基本信息
上官士鹏  男    中国科学院国家空间科学中心
电子邮件: shangguansp@nssc.ac.cn
通信地址: 北京市怀柔区京密北二街国家空间科学中心
邮政编码: 101499

研究领域

       主要从事单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应研究。作为项目核心技术人员参与了中科院重点部署项目、核高基重大专项、国防科工、空间科学院培育项目、空间科学先导专项等纵向课题。为载人航天、空间站、探月工程、空间科学卫星等重大科技任务提供了脉冲激光模拟试验,累计为国内120余家器件、单机研制单位及评测单位开展了数百款体硅工艺集成电路的单粒子效应的激光试验。为国内多家单位了开展了综合的空间辐射效应试验。

       创新攻关多项核心技术,发表论文30余篇,授权专利10余项。获得2019XX科技进步二等奖一项;主持国家级课题3项,省部级课题10余项,建成宇航用电子器件辐射效应数据库1套。


招生信息

地球与空间探测技术  学术型硕士

电子信息                   专业型硕士


招生专业
0708Z2-地球与空间探测技术
招生方向
空间环境效应试验与仿真研究

教育背景

   
学历

地球与空间探测技术 理学博士

学位

地球与空间探测技术 理学博士

工作经历

2024-01-01/至今

中国科学院国家空间科学中心

高级工程师

2020-01-01/2023-12-31

中国科学院国家空间科学中心

项目高级工程师

2014-01-01/2019-12-31

中国科学院国家空间科学中心

助理研究员

2011-07-01/2013-12-31

中国科学院国家空间科学中心

助理工程师


专利与奖励

   
奖励信息
(1) 集成电路单粒子锁定效应激光试验评估技术, 二等奖, 省级, 2019
专利成果
( 1 ) 一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: 202110760925.6

( 2 ) 一种宇航用集成电路激光单粒子效应试验装置, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: N2028645

出版信息

   
发表论文
(1) Displacement damage and single event effects of SiC diodes and MOSFETs by neutron, heavy ions and pulsed laser, Microelectronics reliability, 2022, 第 1 作者  通讯作者
(2) Flash 芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验, 北京航空航天大学学报, 2021, 第 1 作者  通讯作者
(3) Single event effects of SiC diode demonstrated by pulsed laser two photon absorption, Microelectronics reliability, 2021, 第 1 作者  通讯作者
(4) 0.13μm 部分耗尽 SOI 工艺反相器链SET 脉宽传播, 北京航空航天大学学报, 2019, 第 1 作者  通讯作者