高可靠集成电路设计，半导体器件和电路辐射效应仿真，航天器空间环境辐射效应

地球与空间探测技术，08.航天器空间环境效应研究与应用；

电子信息，15.高可靠集成电路与电子系统设计

0708Z2-地球与空间探测技术
085400-电子信息

高可靠集成电路设计
航天器空间环境效应
半导体器件和电路辐射效应仿真

2013-09--2016-11   中国科学院大学   博士
2007-09--2010-07   中国科学院大学   硕士
2002-09--2006-07   湖北大学   学士

   

2022-09~2023-09,加拿大萨斯喀彻温大学, 博士后
2018-11~2019-11,加拿大萨斯喀彻温大学, 国家公派访问学者，萨省大学访问教授
2010-07~现在, 中国科学院国家空间科学中心, 副研究员

2024-01-16-今,长沙理工大学博士生导师,
2023-08-30-今,南京航空航天大学行业导师,
2023-01-02-今,加拿大萨省大学讲席教授,
2022-10-11-今,哈尔滨工业大学技术顾问,
2020-01-01-今,中科芯试验公司股东,

空间高可靠电子系统设计

中国科学院国家空间科学中心铜质奖章

（1） World Top Scientists最佳研究员奖, 其他, 2024
（2） 自主可控军队科技进步二等奖, 二等奖, 部委级, 2019

（ 1 ） 一种器件单粒子效应薄弱点测绘甄别装置及方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN110470968B

（ 2 ） 一种多类型器件单粒子效应统筹监测系统及监测方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111781446A

（ 3 ） 一种空间带电粒子入射位置及能量探测器和探测方法, 发明专利, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN110806597A

（ 4 ） 一种用于半导体器件材料厚度的光学测量方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105136049A

（ 5 ） 一种暴露芯片衬底面的封装方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105070694A

（ 6 ） 一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105067529A

（ 7 ） 一种用于半导体器件材料反射率的光学测量方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105004697A

   

