专利成果
( 1 ) 电泵激光器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113644549A( 2 ) 光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113328338A( 3 ) 大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111313237B( 4 ) 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112232487A( 5 ) 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112232487A( 6 ) 光学神经网络卷积层芯片、卷积计算方法和电子设备, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111753977A( 7 ) 低损耗硅基激光器, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111564758A( 8 ) 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器, 专利授权, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108988124B( 9 ) 硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110265503A( 10 ) 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109638648A( 11 ) 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN108736314A( 12 ) 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108110613A( 13 ) 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108110618A( 14 ) 基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107181166A( 15 ) 硅基电注入激光器及其制备方法, 专利授权, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107069430A( 16 ) 宽光谱晶闸管激光器的制备方法, 专利授权, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107069427A( 17 ) 多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106921112A( 18 ) 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106887790A( 19 ) 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106356716A( 20 ) 基于外腔式窄线宽分布式布拉格反射半导体激光器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106129806A( 21 ) 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105388564A( 22 ) InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105068189A( 23 ) Method of manufacturing Si-based high-mobility group III-V/Ge channel CMOS, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: US8987141B2( 24 ) 以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319613A( 25 ) 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319630A( 26 ) METHOD OF MANUFACTURING SI-BASED HIGH-MOBILITY GROUP III-V/GE CHANNEL CMOS, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: US20150024601(A1)( 27 ) 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103811305A( 28 ) 一种PiNiN结构晶闸管激光器, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103647217A( 29 ) 一种硅基微腔激光器的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103579902A( 30 ) 分布反馈式激光器及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103545711A( 31 ) 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103390591A( 32 ) 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103346092A( 33 ) 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311106A( 34 ) 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103258796A( 35 ) 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103177939A( 36 ) 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103177971A( 37 ) 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103165446A( 38 ) 在Si基上制备InP基HEMT的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103137477A( 39 ) ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103117222A( 40 ) 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103107096A( 41 ) 在硅上集成HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103077892A( 42 ) 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065973A( 43 ) 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102957095A( 44 ) 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102882129A( 45 ) 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102684071A( 46 ) 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102651535A( 47 ) 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102638000A( 48 ) 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570305A( 49 ) 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570309A( 50 ) 锗基赝砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102543693A( 51 ) 制备硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102534768A( 52 ) 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102545054A( 53 ) 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364772A( 54 ) 水汽探测用激光芯片的制造方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364771A( 55 ) 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102263015A( 56 ) 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102243994A( 57 ) 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102244007A( 58 ) 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102162968A( 59 ) 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102044844A( 60 ) 异质掩埋激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101888060A( 61 ) 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101882756A( 62 ) 一种制备高速电吸收调制器的方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101738748A( 63 ) 低介电常数BCB树脂的固化方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101625983A( 64 ) 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101621179A( 65 ) 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101614843A( 66 ) 选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101471541A( 67 ) 吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100468090C( 68 ) 模式相干的双模半导体激光器结构, 发明专利, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN101316024A( 69 ) 吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101101345A( 70 ) 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071935A( 71 ) 用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1905297A( 72 ) 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法, 发明专利, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1874088A( 73 ) 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1870368A( 74 ) 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1838493A( 75 ) 基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1834600A( 76 ) 一种高效半导体纳米材料的应用, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1494945( 77 ) 一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1149685C( 78 ) 一种高效半导体纳米材料的制备方法, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1142088C( 79 ) 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用, 发明专利, 2001, 第 6 作者, 专利号: CN1316381A( 80 ) 一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生产方法, 发明专利, 2000, 第 6 作者, 专利号: CN1271966A( 81 ) 利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法, 发明专利, 2000, 第 6 作者, 专利号: CN1271967A