女，1978年生，中科院上海技术物理研究所研究员，中国光学学会第八届理事会成员，中国光学学会红外与光电器件专业委员会委员、秘书长，上海市传感技术学会理事，中科院青年创新促进会会员（2012~2015）。 

　　长期从事新型短波红外焦平面探测器的相关研究工作。作为项目负责人，先后承担国家自然科学基金、光电子预研、GF创新课题、中科院创新基金、上海市科委军民两用项目等；作为主管设计师，承担多个航天工程用短波红外InGaAs焦平面探测器组件的研制任务。

     目前正在开展的研究内容主要包括以下三个方面：

1. 表面集成人工微纳结构的宽谱段红外探测芯片；

2. 超大规模超高密度短波红外焦平面探测器；

3. 航天遥感用高灵敏度延伸波长InGaAs探测器。 

　　编制完成了两项国家军用标准；申请发明专利20余项；作为第1作者、通讯作者或研究生二导，在Infrared Physics & Technology、Measurement science and technology 、ACS Applied Materials & Interfaces 、Optics Letters 、Journal of Applied Physics 、IEEE Photonics Technology Letters、红外与毫米波学报等国内外学术刊物发表学术论文30余篇。 

微电子学与固体电子学专业

080903-微电子学与固体电子学

红外光电器件
半导体器件物理与工艺
红外探测器应用技术

2006-04--2009-01   中科院上海技术物理研究所    博士
2000-09--2003-06   华中科技大学   硕士
1996-09--2000-06   山东大学   学士

研究生

博士

   

2003-07~现在, 中科院上海技术物理研究所, 研究实习员/助理研究员/副研究员/研究员

2022-03-16-2022-03-16,中国光学学会, 理事
2021-12-27-2025-12-26,上海市传感技术学会, 理事
2021-11-13-2024-11-13,山东大学, 兼职博导、兼职硕导
2020-03-15-2025-03-15,中国光学学会红外与光电器件专业委员会, 委员、秘书长
2013-12-31-2025-12-31,《光学与光电技术》期刊编委会, 委员

   

（1） xxx宽谱段红外探测芯片技术, 二等奖, 部委级, 2022

（ 1 ） PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110896114A

（ 2 ） 一种柔性InGaAs探测器的制备方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110224045A

（ 3 ） 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法, 专利授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110444607B

（ 4 ） 一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110488134A

（ 5 ） 一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110205673B

（ 6 ） 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110021617A

（ 7 ） 一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109877479B

（ 8 ） 原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109755327A

（ 9 ） 一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109755349B

（ 10 ） 一种用于小间距扩散成结表征的测试结构和测试方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109378281A

（ 11 ） 一种用于高密度面阵性能验证的测试结构, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109378280A

（ 12 ） 一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109473496A

（ 13 ） 一种磷化铟晶圆片及其外延晶圆片的衬底抛光模具, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109397070A

（ 14 ） 一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461788A

（ 15 ） 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461785A

（ 16 ） 用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法, 专利授权, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN109396962B

（ 17 ） 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109449238A

（ 18 ） 一种FTIR测量光电探测器响应的宽谱校正方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN108489609B

（ 19 ） 一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN108400172B

（ 20 ） 一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107994095A

（ 21 ） 一种铟镓砷短波红外探测器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105914250A

（ 22 ） 一种短波红外多通道集成光谱组件, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105371951B

（ 23 ） 一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104880755A

（ 24 ） 一种低损伤的铟镓砷探测器p + n结制备方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104916731A

（ 25 ） 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538463A

（ 26 ） 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104538478A

（ 27 ） 一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102928089A

（ 28 ） 一种应用于线列红外焦平面探测器的高稳定性倒焊基板, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102231374A

   

