基本信息

苏永波 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: suyongbo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: suyongbo@ime.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
化合物半导体器件与射频集成电路
教育背景
2006-09--2011-07 中国科学院研究生院 获得博士学位
工作经历
工作简历
2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员2011-07~2014-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
出版信息
发表论文
(1) a 75ghz 13.92 dbm inp dhbt cascode power amplifier, 红外与毫米波, 2012, 第 2 作者(2) An InGaAsInP W-band dynamic Frequency Divider by Two, 红外与毫米波, 2012, 第 2 作者(3) An InGaAs InP 40GHz CML Static Frequency Divider, 半导体学报, 2011, 第 1 作者(4) Ultra High-Speed InPInGaAs DHBTs with ft of 203GHz, 半导体学报, 2009, 第 1 作者(5) Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy, Applied Physics Letters, 2009, 第 2 作者(6) Common base multifinger submicron InGaAsInP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz, Solid-State Electronics, 2008, 第 2 作者(7) High BreakdownVoltage Submicron InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170GHz and fmax of, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者(8) High Current MultiFinger InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者(9) HighSpeed InGaAsInP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage, 中国物理快报, 2008, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 基于低频噪声机理分析的InP HBT可靠性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12( 2 ) InP DHB 高速AD技术研究, 主持, 国家级, 2016-09--2018-12( 3 ) 混频器, 主持, 国家级, 2017-09--2019-12( 4 ) 青促会, 主持, 部委级, 2015-01--2018-12( 5 ) 太赫兹三端电子器件研究, 参与, 国家级, 2010-01--2014-12( 6 ) InP基混频器MMIC, 参与, 国家级, 2014-09--2017-12( 7 ) InP HBT的超高速数字电路关键技术, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12( 8 ) InP HEMT毫米波低噪声MMIC, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12( 9 ) InP 3mm低噪声和功率MMIC, 参与, 国家级, 2014-01--2016-12( 10 ) 太赫兹HEMT器件基础研究, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12
指导学生
现指导学生
甄文祥 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学