基本信息

母志强  研究员    

中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: zqmu@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

研究领域

氮化铝压电材料、射频器件、新型SOI材料

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
氮化铝压电材料与射频器件

教育背景

2011-09--2016-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2007-09--2011-06   四川大学   学士

工作经历

   
工作简历
2024-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2020-07~2023-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2016-05~2020-06,新加坡联华电子公司(UMC), 主任工程师

专利与奖励

   
专利成果
[1] 贾欣, 母志强, 刘强, 周虹阳, 俞文杰. 一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法. CN: CN115332435A, 2022-11-11.
[2] 贾欣, 母志强, 刘强, 周虹阳, 俞文杰. 一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法. CN: CN115347113A, 2022-11-15.
[3] 母志强, 李卫民, 俞文杰. 一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器及其制备方法. CN: CN115001427A, 2022-09-02.
[4] 母志强, 姜文铮, 赵佳, 李卫民, 俞文杰. 一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法. CN: CN115094516A, 2022-09-23.
[5] 母志强, 姜文铮, 赵佳, 李卫民, 俞文杰. 一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法. CN: CN115094516B, 2023-07-07.
[6] 朱宇波, 母志强, 朱雷, 李卫民, 俞文杰. 一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法. CN: CN114878605A, 2022-08-09.
[7] 姜文铮, 母志强, 俞文杰. 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法. CN202210146662, 2022-05-24.
[8] 母志强, 刘强, 俞文杰. 真空沟道晶体管及其制备方法. CN113594004A, 2021-11-02.
[9] 母志强, 刘强, 俞文杰. 真空沟道晶体管及其制作方法. CN113594006A, 2021-11-02.
[10] 母志强, 刘强·, 俞文杰. 全环绕栅极晶体管的制备方法. CN113539792A, 2021-10-22.
[11] 俞文杰, 母志强, 刘强. 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法. CN: CN111952183A, 2020-11-17.
[12] 张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦. 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法. CN: CN104157579A, 2014-11-19.
[13] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法. CN: CN103985788A, 2014-08-13.
[14] 狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦. 应变结构及其制作方法. CN: CN103560157A, 2014-02-05.
[15] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面衬底结构及其制备方法. CN: CN103021815A, 2013-04-03.
[16] 狄增峰, 母志强, 薛忠营, 陈达, 张苗, 王曦. 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法. CN: CN103021927A, 2013-04-03.

出版信息

   
发表论文
[1] Jiang, Wenzheng, Zhu, Lei, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Yu, Xi, Li, Xiaolong, Mu, Zhiqiang, Yu, Wenjie. In Situ Synchrotron XRD Characterization of Piezoelectric Al1-xScxN Thin Films for MEMS Applications. MATERIALS[J]. 2023, 16(5): http://dx.doi.org/10.3390/ma16051781.
[2] Mu, Zhiqiang, Zhou, Hongyang, Yang, Yumeng, Liu, Qiang, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Junctionless nanosheet gate-all-around transistors fabricated on void embedded silicon on insulator substrate. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2023, 59(4): http://dx.doi.org/10.1049/ell2.12740.
[3] Qian, Yijun, Gao, Yuan, Shukla, Amit Kumar, Sun, Lu, Zou, Xinbo, Wu, Tao, Mu, Zhiqiang, Lu, Kai, Dong, Yemin, Wei, Xing, Yang, Yumeng. Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2022, 69(11): 5965-5970, http://dx.doi.org/10.1109/TED.2022.3204513.
[4] Liu, Qiang, Zhou, Hongyang, Jia, Xin, Yang, Yumeng, Mu, Zhiqiang, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on Insulator MOSFET. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2022, 43(11): 1814-1817, [5] Liu, Qiang, Mu, Zhiqiang, Liu, Chenhe, Zhao, Lantian, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Wei, Xing, Yu, Wenjie. Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2021, 42(5): 657-660, http://dx.doi.org/10.1109/LED.2021.3066171.
[6] Zhao, Lantian, Liu, Qiang, Liu, Chenhe, Chen, Lingli, Yang, Yumeng, Wei, Xing, Mu, Zhiqiang, Yu, Wenjie. Total Ionizing Dose Effects on Nanosheet Gate-All-Around MOSFETs Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2021, 42(10): 1428-1431, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000701249800008.
[7] Mu, Zhiqiang, Yu, Haochi, Zhang, Miao, Wu, Aimin, Qi, Gongmin, Chu, Paul K, An, Zhenghua, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength. NANO LETTERS[J]. 2017, 17(3): 1552-1558, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000396185800033.
[8] Mu, Zhiqiang, Zhang, Miao, Xue, Zhongying, Sun, Gaodi, Guo, Qinglei, Chen, Da, Huang, Gaoshan, Mei, Yongfeng, Chu, Paul K, Di, Zengfeng, Wang, Xi. Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 106(17): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000353839100076.
[9] Mu, Z Q, Xue, Z Y, Wei, X, Chen, D, Zhang, M, Di, Zengfeng, Wang, X. Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization. THIN SOLID FILMS[J]. 2014, 557: 101-105, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.119.
[10] 母志强, 俞文杰, 张波, 薛忠营, 陈明. Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2013, 30(10): 214-216, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000326492900054.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于VESOI技术的H型栅器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-07--2024-06
( 2 ) 集成电路芯片关键材料数据库, 参与, 国家任务, 2020-09--2022-08
( 3 ) 5G滤波器掺杂AlN压电薄膜工艺开发, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06
( 4 ) 基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
( 5 ) 基于先进CMOS工艺的新型SOI晶体管关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2022-09--2024-08
( 6 ) 基于单晶氮化铝压电材料的高频体声波滤波器验证, 负责人, 地方任务, 2023-12--2026-12
( 7 ) 声波滤波器关键材料产业化制备技术, 负责人, 国家任务, 2023-11--2026-10