基本信息
武荣庭 男 中国科学院半导体研究所
电子邮件: rtwu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:
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研究领域
主要研究方向:
低维结构信息材料与器件,硼稀相关结构物性调控,精密科研仪器创新研制,功能分子薄膜结构物性。研究工作主要基于扫描隧道显微镜和低能电子显微镜展开。
过去的主要工作及获得的成果:
发表sci学术论文二十余篇,其中以第一作者/通讯作者发表9篇,包括nature nanotechnology一篇、nature chemistry一篇(封面报道),npj quantum materials一篇,advanced electronic materials 一篇,nano research 一篇,jpcl一篇等。总引用次数2300余次。获得发明专利9项,其中第一发明人专利7项,包括1项国际专利和2项美国专利。
致力于低维量子材料生长,原位原子结构表征,电磁输运测量的高端科研仪器创新研制及前
沿研究,主要工作和成果如下:
1)实现多种微米量级新型硼烯材料制备,形状尺寸调控,晶向、原子及电子结构解析。
2)实现单层镁铜界面化合物,并揭示其非平庸拓扑能带中狄拉克 “节线” 特征。
3)调控萘酞菁分子自组装结构演化,构筑共价联结的一维分子阵列,并揭示其双质子隧穿的演化路径和中间态。
4)自主研制多款高端科研仪器,包括电阻/电子束加热蒸发源, 扫描隧道显微镜扫描头,分子束外延扫描隧道显微镜,电磁输运测量探针,角分辨光电子能谱集成系统等。
招生信息
课题组每年招收研究生1-2名,联合培养博士生,硕士生,科研助理若干,具有物理,化学,材料,机械设计,微电子控制相关背景者优先考虑。
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
低维量子材料,精密科研仪器创新研制
教育背景
2009-09--2015-07 中国科学院物理研究所 博士2005-09--2009-07 山东大学 学士
工作经历
工作简历
2023-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员2020-10~2023-08,美国耶鲁大学, 副研究科学家2015-09~2020-09,美国耶鲁大学, 博士后