（1） research on the effect of proton irradiation on GaN HEMT based on the Cascade structure, ICREED, 2023, 通讯作者
（2） Single-Event Transient Study of 28 nm UTBB-FDSOI Technology Using Pulsed Laser Mapping, ELECTRONICS, 2023, 第 1 作者
（3） Evaluation of SEU impact on convolutional neural networks based on BRAM and CRAM in FPGAs, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 通讯作者
（4） Ultra-Strong Comprehensive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics, SMALL, 2022, 通讯作者
（5） Research on the Synergistic Effect of Total Ionization and Displacement Dose in GaN HEMT Using Neutron and Gamma-Ray Irradiation, NANOMATERIALS, 2022, 第 1 作者
（6） Experimental Study on the Space Electrostatic Discharge Effect and the Single Event Effect of SRAM Devices for Satellites, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2022, 通讯作者
（7） Soft error mechanism in SOI D flip-flop induced by space electrostatic discharge, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 通讯作者
（8） 脉冲激光诱发130nm体硅CMOS器件的单粒子闩锁效应, Single Event Latch-up Effect of 130 nm Bulk Silicon CMOS Device Irradiated by Pulsed Laser, 空间科学学报, 2021, 第 2 作者
（9） The Study of the Single Event Effect in AlGaN/GaN HEMT Based on a Cascode Structure, ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
（10） comparative study on the soft error induced bu single event effect and space electrostaic discharge, electronics, 2021, 第 1 作者
（11） 脉冲激光诱发65nm体硅CMOS加固触发器链的单粒子翻转效应研究, 航天器环境工程, 2021, 通讯作者
（12） Comparative Study on the "Soft Errors" Induced by Single-Event Effect and Space Electrostatic Discharge, ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
（13） 脉冲激光诱发65 nm体硅CMOS加固触发器链的单粒子翻转敏感度研究, Sensibility of single event upset of hardened D flip-flop chain in 65 nm bulk silicon CMOS irradiated by pulsed laser, 航天器环境工程, 2021, 第 2 作者
（14） Single Event Upset Evaluation for a 28-nm FDSOI SRAM Type Buffer in an ARM Processor, JOURNAL OF ELECTRONIC TESTING-THEORY AND APPLICATIONS, 2021, 第 2 作者
（15） Flash芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验, Experimental results of high current spike in Flash chip by pulsed laser, 北京航空航天大学学报, 2021, 第 3 作者
（16） single event upset evaluation for 28nm FDSOI SRAM type buffer in an ARM processor, journal of electronic testing, 2021, 通讯作者
（17） 单粒子效应诱发的航天器故障可能是充放电效应所致, 航天器环境工程, 2021, 第 1 作者
（18） 氮化镓基高迁移率晶体管单粒子和总剂量效应试验研究, 物理学报, 2021, 第 1 作者
（19） Preliminary Study on the Model of Thermal Laser Stimulation for Defect Localization in Integrated Circuits, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2020, 通讯作者
（20） Study on the single-event upset sensitivity of 65-nm CMOS sequential logic circuit, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
（21） Flash芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验, 北京航空航天大学学报, 2020, 第 3 作者
（22） 130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究, Single-event-transient pulse width characteristics of 130 nm bulk silicon inverter chain, 北京航空航天大学学报, 2019, 第 2 作者
（23） 激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究, Characteristics of latch-up current of dose rate effect by laser simulation, 物理学报, 2019, 第 3 作者
（24） Characteristics of latch-up current of dose rate effect by laser simulation, ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 第 3 作者
（25） 0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播, Single event transient pulse width transmission of 0.13μm partial depleted SOI process DFF, 北京航空航天大学学报, 2019, 第 3 作者
（26） Comparative Study on the Transients Induced by Single Event Effect and Space Electrostatic Discharge, IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2019, 
（27） Application of Two-Photon-Absorption Pulsed Laser for Single-Event-Effects Sensitivity Mapping Technology, MATERIALS, 2019, 通讯作者
（28） SEE Characteristics of COTS Devices by 1064nm Pulsed Laser Backside Testing, 2018 IEEE NUCLEAR AND SPACE RADIATION EFFECTS CONFERENCE, NSREC 2018, 2018, 第 4 作者
（29） 空间静电放电对集成运算放大器的干扰影响模拟试验研究, 中国科学: 技术科学, 2017, 第 3 作者
（30） 脉冲激光模拟空间载荷单粒子效应研究进展, Research Progress for Single Event Effects of Space Payloads by Pulsed Laser Simulation, 深空探测学报, 2017, 第 5 作者
（31） Comparison of radiation-induced charge sharing generated by heavy ion and pulsed laser, PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS, RADECS, 2017, 第 5 作者
（32） Comparative Research on "High Currents" induced by Single Event Latchup and Transient induced Latchup, china physic B, 2016, 第 1 作者
（33） 90nm 互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理研究, 物理学报, 2015, 第 1 作者
（34） Comparative research on "high currents" induced by single event latch-up and transient-induced latch-up, CHINESE PHYSICS B, 2015, 通讯作者
（35） K6R4016V1D芯片在低地球轨道发生单粒子效应频次的分析, 空间科学学报, 2015, 第 6 作者
（36） 单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究, Experimental Study on Pulsed Laser Single Event Upset Sensitivity Mapping, 原子能科学技术, 2015, 第 4 作者
（37） 90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理, Mechanism of multiple bit upsets induced by localized latch-up effect in 90 nm complementary metal semiconductor static random-access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 通讯作者
（38） CMOS器件单粒子效应电荷收集机理, 北京航空航天大学学报, 2014, 第 3 作者
（39） 90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理, Mechanism of multiple bit upsets induced by localized latch-up effect in 90 nm complementary metal semiconductor static random-access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 通讯作者
（40） 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法, Single event latch-up effect and mitigation technique in different sized CMOS devices, 强激光与粒子束, 2014, 第 1 作者
（41） CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证, Mitigation Technique and Experimental Verification of Single Event Latch-up Effect in Circuit Level for CMOS Device, 原子能科学技术, 2014, 第 1 作者
（42） 单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法, The Single Event Effects TCAD Numerical Simulation of 3D Modeling Method, 核电子学与探测技术, 2013, 第 1 作者
（43） SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁及防护试验研究, Experimental Study on Single Event Latchup of SRAM K6R4016V1D and Its Protection, 原子能科学技术, 2012, 第 3 作者
（44） Experimental study on single event latchup of SRAM K6R4016V1D and its protection, YUANZINENG KEXUE JISHU/ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 第 3 作者
（45） 脉冲激光试验评估模拟电路单粒子效应, Pulsed laser test of single event effects in analog circuits, 信息与电子工程, 2012, 第 4 作者
（46） 脉冲激光试验在宇航器件和电路系统抗单粒子效应设计中的初步应用, Applications of pulsed laser test on single event effect hardening for aerospace components and circuit systems, 航天器环境工程, 2011, 第 6 作者
（47） 单粒子效应和充放电效应诱发典型星用器件异常的初步比对研究, 第 1 作者

   

（ 1 ） 空间带电粒子的单粒子效应和充放电效应诱发“软错误”的异同规律及机理研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
（ 2 ） 卫星单粒子和充放电辐射故障快速甄别诊断方法探索, 负责人, 国家任务, 2018-01--2020-12
（ 3 ） 面向宇航应用的第三代半导体大功率器件抗辐射加固技术研究与开发, 参与, 地方任务, 2019-10--2022-12
（ 4 ） 面向科学卫星应用国产器件空间应用验证试验技术, 负责人, 中国科学院计划, 2017-01--2020-07
（ 5 ） Study on the SEE sensitivity mapping technology for 28nm FDSOI technology using Two Photon Absorption pulsed laser, 参与, 其他国际合作项目, 2019-01--2022-12
（ 6 ） 空间充放电效应诱发典型星用存储电路故障的研究, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-06
（ 7 ） 空间环境对先进空间设施的影响机制, 负责人, 国家任务, 2022-12--2027-11
（ 8 ） 空间充放电诱发星用存储电路“软错误”的机理和量化模型研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12