基本信息
应利良  男    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: llying@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁区长宁路865号3号楼319室
邮政编码: 200050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
超导器件工艺
超导大规模集成工艺
超导薄膜制备研究

教育背景

2005-09--2011-07   上海大学   博士
1999-09--2003-07   上海大学   学士

工作经历

   
工作简历
2022-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 正高级工程师
2018-01~2021-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师
2013-05~2017-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 工程师
2012-10~2013-04,日本产业技术综合研究所(AIST), 访问学者
2011-07~2012-09,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 工程师
2008-08~2008-11,德国德累斯顿固体与材料研究所(IFW), 访问学者
2007-08~2007-11,德国德累斯顿固体与材料研究所(IFW), 访问学者

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 超导高频降频模块和方法、超导高频测试系统和方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: 202110367341.2

( 2 ) 提高超导集成电路工作范围的方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: 202110426087.9

( 3 ) 约瑟夫森结的制备方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN110148664B

( 4 ) 约瑟夫森结及其超导器件与制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202011518329.9

( 5 ) 一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111953308A

( 6 ) 超导连接通道及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111933787A

( 7 ) 一种平面超导纳米桥结的制备方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111682096A

( 8 ) 一种纳米超导量子干涉器件及其制备方法, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463342A

( 9 ) 全张量磁场梯度测量组件及制备方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN107329098B

( 10 ) 一种超导数字电路设计方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110032792A

( 11 ) 三维磁场测量组件及制备方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN107229021B

( 12 ) 金属侧壁的制备方法及器件结构, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910506664.8

( 13 ) 一种超导电路结构及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN105633268B

( 14 ) 氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN105449094B

( 15 ) 一种用于并行数据存储的超导高速缓冲存储器, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109508303A

( 16 ) 氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106816525B

( 17 ) 基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106767944B

( 18 ) 集成于约瑟夫森结的超导磁场线圈及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN106953000B

( 19 ) 台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN105702849B

( 20 ) 一种双通道超导连接及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105428517B

( 21 ) 一种超导量子干涉器件的封装结构, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105489750B

( 22 ) 约瑟夫森结电路模型和超导集成电路结构及建立方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107704649A

( 23 ) 无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构, 发明专利, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104377299B

( 24 ) 一种经改进的高温SQUID的封装结构及方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103871976A

出版信息

   
发表论文
(1) Photon number resolvability of multi-pixel superconducting nanowire single photon detectors using a single flux quantum circuit, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 5 作者
(2) Josephson junction parameters extraction method for the RCLSJ model, Physica C: Superconductivity and its Applications, 2022, 通讯作者
(3) Research On Power Dissipation of ERSFQ Circuits, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2021, 第 6 作者
(4) Process Control Monitoring for Fabrication Technology of Superconducting Integrated Circuits, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2021, 第 2 作者
(5) 串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析, Fabrication and experimental analysis of series superconducting quantum inteference device array, 物理学报, 2021, 第 6 作者
(6) Development of Multi-Layer Fabrication Process for SFQ Large Scale Integrated Digital Circuits, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2021, 第 1 作者
(7) Design and implementation of bit-parallel RSFQ shift register memories, SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者
(8) Investigation for Low-Rate Fenceless Al Etching Applied in Fabrication of Superconducting Circuits, IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, 2020, 通讯作者
(9) Fabrication and Characterization of Molybdenum Thin-Film Resistor for Superconducting Quantum Devices, IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, 2020, 第 8 作者
(10) Development of Nb/Al-AlOx/Nb Tunnel Junctions for Large Scale Integrated Digital Circuits, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 2017, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 大规模超导集成电路工艺研发, 负责人, 中国科学院计划, 2018-02--2023-12
( 2 ) 中科院关键技术人才, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2020-12
( 3 ) 大规模超导集成电路高保真器件模型研究, 负责人, 地方任务, 2021-07--2023-06
参与会议
(1)超导大规模集成电路工艺研发   第十六届全国超导学术研讨会   应利良   2021-10-20
(2)Development of Multi-Layer Fabrication Process for SFQ Large Scale Integrated Digital Circuits   2020应用超导会议(ASC)   Liliang Ying, Xue Zhang, Minghui Niu, Jie Ren, Wei Peng, Masaaki Maezawa, and Zhen Wang   2020-10-29
(3)Development of 4-layer-Nb process for SFQ circuits   2018国际超导传感器和探测器研讨会(IWSSD)   Liliang Ying, Yu Wu, Wanning Xu, Guanqun Li, Jie Ren, Wei Peng, Zhen Wang,   2018-07-25
(4)Measurement of Specific Capacitance for Nb/Al-AlOx/Nb Josephson Junctions in Single Flux Quantum Circuit Applications   2017国际超导电子学会议(ISEC)   Liliang Ying ,Wei Xiong, Yu Wu,Guanqun Li , Jie Ren, Wei Peng, and Zhen Wang   2017-06-15
(5)Development of Nb/Al-AlOx/Nb Tunnel Junction for Large Scale Integrated Digital Circuits   2016应用超导会议(ASC)   Liliang Ying*, Wei Xiong, Jie Ren, Wei Peng, Zhen Wang   2016-09-06
(6)Fabrication and measurements of Nb/Al-AlOx/Nb tunnel junctions and DC SQUID   2015应用超导与电磁装置技术国际学术会议(ASEMD)   Wei Xiong, Liliang Ying, Hai Wang, Guofeng Zhang, Zhen Wang   2015-11-22
(7)Development of NbAl-AlOxNb Tunnel Junctions for DC SQUID Magnetometers   2015国际超导电子学会议(ISEC)   Liliang Ying, Wei Xiong,Hai Wang, Guofeng Zhang, Wei Peng, Xiangyan Kong, Xiaoming Xie, Zhen Wang   2015-07-08
(8)Investigation of Interface and Tunneling Barrier Height for Nb/Al-AlOx/Nb Tunnel Junctions   2014应用超导会议(ASC)   应利良   2014-08-12
(9)Investigation of Interface and Tunneling Barrier Height for Nb/Al-AlOx/Nb Tunnel Junctions   2014 SIMIT-NICT研讨会   应利良   2014-03-04
(10)约瑟夫森结中 Nb 膜表面阳极氧化层的研究及应用   第 12 届全国全国超导学术研讨会   应利良   2013-07-30