（1） Design and Fabrication of Broadband InGaAs Detectors Integrated with Nanostructures, SENSORS, 2023, 第 11 作者
（2） 基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究, Study of Zinc-diffused InGaAs/InP planar infrared detector processed with rapid thermal annealing, 红外与毫米波学报, 2023, 第 7 作者
（3） 320*256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 第 11 作者
（4） 2.45-��m 1280 �� 1024 InGaAs Focal Plane Array With 15-��m Pitch for Extended SWIR Imaging, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2022, 第 3 作者
（5） Interfacial properties between Al2O3 and In0.74Al0.26As epitaxial layer on MIS capacitors, 红外与毫米波学报, 2022, 第 11 作者
（6） Design and Fabrication of InGaAs FPAs integrated with InP Mie resonators, IEEE Photonics Technology Letters, 2022, 第 11 作者
（7） Improved interface and dark current properties of InGaAs photodiodes by high-density N2 plasma and stoichiometric Si3N4 passivation, Infrared Physics & Technology, 2022, 第 2 作者
（8） Mie-Type Surface Texture-Integrated Visible and Short-Wave Infrared InGaAs/InP Focal Plane Arrays, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 11 作者
（9） Multicolor Broadband and Fast Photodetector Based on InGaAs-Insulator-Graphene Hybrid Heterostructure, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 4 作者
（10） 短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of short-wave infrared InGaAs focal plane detectors, 红外与激光工程, 2020, 第 2 作者
（11） Dark current and 1/f noise characteristics of In0.74Ga0.26As photodiode passivated by SiNx/Al2O3 bilayer, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
（12） Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array, AIP ADVANCES, 2020, 第 11 作者
（13） Design and fabrication of an InGaAs focal plane array integrated with linear-array polarization grating, OPTICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
（14） High performance In0.83Ga0.17As SWIR photodiode passivated by Al2O3/SiNx stacks with low-stress SiNx films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 3 作者
（15） Broadband high quantum efficiency InGaAs/InP focal plane arrays via high precision plasma thinning, Optics Letters, 2019, 第 11 作者
（16） Anomalous arsenic diffusion at InGaAs/InP interface, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 7 作者
（17） Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
（18） Research on polarization performance of InGaAs focal plane array integrated with superpixel-structured subwavelength grating, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 4 作者
（19） Integrating subwavelength polarizers onto InP-InxGa1-xAs sensors for polarimetric detection at short infrared wavelength, PHOTONICS AND NANOSTRUCTURES-FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS, 2019, 
（20） 短波红外InGaAs焦平面噪声特性, Noise characteristics of short wave infrared InGaAs focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 3 作者
（21） Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 8 作者
（22） Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
（23） 中心距10μm截止波长2.6μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器, InGaAs focal plane array with the sub-10��m pixel pitch and 2.6��m cut-off wavelength, 红外与毫米波学报, 2018, 第 3 作者
（24） Correction of FTIR acquired photodetector response spectra from mid-infrared to visible bands using onsite measured instrument function, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（25） IGA-rule 17 for performance estimation of wavelength-extended InGaAs photodetectors: validity and limitations, APPLIED OPTICS, 2018, 第 6 作者
（26） InGaAs focal plane array with the sub-10 mu m pixel pitch and 2.6 mu m cut-off wavelength, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 3 作者
（27） Wavelength calibration of a new monolithically integrated spectral sensor, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 11 作者
（28） An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 6 作者
（29） Study on the performance of 2.6 mu m In0.83Ga0.17As detector with different etch gases, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
（30） Noise characteristics analysis of short wave infrared InGaAs focal plane arrays, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
（31） 一种新型单片集成光谱传感器的波长定标方法, Wavelength calibration of a new monolithically integrated spectral sensor, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者
（32） Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第 5 作者
（33） 高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors, 红外技术, 2016, 第 1 作者
（34） ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 2 作者
（35） n- on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺, ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 2 作者
（36） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 3 作者
（37） Low leakage of In0.83Ga017As photodiode with Al2O3/SiNx stacks, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 3 作者
（38） 可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器, 32 �� 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, 红外与毫米波学报, 2015, 第 2 作者
（39） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
（40） Role of dielectric film in metal grating for improved polarized transmittance in 0.9-1.7 mu m range, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 3 作者
（41） 32 x 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 2 作者
（42） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 3 作者
（43） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP ADVANCES, 2015, 第 3 作者
（44） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 2 作者
（45） Magnetoelectric effect of the multi-push-pull mode in 0.35Pb(In1/2Nb1/2)O-3-0.35Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.30PbTiO(3)/Metglas magnetoelectric composite, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 0 作者
（46） Pyroelectric infrared linear arrays based on PIMNT, 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING, IMAGING, AND SOLAR ENERGY, 2012, 第 2 作者
（47） The study of carbon nanotubes as coating films for electrically calibrated detectors, MEASUREMENT SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 第 11 作者
（48） Design and thermal analysis of electrically calibrated pyroelectric detector, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 第 11 作者
（49） 基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究, Pyroelectric Arrays with Relax-based Ferroelectric Single Crystals, 光电工程, 2011, 第 1 作者
（50） 高精度紫外探测器定标测试方法, high-accuracy calibration of uv detectors, 航天器环境工程, 2010, 第 1 作者
（51） 一种紫外焦平面探测器电流响应率测试方法, 光学学报, 2009, 第 1 作者
（52） Electrically calibrated pyroelectric detector for high-accuracy calibration of UV radiation, Pro. Of SPIE, 2007, 第 1 作者

   

（ 1 ） 表面集成人工微纳结构的宽谱段InGaAs焦平面探测器研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 2 ） （略）, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
（ 3 ） XXX（省略）, 负责人, 国家任务, 2017-03--2017-12
（ 4 ） XXX（省略）, 负责人, 国家任务, 2016-11--2020-12
（ 5 ） XXX（省略）, 负责人, 中国科学院计划, 2015-05--2017-05
（ 6 ） 快速微型近红外光谱仪的国产化技术研究及其应用, 负责人, 地方任务, 2014-09--2016-09
（ 7 ） 基于阻挡层结构外延材料的InGaAs探测器的可见-短波红外光谱拓展方法研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 8 ） 基于航天应用的材料验证与器件研究, 参与, 国家任务, 2012-01--2016-12
（ 9 ） 新型热释电材料及其光传感器研究, 参与, 国家任务, 2009-01--2012-12
（ 10 ） 基于传感器的紫外辐射定标及器件光电等效机理研究, 负责人, 国家任务, 2008-01--2010-12

已指导学生

马学亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王瑞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

石铭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何玮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

万露红  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

杜爱博  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

彭郑华  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱迅毅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈晓娟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学