080903-微电子学与固体电子学

AlN材料与射频器件，新型SOI材料与先进器件

2011-09--2016-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2007-09--2011-06   四川大学   学士

   

2020-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2016-05~2020-06,新加坡联华电子公司（UMC）, 主任工程师

   

（ 1 ） 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210146662

（ 2 ） 真空沟道晶体管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594004A

（ 3 ） 真空沟道晶体管及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594006A

（ 4 ） 全环绕栅极晶体管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113539792A

（ 5 ） 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952183A

（ 6 ） 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN104157579B

（ 7 ） 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103985788A

（ 8 ） 应变结构及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560157A

（ 9 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021815A

（ 10 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021927A

   

[1] Jiang, Wenzheng, Zhu, Lei, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Yu, Xi, Li, Xiaolong, Mu, Zhiqiang, Yu, Wenjie. In Situ Synchrotron XRD Characterization of Piezoelectric Al1-xScxN Thin Films for MEMS Applications. MATERIALS[J]. 2023, 16(5): http://dx.doi.org/10.3390/ma16051781.
[2] Mu, Zhiqiang, Zhou, Hongyang, Yang, Yumeng, Liu, Qiang, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Junctionless nanosheet gate-all-around transistors fabricated on void embedded silicon on insulator substrate. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2023, 59(4): http://dx.doi.org/10.1049/ell2.12740.
[3] Qian, Yijun, Gao, Yuan, Shukla, Amit Kumar, Sun, Lu, Zou, Xinbo, Wu, Tao, Mu, Zhiqiang, Lu, Kai, Dong, Yemin, Wei, Xing, Yang, Yumeng. Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2022, 69(11): 5965-5970, http://dx.doi.org/10.1109/TED.2022.3204513.
[4] Liu, Qiang, Zhou, Hongyang, Jia, Xin, Yang, Yumeng, Mu, Zhiqiang, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on Insulator MOSFET. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2022, 43(11): 1814-1817, [5] Liu, Qiang, Mu, Zhiqiang, Liu, Chenhe, Zhao, Lantian, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2021, 42(5): 657-660, http://dx.doi.org/10.1109/LED.2021.3066171.
[6] Zhao, Lantian, Liu, Qiang, Liu, Chenhe, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Wei, Xing, Mu, Zhiqiang, Yu, Wenjie. Total Ionizing Dose Effects on Nanosheet Gate-All-Around MOSFETs Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2021, 42(10): 1428-1431, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000701249800008.
[7] Mu, Zhiqiang, Yu, Haochi, Zhang, Miao, Wu, Aimin, Qi, Gongmin, Chu, Paul K, An, Zhenghua, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength. NANO LETTERS[J]. 2017, 17(3): 1552-1558, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000396185800033.
[8] Mu, Zhiqiang, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Sun, Gaodi, Guo, Qinglei, Chen, Da, Huang, Gaoshan, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 106(17): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000353839100076.
[9] Mu, Z Q, Xue, Z Y, Wei, X, Chen, D, Zhang, M, Di, Zengfeng, Wang, X. Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization. THIN SOLID FILMS[J]. 2014, 557: 101-105, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.119.
[10] 母志强, 俞文杰, 张波, 薛忠营, 陈明. Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2013, 30(10): 214-216, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000326492900054.

   

（ 1 ） 基于VESOI技术的H型栅器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-07--2024-06
（ 2 ） 基于VESOI技术的纳米片GAA器件研制及应用探索, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
（ 3 ） 集成电路芯片关键材料数据库, 参与, 国家任务, 2020-09--2022-08
（ 4 ） 5G滤波器掺杂AlN压电薄膜工艺开发, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06