基本信息
潘教青  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jqpan@semi.ac.cn
通信地址: 海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

招生信息

1. 半导体激光器及其集成器件
2. 硅基相控阵激光雷达  


招生方向
半导体激光器及集成器件
硅基激光相控阵雷达芯片

教育背景

2000-09--2003-06   山东大学   博士
1997-09--2000-06   山东大学   硕士
1993-09--1997-06   山东大学   学士
学历
山东大学 --20030701 研究生毕业
学位
-- 工学博士学位

工作经历

   
工作简历
2011-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-10~2011-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-07~2005-10,中国科学院半导体研究所, 博士后

专利与奖励

中国电子学会发明二等奖基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究。第一完成人。

​培养二十多名博士研究生,其中一位同学获得中国科学院院长奖学金,两位同学获得中国科学院优秀毕业论文,五位同学获得半导体所长奖学金,三位同学获得半导体所优秀毕业生。

专利成果
( 1 ) 硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110265503B

( 2 ) 大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111313237B

( 3 ) 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112232487A

( 4 ) 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN112101540A

( 5 ) 光学神经网络卷积层芯片、卷积计算方法和电子设备, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111753977A

( 6 ) 低损耗硅基激光器, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111564758A

( 7 ) 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器, 专利授权, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108988124B

( 8 ) 宽光谱晶闸管激光器的制备方法, 专利授权, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN107069427B

( 9 ) 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN108110613B

( 10 ) 硅基电注入激光器及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN107069430B

( 11 ) 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109638648A

( 12 ) InP基波分‑模分复用少模光通信光子集成发射芯片, 发明专利, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN105068189B

( 13 ) 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN105388564B

( 14 ) 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN108736314A

( 15 ) 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108110618A

( 16 ) 基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107181166A

( 17 ) 多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106921112A

( 18 ) 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106887790A

( 19 ) 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106356716A

( 20 ) 基于外腔式窄线宽分布式布拉格反射半导体激光器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106129806A

( 21 ) Method of manufacturing Si-based high-mobility group III-V/Ge channel CMOS, null, 2015, 专利号: US8987141(B2)

( 22 ) 以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319613A

( 23 ) 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319630A

( 24 ) 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103811305A

( 25 ) 一种PiNiN结构晶闸管激光器, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103647217A

( 26 ) 一种硅基微腔激光器的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103579902A

( 27 ) 分布反馈式激光器及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103545711A

( 28 ) 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311106A

( 29 ) ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103117222A

( 30 ) 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103390591A

( 31 ) 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103346092A

( 32 ) 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103258796A

( 33 ) 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103177939A

( 34 ) 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103177971A

( 35 ) 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103165446A

( 36 ) 在Si基上制备InP基HEMT的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103137477A

( 37 ) 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103107096A

( 38 ) 在硅上集成HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103077892A

( 39 ) 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065973A

( 40 ) 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102957095A

( 41 ) 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102882129A

( 42 ) 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570305A

( 43 ) 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102545054A

( 44 ) 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102684071A

( 45 ) 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102651535A

( 46 ) 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102638000A

( 47 ) 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570309A

( 48 ) 锗基赝砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102543693A

( 49 ) 制备硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102534768A

( 50 ) 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364772A

( 51 ) 水汽探测用激光芯片的制造方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364771A

( 52 ) 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102243994A

( 53 ) 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102263015A

( 54 ) 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102244007A

( 55 ) 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102162968A

( 56 ) 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102044844A

( 57 ) 低介电常数BCB树脂的固化方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101625983

( 58 ) 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101621179

( 59 ) 异质掩埋激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101888060A

( 60 ) 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101882756A

( 61 ) 一种制备高速电吸收调制器的方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101738748A

( 62 ) 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101614843

( 63 ) 选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101471541

( 64 ) 吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100468090

( 65 ) 模式相干的双模半导体激光器结构, 发明专利, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN101316024

( 66 ) 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法, null, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100426606

( 67 ) 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071935

( 68 ) 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法, null, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN100349338

( 69 ) 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法, null, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100341214

( 70 ) 用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1905297

( 71 ) 基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1834600

( 72 ) 一种高效半导体纳米材料的应用, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1494945

( 73 ) 一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法, null, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1149685

( 74 ) 利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法, null, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1149686

( 75 ) 一种高效半导体纳米材料的制备方法, null, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1142088

指导学生

已指导学生

刘震  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

米俊萍  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李梦珂  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李士颜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王嘉琪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王梦琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

戴兴  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孔祥挺  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李召松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李亚节  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孟芳媛  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于红艳  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

杨正霞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨文宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马建滨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

罗光振  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吕晨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

崔浪林  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于磊  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王瑞廷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈力成  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田家琛  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马鹏飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

科研项目

正在承担的项目:

国家自然科学基金重点项目“硅基激光雷达芯片关键技术研究”项目负责人

国家重点研发计划 “有源红外气体传感材料与器件及应用”项目首席;

中国科学院前沿重点研究项目 “硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”项目负责人;

“光子集成芯片联合实验室”,单片集成激光雷达芯片,项目负责人;


已经结题的项目:

国家科技重大专项硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究,首席科学家。

国家“863” 计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器,负责人。

国家“863” 计划项目基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究,负责人。

国家“863”计划项目多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究(与北京大学合作)子课题,负责人。

国家“973”项目“InPDFB激光器芯片制备及其与硅基波导键合研究(与北京大学合作)子课题,负责人。


科研成果

目前研究硅基单片集成激光雷达芯片,集成度高、体积小、功耗低,是无人驾驶等行业的关键技术之一;

研究硅基光子集成神经网络芯片。