氮化铝压电材料与射频器件、铁电材料与器件

   

080903-微电子学与固体电子学

氮化铝压电材料与射频器件

2011-09--2016-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2007-09--2011-06   四川大学   学士

   

2024-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2020-07~2023-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2016-05~2020-06,新加坡联华电子公司（UMC）, 主任工程师

   

（ 1 ） 一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115332435A

（ 2 ） 一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115347113A

（ 3 ） 一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115001427A

（ 4 ） 一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115094516A

（ 5 ） 一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法, 发明授权, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN115094516B

（ 6 ） 一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114878605A

（ 7 ） 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210146662

（ 8 ） 真空沟道晶体管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594004A

（ 9 ） 真空沟道晶体管及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594006A

（ 10 ） 全环绕栅极晶体管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113539792A

（ 11 ） 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952183A

（ 12 ） 一种核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN118248718A

（ 13 ） 一种多阈值纳米片GAAFET器件阵列及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118198067A

（ 14 ） 一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118198131A

（ 15 ） 一种互补型场效应晶体管器件及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118198068A

（ 16 ） 一种栅全包围核壳超晶格场效应晶体管器件及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN118213390A

（ 17 ） 一种体声波滤波器封装结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN117081534A

（ 18 ） 一种体声波谐振器及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN117081537A

（ 19 ） 一种半导体封装结构及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN117097291A

（ 20 ） 一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN117375547A

（ 21 ） 绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116949564A

（ 22 ） 全环绕栅极晶体管的制备方法, 发明授权, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN113539792B

   

（1） Investigation of Bragg Reflectors for Polarity-Inverted AlN BAW Resonators Operating at Super High Frequency, 2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium (UFFC-JS), 2024, 
（2） Highly Doped Single Crystal Al���-���Sc���N Bulk Acoustic Resonators for High-Frequency and Wideband Applications, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 第 6 作者  通讯作者
（3） A Ku-Band 2nd Order Mode FBAR Based on Bilayer Polarity-Inverted Single Crystal AlN Films, 2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium (UFFC-JS), 2024, 
（4） 6.5 GHz BAW Resonators and Filters Fabricated on Single Crystal AlN Template, 2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium (UFFC-JS), 2024, 
（5） High-K2eff High Frequency BAW Resonators Based on Single-Crystal Polarity-Inverted AlxSc1-xN Piezoelectric Films, 2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium (UFFC-JS), 2024, 
（6） Super-High-Frequency Bulk Acoustic Resonators Based on Aluminum Scandium Nitride for Wideband Applications, Nanomaterials, 2023, 
（7） 3.3 GHz BAW Resonators Fabricated on Single Crystal AlN Templates, IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), 2023, 
（8） In Situ Synchrotron XRD Characterization of Piezoelectric Al1-xScxN Thin Films for MEMS Applications, MATERIALS, 2023, 第 7 作者  通讯作者
（9） Junctionless nanosheet gate-all-around transistors fabricated on void embedded silicon on insulator substrate, ELECTRONICS LETTERS, 2023, 第 1 作者  通讯作者
（10） Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 7 作者
（11） Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on Insulator MOSFET, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 第 5 作者  通讯作者
（12） Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 2 作者
（13） Total Ionizing Dose Effects on Nanosheet Gate-All-Around MOSFETs Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 7 作者  通讯作者
（14） Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength, NANO LETTERS, 2017, 第 1 作者
（15） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者

   

（ 1 ） 单晶氮化铝射频滤波器技术研发及产业化技术, 负责人, 地方任务, 2024-09--2026-12
（ 2 ） 基于单晶氮化铝压电材料的高频体声波滤波器验证, 负责人, 地方任务, 2023-12--2026-12
（ 3 ） 声波滤波器关键材料产业化制备技术, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-10
（ 4 ） 基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 5 ） 基于先进CMOS工艺的新型SOI晶体管关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2022-09--2024-08
（ 6 ） 基于VESOI技术的H型栅器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-07--2024-06
（ 7 ） 集成电路芯片关键材料数据库, 参与, 国家任务, 2020-09--2022-08
（ 8 ） 5G滤波器掺杂AlN压电薄膜工艺开发, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06