ 72 ） 半导体衬底、器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105576027A

（ 73 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105489647A

（ 74 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105489477A

（ 75 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105489491A

（ 76 ） 一种半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105428303A

（ 77 ） 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105322010A

（ 78 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105304629A

（ 79 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105304629A

（ 80 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105304628A

（ 81 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105280697A

（ 82 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 专利号: CN105261647A

（ 83 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105261587A

（ 84 ） 半导体器件及其制造方法, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105261646A

（ 85 ） 一种半导体器件的制造方法, 发明专利, 2015, 专利号: CN104952713A

（ 86 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN104167359A

（ 87 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2014, 专利号: CN104103506A

（ 88 ） 鳍制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104078332A

（ 89 ） 半导体器件制造方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104064462A

（ 90 ） 一种混合线条的制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187247A

（ 91 ） 一种混合线条的制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187246A

（ 92 ） 混合线条的制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102983067A

（ 93 ） 混合线条的制造方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102983066A

（ 94 ） 半导体器件的制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102543748A

   

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（ 1 ） 硅基多层三维集成芯片及工艺技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 2 ） 关键技术人才, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2022-12
（ 3 ） 02国家重大专项：22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设, 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12
（ 4 ） 16/14nm 基础技术研究, 参与, 国家任务, 2013-01--2015-12