从事集成电路先进制造工艺仿真及EDA关键技术研究，研究方向包括：

1）集成电路智能制造工艺仿真

2）半导体制造中薄膜沉积、刻蚀等关键工艺微观动力学

3）人工智能驱动的工艺仿真

 

招收具有集成电路、计算机、半导体工艺、材料、物理、化学等学科背景，且有志于从事集成电路智能制造工艺仿真、EDA工具研发及产业化的硕士研究生。

140100-集成电路科学与工程
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统

集成电路先进制造工艺仿真EDA
半导体先进制造工艺微观动力学
人工智能驱动的工艺仿真EDA

2019-09--2022-09   中国科学院微电子研究所   博士
2010-09--2013-07   中国科学院微电子研究所   硕士
2005-09--2009-07   哈尔滨工程大学   学士

   

2024-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2019-07~2024-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2013-07~2019-07,中国科学院微电子研究所, 教育主管、外联主管

2025-06-01-今,真空科学与技术学报青年编委, 青年编委
2025-06-01-今,北京集成电路学会会员,
2025-05-24-今,中国真空学会, 高级会员
2024-06-01-今,中国电子学会, 会员

   

（1） 中国科学院大学教育教学成果奖, 二等奖, 研究所（学校）, 2025
（2） 中国科学院教育教学成果奖, 二等奖, 院级, 2021
（3） 中国科学院大学领雁银奖振翅奖, 二等奖, 研究所（学校）, 2021
（4） 中国科学院微电子所先进工作者, 特等奖, 省级, 2016

（ 1 ） 半导体建模方法、装置、存储介质及计算机, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: ZL 202110271530.X

（ 2 ） 一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: ZL 202110639484.4

（ 3 ） 一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202211728408 .1

（ 4 ） 一种化学气相沉积的模拟仿真方法、装置、设备及介质, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202411622242.4

（ 5 ） 集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: ZL 202411688687.2

（ 6 ） 半导体图形化工艺仿真模型中形貌缺陷确定方法及装置, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202310334555.9

（ 7 ） 薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: 202210061500.0

（ 8 ） 一种横向空腔薄膜沉积工艺仿真方法及装置, 发明专利, 2025, 第 1 作者, 专利号: 202510805302.4

（ 9 ） 一种反应气体扩散系数确定方法、装置及设备, 发明专利, 2025, 第 3 作者, 专利号: 202510830090.5

（ 10 ） 一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子 设备, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202111093533 .5

（ 11 ） 一种刻蚀仿真模型中反射通量求解方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202111594256 .6

（ 12 ） 多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及 装置, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: 202210279430 .6

（ 13 ） 一种电子扫描显微镜图像的图形尺寸自动测量方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: 202211452723.6

（ 14 ） 沉积速率预测方法及装置、存储介质及电子设备, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: 202310343864.2

（ 15 ） 一种集成电路刻蚀轮廓预测方法、装置、系统和介质, 发明专利, 2023, 第 4 作者, 专利号: 202311432979.5

（ 16 ） 一种电子扫描显微镜图像的特征提取方法及装置, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: 202211569433.X

（ 17 ） 一种利用浅槽沟道隔离制造电源线的方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202111618101 .1

（ 18 ） 入射粒子通量分布计算方法、装置、设备及介质, 发明专利, 2023, 第 3 作者, 专利号: 202311475359.X

（ 19 ） 一种薄膜沉积过程预测方法及装置, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: 202411618071.8

   

（1） Modeling the charging effect of the hardmask and silicon substrate during plasma etching in advanced nodes, Journal of Applied Physics, 2025, 第 5 作者
（2） A hyperparameter-fusion neutral networks for deposition prediction, Engineering Applications of Artificial Intelligence, 2025, 第 5 作者  通讯作者
（3） Modeling conformality of Al2O3 deposited in high aspect ratio structure by atomic layer deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（4） A Machine Learning Model for Interpretable PECVD Deposition Rate Prediction, Advanced Intelligent Discovery, 2025, 第 4 作者  通讯作者
（5） Atomic-Level Monte Carlo Modeling of SiN Deposition by PECVD, Proc. SISPAD2025, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（6） Physics-Informed Bayesian Optimization Framework for Etching Rate and Surface Roughness Co-optimization, Proc. SISPAD2025, 2025, 第 2 作者  通讯作者
（7） A Spatiotemporal Attention Enhanced ConvLSTM Model for thin film deposition prediction in semiconductor manufacturing, 2025 3nd International Symposium of Electronic Design Automation (ISEDA), 2025, 第 5 作者  通讯作者
（8） Loading Effect during SiGe/Si Stack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors, ACS Applied Electronic Materials, 2024, 第 1 作者
（9） Modeling of Silicon Nitride Chemical Vapor Deposition in High Aspect Ratio Nano-scale Substrate Features, Proc. SPIE, 2024, 第 1 作者
（10） Study of Selective Dry etching Si0.7Ge0.3 with Different Plasma Source in Process of Gate-all-around FET, Proc. SPIE, 2024, 第 4 作者
（11） A Novel Kinetic Framework Based Multiscale Modeling of Spatial Atomic Layer Deposition Process, Proc. SPIE, 2024, 第 2 作者  通讯作者
（12） Prediction of Etch Bias Using Random Forest Model, Proc. SPIE, 2024, 第 2 作者
（13） Investigation of the Influence of Hardmask Morphology on Bowing Effect in Nano-scale Silicon Plasma Etching Process, Proc. SPIE, 2024, 第 3 作者
（14） Study of Precisely Controlled Selective Isotropic quasi-ALE of SiGe, Proc. SPIE, 2024, 第 3 作者
（15） Etching process prediction based on cascade recurrent neural network, Engineering Applications of Artificial Intelligence, 2024, 第 6 作者
（16） First large-scale (68��25��5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD), IEDM, 2024, 第 6 作者
（17） Modeling of Micro-trenching and Bowing Effects in Nano-scale Si Inductively Coupled Plasma Etching Process, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2023, 第 2 作者  通讯作者
（18） Study of Selective Dry Etching Effects of 15-Cycle Si0.7Ge0.3/Si Multilayer Structure in Gate-All-Around Transistor Process, Nanomaterials, 2023, 第 5 作者
（19） Modeling of SiNx growth by chemical vapor deposition in nanosheet indentation, Proc. SPIE, 2023, 第 1 作者
（20） Study of Selective Isotropic Etching Effects of Si1-xGex in Gate-all-around Nanosheet Transistor Process, Proc. SPIE, 2023, 第 2 作者
（21） High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 第 1 作者
（22） Modeling of SiN Inner Spacer Deposition in Gate-all-around Nanosheet FET Process, Proc. of SPIE, 2022, 第 1 作者
（23） 磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究, 功能材料, 2013, 第 1 作者

   

与长鑫存储、京东方有长期深入合作

现指导学生

喻杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

傅一豪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

江浩  硕士研究生  085403-集成电路工程