基本信息
母志强  男    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： zqmu@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号
邮政编码：

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
AlN材料与射频器件，新型SOI材料与先进器件

教育背景

2011-09--2016-05   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2007-09--2011-06   四川大学   学士

工作经历

   
工作简历
2020-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2016-05~2020-06,新加坡联华电子公司（UMC）, 主任工程师

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210146662

（ 2 ） 真空沟道晶体管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594004A

（ 3 ） 真空沟道晶体管及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113594006A

（ 4 ） 全环绕栅极晶体管的制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113539792A

（ 5 ） 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952183A

（ 6 ） 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN104157579B

（ 7 ） 张应变锗MSM光电探测器及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103985788A

（ 8 ） 应变结构及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560157A

（ 9 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021815A

（ 10 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021927A

出版信息

   
发表论文
（1） Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 第 2 作者
（2） Total Ionizing Dose Effects on Nanosheet Gate-All-Around MOSFETs Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 通讯作者
（3） Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength, NANO LETTERS, 2017, 第 1 作者
（4） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
（5） Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization, THIN SOLID FILMS, 2014, 
（6） Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si_(0.5)Ge_(0.5)/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm, Electrical Characteristics of High Mobility Si/Si_(0.5)Ge_(0.5)/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 基于VESOI技术的H型栅器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-07--2024-06
（ 2 ） 基于VESOI技术的纳米片GAA器件研制及应用探索, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
（ 3 ） 集成电路芯片关键材料数据库, 参与, 国家任务, 2020-09--2022-08
（ 4 ） 5G滤波器掺杂AlN压电薄膜工艺开发, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06